JPS59214258A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59214258A JPS59214258A JP58089820A JP8982083A JPS59214258A JP S59214258 A JPS59214258 A JP S59214258A JP 58089820 A JP58089820 A JP 58089820A JP 8982083 A JP8982083 A JP 8982083A JP S59214258 A JPS59214258 A JP S59214258A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14875—Infrared CCD or CID imagers
- H01L27/14881—Infrared CCD or CID imagers of the hybrid type
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は半導体装置に掛かり、特に背景光等により生じ
る不要成分を抑制し得る二次元赤外センサの信号読み出
し装置に関する。
る不要成分を抑制し得る二次元赤外センサの信号読み出
し装置に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
赤外ホトダイオードと、二次元（インクレース型）ＣＯ
Ｄとを組合せて構成される通常のハイブリソド二次元セ
ンサ（ＩＲＣＣＤ）は、検知すべき信号成分に対し、背
景光などによる直流成分が大きいため、検出感度を高め
ることが難しくまたダイナミックレンジを大ｉくするこ
とが困難である。即ち、赤外センサでは検知すべき対象
試料温度の変動分に対応する信号より、背景光である対
象試料の温度レベルあるいは環境温度に対応する直流成
分の方が圧倒的に大きい場合が多い。例えば検知しよう
とする対象試料の温度が、常温における数度の変動であ
るような場合、検知されル赤外線強度は約３００ （’
Ｋ ）に対応する背景光に、僅か数度の変化に対応する
微弱な信号光が重畳したものとなり、検知出力もこれに
対応して上記背景光に対応する直流成分に、微弱な信号
成分が重畳したものとなる。従って検出感度を向上させ
るには、上述の直流成分を除去して所望の信号成分のみ
を取り出すことが必要である。
Ｄとを組合せて構成される通常のハイブリソド二次元セ
ンサ（ＩＲＣＣＤ）は、検知すべき信号成分に対し、背
景光などによる直流成分が大きいため、検出感度を高め
ることが難しくまたダイナミックレンジを大ｉくするこ
とが困難である。即ち、赤外センサでは検知すべき対象
試料温度の変動分に対応する信号より、背景光である対
象試料の温度レベルあるいは環境温度に対応する直流成
分の方が圧倒的に大きい場合が多い。例えば検知しよう
とする対象試料の温度が、常温における数度の変動であ
るような場合、検知されル赤外線強度は約３００ （’
Ｋ ）に対応する背景光に、僅か数度の変化に対応する
微弱な信号光が重畳したものとなり、検知出力もこれに
対応して上記背景光に対応する直流成分に、微弱な信号
成分が重畳したものとなる。従って検出感度を向上させ
るには、上述の直流成分を除去して所望の信号成分のみ
を取り出すことが必要である。
ところが従来の二次元赤外センサの読み出し回路に、か
かる背景光などによる直流成分を抑制す。
かる背景光などによる直流成分を抑制す。
る機能を付加しようとすると、読み出し回路の構成が複
雑となり且つＣＯＤ領域の面積が減少する。
雑となり且つＣＯＤ領域の面積が減少する。
そのため真に実用的な赤外センサの読み出し回路の出現
が強く望まれていた。
が強く望まれていた。
（Ｃ１発明の目的
本発明はかかる事１青に鑑みてなされたものであって、
その目的は、背景光などによる直流成分を抑制して所望
の信号成分のみを取り出すことが出来、且つ構成の簡単
な二次元赤外センサの読み出し回路を提供することにあ
る。
その目的は、背景光などによる直流成分を抑制して所望
の信号成分のみを取り出すことが出来、且つ構成の簡単
な二次元赤外センサの読み出し回路を提供することにあ
る。
＋ｄ） 発明の構成
本発明の特徴は、複数個の光電変換素子が二次元配列さ
れた赤外センサ部と、前記光電変換素子からの検′知出
力のうち所望の信号部分の選択出力手段及び該所望の信
号部分を除く不要電荷の排出手段とを有する構成におい
て、前記所望の信号部分の選択出力手段及び不要電荷の
排出手段が、−導電型半導体基板表面に互いに離隔して
形成された・入力側及び出力側逆導電型領域と、該入力
側及び出力側逆導電型領域に挟まれた領域上に入力ゲー
