JPH046482A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH046482A
JPH046482A JP2108039A JP10803990A JPH046482A JP H046482 A JPH046482 A JP H046482A JP 2108039 A JP2108039 A JP 2108039A JP 10803990 A JP10803990 A JP 10803990A JP H046482 A JPH046482 A JP H046482A
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JP
Japan
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signal line
data
control signal
address
coupled
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Pending
Application number
JP2108039A
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English (en)
Inventor
Toshinori Nagao
長尾 豪教
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH046482A publication Critical patent/JPH046482A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1 本発明は半導体装置に関し、特に半導体装置に内蔵され
る試験回路とその試験方法の改良に関する。
[発明の概要] 本発明は半導体装置において、内蔵されるリドオンリメ
モリ、及びランダムアクセスメモリの読み書き試験を、
内蔵される中央処理ユニットを使用せず、直接外部から
試験可能とする。
[従来の技術] 従来の半導体装置は第5図に示すように、中央処理ユニ
ット501に結合された双方向データ母線502、及び
アドレス信号線503、及び制御信号線504に対して
、リードオンリメモリ505、及びランダムアクセスメ
モリ506、及び外部入出力ポート507がそれぞれ直
接結合され、前記リードオンリメモリ505、及び前記
ランダムアクセスメモリ506の読み書き試験を行う場
合には、前記中央処理ユニット501に結合されたクロ
ック入力端子508に外部から動作クロックを入力し、
前記リードオンリメモリ505、又は前記ランダムアク
セスメモリ506に格納されているプログラムを走行さ
せ、前記リードオンリメモリ505、又は前記ランダム
アクセスメモリ506に対してプログラムによるデータ
の読み書きを行い、かつ前記外部入出力ボート507に
接続される外部試験装置との間で、データのやり取りを
同様にプログラムによって行うことで、実際の試験を実
現していた。
[発明が解決しようとする課題] しかし前記の従来の技術では、内蔵されるり一ドオンリ
メモリ、及びランダムアクセスメモリの読み書き試験を
中央処理ユニットを介するプログラム方式で行うため、
実際のメモリ試験時間中にインストラクション取り込み
などの余分なサイクルが存在し、その結果試験時間に大
幅な冗長性をもたらすという課題を有した。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、製造時、又はメンテナンス時に
おける試験時間の短縮化を可能とする半導体装置の提供
にある。
[課題を解決するための手段] 本発明の半導体装置は、 a)演算機能の実行とコンピュータの動作の制御とを行
う中央処理ユニットと、 b)前記中央処理ユニットに結合され、データのやり取
りを行う第1双方向データ母線と、C)前記中央処理ユ
ニットに結合される第1アドレス信号線と、 d)前記中央処理ユニットに結合され、データの読み書
きを制御する第1制御信号線と、e)外部から直列デー
タの入力を行う直列データ入力端子と、 f)前記直列データ入力端子からのデータを取り込むシ
フトレジスタと、 g)前記シフトレジスタのデータを並列に取り込み、カ
ウントするアドレスカウンタと、h)前記アドレスカウ
ンタに結合される第2アドレス信号線と、 l)外部とデータのやり取りを行う第2双方向デ−夕日
線、及び外部入出力端子と、 J)外部とのデータの読み書きを制御する第2制御信号
線、及び制御信号入力端子と、 k)コンピュータの動作を決定するプログラム、及び任
意の固定データを蓄積するリードオンリメモリと、 1 ) 1iii算処理のデータ、及びプログラム動作
上の一時的データ、又はプログラムそのものを格納する
