JP2751585B2 - 共晶ボンディング装置 - Google Patents
共晶ボンディング装置Info
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- JP2751585B2 JP2751585B2 JP18004490A JP18004490A JP2751585B2 JP 2751585 B2 JP2751585 B2 JP 2751585B2 JP 18004490 A JP18004490 A JP 18004490A JP 18004490 A JP18004490 A JP 18004490A JP 2751585 B2 JP2751585 B2 JP 2751585B2
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- heat block
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- eutectic bonding
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は共晶ボンディング装置に関し、基板をキャリ
ヤにより搬送しながら、この基板に半導体を共晶ボンデ
ィングするための手段に関する。
ヤにより搬送しながら、この基板に半導体を共晶ボンデ
ィングするための手段に関する。
（従来の技術） 第５図は、従来手段により、小形の異形基板に半導体
を共晶ボンディングしている様子を示すものである。10
1はヒートブロック、102は基板、103は基板102をヒート
ブロック101上に送り込むための搬送手段、104は押え
具、105はシリンダ、106は半導体Ｐを吸着して基板102
に搭載する移載ヘッドのノズルである。
を共晶ボンディングしている様子を示すものである。10
1はヒートブロック、102は基板、103は基板102をヒート
ブロック101上に送り込むための搬送手段、104は押え
具、105はシリンダ、106は半導体Ｐを吸着して基板102
に搭載する移載ヘッドのノズルである。
（発明が解決しようとする課題） このものは、基板102をヒートブロック101上に搬入
し、次いでシリンダ105を作動させて、押え具104により
この基板102を押え付けたうえで、半導体Ｐを基板102に
搭載し、基板102をヒートブロック101により加熱しなが
ら、共晶ボンディングするようになっている。
し、次いでシリンダ105を作動させて、押え具104により
この基板102を押え付けたうえで、半導体Ｐを基板102に
搭載し、基板102をヒートブロック101により加熱しなが
ら、共晶ボンディングするようになっている。
（課題を解決するための手段） ところが、上記従来手段は、基板102を１枚づつヒー
トブロック101上に搬入し、またこれから搬出しなが
ら、半導体Ｐをボンディングするものであるため、作業
能率が低く、また殊に小形の異形基板の場合は、搬送、
位置決めしにくい問題があった。
トブロック101上に搬入し、またこれから搬出しなが
ら、半導体Ｐをボンディングするものであるため、作業
能率が低く、また殊に小形の異形基板の場合は、搬送、
位置決めしにくい問題があった。
そこで本発明は、小形基板、殊に小形の異形基板に半
導体を有利に共晶ボンディングできる装置を提供するこ
とを目的とする。
導体を有利に共晶ボンディングできる装置を提供するこ
とを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、複数個の開口部を有し、この開口部に基板
が位置決めされるキャリヤと、この開口部に嵌入する突
部を有し、昇降手段に駆動されて昇降することにより、
この突部により上記基板を押し上げて、この基板を上方
の押え具に押し付けるヒートブロックと、上記キャリヤ
をこのヒートブロック上に搬入し、またこのヒートブロ
ック上から搬出する搬送手段とから共晶ボンディング装
置を構成している。
が位置決めされるキャリヤと、この開口部に嵌入する突
部を有し、昇降手段に駆動されて昇降することにより、
この突部により上記基板を押し上げて、この基板を上方
の押え具に押し付けるヒートブロックと、上記キャリヤ
をこのヒートブロック上に搬入し、またこのヒートブロ
ック上から搬出する搬送手段とから共晶ボンディング装
置を構成している。
（作用） 上記構成において、キャリヤがヒートブロック上に搬
送されてくると、ヒートブロックは上昇し、突部により
基板を押し上げて、基板を押え具に押し付ける。この状
態で、半導体は基板に搭載され、共晶ボンディングされ
る。
送されてくると、ヒートブロックは上昇し、突部により
基板を押し上げて、基板を押え具に押し付ける。この状
態で、半導体は基板に搭載され、共晶ボンディングされ
る。
（実施例１） 次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は共晶ボンディング装置の分解斜視図である。
１はプレート状のキャリヤであり、複数個の開口部２が
形成されている。３は小形の基板であり、この開口部２
上に載置される。４は開口部２の縁部に立設された位置
決め手段としてのピン、５は基板３に開孔されたピン孔
である。基板３は、ピン孔５をピン４に嵌入することに
より、キャリヤ１上に位置決めされ、その状態で、基板
３はピン４に沿って昇降自在となっている。
１はプレート状のキャリヤであり、複数個の開口部２が
形成されている。３は小形の基板であり、この開口部２
上に載置される。４は開口部２の縁部に立設された位置
決め手段としてのピン、５は基板３に開孔されたピン孔
である。基板３は、ピン孔５をピン４に嵌入することに
