JPS6353940A - 半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法

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JPS6353940A
JPS6353940A JP19759386A JP19759386A JPS6353940A JP S6353940 A JPS6353940 A JP S6353940A JP 19759386 A JP19759386 A JP 19759386A JP 19759386 A JP19759386 A JP 19759386A JP S6353940 A JPS6353940 A JP S6353940A
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Kiyoaki Tsumura
清昭 津村
Hitoshi Fujimoto
藤本 仁士
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の自動ワイヤボンディング方法
に関し、さらに詳しくは、半導体素子の各電極とリード
フレーム基板の各リード端子相互間におけるボンディン
グワイヤ4n F’eでのボンディング位置座標データ
の入力あるいは登録手段を改良した半導体装置の自動ワ
イヤボンディング方法に係るものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造時にあっては、半導体回路を構成する
半導体素子の各電極と、外部引出し端子であるリードフ
レーム基板の各リード端子とを、ボンディングワイヤに
より相πに接続する。いわゆるワイヤボンディング工程
が不可欠であり、この工程での接続操作は、自動ワイヤ
ボンディング装置により自動的に行なわれる。
従来における一般的なこの種の自動ワイヤボンディング
装置の概要構成を第5図に示し、またセルフティーチン
グによる各電極と各外部リード端子のボンディング位置
座標データの入力あるいは0録の態様を第6図に示す。
すなわち9まず、第5図の装置構成において、一般的な
自動ワイヤボンディング装置は、ボンディング操作部A
とボンディング制御部Bとに大別される。
こ−で、前記ボンディング操作部Aは、ヒートブロック
3上にあって、被処理半導体素子(半導体ペレット)1
.およびこの半導体素子lをグイポンドしたリードフレ
ーム基板2を載置支持するワーク・載置台4と、X−Y
テーブル5上にあって、ボンディングワイヤ8を繰り出
すギヤピラリチップ7を、ワーク載置台4の」二方に通
出させたボンディングヘッド6とを有すると共に、前記
ワーク載置台lの上方には、同ワークi!置台l上に搬
入載置される前記半導体素子lおよびリードフレーム基
板2の態様を、電子光学的にパターン検知するためのI
TVカメラ9を配置させである。
そして、このボンディング操作部Aでは、後述するよう
にポンディンゲル制御部Bからの制御信号によって、 
X−Yテーブル5による二次元平面での位置移動制御と
、キャピラリチップ7の上下移動制御とにより、所期の
ワイヤボンディング相互接続を自動的に行なうようにし
ている。
また、前記ボンディング制御部Bは、前記rTVカメラ
9に接続された位置検出装置(パターン認識装置)11
.およびそのモニタTV12と、位置検出装置11に接
続されたコンピュータからなるボンディング制御装置1
3.およびその電気チェスマン14と、ボンディング制
御装置13に接続され、かつ前記X−Yテーブル5.お
よびキャピラリチップ7のそれぞれ移動制御をなすボン
ディング駆動制御装置15とによって構成される。
つまり、−層具体的には、最初にITVカメラ8によっ
て、ワーク載置台l上に搬入載置され、かつヒートブロ
ック3により加熱状態におかれた相7r、接続前の半導
体素子1およびリードフレーム基板2のビデオ画像を撮
像し、その二次元平面での撮像パターン信号を、次の位
置検出装置11に出力する。
ついで、この位置検出装置11では、入力された撮像パ
ターン信号により、リードフレームノ、(板2に対する
半導体素子lのパターン認識をなすと共に、これを予め
内部に設定されている)、(準パターンと比較して、そ
の誤差データ信号をボンディング制御装コ13に出力す
る。
さらに、このボンディング制御装置13においては、入
力された誤差データ信号により、内部に登録されている
各ボンディング位置座標データを所定通りに補正した上
で、次のボンディング駆動制御装窮15に、そのときの
駆動IJI ggデータ信吟を出力し、このボンディン
グ駆動制御装置15からの制御出力により、  X−Y
テーブル5.およびキャピラリチップ7を移動制御して
