JPH0475684B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、一般的に、モノリシツク・クリス
タル・フイルタ構造とその製造方法に関する。こ
の種フイルタの従来例、およびこの種フイルタを
同調させおよび／または製造する従来技術の例
は、以下の公知文献等によつて与えられている。

IEEE Transactions on Sonics and
Ultrasonics、SU−20巻、第４号、1973年10
月、347〜354頁所載のアール・シー・レニツク
（R.C.Rennick）の論文「モノリシツク・クリ
スタル・フイルタの設計および解析のための等
価回路による方法」 米国特許第3656180号（1972） 米国特許第3739304号（1973） 米国特許第4156214号（1979） 米国特許第3596212号（1971） レニツクの論文には、モノリシツク・クリスタ
ル・フイルタの設計および解析のための等価回路
による方法の大要が説明されている。その中で彼
は、共振子周波数を測定するために“同調周波数
（tuning frequency）”という概念を導入し、この
種の連結多共振子クリスタル・フイルタについて
の基本原理を多数説明している。上に引用した他
の参考文献には、特定の多共振子クリスタル・フ
イルタ構造が開示されている。

これら従来技術からわかるように、多共振子モ
ノリシツク・クリスタル・フイルタの最適な性能
を得るためには、個々の各共振子構造をループ共
振によつて決められる正確な共振子周波数にでき
る限り近づくように同調させることが要求され
る。各共振子はクリスタル・ウエハ内の他の共振
子と互いに本質的に常に音響的に結合されている
のでこの同調という作業は単純なものではない。
通常この同調は制御された“プレートロデイング
（plate loading）”によつて達成されている。簡
単に述べると、これは、複数個の音響的に結合さ
れた共振子領域を定めるためにクリスタル・ウエ
ハの面上に被着される電極構造の寸法、材料、質
量（たとえば厚み）等がパラメータを構成し、こ
れらのパラメータを制御することによつて、結合
された個々の各共振子が所望の共振周波数を持つ
ようにすることである。

当業者にとつてよく知られているように（たと
えば、前述のレニツクの論文）、任意の１つの共
振子の共振周波数を測定するのに有用な従来方法
においては、その共振子を選択的に短絡するとと
もに、他のすべての共振子の電極を開路した状態
にしておくことが必要である。この場合、最終的
な“仕上げ”あるいは“プレートバツク（plate
back）”工程が終了した後で、フイルタ構造の最
終的に使用する構造を実現するために共振子領域
を定めている内部電極対の、全てではないが、ほ
とんどを短絡することが必要である。

多共振子モノリシツク・クリスタル・フイルタ
構造を物理的に実現する従来の方法（たとえば、
前述した米国特許第4156214号およびまたは米国
特許第3596212号を参照）は、製造方法および／
または限定された性能特性を持つ最終的なフイル
タ構造の結果については示してない。

本発明は、所望の動作周波数にするための個々
の共振子の最終的な同調あるいは“プレートバツ
ク”処理を極めて容易にする大幅に改良した製造
技術を提供するとともに、良好な温度特性と物理
的な衝撃によるクリスタル・フイルタの損傷に対
する耐性とを備えた最終的なフイルタ構造を提供
する。

本発明の好適実施例は水晶の単一ウエハに形成
された３個の音響的に結合された共振子を対象と
する。このウエハは複数個のリード線によつて、
接続インタフエースであるセラミツク基板から離
隔して物理的に支持されている。リード線は、好
ましい実施例においては、弾性のある曲折された
導電体（たとえば、ベリリウム銅）から形成され
ている。このような支持構成は、物理的衝撃を吸
収する傾向にあるのみならず、クリスタル本体と
他の構造との間の熱伝導性を最小限にする傾向も
ある。さらに、セラミツクのインタフエース基板
上の成形回路（たとえば印刷回路）は、最終的な
“仕上げ”あるいは最終的な“プレートバツク”
工程において、３個の共振子の各々に対して個別
の電気的な接続を与えるように設計されている。
したがつて、個々の共振子を限定する電極の間に
選択的に短絡回路、開放回路、あるいは他の所定
の回路を接続できる。同時に、インタフエース基
板上の成形回路は、中間の共振子の電極間に迅速
かつ有効に永久的な短絡回路を（たとえば、導電
性セメントあるいはペイントによつて）作ること
ができるように設計されている。同時に、セラミ
ツクのインタフエース基板（支持基板）自体は、
標準の３ピン・コネクタ・ベースに物理的かつ電
気的に取付けることによつて支持され、また通常
のカバーにより密閉される。