より、キャリヤ１上に位置決めされ、その状態で、基板
３はピン４に沿って昇降自在となっている。
10はヒートブロックであって、上記開口部２に嵌入す
る突部11が複数個突設されている。12は電源コードであ
る。
る突部11が複数個突設されている。12は電源コードであ
る。
13はヒートブロック10上の両側部に設けられるガイド
部である。これらのガイド部13には、コの字形の押え具
14が設けられている。
部である。これらのガイド部13には、コの字形の押え具
14が設けられている。
第２図は共晶ボンディング装置の正面図、第３図は側
面図である。ヒートブロック10の下方には、昇降手段と
してのシリンダ20が配設されており、シリンダ20のロッ
ド21が突没すると、ヒートブロック10は昇降する。22は
昇降ガイドロッド、23はガイドベヤリング部である。
面図である。ヒートブロック10の下方には、昇降手段と
してのシリンダ20が配設されており、シリンダ20のロッ
ド21が突没すると、ヒートブロック10は昇降する。22は
昇降ガイドロッド、23はガイドベヤリング部である。
ヒートブロック10が上昇すると、突部11は開口部２に
嵌入してキャリヤ１上の基板３を押し上げ、押え具14に
押し付ける（第２図及び第３図鎖線参照）。シリンダ20
やベヤリング部23はXYテーブル24,25上に設けられてお
り、ヒートブロック10はXY方向に移動できる。
嵌入してキャリヤ１上の基板３を押し上げ、押え具14に
押し付ける（第２図及び第３図鎖線参照）。シリンダ20
やベヤリング部23はXYテーブル24,25上に設けられてお
り、ヒートブロック10はXY方向に移動できる。
26,27はヒートブロック10の両側部に設けられたプリ
ヒートブロックとアフターヒートブロック、28はキャリ
ヤ１をプリヒートブロック26からヒートブロク10へ搬送
する搬送手段、29はヒートブロック10からアフターヒー
トブロック27へ搬出する搬送手段である。これらの搬送
手段28,29は送り爪から成っており、横方向に往復移動
することにより、キャリヤ１を押送する。第３図におい
て、30は移載ヘッド、31は半導体Ｐを吸着するノズルで
あり、半導体Ｐを基板３に搭載する。
ヒートブロックとアフターヒートブロック、28はキャリ
ヤ１をプリヒートブロック26からヒートブロク10へ搬送
する搬送手段、29はヒートブロック10からアフターヒー
トブロック27へ搬出する搬送手段である。これらの搬送
手段28,29は送り爪から成っており、横方向に往復移動
することにより、キャリヤ１を押送する。第３図におい
て、30は移載ヘッド、31は半導体Ｐを吸着するノズルで
あり、半導体Ｐを基板３に搭載する。
本装置は上記のような構成より成り、次に共晶ボンデ
ィング作業を説明する。
ィング作業を説明する。
第２図において、XYテーブル24,25が駆動して、ヒー
トブロック10がプリヒートブロック26に接近した状態
で、プリヒートブロック26からガイド部13上にキャリヤ
１が送られる。次いでシリンダ20が、作動することによ
り、ヒートブロック10は上昇し、突部11により基板３は
押し上げられて、押え具14に押し付けられる。次いで移
載ヘッド30が基板３上に到来し、ヒートブロック10の突
部11により加熱された基板３に半導体Ｐを搭載して共晶
ボンディングする。
トブロック10がプリヒートブロック26に接近した状態
で、プリヒートブロック26からガイド部13上にキャリヤ
１が送られる。次いでシリンダ20が、作動することによ
り、ヒートブロック10は上昇し、突部11により基板３は
押し上げられて、押え具14に押し付けられる。次いで移
載ヘッド30が基板３上に到来し、ヒートブロック10の突
部11により加熱された基板３に半導体Ｐを搭載して共晶
ボンディングする。
次いでヒートブロック10は下降するとともに、第２図
において右方へ移動し、アフターヒートブロック27に接
近する。次いで搬送手段29により、キャリヤ１はアフタ
ーヒートブロック27上へ送られる。このようにして一連
の作業が終了すると、ヒートブロック10は左方へ移動し
てプリヒートブロック26に接近し、上記作業が繰り返さ
れる。
において右方へ移動し、アフターヒートブロック27に接
近する。次いで搬送手段29により、キャリヤ１はアフタ
ーヒートブロック27上へ送られる。このようにして一連
の作業が終了すると、ヒートブロック10は左方へ移動し
てプリヒートブロック26に接近し、上記作業が繰り返さ
れる。
（実施例２） 第４図において、3a〜3dはそれぞれ形状の異る小形の
基板であり、このうち、基板3c,3dは異形基板である。
キャリヤ１には、基板3a〜3dの形状に対応した開口部2a
〜2dが形成されており、また開口部2a〜2dの縁部には、
基板3a〜3dの位置決め手段としてのリブ4a〜4dが突設さ
れている。各基板3a〜3dは、このリブ4a〜4dにより、昇
降自在に位置決めされる。またヒートブロック10には、
各開口部2a〜2dに対応する形状の突部11a〜11dが突設さ
れている。
基板であり、このうち、基板3c,3dは異形基板である。
キャリヤ１には、基板3a〜3dの形状に対応した開口部2a
〜2dが形成されており、また開口部2a〜2dの縁部には、
基板3a〜3dの位置決め手段としてのリブ4a〜4dが突設さ
れている。各基板3a〜3dは、このリブ4a〜4dにより、昇
降自在に位置決めされる。またヒートブロック10には、
各開口部2a〜2dに対応する形状の突部11a〜11dが突設さ
れている。
本実施例の動作は、上記第１実施例の場合と同様であ
って、突部11a〜11dにより基板3a〜3dを押し上げて、上
記押え具14に押し付け、半導体Ｐを基晶ボンディングす
