JPH0455327A - ドーパント含有シリカガラスの製造方法 - Google Patents
ドーパント含有シリカガラスの製造方法Info
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- JPH0455327A JPH0455327A JP16465790A JP16465790A JPH0455327A JP H0455327 A JPH0455327 A JP H0455327A JP 16465790 A JP16465790 A JP 16465790A JP 16465790 A JP16465790 A JP 16465790A JP H0455327 A JPH0455327 A JP H0455327A
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ドーパント含有シリカガラスの製造方法に関
する。さらに詳しくは、本発明は、レーザーや光学フィ
ルター等として有用なシリカガラスの製造方法に関する
。
する。さらに詳しくは、本発明は、レーザーや光学フィ
ルター等として有用なシリカガラスの製造方法に関する
。
ドーパント含有シリカガラスは、アルキルシリケートを
原料として、加水分解の際にドーパントとなる元素を含
む化合物(以下、ドーパント化合物という)を存在させ
て行われる、所謂ゾルゲル法により製造される。
原料として、加水分解の際にドーパントとなる元素を含
む化合物(以下、ドーパント化合物という)を存在させ
て行われる、所謂ゾルゲル法により製造される。
例えば、特開平1−119528号公報には、シリコン
アルコキシドの加水分解の際に、ポリエチレングリコー
ルやポリエチレンイミン等の鎖中に孤立電子対を有する
酸素及び/又は窒素原子を有する有機化合物を添加する
ことにより、加水分解により得られたゲルを乾燥しても
クラックや割れのない大型のシリカガラスを製造できる
ことが開示されている。
アルコキシドの加水分解の際に、ポリエチレングリコー
ルやポリエチレンイミン等の鎖中に孤立電子対を有する
酸素及び/又は窒素原子を有する有機化合物を添加する
ことにより、加水分解により得られたゲルを乾燥しても
クラックや割れのない大型のシリカガラスを製造できる
ことが開示されている。
また、特開平1−160843号公報には、ドーパント
化合物であるネオジム化合物を含むアルキルシリケート
の酸性加水分解溶液に、シリカ微粒子を分散させてゲル
化することにより、乾燥してもクラックや割れのない、
ドーパントとしてネオジムを含む大型のシリカガラスを
製造できることが開示されている。
化合物であるネオジム化合物を含むアルキルシリケート
の酸性加水分解溶液に、シリカ微粒子を分散させてゲル
化することにより、乾燥してもクラックや割れのない、
ドーパントとしてネオジムを含む大型のシリカガラスを
製造できることが開示されている。
上記特開平1−119528号公報の方法において、シ
リコンアルコキシドの加水分解の際に、ネオジム化合物
等のドーパント化合物を添加するとドーパント含有シリ
カガラスを作製することができる。しかし、得られたド
ーパント含有シリカガラスを分析すると、ガラス内のド
ーパントの分布が均一ではないという問題があった。
リコンアルコキシドの加水分解の際に、ネオジム化合物
等のドーパント化合物を添加するとドーパント含有シリ
カガラスを作製することができる。しかし、得られたド
ーパント含有シリカガラスを分析すると、ガラス内のド
ーパントの分布が均一ではないという問題があった。
また、特開平1−160843号公報に記載の方法によ
っても、得られたシリカガラス中のネオジムイオンの分
布には偏りがあった。
っても、得られたシリカガラス中のネオジムイオンの分
布には偏りがあった。
シリカガラス中のドーパントの分布が均一でないと、レ
ーザー発振が阻害されたり、同じ特性を有するガラスが
量産できないという問題がある。
ーザー発振が阻害されたり、同じ特性を有するガラスが
量産できないという問題がある。
そこで本発明の目的は、クラックや割れのない、ドーパ
ント含有の大型シリカガラスであって、シリカガラス内
のドーパントの分布が均一であるドーパント含有シリカ
ガラスを製造する方法を提供することにある。
ント含有の大型シリカガラスであって、シリカガラス内
のドーパントの分布が均一であるドーパント含有シリカ
ガラスを製造する方法を提供することにある。
本発明は、アルキルシリケート、アルキルシリケートの
部分加水分解物またはそれらの混合物を、ドーパント化
合物及びアセチルアセトンの存在下、加水分解し、ゲル
化し、得られたゲルを乾燥し、焼結することを含むドー
パント含有シリカガラスの製造方法に関する。
部分加水分解物またはそれらの混合物を、ドーパント化
合物及びアセチルアセトンの存在下、加水分解し、ゲル
化し、得られたゲルを乾燥し、焼結することを含むドー
パント含有シリカガラスの製造方法に関する。
以下本発明について詳説する。
本発明において、アルキルシリケートは、一般式5i(
OR)4(式中、Rはアルキル基、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル基を示
す)又は一般式(OR)3S i [08i (OR
) 2) 、O8i (OR) −(式中、Rは上記と
同義であり、nは0〜8の整数である)等で示される、
加水分解することによりシリカゾルを生成する化合物で
ある。ただし、上記一般式で表される化合物に限定され
るものではない。具体的には、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
ブトキシシラン等を例示できる。
OR)4(式中、Rはアルキル基、例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル基を示
す)又は一般式(OR)3S i [08i (OR
) 2) 、O8i (OR) −(式中、Rは上記と
同義であり、nは0〜8の整数である)等で示される、
加水分解することによりシリカゾルを生成する化合物で
ある。ただし、上記一般式で表される化合物に限定され
るものではない。具体的には、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
ブトキシシラン等を例示できる。
また、本発明においては、アルキルシリケートの部分加
水分解物を用いることもできる。この部分加水分解は常
法により行うことができ、例えば酸性又は塩基性触媒の
存在下、水、アルコール又はそれらの混合物を用いて行
うことができる。加水分解の程度は、例えば、全加水分
解の10〜90%、好ましくは20〜40%とすること
が、加水分解物の粘度制御が容易であるという観点から
適当である。
水分解物を用いることもできる。この部分加水分解は常
法により行うことができ、例えば酸性又は塩基性触媒の
存在下、水、アルコール又はそれらの混合物を用いて行
うことができる。加水分解の程度は、例えば、全加水分
解の10〜90%、好ましくは20〜40%とすること
が、加水分解物の粘度制御が容易であるという観点から
適当である。
尚、本発明においては、アルキルシリケートとアルキル
シリケートの部分加水分解物の混合物を用いることもで
きる。
シリケートの部分加水分解物の混合物を用いることもで
きる。
ドーパント化合物としては、遷移金属元素又は希土類元
素等を含む有機化合物及び無機化合物を例示できる。た
だし、これ以外の化合物でも、ドーパントとなり得る元
素を含む化合物であれば、ドーパント化合物として用い
ることはできる。遷移金属元素としては、チタン、クロ
ム、コバルト、ニッケル、銅等を例示できる。また、希
土類元素としては、ネオジム、エルビウム、セリウム、
サマリウム、ユーロピウム、ホロミウム、プラセオジム
等を例示できる。
素等を含む有機化合物及び無機化合物を例示できる。た
だし、これ以外の化合物でも、ドーパントとなり得る元
素を含む化合物であれば、ドーパント化合物として用い
ることはできる。遷移金属元素としては、チタン、クロ
ム、コバルト、ニッケル、銅等を例示できる。また、希
土類元素としては、ネオジム、エルビウム、セリウム、
サマリウム、ユーロピウム、ホロミウム、プラセオジム
等を例示できる。
ドーパント化合物の例としては、トリアセチルアセトナ
トネオジム、トリアセチルアセトナトエルビウム、硝酸
ネオジム、硝酸エルビウム、塩化ネオジム、ジアセチル
アセトナトコバルト、トリアセチルアセトナトコバルト
、トリアセチルアセトナトチタン、トリアセチルアセト
ナトクロム、トリアセチルアセトナトニッケル、トリア
