JPH08512434A - 分光検出用電荷結合素子配列 - Google Patents
分光検出用電荷結合素子配列Info
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Abstract
(57)【要約】
CCDは、検知配列と、この検知配列の端部に隣接して延びる読み出しレジスタとを具えている。この読み出しレジスタは、移動セルの第1及び第2行を有する。移動セルの第1行は、検知配列及び第2行の間にある。第1行の移動セルは、第2行の移動セルよりも容量が小さく、電位障壁により第2行の移動セルから分離している。
Description
【発明の詳細な説明】
分光検出用電荷結合素子配列
発明の背景
本発明は、分光検出用の電荷結合素子に関する。
本願に開示された要旨のいくつかは、アメリカ合衆国特許出願第08/189
579号にも開示されており、この開示内容を参考として本願に添付する。
発光分光において、試験体を白熱まで加熱し、この試験体が発した光を平行に
し(コリメートし)、波長に応じて分散させ、画面(像平面)に焦点を結ばせる
。画面における光の輝度は、波長軸に沿って変化する。図1は、この波長軸に沿
った位置を有する画面における輝度の変化を示す。吸収分光学において、光のビ
ームは、吸収性試験体に入射し、伝搬された光は、波長に応じて分散し、画面内
に焦点を結ぶ。各場合において、波長の関数としての光輝度の分布は、試験体の
組成に応じて決まる。
電荷結合素子(CCD)を用いて、発光又は吸収分光における波長の関数とし
て光輝度の分布を測定することが知られている。図2は、CCD10の既知の形
式を概略的に示している。図2に示すCCDは、従来の集積回路製造技術を用い
て種々の不純物が注入されたモノクリスタル(単結晶の)シリコンで構成されて
いる。不純物の形式及び濃度のパターンにより、矩形の検知領域14が決まり、
この検知領域14は、この領域の長手方向と直角に伸びる複数の列(コラム)で
構成される。便宜上、以下の説明において、波長は水平軸に沿って変化し、列は
図2に示す如く垂直である。
3相フレーム電極構体16(図3)は、検知領域の列を横切る。このフレーム
電極構体を3相クロック・ドライバ(図示せず)に接続する。この3相クロック
・ドライバは、選択した電圧レベルを電極に供給するので、鎖線19で示すよう
に、電位特性図(プロフィール)を確立するが、各列は、複数のピクセル18に
分割されている。図2に示す検知領域14はわずか100ピクセルで構成されて
いるが、分光検出用の実際のCCDは、100,000以上のピクセルを具えて
いる
かもしれない。また、図2に示すように、ピクセルは矩形であるが、これは必要
ではない。
分光計が与えるスペクトラムの波長軸と平行に矩形検知領域の長手方向が配列
されるように、CCDを分光計の画面内に配置する。したがって、ピクセルの各
列が波長範囲内における間隔(インターバル)に関連する。検知領域の特定のピ
クセルに光子が入射した結果、このピクセルに入射した光の輝度に応じた比率で
、半導体ダイ内に光電子が発生し、ホール(正孔)と再結合しない光電子が、ピ
クセルに境を接した電位障壁により、そのピクセル内に保持される。よって、露
光インターバル期間内にピクセルの所定列内に累積された電荷パケットの大きさ
は、その列に関連した波長範囲内の光の輝度を表し、波長軸に沿った電荷パケッ
トの大きさの分布は、サンプルが与えた光ビームの波長の関数に応じた光の輝度
の分布を表す。
矩形検知領域の1つの水平縁(エッジ)に沿って、読み出しレジスタ22が存
在し、それは、ダイに注入された不純物形式及び濃度のパターンにより決まる。
図2に示す如く、読み出しレジスタは、波長軸と平行に延びる。図3を参照すれ
ば、電位障壁28により検知領域14から離れたその縁に沿って、読み出しレジ
スタが境を接している。読み出しレジスタは、CCDの検知領域内におけるピク
セルの各列に対し、1個の電荷移動セル26を具えている。また、読み出しレジ
スタは、1端部に、いわゆるフローティング拡散部30も有する。このフローテ
ィング拡散部は、読み出し増幅器34に結合する。
クロック・ドライバは、フレーム電極構体に供給すべき電圧を順次付勢(イネ
ーブル)して、露光期間中にピクセルの各列内に累積された電荷パケットが、読
み出しレジスタ22の対応移動セル26に移動できるようにする。さらに、読み
出し電極構体38は、読み出しレジスタの移動セルに重なる。また、読み出し電
極構体の電極を所定順序でクロックすることにより、読み出しレジスタ内の電荷
パケットがフローティング拡散部に移動する。
最終ゲート又は移動ゲート電極40で制御されるいわゆる最終セルは、検知領
域内のピクセルの各列と、読み出しレジスタの関連した移動セル26との間にあ
る。しかし、これは、従来例であり、本発明ではない。したがって、これ以上は
説明しない。電荷パケットは、読み出しレジスタからフローティング拡散部30
にシフトされるので、増幅器34の入力端子の電位は、電荷パケットの大きさに
応じて変化する。この場合、電荷パケットの大きさにおける波長軸に沿った変動
が、時間により変化する電圧信号に変換される。
増幅器34の出力信号を処理回路(図示せず)に供給して、この信号から情報
を抽出する。一般に、読み出し増幅器34をCCD10と同じダイ上に製作する
が、処理回路はそうではない。
図4に示すように、読み出しレジスタは、波長軸に直角方向に拡張でき、ピク
セルの各列を順次読み出しレジスタ内にクロックして、読み出しレジスタの端部
におけるフローティング拡散部内に累積する。これは、読み出し期間中に、配列
が照明されるのを防止するためにシャッターを用いなければ、欠点を被りやすい
。それは、読み出し動作期間中に累積された電荷が、この読み出し期間中の前に
累積された電荷に、波長を基本にして加算されないからである。
CCDを形成するように処理された典型的なシリコン・ダイの厚さは、約0.