る。
って、突部11a〜11dにより基板3a〜3dを押し上げて、上
記押え具14に押し付け、半導体Ｐを基晶ボンディングす
る。
Ｍは各基板3a〜3dに形成された位置基準マークであ
り、移載ヘッド30により半導体Ｐを搭載するにあたって
は、カメラ（図外）によりこのマークＭを観察し、所定
の位置に半導体Ｐを搭載する。
り、移載ヘッド30により半導体Ｐを搭載するにあたって
は、カメラ（図外）によりこのマークＭを観察し、所定
の位置に半導体Ｐを搭載する。
このように本装置によれば、異種基板3a〜3dをキャリ
ヤ１に位置決めして、一緒に半導体Ｐを共晶ボンディン
グすることができる。
ヤ１に位置決めして、一緒に半導体Ｐを共晶ボンディン
グすることができる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明は、複数個の開口部を有
し、この開口部に基板が位置決めされるキャリヤと、こ
の開口部に嵌入する突部を有し、昇降手段に駆動されて
昇降することにより、この突部により上記基板を押し上
げて、この基板を上方の押え具に押し付けるヒートブロ
ックと、上記キャリヤをこのヒートブロック上に搬入
し、またこのヒートブロック上から搬出する搬送手段と
から共晶ボンディング装置を構成しているので、複数個
の小形基板や異形の小形基板に、半導体を作業性よく共
晶ボンディングすることができる。
し、この開口部に基板が位置決めされるキャリヤと、こ
の開口部に嵌入する突部を有し、昇降手段に駆動されて
昇降することにより、この突部により上記基板を押し上
げて、この基板を上方の押え具に押し付けるヒートブロ
ックと、上記キャリヤをこのヒートブロック上に搬入
し、またこのヒートブロック上から搬出する搬送手段と
から共晶ボンディング装置を構成しているので、複数個
の小形基板や異形の小形基板に、半導体を作業性よく共
晶ボンディングすることができる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図は共晶
ボンディング装置の分解斜視図、第２図は正面図、第３
図は側面図、第４図は他の実施例の分解斜視図、第５図
は従来手段の斜視図である。 １……キャリヤ ２……開口部 ３……基板 10……ヒートブロック 11……突部 14……押え具 20……昇降手段 28,29……搬送手段
ボンディング装置の分解斜視図、第２図は正面図、第３
図は側面図、第４図は他の実施例の分解斜視図、第５図
は従来手段の斜視図である。 １……キャリヤ ２……開口部 ３……基板 10……ヒートブロック 11……突部 14……押え具 20……昇降手段 28,29……搬送手段
Claims (1)
- 【請求項１】複数個の開口部を有し、この開口部に基板
が位置決めされるキャリヤと、この開口部に嵌入する突
部を有し、昇降手段に駆動されて昇降することにより、
この突部により上記基板を押し上げて、この基板を上方
の押え具に押し付けるヒートブロックと、上記キャリヤ
をこのヒートブロック上に搬入し、またこのヒートブロ
ック上から搬出する搬送手段とを備えていることを特徴
とする共晶ボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004490A JP2751585B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 共晶ボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18004490A JP2751585B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 共晶ボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465838A JPH0465838A (ja) | 1992-03-02 |
| JP2751585B2 true JP2751585B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16076507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18004490A Expired - Fee Related JP2751585B2 (ja) | 1990-07-06 | 1990-07-06 | 共晶ボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751585B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5136748B2 (ja) * | 2007-04-16 | 2013-02-06 | トヨタ自動車株式会社 | 素子の位置決め治具及び実装方法 |
| KR101122372B1 (ko) * | 2009-04-17 | 2012-03-23 | 주식회사 효성 | 2중 구조의 호스 및 그의 단말장치 |
| JP5970249B2 (ja) * | 2012-06-13 | 2016-08-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
-
1990
- 1990-07-06 JP JP18004490A patent/JP2751585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465838A (ja) | 1992-03-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |