JPH0451050B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0451050B2 JPH0451050B2 JP59215606A JP21560684A JPH0451050B2 JP H0451050 B2 JPH0451050 B2 JP H0451050B2 JP 59215606 A JP59215606 A JP 59215606A JP 21560684 A JP21560684 A JP 21560684A JP H0451050 B2 JPH0451050 B2 JP H0451050B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- titanium
- wiring
- aluminum
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H10P50/00—
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215606A JPS6193629A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59215606A JPS6193629A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6193629A JPS6193629A (ja) | 1986-05-12 |
| JPH0451050B2 true JPH0451050B2 (enExample) | 1992-08-18 |
Family
ID=16675211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59215606A Granted JPS6193629A (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6193629A (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19915348B4 (de) * | 1999-04-06 | 2019-06-27 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Gleitlager |
| JP4577095B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2010-11-10 | 東ソー株式会社 | 金属チタンのエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5847851B2 (ja) * | 1975-02-26 | 1983-10-25 | 日本電気株式会社 | チタン層を有する半導体素子の製造方法 |
| JPS55138235A (en) * | 1979-04-13 | 1980-10-28 | Toshiba Corp | Manufacture of titanic etching solution and semiconductor device using this etching solution |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP59215606A patent/JPS6193629A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6193629A (ja) | 1986-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4337115A (en) | Method of forming electrodes on the surface of a semiconductor substrate | |
| JPS5944824A (ja) | 自己整合型コンタクトを形成するリフトオフ方法 | |
| JPS5893255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0451050B2 (enExample) | ||
| JPS5823928B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPH03200330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2890681B2 (ja) | 多層配線構造の半導体装置製造方法 | |
| JP2702010B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2874216B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2743409B2 (ja) | 多層配線形成法 | |
| JP3323264B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2644079B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6149437A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6111468B2 (enExample) | ||
| JP3211287B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6149438A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6386453A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60115255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6376460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6262467B2 (enExample) | ||
| JPH0567609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6086825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0658896B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0645278A (ja) | 半導体装置の製造方法 |