ランダムアクセスメモリと、 m)前記リードオンリメモリ、および前記ランダムアク
セスメモリにそれぞれ結合される第3双方向データ母線
、及び第3アドレス信号線、及び第3制御信号線と、 n)前記第1双方向データ母線と前記第3双方向データ
母線、及び前記第1アドレス信号線と前記第3アドレス
信号線、及び前記第1制御信号線と前記第3制御信号線
とのそれぞれの電気的接続、切離を行う第1バスドライ
バと、 0)前記第2双方向データ母線と前記第3双方向データ
母線、及び前記第2アドレス信号線と前記第3アドレス
信号線、及び前記第2制御信号線と前記第3制御信号線
とのそれぞれの電気的接続切離を行う第2バスドライバ
と、 p)前記第1バスドライバ、又は前記第2バスドライバ
のどちらか一方を有効とする選択回路、及び選択信号入
力端子と、 q)前記シフトレジスタ、及び前記アドレスカウンタに
結合され、供給されるクロックを制御するクロック制御
回路と、 r)前記クロック制御回路に結合されるクロック制御端
子と、 S)前記クロック制御回路、及び前記中央処理ユニット
に結合され、動作クロックの供給を行うクロック入力端
子を有することを特徴とする。
[実 施 例] 以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第1図から第3図は本発明の半導体装置図、第4図は本
発明の半導体装置の動作タイミング図である。
第1図において、101は演算機能の実行とコンピュー
タの動作の制御とを行う中央処理ユニット。102は中
央処理ユニット101に結合され、データのやり取りを
行う第1双方向データ母線。103は中央処理ユニット
101に結合される第1アドレス信号線。104は中央
処理ユニット101に結合され、データの読み書きを制
御する第1制御信号綿。
第2図において、201は外部から直列データの入力を
行う直列データ入力端子。202は直列データ入力端子
201からのデータを取り込むシフトレジスタ、203
はシフトレジスタ202のデータを並列に取り込み、カ
ウントするアドレスカウンタ。204はアドレスカウン
タ203に結合される第2アドレス信号線、205は外
部とデータのやり取りを行う第2双方向データ母線。2
06は第2双方向データ母線205に結合される外部入
出力端子。207は外部とのデータの読み書きを制御す
る第2制御信号線。208は第2制御信号綿207に結
合される制御信号入力端子。
209はシフトレジスタ202、及びアドレスカウンタ
203に結合され、供給されるクロックを制御するクロ
ック制御回路。210はクロック制御回路209に結合
されるクロック制御端子。211はクロ・ンク制御回路
210、及び中央処理ユニット101に結合され、動作
クロックの供給を行うクロック入力端子。
第3図において、301はコンピュータの動作を決定す
るプログラム、及び任意の固定データを蓄積するリード
オンリメモリ。302は演算処理のデータ、及びプログ
ラム動作上の一時的データ、又はプログラムそのものを
格納するランダムアクセスメモリ。
第1図から第3図において、303はリードンノメモリ
301、及びランダムアクセスメモリ302にそれぞれ
結合される第3双方向データ母線。304はリードオン
リメモリ301、及びランダムアクセスメモリ302に
それぞれ結合される第3アドレス信号線。305はリー
ドオンリメモリ301、及びランダムアクセスメモリ3
02にそれぞれ結合される第3制御信号線。
第1図において、105は第1双方向データ母線〕02
と第3双方向データ母線303、及び第】アljレス信
号線103と第3アドレス信号綿304、及び第1制御
信号線104と第3制御信号線305とのそれぞれの電
気的接続、切離を行う第1ハスドライバ6 第2図において、212は第2双方向データ母線205
と第3双方向データ母線303、及び第2アドレス信号
線204と第3アドレス信号線304、及び第2制御信
号線207と第3制御信号線305とのそれぞれの電気
的接続、切離を行う第2バスドライバ。
第1図、及び第2図において、213は第1バスドライ
バ105、又は第2バスドライバ212のどちらか一方
を有効とする選択回路6第2区において、214は選択
回路213に結合される選択信号入力端子6 以上によって本発明の半導体装置が構成される。
第4図のタイミング図に示すように、まず外部よりクロ
ック入力端子211に動作クロックを、クロック生後端
子210と選択信号入力端子214にL OWレベルを
それぞれ入力する。ここで選択回路213が、第2バス
ドライバ212を有効、第1バスドライバ105を無効
とし、第2ヌヌ方向データe線205と第3双方向デー
タ母線303、及び第2アドレス信号!、91204と
第3アトIノス信号線304、及び第2制御信号線20