セチルアセトナト銅等を挙げることができる。
トネオジム、トリアセチルアセトナトエルビウム、硝酸
ネオジム、硝酸エルビウム、塩化ネオジム、ジアセチル
アセトナトコバルト、トリアセチルアセトナトコバルト
、トリアセチルアセトナトチタン、トリアセチルアセト
ナトクロム、トリアセチルアセトナトニッケル、トリア
セチルアセトナト銅等を挙げることができる。
ドーパント化合物の添加量は、ドーパントの種類及び製
品であるシリカガラスの用途等に適宜状めることができ
る。
品であるシリカガラスの用途等に適宜状めることができ
る。
例えば、ドーパント化合物としてネオジム化合物を用い
る場合には、アルキルシリケート、アルキルシリケート
の部分加水分解物またはそれらの混合物1モルに対して
0.002〜0.008モルの範囲で添加することが、
ドーパントの分布の均一性という観点から適当である。
る場合には、アルキルシリケート、アルキルシリケート
の部分加水分解物またはそれらの混合物1モルに対して
0.002〜0.008モルの範囲で添加することが、
ドーパントの分布の均一性という観点から適当である。
また、ドーパント化合物としてエルビウム化合物を用い
る場合には、アルキルシリケート、アルキルシリケート
の部分加水分解物またはそれらの混合物1モルに対して
0.002〜0.016モルの範囲で添加することが、
ネオジム化合物を用いる場合と同様の理由で適当である
。
る場合には、アルキルシリケート、アルキルシリケート
の部分加水分解物またはそれらの混合物1モルに対して
0.002〜0.016モルの範囲で添加することが、
ネオジム化合物を用いる場合と同様の理由で適当である
。
アセチルアセトンは、CH,、COCH2COCH3で
表される化合物である。アセチルアセトンの添加量は、
アルキルシリケート、アルキルシリケートの部分加水分
解物またはそれらの混合物及びドーパント化合物の合計
モル数の0.05〜5倍、好ましくは0.1〜1.0倍
とすることが、ドーパントを均一に分布させ、乾燥ゲル
にクラックや割れが生じるのを防止するという観点から
適当である。
表される化合物である。アセチルアセトンの添加量は、
アルキルシリケート、アルキルシリケートの部分加水分
解物またはそれらの混合物及びドーパント化合物の合計
モル数の0.05〜5倍、好ましくは0.1〜1.0倍
とすることが、ドーパントを均一に分布させ、乾燥ゲル
にクラックや割れが生じるのを防止するという観点から
適当である。
尚、ドーパント化合物及びアセチルアセトンに加えて、
リン酸化合物を添加することができる。
リン酸化合物を添加することができる。
リン酸化合物を添加することにより、乾燥ゲルの焼結温
度を低下させることができる。さらに、リン酸化合物を
添加することにより、ドーパントの凝集を防止して濃度
消光を防ぐこともできる。リン酸化合物の例としては、
リン酸、リン酸トリエチル、リン酸トリメチル、リン酸
トリブチル等を挙げることができる。
度を低下させることができる。さらに、リン酸化合物を
添加することにより、ドーパントの凝集を防止して濃度
消光を防ぐこともできる。リン酸化合物の例としては、
リン酸、リン酸トリエチル、リン酸トリメチル、リン酸
トリブチル等を挙げることができる。
アルキルシリケート、アルキルシリケートの部分加水分
解物またはそれらの混合物にドーパント化合物及びアセ
チルアセトンを混合し、得られた混合物中のアルキルシ
リケートを加水分解し、ゲル化し、ゲルは乾燥し、焼結
する。これら加水分解、ゲル化、乾燥及び焼結の各工程
は、常法に従って行うことができる。
解物またはそれらの混合物にドーパント化合物及びアセ
チルアセトンを混合し、得られた混合物中のアルキルシ
リケートを加水分解し、ゲル化し、ゲルは乾燥し、焼結
する。これら加水分解、ゲル化、乾燥及び焼結の各工程
は、常法に従って行うことができる。
加水分解は、前述の加水分解と同様に行うことができる
。例えば、酸性触媒(例えば、塩酸、硝酸)又は塩基性
触媒(例えば、アンモニア、ジェタノールアミン水溶液
)の存在下、水、アルコール又はそれらの混合物を用い
て行うことができる。
。例えば、酸性触媒(例えば、塩酸、硝酸)又は塩基性
触媒(例えば、アンモニア、ジェタノールアミン水溶液
)の存在下、水、アルコール又はそれらの混合物を用い
て行うことができる。