、ワイヤボンディング相互接続を自動的に行なうのであ
る。
しかして、前記ボンディング位置座標データ。
換言すると、基準となる半導体素子1の各電極の中心座
標値と、これらの各電極に対応するリードフレーム基板
2の各外部リード端子のボンディング位置座標値とは、
現蒔点でコンピュータにとって簡単な機能である9人手
による現物合せのティーチング方式、一般的にはセルフ
ティーチングと呼ばれる手段によって、入力あるいは登
録するようにしている。
こ−で、このセルフティーチングシこよって入力される
。各電極および各外部リード端子それぞれの位置座標値
は、第6図(a)、(b)に示す通りである。
すなわち、この第6図(a)において、符号1は被処理
半導体素子の現物、pl、p2.・・・・・・Pnはこ
の半導体素子lの各電極、21は同半導体素子lをグイ
ポンドする前記リードフレーム基板2のグイポンド部、
22は半導体素子1の各電極に対応する同」ニリードフ
レーム基板2の各インナーリード部の現物である。また
、(Pl、Ll)、(P2.L2)、−・−・・(Pn
、Ln)はそれぞれにワイヤ接続される各電極と各イン
ナーリード部のステッチを表わしており、その位置座標
データは、前記X−Yテーブル6丘に設定された原点0
をもとにして決定される。
また、第6図(b)のモデルにおいて、位置座標データ
テーブルTの(γ、IL)は、(Pl、Ll)から(P
 、L )までの位置座標データを入力して登録さn せた前記ボンディング制御装置13のメモリ内部を示し
、その単位はX−Yテーブル5の移動量(クロックパル
ス数)である。
そして、これらのボンディング位置座標データは、すべ
て半導体素子1とリードフレームノ、(板2の現物を対
象にして、人手により直接入力して登録させるのである
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記したように従来方法においては、ボンディング位置
座標データを人手によって直接入力させるようにしてい
るため、必ずしも正確なボンディング位置座標データを
入力させることができず、入力する人の技能などに対応
して、そのボンディングの位置精度が一方的に決定され
て了−うちのであり、このように位置精度を決定する要
因に人為的なものが加えられることから、ワイヤポンド
終了後の半製品が信頼性に欠けること−なり、従って、
この半製品を−々検査する必要を生じ、その検査自体に
人手がか覧るばかりか、結果的にみて半導体装置の信頼
性向上を図り得ないと云う問題点があった。
この発明方法は、従来のこのような問題点を解消するた
めになされたもので、その目的とするところは、人手に
よる位置座標データの入力を廃止すると共に、所定通り
に定められた一定の位置座標データ(固定データ)によ
って、所期通りの正確で位置精度の安定したボンディン
グ接続を行ない得る。この種の半導体装置の自動ワイヤ
ボンディング方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、この発明に係る半導体装置
の自動ワイヤボンディング方法は、半導体素子の各電極
と、リードフレーム基板の各外部リード端子との相互を
、ボンディングワイヤにより自動的に接続する場合にあ
って、各電極の中心位置座標データを、半導体素子のパ
ターン設計図面により、また各外部リード端子のボンデ
ィング位置座標データを、リードフレームノ、(板のパ
ターン設計図面により、それぞれに作成してボンディン
グ制御系に入力させるようにし、これらの各相互接続の
ボンディング位置座標データを基準にして、ワイヤボン
ディング接続を行なうようにしたものである。
〔作   用〕
すなわち、この発明方法においては、半導体素子とリー
ドフレームノ、(板とのパターン設計[図面によって、
最も位置精度の高い座標データを得て、ボンディング制
御系に入力させるために、現実に即した実ボンディング
位置座標データを)、(べらにして、より一層信頼性に
優れたボンディング+i作を行ない得るのである。
〔実 施 例〕
以下、この発明に係る半導体装置の自動ワイヤボンディ
ング方法の実施例につき、第1図ないし第4図を参照し
て詳細に説明する。
第1図(a)は一実施例によるボンディング位置座標デ
ータの入力を説明するための、半導体素子およびこの半
導体素子をグイポンドしたリードフレーム基板のパター
ン設計図面を示している。
すなわち、この第1図(a)において、符号1は被処理
半導体素子のパターン設計図面であり、21はこの半導
体素子lをグイポンドしたリードフレーム基板2のグイ
ポンド部、22は半導体素子1の各電極に対応する同上
リードフレーム基板2の各インナーリード部のパターン
設計図面である。
また、(P、、L、)、、(P、L2)、・・・・・・