ト、蓄積ゲート、及び移送ゲートとを有する読み出し電
荷制御素子からなり、且つ前記入力側逆導電型領域が前
記光電変換素子の出力端のそれぞれに接続され、前記入
力ゲート蓄積ゲート、及び移送ゲートの電位をそれぞれ
選択制御することにより、前記出力側逆導電型領域から
、前記光電変換素子の検知出力のうち、所望の信号部分
の選択出力及び不要電荷の排出が可能とされたところに
ある。
れた赤外センサ部と、前記光電変換素子からの検′知出
力のうち所望の信号部分の選択出力手段及び該所望の信
号部分を除く不要電荷の排出手段とを有する構成におい
て、前記所望の信号部分の選択出力手段及び不要電荷の
排出手段が、−導電型半導体基板表面に互いに離隔して
形成された・入力側及び出力側逆導電型領域と、該入力
側及び出力側逆導電型領域に挟まれた領域上に入力ゲー
ト、蓄積ゲート、及び移送ゲートとを有する読み出し電
荷制御素子からなり、且つ前記入力側逆導電型領域が前
記光電変換素子の出力端のそれぞれに接続され、前記入
力ゲート蓄積ゲート、及び移送ゲートの電位をそれぞれ
選択制御することにより、前記出力側逆導電型領域から
、前記光電変換素子の検知出力のうち、所望の信号部分
の選択出力及び不要電荷の排出が可能とされたところに
ある。
ｆＱｌ 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部を模式的に示す要部断
面図であって、１は読み出し電荷量制御素子、２はＣＯ
Ｄ、３はリセットトランジスタ、４は光電変換素子で本
実施例では赤外ホトダイオードである。更に５は一導電
型半導体基板で、本実施例ではｐ型のシリコン（Ｓｉ）
基板、６，７゜８．９，９”は逆導電型領域で本実施例
ではｎ型領域、１０は絶縁膜で例えば二酸化シリコン（
５ｉ０２）膜、１１．１２．１３は多結晶シリコン等よ
りなる読み出し電荷量制御素子１の入力ゲート、蓄積ゲ
ート、移送ゲート、１４．１５はＣＣＤ２の移送ゲート
及び転送電極、１６はりセントトランジスタ３のゲート
電極で、１４〜１６はいずれも多結晶シリコンよりなる
。なおＣＣＤ２． リセットトランジスタ３゜及び赤
外ホトダイオード４は通常のものと何ら変わるところは
ない。
面図であって、１は読み出し電荷量制御素子、２はＣＯ
Ｄ、３はリセットトランジスタ、４は光電変換素子で本
実施例では赤外ホトダイオードである。更に５は一導電
型半導体基板で、本実施例ではｐ型のシリコン（Ｓｉ）
基板、６，７゜８．９，９”は逆導電型領域で本実施例
ではｎ型領域、１０は絶縁膜で例えば二酸化シリコン（
５ｉ０２）膜、１１．１２．１３は多結晶シリコン等よ
りなる読み出し電荷量制御素子１の入力ゲート、蓄積ゲ
ート、移送ゲート、１４．１５はＣＣＤ２の移送ゲート
及び転送電極、１６はりセントトランジスタ３のゲート
電極で、１４〜１６はいずれも多結晶シリコンよりなる
。なおＣＣＤ２． リセットトランジスタ３゜及び赤
外ホトダイオード４は通常のものと何ら変わるところは
ない。
上記本実施例の動作は、電荷蓄積、信号読み出し、及び
不要電荷排出の３段階から構成される。
不要電荷排出の３段階から構成される。
その動作を第２図のポテンシャル図を参照しながら説明
する。
する。
まず読み出し電荷量制御素子１の入力ゲート１１には、
全期間を通じて凡そ０．１（Ｖ）の直流電圧を印加して
おく。これにより第２図に見られる如く入力ゲート１１
直下部のポテンシャルは僅かに押し下げられる。
全期間を通じて凡そ０．１（Ｖ）の直流電圧を印加して
おく。これにより第２図に見られる如く入力ゲート１１
直下部のポテンシャルは僅かに押し下げられる。
■〔電荷蓄積〕 （第２図（ａ）参照）上記状態で蓄積
ゲート１２に凡そ１０（Ｖ）のパルス電圧を印加する。
ゲート１２に凡そ１０（Ｖ）のパルス電圧を印加する。
このとき移送ゲート１３の電位は０ （Ｖ）としておく
。これにより蓄積ゲート１２直下部のポテンシャルは′
上記入力ゲート１１直下部のポテンシャル２２より遥か
に深く押し下げられ、ポテンシャルの井戸２０が形成さ
れるので、赤外ホトダイオード４から、検知された赤外
光強度に対応する量の電荷が、ｎ型領域６を経由してポ
テンシャルの井戸加に流入（矢印Ａ）し１、所定時間経
過後には上記赤外光強度に対応した電荷量２】がポテン
シャルの井戸２０に蓄積される。この段階では移送ゲー
ト１３には電圧が印加されていないので、その直下部の
ポテンシャルは高く保たれ、ポテンシャルの井戸２０と
ｎ型領域７との間の障壁２３として働く。従ってポテン
シャルの井戸２ｏ内の電荷は他へ流れ出すことはない。
。これにより蓄積ゲート１２直下部のポテンシャルは′
上記入力ゲート１１直下部のポテンシャル２２より遥か