アルコールとしては、例えば、エタノール、メタノール
、プロパツール、ブタノール等を用いることができる。
、プロパツール、ブタノール等を用いることができる。
加水分解物は、例えば20〜7(1で1分〜3日間加熱
してゲル化する。
してゲル化する。
得られたゲルを含む混合物は、例えば50−120℃で
1〜3週間、この混合物中に含まれる水、アルコール、
アセチルアセトン等を蒸発させて乾燥する。
1〜3週間、この混合物中に含まれる水、アルコール、
アセチルアセトン等を蒸発させて乾燥する。
尚、ゲル化と乾燥とを同時に行うこともできるが、クラ
ックの発生を防止するという観点からは、ゲル化と乾燥
とを順次行うことが好ましい。
ックの発生を防止するという観点からは、ゲル化と乾燥
とを順次行うことが好ましい。
乾燥後、600〜1300°Cで2〜20時間焼結する
ことにより、ドーパント含有シリカガラスを得ることが
できる。焼結は、空気、酸素、不活性雰囲気(例えば、
アルゴン、ヘリウム又は窒素雰囲気)または還元雰囲気
(例えば、ホーミングガス)中で行うことができる。ま
た、焼結の途中で温度及び雰囲気を適宜変更することも
できる。
ことにより、ドーパント含有シリカガラスを得ることが
できる。焼結は、空気、酸素、不活性雰囲気(例えば、
アルゴン、ヘリウム又は窒素雰囲気)または還元雰囲気
(例えば、ホーミングガス)中で行うことができる。ま
た、焼結の途中で温度及び雰囲気を適宜変更することも
できる。
本発明の方法によれば、クラックや割れがなく、しかも
ドーパントの分布が均一である大型のドーパント含有シ
リカガラスを製造することができる。
ドーパントの分布が均一である大型のドーパント含有シ
リカガラスを製造することができる。
以下、本発明を実施例によりさらに説明する。
実施例1
41g(0,3モル)のテトラメトキシシランと10g
のエタノールと10gの0.01 Nアンモニア水溶液
とを混合し、この混合物に10gのエタノールと0.5
g(0,001モル)のトリアセチルアセトナトネオジ
ム(Nd (C,H70□)、〕と33g0.03モル
)のアセチルアセトンとの混合液を添加してIO分間充
分に混合してテトラメトキシシランを加水分解した。
のエタノールと10gの0.01 Nアンモニア水溶液
とを混合し、この混合物に10gのエタノールと0.5
g(0,001モル)のトリアセチルアセトナトネオジ
ム(Nd (C,H70□)、〕と33g0.03モル
)のアセチルアセトンとの混合液を添加してIO分間充
分に混合してテトラメトキシシランを加水分解した。
得られた加水分解物を1μmのフィルターで加圧濾過し
た後、直径1!l++unのトリメチルペンテン製試験
管10本に均等に入れ、シリコーンゴム栓で密封し、5
0〜60°Cの恒温槽中で3時間加温してゲル化した。
た後、直径1!l++unのトリメチルペンテン製試験
管10本に均等に入れ、シリコーンゴム栓で密封し、5
0〜60°Cの恒温槽中で3時間加温してゲル化した。
次いで、シリコーンゴム栓を除き、70〜80℃の恒温
槽中で1週間加温乾燥して直径10m+の乾燥ゲルを得
た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.474g/carと
小さく、かつ比表面積は1216%/gと大きく、クラ
ックや割れは全くながった。
槽中で1週間加温乾燥して直径10m+の乾燥ゲルを得
た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.474g/carと
小さく、かつ比表面積は1216%/gと大きく、クラ
ックや割れは全くながった。
この乾燥ゲルを空気中、l 200’Cで5時間加熱焼
結して、直径8鵬、長さ30闘のクラックや割れのない
透明なネオジム含有シリカガラス〔屈折率(nd) :
1.4572、密度:2.227g/d〕が得られた
。
結して、直径8鵬、長さ30闘のクラックや割れのない
透明なネオジム含有シリカガラス〔屈折率(nd) :
1.4572、密度:2.227g/d〕が得られた
。
得られたガラス体の両端面を平行平面研磨した後、He
−Neレーザー光を透過させてガラス中に脈理や結晶、
散乱がないことを確認した。さらに、両端面を平行平面
研磨したガラス体についてレーザー発振を試みた。その
結果、波長1.08μmのレーザー発振が確認された。