(Pn、Ln)はそれぞれにワイヤ接続される各電極と
各ステツチを表わしていて、その位置座標は、任意に設
定された原点0 すなわち01= (0,0)をもとに
して決定されI 。
ており、こ−では、この原点OIをリードフレーム基板
2のグイポンド部21の中心にとるようにしている。
また、第1図(b)は同実施例によるボンディング位置
座標データを記憶させた前記ボンディング制御器13内
のメモリ内部を示すモデルであり、位置座標データテー
ブルTの(IP、IL)は、 (Pl、Ll)■ から(P 、L )までの同上位置座標データ、 P 
は  n この場合、Pと半導体素子lの熱1彰張率α、それにボ
ンディング時の素子1の温度しによって求めた実ボンデ
ィング時の位置座標データ、すなわちlp’ = 1p
(1+αt)である。そして、この位置座標データテー
ブルT1における単位は、ルーなどの長さで表現され、
これを前記X−Yテーブル5が所定rti位(1パルス
)当り移動する分解fヲで除したパルス表現に変換して
用いる。
つまり、第2図の位置座標データテーブルT、。
が、第1図(b)のデータテーブルTtによって(りた
パルス単位(無中位)の位置座標データである。
すなわち。
L′(ルm) TL  (pulse)=□ X−Yテーブル分解能(鉢Im) である。
また、第3図(a)は、現物としての半導体素子1とリ
ードフレーム基板2とのX−Yテーブル座標系でのモデ
ルを表わしており、実ボンディングを行なうためには、
前記したパターン設計図面の原点0□に対応する現物原
点OR1のX−Yテーブル座標系での位置座標を求めて
、前記データテーブルT1を同上原点03、の分だけ!
方向とy方向とに平行移動することで、ボンディング位
ご座標の入力あるいは登録をなして実行し得る。すなわ
ち。
プ=  IP0+ 0RI L’ =c + QRI である。こ−では、実際上、リードフレーム基板2上で
のグイポンド部21における対角線の各コーナーR1と
R2とから、このグイポンド部21の中心座標OR1を
求めて実行する。
しかして、この実施例方法でのボンディング時の動作は
、適宜1手動または自動により、位置合せ用の電極Pお
よびR3の各中心位置と、同様に位置合せ用のステッチ
LおよびL3の各中心位置とをそれぞれに検出し、これ
らの各ボンディング位置座標データと、先に登録されて
いるデータテーブルTR□の登録データとによって、半
導体素子lとリードフレーム基板2の位置補正演算を実
行した後、ボンディング操作させればよく、これにより
て所期通りの1確で位置精度の安定したボンディング接
続を行ない得るのである。
なお、この場合、各インナーリード部22での位置座標
データについては、相互接続後のボンディングワイヤ8
のループ状態を良くするために、これを最適位置に補正
して用いるようにすることが望ましい。
次に、第4図は現物が複数である場合の一実施例である
この場合、複数の現物が、同一品種の211の半導体素
子1とリードフレームノ、(板2であれば、それぞれの
パターン設計図面のボンディング位置座標データから、
それぞれの原点OR1と0,2の位置座標を、各グイポ
ンド部21での各コーナーR1,R2とR3,R4の座
標により求めることで、それぞれの入力(登録)テーブ
ルTR□と”R2を得て、前記したようにボンディング
操作を実行できる。また、同様にして、相互に異なる品
種の2組の半導体素子1とリードフレーム基板2である
ときにも、それぞれのパターン設計図面のボンディング
位置座標データから、それぞれの入力(登録)テーブル
得て、こ\でもボンディング操作を実行できるのである
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体素子の各
電極と、リードフレーム基板の各外部リード端子との相
芽を、ボンディングワイヤにより自動的に接続する場合
、各電極の中心位置座標データを、半導体素子のパター
ン設計図面により、また各外部リード端子のボンディン
グ位置座標データを、リードフレーム基板のパターン設
計図面により、それぞれに作成してボンディング制御系
に入力させるようにし、これらの各相互接続のボンディ
ング位置座標データを基準にして、ワイヤボンディング
接続を行なうようにしたから、パターン設計図面から得
られるところの、最も正確で位置精度の高いボンディン
グ位置座標データをもとにし、併せて、各電極座標がボ
ンディング温度で熱膨張する点をも考慮して、現実に即
した実ボンディング位首座標データの入力(登録)をな
すことができ、この実ボンディング位首座標データを基
準にしたボンディング操作を行ない得て、常時、安定し
た位置精度の信頼性に優れたボンディングが可能となり
、従来必要とされていた人手によるボンディング位置座
標データの入力ないしは登録を廃1ヒでき、かつ、ボン
ディング位置精度の検査などの作業負担を格段に軽減で
きて、作業能率、生産性および製造歩留りなどをより一
層向上し得るなどの優れた特長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図はこの発明に係る半導体装置の自動
ワイヤボンディング方法の一実施例を示し、第1図(a
)、(b)はこの一実施例による半導体素子とリードフ
レーム基板のパターン設計図面。 および同ボンディング位置座標データテーブルのそれぞ
れ説明図、第2図は第1図(b)のデータテーブルによ
って得た実ボンディング位置座標データテーブルの説明
図、第3図(a)、(b)は同上半導体素子とリードフ
レーム基板のX−Yテーブル座標系での現物モデル、お
よび同ボンディング位置座標データテーブルのそれぞれ
説明図、第4図(a)。 (b)は同上複数の現物がある場合に一実施例による半
導体素子とリードフレーム基板のパターン設計図面、お
よび同ボンディング位置座標データテーブルのそれぞれ
説明図であり、また第5図は一般的な自動ワイヤボンデ
ィング装置の概要を模式的に示す構成説明図、第6図(
a)、(b)は従来例による半導体素子とリードフレー
ム基板のX−Yテーブル座標系での現物モデル、および
同ボンディング位置座標データテーブルのそれぞれ説明
図である。 1.2・・・・半導体素子、リードフレーム基板、4・
・・・ワーク載置台、5・・・・X−Yテーブル、6・
・・・ボンディングヘー、ド、7・・・・キャピラリチ
ップ、8・・・・ボンディングワイヤ、9・・・・ I
TVカメラ、11・・・・位置検出装置、13・・・・
ボンディング制御装置、15・・・・ボンディング駆動
制御装置。 代理人  大  岩  増  雄 第1図 第2図 第3図 第4図 第6図 牛y 特許庁長官殿                i−1
,+21発明の名称 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 イ主 所     東京都千代田区丸の内二丁目2番3
号名 称  (601)三菱電機株式会社代表者志岐守
哉 4、代理人 住 所    東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5
.目 I  ゛ 5、補正の対象 (1)明細書の益B)の詳細な説明の欄(2)図面 6、補正の内容 (1)明細書の第8頁3行の「了う」を「しまう」と補
正する。 (2)同第11頁6.7行の「Pはこの場合、」を「2
はこの場合、」と補正する。 (3)同第11頁13行の「(1パルス)」を「(lク
ロックパルス)」と補正する。 (4)同第14頁8行の「テーブル得て」を「テーブル
を得て」と補正する。 (5)第1図(a)を添付図面の通り補正する。 以   上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子の各電極と、リードフレーム基板の各
    外部リード端子との相互を、ボンディングワイヤにより
    自動的に接続するワイヤボンディング方法において、前
    記各電極の中心位置座標データを、半導体素子のパター
    ン設計図面により、また前記各外部リード端子のボンデ
    ィング位置座標データを、リードフレーム基板のパター
    ン設計図面によりそれぞれに作成してボンディング制御
    系に入力させるようにし、これらの各相互接続の位置座
    標データを基準にして、ワイヤボンディング接続を行な
    うことを特徴とする半導体装置の自動ワイヤボンディン
    グ方法。
  2. (2)半導体素子での各電極の中心位置座標データを、
    加熱状態にあるワーク載置台上に載置された半導体素子
    の熱膨張後の値に補正して用いることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載の半導体装置の自動ワイヤボン
    ディング方法。
  3. (3)リードフレーム基板の各外部リード端子のボンデ
    ィング位置座標データを、各相互接続後のボンディング
    ワイヤのワイヤループ形状が最適となる位置に補正して
    用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
    半導体装置の自動ワイヤボンディング方法。
JP19759386A 1986-08-22 1986-08-22 半導体装置の自動ワイヤボンデイング方法 Granted JPS6353940A (ja)

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