JPH0465838A

JPH0465838A - 共晶ボンディング装置

Info

Publication number: JPH0465838A
Application number: JP18004490A
Authority: JP
Inventors: Tetsukazu Imamura; 今村　哲一
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1990-07-06
Filing date: 1990-07-06
Publication date: 1992-03-02
Anticipated expiration: 2013-05-18
Also published as: JP2751585B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は共晶ボンディング装置に関し、基板をキャリヤ
により搬送しながら、この基板に半導体を共晶ボンディ
ングするための手段に関する。

（従来の技術）第５図は、従来手段により、小形の異形基板に半導体を
共晶ボンディングしている様子を示すものである。１０
１はヒートブロック、１０２は基板、１０３は基板１０
２をヒートプロ・７り１０１上に送り込むための搬送手
段、１０４は押え具、１０５はシリンダ、１０６は半導
体Ｐを吸着して基板１０２に搭載する移載ヘッド０１上
に搬入し、次いでシリンダ１０５を作動させて、押え具
１０４によりこの基板１０２を押え付けたうえで、半導
体Ｐを基板１０２に搭載し、基板１０２をヒートブロッ
ク１０１により加熱しながら、共晶ボンディングするよ
うになっている。

（課題を解決するための手段）ところが、上記従来手段は、基板１０２を１枚づつヒー
トブロック１０１上に搬入し、またこれから搬出しなが
ら、半導体Ｐをボンディングするものであるため、作業
能率が低（、また殊に小形の異形基板の場合は、搬送、
位置決めしにくい問題があった。

そこで本発明は、小形基板、殊に小形の異形基板に半導
体を有利に共晶ボンディングできる装置を提供すること
を目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明は、複数個の開口部を有し、この開口部に基板が
位置決めされるキャリヤと、この開口部に嵌入する突部
を有し、昇降手段に駆動されて昇降することにより、こ
の突部により上記基板を押し上げて、この基板を上方の
押え具に押し付けるヒートブロックと、上記キャリヤを
このヒートブロック上に搬入し、またこのヒートブロッ
ク上から搬出する搬送手段とから共晶ボンディング装置
を構成している。

（作用）上記構成において、キャリヤがヒートプロット上に搬送
されてくると、ヒートブロックは上昇し、突部により基
板を押し上げて、基板を押え具に押し付ける。この状態
で、半導体は基板に搭載され、共晶ボンディングされる
。

（実施例１）次に、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。

第１図は共晶ボンディング装置の分解斜視図である。１
はプレート状のキャリヤであり、複数個の開口部２が形
成されている。３は小形の基板であり、この開口部２上
に載置される。４は開口部２の縁部に立設された位置決
め手段としてのビン、５は基板３に開孔されたビン孔で
ある。基板３は、ビン孔５をビン４に嵌入することによ
り、キャリヤ１上に位置決めされ、その状態で、基板３
はビン４に沿って昇降自在となっている。

１０はヒートブロックであって、上記開口部２に嵌入す
る突部１１が複数個突設されている。

１２は電源コードである。

１３はヒートブロック１０上の両側部に設けられるガイ
ド部である。これらのガイド部１３には、コの字形の押
え具１４が設けられている。

第２図は共晶ボンディング装置の正面図、第３図は側面
図である。ヒートブロック１ｏの下方には、昇降手段と
してのシリンダ２０が配設されており、シリンダ２０の
ロンド２１が突没すると、ヒートブロック１０は昇降す
る。２２は昇降ガイドロンド、２３はガイドベヤリング
部である。

ヒートブロック１０が上昇すると、突部１１は開口部２
に嵌入してキャリヤｌ上の基板３を押し上げ、押え具１
４に押し付ける（第２図及び第３図鎖線参照）。シリン
ダ２０やベヤリング部２３はＸＹ子テーブル４．２５上
に設けられており、ヒートブロック１０はｘＹ力方向移
動できる。

２６．２７はヒートブロック１０の両側部に設けられた
プリヒートブロックとアフターヒートブロック、２８は
キャリヤｌをプリヒートブロック２６からヒートブロク
１０へ搬送する搬送手段、２９はヒートブロック１ｏが
らアフターヒートブロック２７へ搬出する搬送手段であ
る。これらの搬送手段２８．２９は送り爪から成ってお
り、横方向に往復移動することにより、キャリヤニを押
送する。第３図において、３０は移載ヘッド、３１は半
導体Ｐを吸着するノズルであり、半導体Ｐを基板３に搭
載する。