本発明によるモノリシツク・クリスタル・フイ
ルタの好適実施例は、クリスタル本体の対向する
両面上に設けられ、かつクリスタル本体の対向す
る両端まで延在する複数個の導電性の共振子電
極／リード構造を有する多共振子クリスタル本体
を含む。また別体の基板部材が、その対向する両
面の内の少なくとも一方の面に設けられた複数個
の成形された導電性リード構造を有し、そして、
複数個の導電性支持部材（たとえばワイヤ）が、
クリスタル本体を基板部材から離隔して物理的に
支持する。これらの導電性支持部材は、同時に、
クリスタル本体の各共振子電極／リード構造と基
板部材の成形されたリード構造との間の電気的接
続をも行う。この構成によつて、基板部材の成形
されたリード構造はクリスタル本体の各共振子に
個々に電気的に接続され、このため、これら共振
子に関連した共振子電極を選択的に短絡して（あ
るいは開路し、あるいは他の望ましい所定の電気
回路に接続して）、共振子の選択的な個別の同調
処理を容易に行うことができる。好ましくは、基
板部材の成形されたリード構造は、かなり接近し
ているが接触はしていない一対の接続領域を有
し、これらの領域は最終的なフイルタ構造におい
て互いに（たとえば、導電性セメントあるいはペ
イントを用いて）電気的に接続されて共振子電極
の少なくとも一対を短絡させる。

好適実施例においては、基板部材の成形された
リード構造は、離隔しているが物理的には接続さ
れているクリスタル本体から遠い方の基板部材の
面に設けられ、そうすることによつて最終仕上げ
工程においてこれら成形されたリード構造に対す
る選択的な電気的接続が容易になる。さらに、離
隔しているクリスタル本体に近い方の基板部材の
面に導電性シールド領域を設けて、基板部材の他
方の面の成形されたリード構造からクリスタル本
体をシールドすることが好ましい。可能な場合に
は、基板部材のリード構造を、シールド領域のほ
ぼ外側を通るように形状を定めて、漂遊容量を最
小にすることも好ましい。

前にも述べたが、好適実施例は普通のピン・コ
ネクタ・ベース部材をも含み、これは複数個の貫
通して延びる導電ピンを有し、導電ピンの一端が
基板部材を物理的に支持するとともに基板部材の
それぞれ対応するリード構造に電気的に接続され
る。この実施例では、基板部材とこの部材に接続
されたクリスタル本体とを保護するために密閉体
を備えている。

基板部材の好ましい実施例は、配列された複数
個の貫通孔を有し、ワイヤ支持部材がこの孔に物
理的に固定されるとともに、同時に、基板部材を
通り抜けて、クリスタル本体から遠い方の基板部
材の裏面の成形された導電体に電気的に接続され
る。各ワイヤ支持部材は、好ましくは、クリスタ
ル本体の一端を受けて（たとえば、導電性セメン
トによつて）固定するための凹部を定める第１の
曲折部を有する。ワイヤ支持部材の第１の曲折部
に続く第２の曲折部が、クリスタル本体と基板部
材との間に位置し、物理的衝撃を吸収するための
余分の弾性を与えている。クリスタル本体の導電
性電極／リード構造は、好ましくは、クリスタル
本体の対向する両端まで延びており、このため、
ワイヤ支持部材が導電性セメントによつてクリス
タル本体の両端に固定されるとともに、ワイヤ支
持部材の他端が、基板部材のそれぞれの孔を通り
抜けて、基板部材のクリスタル本体から遠い方の
面の成形された導電体に導電性セメントによつて
接続されることができる。

この好適実施例のモノリシツク・クリスタル・
フイルタ構造を製造するためには、最初にクリス
タル・ウエハの対向する両面に複数個の共振子電
極構造を被着して多共振子クリスタル本体を形成
する。このクリスタル本体は、通常所望周波数に
単に粗同調した複数個の音響的に結合されたクリ
スタル共振子領域を有する。たとえば、はじめ
に、所要の電極質量より少ないものが被着され
る。次に、共振子電極の少なくともひとつに選択
的に電気回路を接続できるようにする複数個の導
電性支持ワイヤを用いてクリスタル・ウエハが基
板部材に取付けられる。実際上、基板部材は物理
的な支持部材として働くのみならず、クリスタ
ル・ウエハとピン・コネクタ・ベースの間の電気
的接続のインタフエースとしても働き、および／
または(2)クリスタルの仕上げ処理のために必要な
電気的接続のためにも用いられる。

共振子電極の少なくともひとつに１個以上の所
定の電気回路を選択的に接続して、公知の“同調
周波数”技術を用いて共振子領域を所望の周波数
に同調させることによつて共振子電極の構造が仕
上げられる。その後、少なくともひとつの共振子
領域の両端間を、支持基板上の回路を介して永久
的に電気的に短絡する。このように仕上げられた
多共振子モノリシツク・クリスタル・フイルタ構
造はその後標準のピン・コネクタ・ベースに密閉
される。

好ましい実施例において、クリスタル・ウエハ
の対向する両面に被着された電極／リード構造
は、ウエハの対向する両端近くまで伸びる導電体
領域をも有する。クリスタル・ウエハのこれら対
向する両端は、その後、ウエハの両端近傍に位置
する導電体領域にそれぞれ電気的に接続さる複数
個の導電性ワイヤ導体部を持つそれぞれのリード
線“フレーム”に固定される。その後、複数個の
導電性ワイヤ導体部が、はじめにこれらを所望の
平行な間隔で保持していたフレームの一体の“平
板部”から切離される。この切離しによつて、ク
リスタル・ウエハの対向する両端に接続されてい
るととに、それから垂下する個々の導電性ワイヤ
（リード線）の配列が残る。その後、これら垂下
する導電性ワイヤは、支持基板中に配設された対
応する孔に挿入され、基板のクリスタル・ウエハ
から遠い方の面に設けられた成形された導電体に
対する電気的接続と物理的接続とを行うために
（たとえば、導電性セメントによつて）支持基板
に固定される。このため、基板およびワイヤを介
して共振子電極に電気回路が選択的に接続でき
る。その後、個々の共振子領域を所望の周波数に
同調させるのを容易にするために所定の電気回路
（たとえば、短絡回路あるいは開放回路）を種々
の共振子電極に選択的に接続しながら、共振子電
極の構造を仕上げする（たとえば、ニツケルおよ
びまたは銀を電極に追加して、質量装荷を増大し
て共振周波数を減少させる）。

本発明のこれらの目的および他の目的ならびに
利点は、添付の図面を参照して好適実施例の以下
の詳細な説明を注意深く考察することによつてよ
りよく理解されるであろう。

クリスタル本体の対向する両面に複数個の導電
性の共振子電極／リード構造を設けた、モノリシ
ツク・クリスタル・フイルタを形成するための多
共振子クリスタル本体は従来技術において知られ
ている。本実施例は、この種の３ポートすなわち
３共振子モノリシツク・クリスタル・フイルタを
対象としているが、採用した構造ならびに技術
は、任意のポート数を有したフイルタに対しても
適応する。

典型的には、最初と最後の共振子部分が外部回
路に接続するための入力／出力ポートを与え、一
方、残りの内部の共振子、は各共振子が他のすべ
ての共振子を短絡したときにフイルタの所望の中
心周波数に同調する限り、任意のインピーダンス
で終端させることができる。この目的にとつて最
も簡単でかつ信頼でき、したがつて最も有用なイ
ンピーダンスは、内部共振子電極間に施す短絡回
路である。この理由ならびに適当な等価回路の作
成と等価回路の解析は当該技術においてすでに知
られているものと考えられるので、ここでは詳細
に議論しないこととする。

第１図から第４図に示す好適実施例の構造を参
照するに、この構造は、クリスタル・ウエハ１０
０、セラミツク支持基板２００、６個の同一のワ
イヤ支持部材３００、普通の３ピン・コネクタ・
ベース４００、および普通の密閉キヤツプ構造５
００を有する。

クリスタル・ウエハ１００自体は、通常従来の
設計および構造によるものである。クリスタル・
ウエハ１００は（第３図に示す）前面１０２と
（第４図に示す）対向する裏面１０４とを有して
いる。これらの面は、３対の電極１０６Ａ，１０
６Ｂ，１０８Ａ，１０８Ｂ，１１０Ａ，１１０Ｂ
を有し、電極対間においてクリスタル・ウエハ内
に３個の離れてはいるが音響的に結合された共振
子領域を定めている。これら３個の離れた共振子
領域の間の音響的結合と各共振周波数とは、電極
構造の相対的な間隔、寸法、質量、クリスタルの
厚み、およびクリスタルの結晶配向等によつて影
響されることがわかつている。導電性リード構造
１１２，１１４，１１６，１１８，１２０および
１２２が、好ましくは電極構造と同時に形成され
て、クリスタル・ウエハ１００の対向するそれぞ
れの端１２４，１２６まで延在している。

当業者によつて理解されるように、クリスタ
ル・ウエハの一方の面上の２個以上の電極構造
は、個々の共振子領域を定めるために個別の電極
領域が他方の面に形成されている限り、もし望む
ならば実際には一体の領域として形成できる。た
とえば、クリスタル・ウエハ１００の裏面１０４
のすべての電極１０６Ｂ，１０８Ｂ、および１１
０Ｂは単一の導電体領域として形成でき、クリス
タル・ウエハの端１２６まで延在する導電性リー
ド構造１１８，１２０、および１２２も同様に形
成できる。後でわかるように、クリスタル・ウエ
ハの裏面の３個のすべての電極／リード領域は好
適実施例においては同一の接地電位に共通に接続
される。

クリスタル・ウエハ１００は、典型的には、ま
ず、ベースプレート真空被着処理されて、クリス
タル・ウエハの対向する両面に成形された導電性
電極／リード領域をはじめに形成する。しかしな
がら、最初の“ベースプレート”被着は、普通、
種々の共振子を所望の共振周波数で動作させるの
に必要と考えられる最終的な質量装荷よりもかな
り少な目にする。たとえば、典型的には、共振子
が所望の動作周波数よりも70KHz以上高い周波数
に同調していて、しかもクリスタル・ウエハの
個々の共振子間にはかなりのばらつき（たとえば
±15KHz）があるような時に、ベースプレート被
着処理を終了する。換言すれは、初期の“ベース
プレート”被着処理は、最終的な質量装荷したが
つて種々の結合されたクリスタル共振子の固有共
振周波数をおおざつぱに近似して的に定めるよう
に設計されるに過ぎない。

最終的な“仕上げ”処理は、典型的には、ベー
スプレートよりになる電極／リード構造にまず追
加のニツケル材を電気メツキする。ニツケルメツ
キ工程は、普通、種々の結合された共振子を定め
る電極対を選択的に短絡および／または開放しな
がら、同時に行う共振周波数の測定値に従つて制
御（たとえば、メツキ終了の時刻が制御）され
る。普通このニツケル電気メツキは“仕上げ”処
理の最初の工程にしかすぎず、所定のクリスタル
内の個々の共振子のそれぞれの共振周波数間のば
らつきは少ないが（たとえば互いに約2KHz以
内）、個々の共振子は、所望の周波数よりも僅か
に高い周波数（たとえば約２〜10KHz高い）に同
調したままである。最終の“仕上げ”処理は、典
型的には、真空中で行なわれ、再び、種々の共振
子電極間に短絡回路および／または開放回路を接
続し、同時に共振周波数を測定しながら、前の処
理工程で得られた電極構造に追加の銀を被着す
る。あるいはまた、仕上げ処理におけるこの最終
の銀被着工程は、それより前の段階（たとえば、
ニツケルメツキ中あるいはメツキ後）における共
振周波数の測定結果を用いて行つた計算に基づい
て実行することもできる。

後述の説明からわかるように、好適実施例は、
このような典型的な仕上げ処理を特に容易にする
構造を提供している。

薄いセラミツク基板２００は、基板２００の前
面２０４に（クリスタル・ウエハ１００とほぼ同
じかあるいはそれより大きい寸法の）導電性シー
ルド２０２を有している。基板２００の裏面２０
６は、成形された導電体領域２０８，２１０，２
１２、および２１４を有している。導電体領域２
０８および２１２および２１２は外側の側端に沿
つて延在し、基板の前面のシールド導電体２０２
に対する漂遊容量結合を最小にしている。導電体
２０８および２１２は、それぞれ孔２１５および
２１６から基板２００の下側部分への導電路を与
え、基板２００の下の部分においてピン・コネク
タ４０２および４０４の上端が物理的および電気
的に（たとえば導電性セメントによつて）接続さ
れる。導電体領域２１４は、孔２１８，２２０、
および２２２を共通に接続し、さらに、中央のピ
ン・コネクタ４０６の上端に物理的および電気的
に接続される。導電体２１０は、基板２００の孔
２２４と、導電体２１４および２１０間の挾い間
隙領域２２６との間の電気的接続を提供してい
る。仕上げされたフイルタにおいては、この間隙
は導電体２０８（たとえば導電性セメント）によ
つて短絡される。しかしながら、仕上げ工程中に
おいては、この間隙２２６には、同調処理を助け
るために電気回路（たとえば一時的な短絡回路）
を選択的に接続することができる。

基板２００の裏面２０６の孔２１５，２２４，
２１６，２１８，２２０、および２２２の配列
と、クリスタル・ウエハ１００の対向する両端１
２４、および１２６の６個の接続領域との間の接
続は、６個の同一のワイヤ支持構造３００の組に
よつてなされる。これらワイヤ支持構造は、典型
的には、クリスタル・ウエハの一端を受けて、
（たとえば導電性セメントによつて）固定するた
めの凹部を形成するように第１の折曲部３０２を
有する。導電性ワイヤ支持構造は、また、（衝撃
吸収のために）追加の弾性を与えるとともに、基
板２００の各孔に対してワイヤ支持部材を外方に
戻してそれぞれの孔と整合させるために、第１の
折曲部に続いて第２の折曲部３０４を有する。基
板とワイヤ支持部材との間の機械的および電気的
な接続は典型的には導電性セメントを使用するこ
とによつて達成される。

