JPH0448057Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は固体撮像素子の暗電流特性補償回路に
関する。

(ロ) 従来の技術 CCD固体撮像素子は、高温下に於て暗電流ム
ラが著しくなり、モニタ画面の暗部におけるムラ
が特に目立つた。

そこで、例えば、特開昭58−106968号公報で
は、露光時間を温度変化に追従せしめたり、
CCD出力の増幅利得を温度変化に追従せしめる
ことにより、電子カメラの暗電流ムラを解消して
いる。

(ハ) 考案が解決しようとする問題点 しかし、上述する従来技術をビデオカメラに採
用する場合、露光時間を制御することは困難であ
り、アンプの利得を変えることのみが可能となる
が、アンプ利得を変えるだけでは暗電流ムラを充
分抑圧出来ない。

(ニ) 問題点を解決するための手段 そこで、本考案は、固体撮像素子の出力ゲート
のポテンシヤルを温度変化に追従せしめることを
特徴とする。

(ホ) 作用 従つて、本考案によれば、高温下で出力ゲート
のポテンシヤルが高くなり、出力ゲートの前段に
於て撮像出力として導出されるべき電荷の一部が
消滅することにより、低輝度部分の撮像出力が抑
圧される。

(ヘ) 実施例 以下、本考案を図示せる実施例に従い説明す
る。本実施例は、Ｐ型基板上に形成したCCD固
体撮像素子に本考案を採用するものであり、第１
図と、第２図は電荷転送原理説明図である。即
ち、水平転送クロツクφH１，φH２が水平読出
レジスタに入力されると、第１図のポテンシヤル
状態と第２図のポテンシヤル状態が交互に繰返さ
れる。

その結果第１水平転送クロツクがハイレベルの
とき、出力ゲートOGを越えてN⁺の第１拡散領域
Ｄに転送電荷が蓄えられる。この第１拡散領域Ｄ
に電荷が蓄えられるとこの電荷により形成される
電圧が撮像出力として取り出される。その後電荷
は第１水平転送クロツクφH１と同相のリセツト
クロツクφRを電極に入力するリセツトゲートRG
を介してN⁺の第２拡散領域であるリセツトドレ
インRDに流される。第３図は、第１，第２水平
転送クロツクφH１，φH２及びリセツトクロツ
クφR信号波形図を示す。上述する構成はCCD固
体撮像素子に於て周知の構成に付き詳説を割愛す
る。

本実施例の特徴とするところは、出力ゲート
OGのポテンシヤルを高温時に変更する点にあ
る。即ち、本実施例では、出力ゲート電極に印加
する出力ゲート電圧を高温下で抑圧することを特
徴とする。第４図は、出力ゲート電圧発生回路を
具体的に示す回路図である。この図より明らかな
様に、本実施例では、電源アース間に可変抵抗
VRと、第２抵抗Ｒ２とPNP型トランジスタＱの
第１直列回路と、第１抵抗Ｒ１とサーミスタTH
の第２直列回路とを配し、前記可変抵抗VRの摺
動子を前記トランジスタＱのベース入力とする共
に、両直列回路の中間接続点間にダイオードＤを
接続している。従つて、本実施例では、常温下に
於て第１直列回路の接続点の電位が第２直列回路
の接続点の電位より低く設定されており、ダイオ
ードが導通状態にあるため、可変抵抗VRの調整
に応じてゲート電圧（VG）が設定される。しか
し、高温下では、前記サーミスタTHの抵抗値が
小さくなるため、前記ダイオードＤは非導通とな
り、ゲート電圧VGは第１直列回路のみによつて
規定され、温度上昇と共に電圧降下を来す。温度
上昇に伴つてゲート電圧が降下すると、出力ゲー
トOGのポテンシヤルが上昇し、転送を妨害され
る電荷量が増加する。この転送を妨害された電荷
は一定の割合で基板に吸収される。この電荷の吸
収は、低輝度部分の撮像出力を大きく抑圧するこ
とになる。その結果、高温下の低輝度部分で発生
する暗電流ムラは、ほとんど解消される。

(ト) 考案の効果 よつて、本考案によれば、ゲート電圧の制御の
みで暗電流ムラを解消することが出来、その効果
は大である。

【図面の簡単な説明】

図は何れも本考案の一実施例を示し、第１図及
び第２図はポテンシヤル状態を示す電荷転送原理
説明図、第３図はクロツク波形説明図、第４図は
ゲート電圧発生回路の回路図をそれぞれ示す。 OG……出力ゲート、GV……ゲート電圧。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 水平読出レジスタの後段で且つ半導体基板の端
   部に出力ゲートを形成する固体撮像素子の駆動回
   路に於て、 前記出力ゲートの電極に印加するゲート電圧を
   温度変化に追従せしめるゲート電圧発生回路を設
   けることを特徴とする固体撮像素子の暗電流特性
   補償回路。