7と第3制御信号#Ji! 305のそれぞれを電気的
に接続する。
次に動作クロックの立ち下がりエツジに同期して直列デ
ータ入力端子201にランダムアクセスメモリ302の
初期アドレスデータを、最上位ビット(An)から最下
位ビット(AO)の順序で、1ビツトづつ連続的に所有
ビット数分入力することで、動作クロックの立ち上がり
エツジに同期してシフトレジスタ202に初期アドレス
データが取り込まれる。
またアドレスカウンタ203はロード機能付きブリセッ
クプルカウンタで構成され、カウンタを構成しているフ
リップフロップはL端子がHIGHレベルの時に、A端
子からデータをロードする。
よって、シフトレジスタ202が1ビツトづつ初期アド
レスデータを取り込んでいる際、同時にアドレスカウン
タ203はアドレスデータをシフトレジスタ202から
ロードする。
所有するアドレス空間のビット数分アドレスデータを取
り込んだ所で、外部よりクロック制御端子210にHI
GHレベルを入力し、シフトレジスタ202、及びアド
レスカウンタ203のロードを停止する。この時、同時
にクロック入力端子211がアドレスカウンタ203へ
のクロック入力端子となる。
ここまでの処理でランダムアクセスメモリ302の読み
書き試験をするための初期アドレスが、アドレスカウン
タ203より第2アドレス信号緋204、及び第3アド
レス信号線304を経由してランダムアクセスメモリ3
02に供給される。
次に実際の読み書き試験を行う場合、書き込みにおいて
は、制御信号入力端子208のライト端子(TW)側に
LOWレベルを入力する。これにより第2制御信号線2
07、及び第3制御信号線305を経由してランダムア
クセスメモリ302のライト端子(WR)にLOWレベ
ルが供給され、外部入出力端子206に入力される所有
ビット幅の任意のデータ■が第2双方向データ母線20
5、及び第3双方向データ母線303を経由して、ラン
ダムアクセスメモリ302に書き込まれる。
また前記書き込みに続いての同一アドレスの読み出しに
おいては、制御信号入力端子208のリード端子(TR
)側にLOWレベルを入力する。
これにより第2制御信号線207、及び第3制御信号線
305を経由してランダムアクセスメモリ302のリー
ド端子(RD)にLOWレベルが供給され、前記書き込
みにおいて格納されたデータ■が第3双方向データ母線
303、及び第2双方向データ母線205を経由して、
外部入出力端子206に出力される。
さらに続いてクロック入力端子211にクロックを1パ
ルス入力することで、アドレスカウンタ203がインク
リメントされ、前記同様の操作で以下第4図に示すよう
に、■、■、■、■、■という具合に連続的に読み書き
試験を行うことができる。
またリードオンリメモリ301の読み出し試験を行う場
合は、リードオンリメモリ301の初期アドレスを前記
同様設定し、前記の書き込み試験を除いて同様の処理を
行うことで、読み出し試験が実現される。
尚、選択信号入力端子にHIGHレベルを入力すること
で、選択回路213が第1バスドライバ105を有効、
第2バスドライバ212を無効とし、第1双方向データ
母線102と第3双方向でター母線303、及び第1ア
ドレス信号線103と第3アドレス信号線304、及び
第1制御信号線104と第3制御信号線305のそれぞ
れを電気的に接続する。その結果、中央処理ユニット1
01がリードオンリメモリ301、及びランダムアクセ
スメモリ302をそれぞれ読み出し、又は読み書きでき
るようになり、通常のコンピュータとして動作する。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明では従来中央処理ユニットを
介するプログラム方式で行っていた内蔵のリードオンリ
メモリ、及びランダムアクセスメモリの読み書き試験を
、外部に接続する試験装置から直接、任意のアドレスの
設定、及びデータの読み書きを可能とすることで、従来
のメモリ試験時間中に存在したインストラクション取り
込みなどの余分なサイクルを一掃することができ、メモ
リのアクセスタイムの限界に近い速度で高速に試験が可
能となる。
その結果試験時間が大幅に短縮され、ある一定時間中に
従来以上の数の半導体装置を製造、又はメンテナンスす
ることができるようになり、製造コスト、及びサービス
コストを大幅に低減させることが可能となる。
本発明は大容量メモリ、かつ大量生産に最適である。
【図面の簡単な説明】
第1図から第3図は本発明の半導体装置図。 第4図は本発明の半導体装置の動作タイミング図。 第5図は従来の半導体装置図6 中央処理ユニット 第1双方向データ母線 第1アドレス信号線 第1制御信号線 第1バスドライバ 直列データ入力端子 シフトレジスタ アドレスカウンタ 第2アドレス信号線 第2双方向データ母線 外部入出力端子 207  ・ 209 ・ 212  ・ 213 ・ 302 ・ 303  ・ 502 ・ 503  ・ 505 ・ 第2制御信号線 ・・制御信号入力端子 クロック制御回路 ・・クロック制御端子 ・・クロック制御端子 ・第2パスドライバ ・ 選択回路 選択信号入力端子 ・リードオンリメモリ ランダムアクセスメモリ ・・第3双方向データe線 ・・第3アドレス信号線 ・・第3制御信号線 中央処理ユニット 双方向データ母線 ・・アドレス信号線 ・制御信号線 ノードオンリメモリ ランダムアクセスメモリ 外部入出力ホート 508 ・ クロック入力端子 以 上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 a)演算機能の実行とコンピュータの動作の制御とを行
    う中央処理ユニットと、 b)前記中央処理ユニットに結合され、データのやり取
    りを行う第1双方向データ母線と、 c)前記中央処理ユニットに結合される第1アドレス信
    号線と、 d)前記中央処理ユニットに結合され、データの読み書
    きを制御する第1制御信号線と、 e)外部から直列データの入力を行う直列データ入力端
    子と、 f)前記直列データ入力端子からのデータを取り込むシ
    フトレジスタと、 g)前記シフトレジスタのデータを並列に取り込み、カ
    ウントするアドレスカウンタと、 h)前記アドレスカウンタに結合される第2アドレス信
    号線と、 i)外部とデータのやり取りを行う第2双方向データ母
    線、及び外部入出力端子と、 J)外部とのデータの読み書きを制御する第2制御信号
    線、及び制御信号入力端子と、 k)コンピュータの動作を決定するプログラム、及び任
    意の固定データを蓄積するリードオンリメモリと、 l)演算処理のデータ、及びプログラム動作上の一時的
    データ、又はプログラムそのものを格納するランダムア
    クセスメモリと、 m)前記リードオンリメモリ、および前記ランダムアク
    セスメモリにそれぞれ結合される第3双方向データ母線
    、及び第3アドレス信号線、及び第3制御信号線と、 n)前記第1双方向データ母線と前記第3双方向データ
    母線、及び前記第1アドレス信号線と前記第3アドレス
    信号線、及び前記第1制御信号線と前記第3制御信号線
    とのそれぞれの電気的接続、切離を行う第1バスドライ
    バと、 o)前記第2双方向データ母線と前記第3双方向データ
    母線、及び前記第2アドレス信号線と前記第3アドレス
    信号線、及び前記第2制御信号線と前記第3制御信号線
    とのそれぞれの電気的接続、切離を行う第2バスドライ
    バと、 p)前記第1バスドライバ、又は前記第2バスドライバ
    のどちらか一方を有効とする選択回路、及び選択信号入
    力端子と、 q)前記シフトレジスタ、及び前記アドレスカウンタに
    結合され、供給されるクロックを制御するクロック制御
    回路と、 r)前記クロック制御回路に結合されるクロック制御端
    子と、 s)前記クロック制御回路、及び前記中央処理ユニット
    に結合され、動作クロックの供給を行うクロック入力端
    子を有することを特徴とする半導体装置。
JP2108039A 1990-04-24 1990-04-24 半導体装置 Pending JPH046482A (ja)

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JP2108039A JPH046482A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 半導体装置

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JP2108039A JPH046482A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 半導体装置

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JP2108039A Pending JPH046482A (ja) 1990-04-24 1990-04-24 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0683206U (ja) * 1993-05-06 1994-11-29 京セラ株式会社 スローアウェイインサートの固定構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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