この結果得られた構造は、リード線すなわち弾
性ワイヤ支持部材３００によつて対向する両端を
支持された多共振子モノリシツク・クリスタル・
フイルタ・ウエハ１００を構成する。このワイヤ
支持部材３００はつぎにセラミツクのインタフエ
イス基板２００によつて支持され、この基板２０
０はつぎに通常の３ピン・ベース構造４００によ
つて支持されてる。そして、密閉キヤツプ５００
により機械的な組立が完了する。個々の共振子電
極への電気的接続は、クリスタル・ウエハの両面
の一体の導電体領域、ワイヤ支持構造、基板２０
０の成形された導電体、およびベース４００の通
常のピン・コネクタを介してなされる。

３個の結合された共振子の３個の端子対のすべ
てに対して、製造中、とりわけ、共振子の最終同
調を行う最終的な仕上げ処理中において容易に接
続可能であることが認められよう。たとえば、中
央の電極対に関連する端子に対して、基板２００
の裏面の導電体領域２１０および２１４を介して
接続できる。外側の２個の共振子電極対に対して
は、同じく基板２００の裏面に設けられた、共通
導電体領域２１４と個々の導電体領域２０８およ
び２１２との間を介して接続できる。もちろん、
導電体領域２０８および２１２に対しても個々に
ピン・コネクタ４０２および４０４を介して接続
可能であり、共通導電体領域２１４に対してはピ
ン・コネクタ４０６を介して接続できる。従つ
て、ウエハ１００の裏面の個別の導電体領域２１
０にプローブを接続し、ピン・コネクタ４０２，
４０４、および４０６に対して普通の電気的接続
を行うことによつて、最終的な仕上げ処理中に、
共振子電極のいくつかの組合せあるいはすべての
組合せに、任意所望の回路（短絡回路および開放
回路を含む）を選択的に接続することが可能であ
る。このことは、電極構造の所望の最終的仕上げ
を行うのに必要な測定を著しく容易にする。

共振子がこのようにして“仕上げ”されて、そ
れぞれの所望の周波数に同調された後、好適実施
例においては、単に導電体領域２１０および２１
４間の間隙２２６を短絡することによつて、中央
の電極対が（クリスタル自体をいささかも擾乱す
ることなく、従つて、電気特性を変化させること
なく）短絡される。典型的には、この短絡は、キ
ヤツプ５００で密閉する直前に、間隙２２６に導
電性セメントあるいはペイントを設置することに
よつて達成される。その結果できるクリスタル−
基板−ベース組立体は、はんだシールあるいは抵
抗溶接を用いて通常従来通りに密閉される。

好適実施例に従つて作られたフイルタは、事実
上どのようなタイプのフイルタを実現するのにも
使用できる。特に、従来技術による構造の場合に
そうであつたように、たとえばチエビシエフ型フ
イルタの一種類のみを実現するのに限定されるこ
とはない。

好適実施例の製造を容易にするために、線形配
列（たとえば３個）の曲折リード線または支持ワ
イヤ３００を、“リードフレーム”３０６中の連
結用“平板部”と一体な部分として形成するのが
好ましい。この方法では、３個の曲折リード線
は、はじめに所望の平行な間隔をおいて関係に保
持されているので、第５図に示すようにクリスタ
ル・ウエハ１００の一端の接続領域に対して正確
に整列させることができる。曲折リード線を（好
ましくはベリリウム銅のシートから）形成するに
は、従来の金属成形技術が用いられるので、ここ
では詳細に説明しない。

第５図に示すリードフレームの個々のリード線
の形状は、各々第１の曲折部３０２と第２の曲折
部３０４とを含んでいて、第６図および第７図に
詳しく図示されている。さらに、弱くした所定の
“破断領域”３０８が個々のリード線３００の胴
部に沿つて設けられている。従つて、曲折リード
線の末端がクリスタル・ウエハの一端において所
定の位置に固定された後、フレームの平板部３０
６を個々のリード線からたやすく切断して（その
際、たとえば、リード線を治具に固定してクリス
タル・ウエハを保護する）、ウエハの一端から垂
下する個々のリード線を残すことができる。

その後、６個の垂下するリード線を、支持基板
２００の対応する６個の孔に挿入し、そして、前
述した説明からわかるように所定位置に固定され
る。好ましくは、クリスタル・ウエハの電極に対
して行なわれる最終的な仕上げ処理の前に、クリ
スタル・ウエハ１００・基板２００、および相互
接続リード線３００の組立体をさらにピン・コネ
クタ・ベース４００に取付ける。仕上げ工程にお
いて種々の共振子電極に開放回路およびまたは短
絡回路を選択的に接続して共振周波数を測定する
方法自体は、当該技術で良く理解されているの
で、ここでさらに詳細に説明しない。

本発明の好適実施例をひとつだけ詳細に説明し
たが、当業者は、本発明の種々の新規な特徴およ
び長所からほとんど逸脱することなしに本実施例
から種々の改変や変形をつくれることを認めるで
あろう。従つて、それらすべての改変ならびに変
形は特許請求の範囲に包含されるものと意図され
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従つて構成されたモノリシ
ツク・クリスタル・フイルタの好適実施例を示す
分解斜視面図、第２図は、第１図に示した実施例
の一部分解側面図、第３図は、第１図に示した実
施例の分解正面図、第４図は、第１図に示した実
施例の分解背面図、第５図は、第１図の実施例を
製造する途中の一工程を示す斜視図、そして、第
６図および第７図は、第１図の実施例のクリスタ
ル・ウエハをセラミツク支持基板に物理的および
電気的に接続するのに用いる曲折リード線の側面
図および正面図である。 主な符号の説明、１００……クリスタル・ウエ
ハ、１０６Ａ，１０６Ｂ，１０８Ａ，１０８Ｂ，
１１０Ａ，１１０Ｂ……電極、２００……支持基
板、２０２……導電性シールド、２０８，２１
０，２１２，２１４……導電体領域、２１５，２
１６，２１８，２２０，２２２，２２４……孔、
３００……リード線、３０２……第１の曲折部、
３０４……第２の曲折部、３０６……平板部、４
００……ベース、４０２，４０４，４０６……ピ
ン・コネクタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ その対向する両面に導電性の複数の共振子電
   極／リード構造を設けた多共振子クリスタル本体
   と、 その少なくとも一方の面に複数個の導電体領域
   を設けた基板部材と、及び 前記クリスタル本体を前記基板部材から離隔し
   て物理的に支持するとともに、前記複数の共振子
   電極／リード構造と前記複数の導電体領域とをそ
   れぞれ同時に電気的に接続する複数の導電性支持
   部材とを具備し、 前記複数の導電体領域は、離隔した前記クリス
   タル本体から遠い方の前記基板部材の面に設けら
   れており、さらに、前記クリスタル本体を前記基
   板部材の前記複数の導電体領域からシールドする
   ため、離隔した前記クリスタル本体に近い方の前
   記基板部材の面に設けられた導電性シールド領域
   を具備することを特徴とするモノリシツク・クリ
   スタル・フイルタ。 ２ 前記複数の導電体領域が前記複数の共振子と
   それぞれ電気的に接続され、前記基板部材の前記
   遠方側面で、前記複数の導電体領域と関連する前
   記共振子電極間を選択的に開放又は短絡すること
   を可能とし、それにより前記複数の共振子を個々
   に選択的に同調させることを容易にしたことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のモノリシツ
   ク・クリスタル・フイルタ。 ３ 前記複数の導電体領域は、接近しているが離
   れている一対の接続領域を含み前記一対の接続領
   域は少なくとも一対の共振子電極間を短絡するた
   めに電気的に接続されることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項記載のモノリシツク・クリスタ
   ル・フイルタ。 ４ 前記シールド領域は、前記基板部材の前記近
   接側面の全有効利用面積より実質的に少ない面積
   を占有し、かつ、前記基板部材の前記遠方側面の
   前記複数の導電体領域の少なくとも幾つかがそれ
   らと関連する浮遊容量を最小にするように前記シ
   ールド領域の実質的外側に配置されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
   ずれかに記載のモノリシツク・クリスタル・フイ
   ルタ。 ５ 複数の導電ピンが貫通したプラグイン・ベー
   ス部材を更に具備し、前記複数の導電ピンが前記
   基板部材の対応する導電体領域に個々に電気的か
   つ物理的に接続されて前記基板部材とこれに接続
   された前記クリスタル本体とを支持することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、あるい
   は第３項記載のモノリシツク・クリスタル・フイ
   ルタ。 ６ 前記ベース部材に接続され、前記基板部材と
   これに接続された前記クリスタル本体とを包み保
   護するケースをさらに具備することを特徴とする
   特許請求の範囲第５項記載のモノリシツク・クリ
   スタル・フイルタ。 ７ 前記基板部材に、前記複数の支持部材が貫通
   する孔が配列されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のモ
   ノリシツク・クリスタル・フイルタ。 ８ 前記複数の支持部材の各々が、前記クリスタ
   ル本体の端部に固定される凹部を定める第１の曲
   折部と、前記クリスタル本体および基板部材の間
   で前記孔のうちの関連するものの近くに位置し、
   該第１の曲折部に続く第２の曲折部とを有するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載のモノ
   リシツク・クリスタル・フイルタ。 ９ 前記複数の支持部材の各々が、導電性セメン
   トによつて前記クリスタル本体および前記基板部
   材に固定されることを特徴とする特許請求の範囲
   第８項記載のモノリシツク・クリスタル・フイル
   タ。 １０ その対向する両面に設けられ、音響的に結
   合された複数の共振子領域を定める複数の共振子
   電極を有し、かつ、前記両面に設けられて前記複
   数の電極の各々から前記両面の対向する端部まで
   延びる複数の導電体を有する多共振子クリスタ
   ル・ウエハと、及び その対向する２つの面に形成された複数の導電
   体と、それから延び、前記クリスタル・ウエハの
   対向する端部とそれとの両者に固定された突出リ
   ード線の配列とを有する支持基板とを具備し、 前記クリスタル・ウエハは、前記支持基板の対
   向する面から離隔して物理的に支持されると共
   に、前記支持基板の前記両面で、対応する支持基
   板導電体に電気的及び選択的に接続され、前記複
   数の支持基板導電体のうちの少なくとも１つは、
   前記クリスタル・ウエハの少なくとも一部をシー
   ルドするためのものであることを特徴とするモノ
   リシツク・クリスタル・フイルタ。 １１ 前記複数の支持基板導電体が、少なくとも
   一対の共振子電極の電気的短絡回路を形成するた
   めに電気的に接続可能な一対の隣接した導電体領
   域を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１０
   項記載のモノリシツク・クリスタル・フイルタ。 １２ 前記複数の支持基板導電体の少なくとも幾
   つかは、前記クリスタル・ウエハから遠い方の前
   記支持基板の面に設けられ、前記突出リード線
   は、前記支持基板に形成された孔を貫通している
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の
   モノリシツク・クリスタル・フイルタ。 １３ 前記複数の共振子電極が、前記クリスタ
   ル・ウエハの両面上に互いに対向する対として設
   けられていることを特徴とする特許請求の範囲第
   １０項記載のモノリシツク・クリスタル・フイル
   タ。 １４ 前記支持基板の面の面積が、前記クリスタ
   ル・ウエハの面積よりも大きいことを特徴とする
   特許請求の範囲第１０項記載のモノリシツク・ク
   リスタル・フイルタ。 １５・前記突出リード線の各々は、前記クリスタ
   ル・ウエハの端部に固定される凹部を定める曲折
   部を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   ０項記載のモノリシツク・クリスタル・フイル
   タ。 １６ 前記突出リード線の各々は、前記クリスタ
   ル・ウエハと前記支持基板の間に位置する第２の
   曲折部を有することを特徴とする特許請求の範囲
   第１５項記載のモノリシツク・クリスタル・フイ
   ルタ。 １７ 前記突出リード線の各々は、導電性セメン
   トによつて前記クリスタル・ウエハおよび前記支
   持基板に固定されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１０項、第１５項、及び第１６項のい
   ずれかに記載のモノリシツク・クリスタル・フイ
   ルタ。 １８ それを貫通した複数の導電ピンを有するプ
   ラグイン・ピンベース部材と、前記導電ピンが前
   記支持基板の対応する導電領域と電気的かつ物理
   的に接続されていて、及び、 前記ベース部材に接続され、前記支持基板とこ
   れに接続された前記クリスタル・ウエハとを包み
   保護するケースとをさらに有することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１７項記載のモノリシツク・
   クリスタル・フイルタ。 １９ 対向する第１の面と第２の面を持つクリス
   タル・ウエハと、 ３個の導電性リードと共に、前記第１の面に形
   成された３個の個別の電極と、前記導電性リード
   の各々は、前記各電極から前記クリスタル・ウエ
   ハの一端に近いところにある各所定の接続領域に
   まで延びており、 前記３個の個別の電極と対向する前記第２の面
   に形成されて、音響的に結合された対応する３個
   の共振子を前記クリスタル・ウエハに形成するた
   めの少なくとも１個の電極手段であつて、この電
   極手段から前記クリスタル・ウエハの一端に近い
   ところにある所定の接続領域まで前記第２の面上
   を延びている少なくとも１個の導電領域を含む前
   記電極手段と、 前記クリスタル・ウエハを支持する導体によつ
   て、前記クリスタル・ウエハから離隔して配置さ
   れた支持基板と、 前記支持基板の前記クリスタル・ウエハから遠
   い側の面上に形成された少なくとも４個の個別の
   導電体領域と、このうち３個の導電体領域は、前
   記３個の個別の電極にそれぞれの前記接続領域を
   介して個々に電気的に接続され、かつ、前記少な
   くとも４個の個別の導電体領域のうち少なくとも
   １個の導電体領域は、前記少なくとも１個の電極
   手段にその接続領域を介して電気的に接続されて
   いて、及び 前記支持基板を支持し、前記個別の導電体領域
   のうち３個を、外部回路との接続のためのコネク
   タ・ベース手段から延びている３個のピン・コネ
   クタに電気的に接続するための前記コネクタ・ベ
   ース手段とを具備することを特徴とするモノリシ
   ツク・クリスタル・フイルタ。 ２０ 非導電性基板上で支持されたクリスタル・
   ウエハを有する多共振子モノリシツク・クリスタ
   ル・フイルタを製造する方法において、 クリスタル・ウエハの対向する両面に複数の共
   振子電極構造体を被着し、所望の周波数に粗同調
   された音響的に結合された複数のクリスタル共振
   子領域を有する多共振子クリスタル本体を形成す
   ることと、 少なくとも前記ウエハから遠い側の基板面の選
   択された位置に導電領域を提供し、 前記遠方側面に提供された前記導電領域を介し
   て前記共振子電極構造体の少なくともひとつを選
   択的に電気回路が接続できるように複数の導電性
   支持ワイヤを用いて、前記クリスタル・ウエハを
   支持基板に取付けることと、及び 前記共振子電極構造体の少なくともひとつへの
   所定の電気回路の選択的接続後に前記共振子電極
   構造体の形成を仕上げることとを具備することを
   特徴とする多共振子モノリシツク・クリスタル・
   フイルタの製造方法。 ２１ 前記仕上げの後に、前記支持基板上の回路
   を介して前記共振子領域の少なくともひとつの領
   域に電気的短絡回路を永久的に施すことと、及び この結果得られる構造をピン・コネクタ・ベー
   スに密閉することとをさらに具備することを特徴
   とする特許請求の範囲第２０項記載の製造方法。 ２２ クリスタル・ウエハの対向する両面に複数
   個の共振子電極構造体を被着し、所望の周波数に
   粗同調した複数個の音響的に結合されたクリスタ
   ル共振子領域を持ち、かつ、クリスタル・ウエハ
   の少なくとも一端部の近傍に延びる導電性領域を
   持つ多共振子クリスタル本体を形成することと、 前記導電性領域への各電気的接続を行うための
   複数個の導電体を持つ少なくとも１個のリード線
   フレームに前記クリスタル・ウエハの前記端部を
   固定することと、 前記ウエハ端部から垂下する個々のリード線を
   残すように一体構造から前記複数個の導電体を切
   断することと、 支持基板の対応する孔に前記垂下リード線を挿
   入し、前記支持基板への機械的接続と、前記共振
   子電極の少なくともひとつに選択的に電気回路を
   接続できるように前記支持基板の一面上に設けら
   れ、成形された導電体への電気的接続との両接続
   とを行うために、前記支持基板に前記垂下リード
   線を固定することと、 前記共振子電極の少なくともひとつへの所定の
   電気回路の選択的接続後に、前記共振子電極の形
   成の仕上げをすることとを具備することを特徴と
   する多共振子モノリシツク・クリスタル・フイル
   タの製造方法。 ２３ その対向する両面に導電性の複数の共振子
   電極／リード構造体を設けた多共振子クリスタル
   本体と、 前記クリスタル本体から遠い側のそれの面に設
   けられた複数の導電体領域を有し、それの中に開
   口部を有する非導電性基板部材と、 前記基板部材から離れて前記クリスタル本体を
   物理的に支持し、前記クリスタル本体の前記複数
   の共振子電極／リード構造体と前記基板部材の前
   記複数の導電体領域とを前記開口部を介してそれ
   ぞれ電気的に同時に接続する導電性の複数の支持
   部材と を具備することを特徴とするモノリシツク・クリ
   スタル・フイルタ。 ２４ 前記基板部材の前記複数の導電体領域は前
   記クリスタル本体の各共振子への接続を提供し、
   それらと関連する前記共振子電極は前記基板部材
   の前記遠方側面に開放あるいは短絡の回路を構成
   し、前記多共振子クリスタル本体の前記複数の共
   振子の同調を選択的に容易にさせることを特徴と
   する特許請求の範囲第２３項記載のモノリシツ
   ク・クリスタル・フイルタ。 ２５ 前記支持部材の各々は、前記クリスタル本
   体の端部が付着する凹部を定義する第１の曲折部
   と、前記第１の曲折部に続いて前記開口部と関連
   する部分の近くで前記クリスタル本体と前記基板
   部材との間に位置する第２の曲折部とを有するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２３項記載のモ
   ノリシツク・クリスタル・フイルタ。