−Neレーザー光を透過させてガラス中に脈理や結晶、
散乱がないことを確認した。さらに、両端面を平行平面
研磨したガラス体についてレーザー発振を試みた。その
結果、波長1.08μmのレーザー発振が確認された。
さらに、両端面を平行平面研磨したガラスの端面につい
てネオジムの濃度分布をEPMAを用いて測定した。結
果を第1図に示す。第1図から、ネオジムはX線強度で
400〜500cpsの範囲にあり、均一に分布してい
ることがわかる。
てネオジムの濃度分布をEPMAを用いて測定した。結
果を第1図に示す。第1図から、ネオジムはX線強度で
400〜500cpsの範囲にあり、均一に分布してい
ることがわかる。
比較例1
加水分解の際にアセチルアセトンを添加しなかった以外
は実施例1と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は0.837 g/cIIと大きく
、かつ比表面積は1072rl?/gと小さかった。こ
の乾燥ゲルを実施例1と同様の条件で加熱焼結した。得
られたガラスにはクラックが入っていた。
は実施例1と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は0.837 g/cIIと大きく
、かつ比表面積は1072rl?/gと小さかった。こ
の乾燥ゲルを実施例1と同様の条件で加熱焼結した。得
られたガラスにはクラックが入っていた。
得られたガラス体の両端面を平行平面研磨し、この両端
面を平行平面研磨したガラス体についてレーザー発振を
試みた。しかし、レーザー発振を行うことはできなかっ
た。
面を平行平面研磨したガラス体についてレーザー発振を
試みた。しかし、レーザー発振を行うことはできなかっ
た。
又、両端面を平行平面研磨したガラスの端面についてネ
オジムの濃度分布をEPMAを用いて測定した。結果を
第2図に示す。第2図から、ネオジム濃度は、中央部で
高く、周辺部で極端に低く、分布が不均一であることが
わかる。
オジムの濃度分布をEPMAを用いて測定した。結果を
第2図に示す。第2図から、ネオジム濃度は、中央部で
高く、周辺部で極端に低く、分布が不均一であることが
わかる。
実施例2
31g(0,2モル)のテトラメトキシシランと10g
のエタノールと10gの0.0INアンモニア水溶液と
を混合し、この混合物に10gのエタノールと0.5g
(0,001モル)のトリアセチルアセトナトネオジム
[N d (Cs H? 02) 3)と3gのアセチ
ルアセトンと32g(0,18モル)のリン酸トリエチ
ル[(CffiH50)、op〕の混合液を添加して5
分間光分に混合してテトラメトキシシランを加水分解し
た。
のエタノールと10gの0.0INアンモニア水溶液と
を混合し、この混合物に10gのエタノールと0.5g
(0,001モル)のトリアセチルアセトナトネオジム
[N d (Cs H? 02) 3)と3gのアセチ
ルアセトンと32g(0,18モル)のリン酸トリエチ
ル[(CffiH50)、op〕の混合液を添加して5
分間光分に混合してテトラメトキシシランを加水分解し
た。
得られた加水分解物を1μmのフィルターで加圧濾過し
た後、直径15mmのトリメチルペンテン製試験管10
本に均等に入れ、シリコーンゴム栓で密封し、50〜6
0°Cの恒温槽中で1時間加温してゲル化した。
た後、直径15mmのトリメチルペンテン製試験管10
本に均等に入れ、シリコーンゴム栓で密封し、50〜6
0°Cの恒温槽中で1時間加温してゲル化した。
次いで、シリコーンゴム栓を除き、70〜80℃の恒温
槽中で1週間加温乾燥して直径12mmの乾燥ゲルを得
た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.576g/cdと小
さく、かつ比表面積は1029ボ/gと大きく、クラッ
クや割れは全くなかった。
槽中で1週間加温乾燥して直径12mmの乾燥ゲルを得
た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.576g/cdと小
さく、かつ比表面積は1029ボ/gと大きく、クラッ
クや割れは全くなかった。
この乾燥ゲルを酸素中、900℃で5時間加熱焼結して
、直径8、閣、長さ30mmのクラックや割れのない透
明なネオジム含有シリカガラス〔屈折率(nd):1.
463B、密度:2.254g/cnfEが得られた。
、直径8、閣、長さ30mmのクラックや割れのない透
明なネオジム含有シリカガラス〔屈折率(nd):1.
463B、密度:2.254g/cnfEが得られた。
得られたガラス体の両端面を平行平面研磨した後、He
−Neレーザー光を透過させてガラス中に脈理や結晶、
散乱がないことを確認した。
−Neレーザー光を透過させてガラス中に脈理や結晶、
散乱がないことを確認した。
さらに、両端面を平行平面研磨したガラスの端面につい
てネオジム及びリンの濃度分布をEPMAを用いて測定
した。リンについての結果を第3図に示す。第3図から
、リンはX線強度で60〜90cpsの範囲内にあり、
均一に分布していることがわかる。また、ネオジムの濃
度分布も第1図に示したのと同様に均一であった。
てネオジム及びリンの濃度分布をEPMAを用いて測定
した。リンについての結果を第3図に示す。第3図から
、リンはX線強度で60〜90cpsの範囲内にあり、
均一に分布していることがわかる。また、ネオジムの濃
度分布も第1図に示したのと同様に均一であった。
比較例2
加水分解の際にアセチルアセトンを添加しなかった以外
は実施例2と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は1.168 g/Ciと大きく、
かつ比表面積は782rrr/gと小さかった。この乾
燥ゲルを実施例2と同様の条件で加熱焼結した。得られ
たガラスにはクラックが入っていた。
は実施例2と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は1.168 g/Ciと大きく、
かつ比表面積は782rrr/gと小さかった。この乾
燥ゲルを実施例2と同様の条件で加熱焼結した。得られ
たガラスにはクラックが入っていた。
得られたガラスの端面についてネオジムの濃度分布をE
PMAを用いて測定したが、第2図に示す結果とほぼ同
等の結果であり、ネオジム濃度は、中央部で高く、周辺
部で非常に低くなっていた。
PMAを用いて測定したが、第2図に示す結果とほぼ同
等の結果であり、ネオジム濃度は、中央部で高く、周辺
部で非常に低くなっていた。
又、得られたガラス体の両端面を平行平面研磨してレー
ザー発振を試みたが、レーザー発振を行うことはできな
かった。
ザー発振を試みたが、レーザー発振を行うことはできな
かった。
実施例3
実施例1の0.5g(0,001モル)のトリアセチル
アセトナトネオジム代わりに、0.5g(0,001モ
ル)の硝酸ネオジムを用いた他は、実施例lと同様にし
て乾燥ゲルを調製した。この乾燥ゲルのかさ密度は0.
647 g/cnfと小さく、かつ比表面積は1002
♂/gと大きく、クラックや割れは全くなかった。
アセトナトネオジム代わりに、0.5g(0,001モ
ル)の硝酸ネオジムを用いた他は、実施例lと同様にし
て乾燥ゲルを調製した。この乾燥ゲルのかさ密度は0.
647 g/cnfと小さく、かつ比表面積は1002
♂/gと大きく、クラックや割れは全くなかった。
この乾燥ゲルを酸素中で600℃まで加熱して1時間保
持した後、加熱炉内をヘリウム雰囲気に変え、900℃
でさらに8時間加熱焼結して、直径10■、長さ30m
mのクラックや割れのない透明なネオジム含有シリカガ
ラス〔屈折率(n d): 1.4568 、密度:
2.222 g/cIIr)が得られた。
持した後、加熱炉内をヘリウム雰囲気に変え、900℃
でさらに8時間加熱焼結して、直径10■、長さ30m
mのクラックや割れのない透明なネオジム含有シリカガ
ラス〔屈折率(n d): 1.4568 、密度:
2.222 g/cIIr)が得られた。
得られたガラス体は、実施例1で得たガラス体とほぼ同
等の物性を有していた。
等の物性を有していた。
実施例4
実施例2の32g(0,18モル)のリン酸トリエチル
の代わりに、17.6g(0,18モル)のリン酸(H
,PO,)を用いた他は、実施例2と同様にして乾燥ゲ
ルを調製した。この乾燥ゲルのかさ密度は0.594g
/cfflと小さく、かつ比表面積は912rf/gと
大きく、クラックや割れは全くなかった。
の代わりに、17.6g(0,18モル)のリン酸(H
,PO,)を用いた他は、実施例2と同様にして乾燥ゲ
ルを調製した。この乾燥ゲルのかさ密度は0.594g
/cfflと小さく、かつ比表面積は912rf/gと
大きく、クラックや割れは全くなかった。
この乾燥ゲルを酸素中で600°Cまで加熱して3時間
保持した後、加熱炉内を真空にして、950°Cでさら
に3時間加熱焼結して、直径8 mm、長さ30mmの
クラックや割れのない透明なネオジム含有シリカガラス
〔屈折率(nd) : 1.4634、密度:2.2
49g/enrolが得られた。
保持した後、加熱炉内を真空にして、950°Cでさら
に3時間加熱焼結して、直径8 mm、長さ30mmの
クラックや割れのない透明なネオジム含有シリカガラス
〔屈折率(nd) : 1.4634、密度:2.2
49g/enrolが得られた。
得られたガラス体は、実施例2で得たガラス体とほぼ同
等の物性を有していた。
等の物性を有していた。
実施例5
44.8g(0,3モル)のテトラメトキシシランとl
Ogのエタノールと10gのO,OI Nアンモニア水
溶液とを混合し、この混合物に10gのエタノールと5
.6g(0,01モル)のトリアセチルアセトナトエル
ビウム(Er(CsH70゜)、〕と6g(0,06モ
ル)のアセチルアセトンとの混合液を添加して15分分
間性に混合してテトラメトキシシランを加水分解した。
Ogのエタノールと10gのO,OI Nアンモニア水
溶液とを混合し、この混合物に10gのエタノールと5
.6g(0,01モル)のトリアセチルアセトナトエル
ビウム(Er(CsH70゜)、〕と6g(0,06モ
ル)のアセチルアセトンとの混合液を添加して15分分
間性に混合してテトラメトキシシランを加水分解した。
得られた加水分解物を実施例1と同様の方法で処理して
乾燥ゲルを得た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.668
g/cnfと小さく、かつ比表面積は1047 r&
/gと大きく、クラックや割れは全くなかった。
乾燥ゲルを得た。この乾燥ゲルのかさ密度は0.668
g/cnfと小さく、かつ比表面積は1047 r&
/gと大きく、クラックや割れは全くなかった。
この乾燥ゲルを空気中、1200℃で2時間加熱焼結し
て、直径Ram、長さ30+nmのクラックや割れのな
い透明なエルビウム含有シリカガラス〔屈折率(nd)
: 1.4670、密度: 2.265 g/en
rolが得られた。
て、直径Ram、長さ30+nmのクラックや割れのな
い透明なエルビウム含有シリカガラス〔屈折率(nd)
: 1.4670、密度: 2.265 g/en
rolが得られた。
得られたガラスの両端面を平行平面研磨し、この端面に
ついてエルビウムの濃度分布をEPMAを用いて測定し
た。結果を第4図に示す。第4図から、ネオジムはX線
強度で2700〜2800cpsの範囲内にあり、均一
に分布していることがわかる。
ついてエルビウムの濃度分布をEPMAを用いて測定し
た。結果を第4図に示す。第4図から、ネオジムはX線
強度で2700〜2800cpsの範囲内にあり、均一
に分布していることがわかる。
さらに、両端面を平行平面研磨したガラス体についてレ
ーザー発振を試みた。その結果、波長1゜5μmのレー
ザー発振が確認された。
ーザー発振を試みた。その結果、波長1゜5μmのレー
ザー発振が確認された。
比較例3
加水分解の際にアセチルアセトンを添加しなかった以外
は実施例5と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は1.127 g/ crlと大き
く、かつ比表面積は853m”/gと小さかった。この
乾燥ゲルを実施例5と同様の条件で加熱焼結した。得ら
れたガラスにはクラックが入っていた。
は実施例5と同様にして乾燥ゲルを作製した。得られた
乾燥ゲルのかさ密度は1.127 g/ crlと大き
く、かつ比表面積は853m”/gと小さかった。この
乾燥ゲルを実施例5と同様の条件で加熱焼結した。得ら
れたガラスにはクラックが入っていた。
得られたガラスの端面についてエルビウムの濃度分布を
EPMAを用いて測定した。結果を第5図に示す。第5
図から、エルビウム濃度は、中央部で高く、周辺部で非
常に低くなっており、分布が不均一であることがわかる
。
EPMAを用いて測定した。結果を第5図に示す。第5
図から、エルビウム濃度は、中央部で高く、周辺部で非
常に低くなっており、分布が不均一であることがわかる
。
又、得られたガラス体の両端面を平行平面研磨し、この
両端面を平行平面研磨したガラス体についてレーザー発
振を試みた。しかし、レーザー発振を行うことはできな
かった。
両端面を平行平面研磨したガラス体についてレーザー発
振を試みた。しかし、レーザー発振を行うことはできな
かった。
第1図は、実施例1で得たガラス体中のネオジム濃度分
布を示すEPMA測定結果である。 第2図は、比較例1で得たガラス体中のネオジム濃度分
布を示すEPMA測定結果である。 第3図は、実施例2で得たガラス体中のリン濃変分布を
示すEPMA測定結果である。 第4図は、実施例5で得たガラス体中のエルビウム濃度
分布を示すEPMA測定結果である。 第5図は、比較例3で得たガラス体中のエルビウム濃度
分布を示すEPMA測定結果である。
布を示すEPMA測定結果である。 第2図は、比較例1で得たガラス体中のネオジム濃度分
布を示すEPMA測定結果である。 第3図は、実施例2で得たガラス体中のリン濃変分布を
示すEPMA測定結果である。 第4図は、実施例5で得たガラス体中のエルビウム濃度
分布を示すEPMA測定結果である。 第5図は、比較例3で得たガラス体中のエルビウム濃度
分布を示すEPMA測定結果である。
Claims (1)
- アルキルシリケート、アルキルシリケートの部分加水分
解物またはそれらの混合物を、ドーパント化合物及びア
セチルアセトンの存在下、加水分解し、ゲル化し、得ら
れたゲルを乾燥し、焼結することを含むドーパント含有
シリカガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16465790A JPH0455327A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | ドーパント含有シリカガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16465790A JPH0455327A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | ドーパント含有シリカガラスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0455327A true JPH0455327A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15797335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16465790A Pending JPH0455327A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | ドーパント含有シリカガラスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0455327A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100346122B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 솔-젤 공법을 이용한 도핑된 실리카 글래스의 제조 방법 |
JP2012153594A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Tokyo Metropolitan Univ | 金属元素ドープシリカガラスおよびその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16465790A patent/JPH0455327A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100346122B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-08-01 | 삼성전자 주식회사 | 솔-젤 공법을 이용한 도핑된 실리카 글래스의 제조 방법 |
JP2012153594A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Tokyo Metropolitan Univ | 金属元素ドープシリカガラスおよびその製造方法 |
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