本装置は上記のような構成より成り、次に共晶ボンディ
ング作業を説明する。

第２図において、ＸＹ子テーブル４．２５が駆動して、
ヒートブロック１０がプリヒートブロック２６に接近し
た状態で、プリヒートブロック２６からガイド部１３上
にキャリヤ１が送られる。次いでシリンダ２０が、作動
することにより、ヒートブロック１０は上昇し、突部１
１により基板３は押し上げられて、押え臭１４に押し付
けられる。次いで移載ヘッド３０が基板３上に到来し、
ヒートブロック１０の突部１１により加熱された基板３
に半導体Ｐを搭載して共晶ボンディングする。

次いでヒートブロック１０は下降するとともに、第２図
において右方へ移動し、アフターヒートブロック２７に
接近する。次いで搬送手段２９により、キャリヤ１はア
フターヒートフロック２７上へ送られる。このようにし
て一連の作業が終了すると、ヒートブロック１０は左方
へ移動してプリヒートブロック２６に接近し、上記作業
が繰り返される。

（実施例２）第４図において、３ａ〜３ｄはそれぞれ形状の異る小形
の基板であり、このうち、基板３ｃ。

３ｄは異形基板である。キャリヤ１には、基板３ａ〜３
ｄの形状に対応した開口部２ａ〜２ｄが形成されており
、また開口部２ａ〜２ｄの縁部には、基板３ａ〜３ｄの
位置決め手段としてのリプ４ａ〜４ｄが突設されている
。各基板３ａ〜３ｄは、このリブ４ａ〜４ｄにより、昇
降自在に位置決めされる。またヒートブロック１０には
、各開口部２ａ〜２ｄに対応する形状の突部１１ａ〜ｌ
ｉｄが突設されている。

本実施例の動作は、上記第１実施例の場合と同様であっ
て、突部１１ａ〜ｌｉｄにより基板３ａ〜３ｄを押し上
げて、上記押え具１４に押し付け、半導体Ｐを基晶ボン
ディングする。

Ｍは各基板３ａ〜３ｄに形成された位置基準マークであ
り、移載ヘッド３０により半導体Ｐを搭載するにあたっ
ては、カメラ（図外）によりこのマークＭを観察し、所
定の位置に半導体Ｐを搭載する。

このように本装置によれば、異種基板３ａ〜３ｄをキャ
リヤｌに位置決めして、−緒に半導体Ｐを共晶ボンディ
ングすることができる。

（発明の効果）以上説明したように本発明は、複数個の開口部を有し、
この開口部に基板が位置決めされるキャリヤと、この開
口部に嵌入する突部を有し、昇降手段に駆動されて昇降
することにより、この突部により上記基板を押し上げて
、この基板を上方の押え具に押し付けるヒートブロック
と、上記キャリヤをこのヒートブロック上に搬入し、ま
たこのヒートブロック上から搬出する搬送手段とから共
晶ボンディング装置を構成しているので、複数個の小形
基板や異形の小形基板に、半導体を作業性よく共晶ボン
ディングすることができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は共晶
ボンディング装置の分解斜視図、第２図は正面図、第３
図は側面図、第４図は他の実施例の分解斜視図、第５図
は従来手段の斜視図である。１・・・キャリヤ２・・・開口部３・・・基板１０・・・ヒートブロック１１・・・突部１４・・・押え具２０・・・昇降手段２８．２９・・・搬送手段

Claims

【特許請求の範囲】

複数個の開口部を有し、この開口部に基板が位置決めさ
れるキャリヤと、この開口部に嵌入する突部を有し、昇
降手段に駆動されて昇降することにより、この突部によ
り上記基板を押し上げて、この基板を上方の押え具に押
し付けるヒートブロックと、上記キャリヤをこのヒート
ブロック上に搬入し、またこのヒートブロック上から搬
出する搬送手段とを備えていることを特徴とする共晶ボ
ンディング装置。