に深く押し下げられ、ポテンシャルの井戸２０が形成さ
れるので、赤外ホトダイオード４から、検知された赤外
光強度に対応する量の電荷が、ｎ型領域６を経由してポ
テンシャルの井戸加に流入（矢印Ａ）し１、所定時間経
過後には上記赤外光強度に対応した電荷量２】がポテン
シャルの井戸２０に蓄積される。この段階では移送ゲー
ト１３には電圧が印加されていないので、その直下部の
ポテンシャルは高く保たれ、ポテンシャルの井戸２０と
ｎ型領域７との間の障壁２３として働く。従ってポテン
シャルの井戸２ｏ内の電荷は他へ流れ出すことはない。
■〔信号読み出し〕 （同図（ｂ）参照）次いで読み出
し電荷量制御素子１の移送ゲート１３に例えば凡そ２〔
Ｖ〕のパルス電圧を印加するとともに、ＣＣＤ３の移送
ゲート１４に凡そ３ （Ｖ〕の電圧を印加する。これ
により移送ゲート１３及び１４直下部のポテンシャルが
下がり、障壁詔及び２４が低くなる。そのためポテンシ
ャルの井戸２ｏ内に蓄積された電荷２１のうち、上記障
壁２３のポテンシャルより高い部分は、障壁２３．２４
を越えてＣＣＤ２のポテンシャルの井戸２５内に流入（
矢印Ｂ。
し電荷量制御素子１の移送ゲート１３に例えば凡そ２〔
Ｖ〕のパルス電圧を印加するとともに、ＣＣＤ３の移送
ゲート１４に凡そ３ （Ｖ〕の電圧を印加する。これ
により移送ゲート１３及び１４直下部のポテンシャルが
下がり、障壁詔及び２４が低くなる。そのためポテンシ
ャルの井戸２ｏ内に蓄積された電荷２１のうち、上記障
壁２３のポテンシャルより高い部分は、障壁２３．２４
を越えてＣＣＤ２のポテンシャルの井戸２５内に流入（
矢印Ｂ。
Ｃ）する。
■〔不要電荷排出〕 （同図（Ｃ１参照）次いでＣ０Ｄ
２の移送ゲート１４の印加電圧を０（Ｖ）ととして障壁
２４を高め、ＣＣＤ２への電荷の移送を停止せしめる。
２の移送ゲート１４の印加電圧を０（Ｖ）ととして障壁
２４を高め、ＣＣＤ２への電荷の移送を停止せしめる。
そしてＣＯＤ、２においては通常の読み出し方法に従っ
て、転送電極１５に所定の電圧を印加することにより、
ポテンシャルの井戸δに蓄積された電荷は転送され時系
列データとして外部に読み出される。
て、転送電極１５に所定の電圧を印加することにより、
ポテンシャルの井戸δに蓄積された電荷は転送され時系
列データとして外部に読み出される。
一方読み出し電荷量制御素子１においては、蓄積ゲート
１２に対する印加電圧を凡そ１ 〔■〕として、該蓄積
ゲート１２直下部のポテンシャルを上昇させるとともに
、リセットトランジスタ３のゲート１６に凡そ３〔Ｖ〕
の電圧を印加して該ゲート１６直下部のポテンシャル２
６を下げることにより、上記ポテンシャルの井戸２ｏ内
部に残留していた電荷を、ｎ型領域７及びリセットトラ
ンジスタ３のｎ型領域９，９゛を経由して外部の電源に
流出させる（矢印り、Ｅ）。これによりポテンシャルの
井戸２０内の不要電荷は排出される。このようにポテン
シャルの井戸２ｏを空にした後、上述の操作を順次繰り
返す。
１２に対する印加電圧を凡そ１ 〔■〕として、該蓄積
ゲート１２直下部のポテンシャルを上昇させるとともに
、リセットトランジスタ３のゲート１６に凡そ３〔Ｖ〕
の電圧を印加して該ゲート１６直下部のポテンシャル２
６を下げることにより、上記ポテンシャルの井戸２ｏ内
部に残留していた電荷を、ｎ型領域７及びリセットトラ
ンジスタ３のｎ型領域９，９゛を経由して外部の電源に
流出させる（矢印り、Ｅ）。これによりポテンシャルの
井戸２０内の不要電荷は排出される。このようにポテン
シャルの井戸２ｏを空にした後、上述の操作を順次繰り
返す。
上記説明中、電荷蓄積段階でポテンシャルの井戸２０に
蓄積される電荷量は、検知しようとする対象試料の温度
に対応する。即ち前記従来例の説明の中に掲げた例では
、凡そ３００ （’Ｋ ）に対応する電荷量が蓄積され
る。この電荷量は図ではポテンシャルの井戸２０中の電
荷はハツチ部２１の高さで表される。
蓄積される電荷量は、検知しようとする対象試料の温度
に対応する。即ち前記従来例の説明の中に掲げた例では
、凡そ３００ （’Ｋ ）に対応する電荷量が蓄積され
る。この電荷量は図ではポテンシャルの井戸２０中の電
荷はハツチ部２１の高さで表される。
本実施例においては次の信号読み出し段階において、移
送ゲート１３に印加する電圧を選択して障壁２３の高さ
を制御することにより、上記ポテンシャルの井戸２０に
蓄積された電荷量のうちから、ＣＣＤ２に移送する電荷
量を制御することが出来る。
送ゲート１３に印加する電圧を選択して障壁２３の高さ
を制御することにより、上記ポテンシャルの井戸２０に
蓄積された電荷量のうちから、ＣＣＤ２に移送する電荷
量を制御することが出来る。
例えば上記障壁２３の高さが２８０ （’Ｋ ）である
とすれば、ＣＣＤ２に移送される電荷量は、約２０ （
’Ｋ〕の信号に相当する量のみとなり、上記２８０ （
’Ｋ〕の信号に相当する不要電荷は外部に排出されるこ
ととなる。
とすれば、ＣＣＤ２に移送される電荷量は、約２０ （
’Ｋ〕の信号に相当する量のみとなり、上記２８０ （
’Ｋ〕の信号に相当する不要電荷は外部に排出されるこ
ととなる。
以上の如く本実施例を用いれば、赤外センサの検知出力
のうちから、望ましくない直流成分を除去し、所望の信
号部分のみを読み出すことが可能となる。
のうちから、望ましくない直流成分を除去し、所望の信
号部分のみを読み出すことが可能となる。
第３図は上記一実施例の信号読み出し部の構成例を示す
要部平面図であって、前記第１図と同一部分は同一符号
を付して示しである。
要部平面図であって、前記第１図と同一部分は同一符号
を付して示しである。
本実施例の信号読み出し部は前述した如く、読み出し電
荷量制御素子１．ＣＣＤ’２．及びリセットトランジス
タ３とからなる。読み出し電荷量制御素子１は同図では
１個のみ示したが、実際には０行ｍ列のマトリックス状
に配列され、Ｃ０Ｄ２及びリセットトランジスタ３は、
いずれも上記マトリックスの１行に対して１個設けられ
ている。
荷量制御素子１．ＣＣＤ’２．及びリセットトランジス
タ３とからなる。読み出し電荷量制御素子１は同図では
１個のみ示したが、実際には０行ｍ列のマトリックス状
に配列され、Ｃ０Ｄ２及びリセットトランジスタ３は、
いずれも上記マトリックスの１行に対して１個設けられ
ている。
上記読み出し電荷量制御素子１の入力ゲート１１゜蓄積
ゲート１２．移送ゲート１３は、上記７トリノクスの各
列に対してそれぞれ１本ずつ配設されている。
ゲート１２．移送ゲート１３は、上記７トリノクスの各
列に対してそれぞれ１本ずつ配設されている。
３１．３２は逆導電型領域６．７上を被覆する絶縁膜に
開口された電極窓、また３３．３４はそれぞれＣＣＤ２
の逆導電型領域８及びリセットトランジスタ３の逆導電
型領域９上の電極窓である。３５は上記リセットトラン
ジスタ３の電極窓３５から導出され、対応する行の総て
の読み出し電荷量制御素子１の電極窓３２．及びＣＣＤ
２の電極窓３３を連結する配線で、アルミニウム（Ｎｌ
）のような金属薄層を用いて形成される。
開口された電極窓、また３３．３４はそれぞれＣＣＤ２
の逆導電型領域８及びリセットトランジスタ３の逆導電
型領域９上の電極窓である。３５は上記リセットトラン
ジスタ３の電極窓３５から導出され、対応する行の総て
の読み出し電荷量制御素子１の電極窓３２．及びＣＣＤ
２の電極窓３３を連結する配線で、アルミニウム（Ｎｌ
）のような金属薄層を用いて形成される。
なお上記一実施例はＳｉ基板５をｐ型、逆導電型領域を
ｎ型とした例を示したが、これを総て反対としても良い
。
ｎ型とした例を示したが、これを総て反対としても良い
。
（ｆｌ 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、二次元赤外センナの読
み出しに当たって、背景光などによる直流成分を抑制し
て、所望の信号成分のみを取り出すことが出来る。
み出しに当たって、背景光などによる直流成分を抑制し
て、所望の信号成分のみを取り出すことが出来る。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す図で、第１図
は上記一実施例の構造を模式的に示す要部断面図、第２
図はその動作を説明するためのポテンシャル図、第３図
はその平面配置を示す要部平面図である。 図において、１は読み出し電荷量制御素子、２はＣＣＤ
、３はリセットトランジスタ、４は光電変換素子、５は
一導電型の半導体基板、６，７゜８．９．９′は逆導電
型領域、１０は絶縁膜、１１゜１２、１３はそれぞれ上
記読み出し電荷量制御素子１の多結晶シリコン等よりな
る入力ゲート、蓄積ゲート、及び移送ゲート、１４．１
５はそれぞれＣ０Ｄ２の多結晶シリコン等よりなる移送
ゲート及び転送電極、１６はリセットトランジスタ３の
ゲート電極、２０及び怒はポテンシャルの井戸、２１は
蓄積された電荷、２２．２３．２４．２６は電位の障壁
、Ａ−Ｅは電荷の流れる方向を示す矢印である。
は上記一実施例の構造を模式的に示す要部断面図、第２
図はその動作を説明するためのポテンシャル図、第３図
はその平面配置を示す要部平面図である。 図において、１は読み出し電荷量制御素子、２はＣＣＤ
、３はリセットトランジスタ、４は光電変換素子、５は
一導電型の半導体基板、６，７゜８．９．９′は逆導電
型領域、１０は絶縁膜、１１゜１２、１３はそれぞれ上
記読み出し電荷量制御素子１の多結晶シリコン等よりな
る入力ゲート、蓄積ゲート、及び移送ゲート、１４．１
５はそれぞれＣ０Ｄ２の多結晶シリコン等よりなる移送
ゲート及び転送電極、１６はリセットトランジスタ３の
ゲート電極、２０及び怒はポテンシャルの井戸、２１は
蓄積された電荷、２２．２３．２４．２６は電位の障壁
、Ａ−Ｅは電荷の流れる方向を示す矢印である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数個の光電変換素子が二次元配列された赤外センサ部
と、前記光電変換素子からの検知出力のうち所望の信号
部分の選択出力手段及び該所望の信号部分を除く不要電
荷の排出手段とを有する構成において、前記所望の信号
部分の選択出力手段及び不要電荷の排出手段が、−導電
型半導体基板表面に互いに離隔して形成された入力側及
び出力側逆導電型領域と、該入力側及び出力側逆導電型
領域に挾まれた領域上に入力ゲート蓄積ゲート。 及び移送ゲートとを有する読み出し電荷制御素子からな
り、且つ前記入力側逆導電型領域が前記光電変換素子の
出力端のそれぞれに接続され、前記人力ゲート、蓄積ゲ
ート、及び移送ゲートの電位をそれぞれ選択制御するこ
とにより、前記出力側逆導電型領域から、前記光電変換
素子の検知出力のうち、所望の信号部分の選択出力及び
不要電荷の排出が可能とされたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089820A JPS59214258A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089820A JPS59214258A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214258A true JPS59214258A (ja) | 1984-12-04 |
| JPH0519828B2 JPH0519828B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=13981384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089820A Granted JPS59214258A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214258A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217278U (ja) * | 1985-07-16 | 1987-02-02 | ||
| JPH0273667A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0385071A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114479A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-09 | Fujitsu Ltd | Solid-state image pickup device |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58089820A patent/JPS59214258A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114479A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-09 | Fujitsu Ltd | Solid-state image pickup device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6217278U (ja) * | 1985-07-16 | 1987-02-02 | ||
| JPH0448057Y2 (ja) * | 1985-07-16 | 1992-11-12 | ||
| JPH0273667A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPH0385071A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Nec Corp | 電荷転送撮像装置の駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519828B2 (ja) | 1993-03-17 |
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