1mmであり、検知領域は、CCDを形成するのにダイを処理した表面の下で、
約5〜10μmの深さまで延びる。フレーム電極構体は、この表面上に広がり、
これは、ダイの正面サイドとして一般に知られている。
ダイの正面サイドを経由して、光学信号が検知領域に入射すると、フレーム電
極構体により、この光学信号が部分的に阻止される。非常にぼんやりした光学信
号を表すようにするCCDのアプリケーション、例えば、天文学のアプリケーシ
ョンにおいて、ダイを背面サイドから約10μmの厚さまで薄くし、ダイの背面
サイドからCCDを照明して、この問題を避けることが知られている。
光学信号の最小ノイズ・レベルは、この光学信号内の光子の平均数の平方根で
ある。同様に、CCDを用いて、光学信号を電気信号に変換した際、ノイズ・レ
ベルは、少なくとも、その信号内の光電子の平均数の平方根である。よって、1
000分の1の精度で、CCDの電気出力信号を測定するには、この信号が少な
くとも100万個の光電子で構成されている必要がある。これは、100万個の
電子信号の最小ノイズが、1000電子、即ち、信号の1000分の1であるた
めである。
CCDの出力信号内の他のノイズ源は、読み出し処理自体において発生するノ
イズである。読み出し処理にて発生するノイズのレベルは、主に読み出し増幅器
により決まる。小さな電荷パケットに適用するように設計された読み出し増幅器
によるノイズは、大きな電荷パケットに適用するように設計された読み出し増幅
器よりも少ない。もちろん、読み出し増幅器の大きさは、使用において予想され
る電荷パケットの大きさにより決まる。読み出しレジスタの移動セルの電荷容量
は、予想される電荷パケットのサイズを表す。
現在の技術状況において、読み出しレジスタの電荷容量が表す如く、読み出し
レジスタに供給する電荷パケットの大きさと、読み出し増幅器の読み出しノイズ
との間で妥協しているので、出力信号のダイナミック・レンジが約200,00
0:1を超えることができない。
分光検出に現在利用しているCCDにおいて、読み出しレジスタの電荷容量は
、検知領域の電荷容量よりも大幅には大きくない。これは、読み出しレジスタが
供給する信号内の電子の数を制限するので、読み出し前に、多数回の露光を行い
、移動セル内に電荷パケットを累積するのでは、信号対ノイズ比を増加できない
。
一般的には集積回路を、特にCCDを製造する際に生じる問題は、歩留まりの
問題である。多くの素子が、公称的に同一の条件で、公称的に同一の設計で製作
された場合、製作した素子の大部分が規格に合わないであろう。一般的に、複雑
になる程、許容誤差が通常減るので、不良素子の数は、設計の複雑さに応じて決
まる。
特開昭59−33864号公報は、多くの読み出しレジスタが、検知配列に隣
接して互いに平行に延びている行間(インターライン)移動CCDを開示してい
る。
発明の概要
本発明によれば、CCDは、検知配列と、この検知配列の縁に隣接して延びた
読み出しレジスタ手段とを具えている。この読み出しレジスタは、少なくとも1
個の電荷累積セルを有し、この電荷累積セルは、CCDのソース・セルからシフ
トされた電荷を受け、累積する。電荷累積セルは、第1サブセルと、この第1サ
ブセルよりも容量の大きい第2サブセルとを有する。第1サブセルは、ソース・
セルと第2サブセルとの間にあり、電位障壁により第2サブセルから分離してい
る。
図面の簡単な説明
本発明を一層良く理解し、本発明がどのように作用するかを示すために、例と
して、以下の添付図を参照する。
図1は、発光分光計の画面内の波長軸に沿った位置の関数としての光輝度を表
すグラフである。
図2は、分光検出用のCCDの正面の概略平面図である。
図3は、図2に示すCCDの部分的断面図であり、ピクセルの1つの列のセグ
メントにおける電位の変動、及び読み出しレジスタの関連した移動セルを表す。
図4は、分光検出用の第2CCDの平面図である。
図5は、本発明を用いた第1CCDの概略平面図である。
図6は、図5に示すCCDの部分的な断面図であり、ピクセルの1列のセグメ
ントにおける電位の変動と、読み出しレジスタの関連した移動セルとを示す。
図7A〜図7Dは、図5に示したCCDの読み出しレジスタの種々の信号レベ
ルにおける動作を示すグラフである。
図8は、図5に示すCCDの動作の特徴を示すグラフである。
図9は、図5に示すCCDの動作の他の特徴を示すグラフである。
図10は、本発明を用いた第2CCDの部分的平面図である。
図11は、本発明を用いた第3CCDの部分的平面図である。
図12は、本発明を用いた第4CCDの部分的平面図である。
詳細な説明
図5は、検知領域104を有するCCD100を示す。この検知領域は、光子
検知ピクセル108の矩形配列と、検知領域の長手方向の縁の1つに沿った読み
出しレジスタ112とを具えている。このCCDは、背面サイドから照明される
薄いCCDであることが好ましい。読み出しレジスタは、移動セル116の行(
ロ
ウ)を具えており、各行は、2個の井戸、即ち、電位障壁128(図6も参照の
こと)により分離されたサブセル120及び124を有している。この電位障壁
128は、ダイに注入された不純物の形式及び濃度のパターンにより決まる。よ
って、読み出しレジスタは、井戸120の行132と、井戸124の行136と
を具えている。読み出しレジスタは、その縁に沿って境を接しており、この縁は
、電位障壁134により検知領域104から離れている。この電位障壁は、井戸
120及び124の間の電位障壁128よりも実質的に高い。この状態は、2個
の井戸120、124を示すことにより、図6に概略的に示す。なお、これらの
井戸は、電位深さが実質的に等しく、井戸120は、井戸124よりも実質的に
狭い。しかし、井戸の容量を確立する変数間の関係を用いて、夫々の井戸の容量
間の関係を所望のものとする。
セル116の電荷容量は、ピクセル108の関連した列の総合電荷容量の少な
くとも2倍であり、好ましくは、ピクセル108の列の容量の少なくとも6倍で
ある。よって、読み出しレジスタの全体の容量は、検知領域のピクセルの容量の
少なくとも2倍であり、好ましくは、少なくとも6倍である。これにより、読み
出しレジスタは、以前の従来例のものよりも実質的に多くの電荷信号を扱えるの
で、信号対ノイズ比が増加する。
3相のフレーム電極構体140は、検知領域の正面サイドに重なり、3相電極
ドライバ138(図6)に接続される。フレーム電極構体に適切な電位を与える
ために、電極ドライバ138を用いることにより、ピクセル電荷が読み出しレジ
スタの関連した井戸120に累進的にシフトされる。検知領域の対応列から井戸
120にシフトされた電荷パケットが充分に大きければ、この電荷パケットが井
戸120を一杯にし、余分な電荷がその井戸から井戸124に溢れる。この方法
において、大きな電荷パケットが、井戸120及び124内で2つのサブ電荷パ
ケットに夫々分割されるだろう。
図5を参照する。フローティング拡散部144及び148が、行132及び1
36の出力端部に夫々設けられる。読み出し電極150の構体は、読み出しレジ
スタに重なり、読み出し電極ドライバ151により駆動されて、波長軸に平行に
読み出しレジスタの出力端部の方に電荷パケットをシフトする。この出力端部で
は、電荷パケットがフローティング拡散部144及び148に入る。2個の読み
出し増幅器152及び156は、フローティング拡散部144及び148内の夫
々の電荷のレベルを表す電圧信号を発生する。
井戸120は非常に小さいので、読み出しレジスタの列132は、比較的に高
感度である。ここで、(第1井戸が第2行の関連した井戸に溢れる前に)第1行
の井戸にシフトした付加的な電子の各々は、増幅器152が検知する電荷に影響
する。
2重検知読み出しレジスタの動作には、4つの明瞭な範囲がある。低信号レベ
ル(図7A及び図8の範囲A)において、検知領域の関連列のピクセル電荷を移
動セルにシフトすることにより、移動セル116に累積された電荷パケットは、
井戸120内に完全に収容される。セル116に入った付加的な電子の各々は、
井戸120内に残る。また、電荷パケットがフローティング拡散部144に達す
ると、付加的な電子の存在が、読み出し増幅器152の入力における電圧に影響
する。よって、図8の点線を参照すると、範囲Aにわたって、増幅器152の入
力端にて検出された電圧をパケットの大きさに関連させる曲線の傾きは、かなり
大きい。幾分高い信号レベル(図7B及び図8の範囲B)において、電荷パケッ
トは、井戸120を充分に満たし、セル116に移動された余分な電荷は、井戸
124に溢れる。増幅器152の入力端における電圧は、一定値を維持し、井戸
116に入る付加的な電子の各々は、井戸124内の電位レベルのみに影響する
。フローティング拡散部148は、フローティング拡散部144よりも大きいの
で、増幅器156入力端における電圧を範囲B内のパケットの大きさ(図8の鎖
線)に関連させる曲線の傾きは、範囲Aの点線の傾きよりも小さい。井戸124
が障壁128のレベルにまで一杯になると、付加的な電荷がセル116に入るの
で、各井戸の電位が同じ量だけ増加する(図7C及び図8の範囲C)。範囲Cに
わたって、パケットの大きさ対電圧の曲線の傾き(2点鎖線)は、領域Bの鎖線
の傾きよりも小さい。最後に、セル116が一杯になると(図7D及び図8の範
囲D)、付加的な電荷の導入は、何れの井戸における電位にも影響しない。
増幅器152及び156の特性を選択して、行132の感度が低レベル信号に
対して最大となり、行136の感度が中間レベル信号に対して最大になるという
利点を得る。よって、行132内の電荷を検出する増幅器152を、高利得及び
低ノイズとなるようにして、実質的なノイズを導くことなく、小さな電荷信号を
増幅するように設計する。行136に関係した増幅器156は低利得なので、歪
むことなく大きな電荷信号を検出できる。増幅器156は大きな信号電荷を受け
るので、そのノイズ・レベルは、増幅器152よりも必然的に大きい。
図9は、図8に示す異なる信号範囲用の増幅器の出力信号レベルにおける増幅
器152及び156に対する利得係数の選択の影響を示す。範囲A及びBにわた
る図9内の点線及び鎖線の相対形状は、これら範囲にわたる図8内の2つの曲線
の相対形状とほぼ同じである。しかし、範囲C及びDにわたって、これら2個の
増幅器の利得の差により、図8の相対形状から異なり始める。
図5に示す如く、分割読み出しレジスタと共に、この読み出しレジスタの2個
の部分の容量に一致した読み出し増幅器を用いることにより、図5に示すCCD
は、増幅器感度及び電荷パケットの大きさの間の妥協から開放される。よって、
図5に示すCCDは、200,000:1よりもかなり大きく、1,000,0
00:1程度の大きさまでのダイナミック・レンジで、信号を発生できる。
図10は、各端部にフローティング拡散部144A,148A及び144B、
148Bを有する読み出しレジスタ112’を除いて、図5に示すCCD100
に類似したCCD100’を示す。また、3相読み出し電極構体150’に接続
された読み出し電極ドライバ151’は、読み出し電極構体を選択的にクロック
して、図10に示す如く、読み出しレジスタの左端部における出力拡散部144
A及び148A、又は読み出しレジスタの右端部におけるフローティング拡散部
144B及び148Bのいずれかの方に電荷パケットをシフトする。
図5と同様に、2個のフローティング拡散部144A及び148Aを読み出し
増幅器152A及び156Bに夫々接続し、増幅器152Aの利得を増幅器15
6Bの利得よりも高くする。残りの2個のフローティング拡散部144B及び1
48Bを共通読み出し増幅器158に接続して、その利得を増幅器152A及び
156Bの利得の中間にする。これにより以下のことを確実にする。すなわち、
CCDの製造に欠陥が生じて、読み出しレジスタを形成する井戸の2つの行の感
度の差による利点を利用できなくなった場合や、読み出し増幅器152A又は1
56Bに欠陥が現れた場合、それにもかかわらず、増幅器158を用いる機能的
素子を確実に利用可能とする。代わりに、素子内の欠陥の原因が、読み出しレジ
スタの製造におけるものではなく、読み出しレジスタ内であると判断した場合、
フローティング拡散部144B及び148Bに夫々接続された2重読み出し増幅
器を用いることが可能である。よって、機能的な2重感度読み出しレジスタを有
するCCDを実現化する可能性が高くなる。
図11は、読み出しレジスタ112’から検知領域の反対縁にて第2読み出し
レジスタ212を具える点を除いて、図10に示したCCDに類似したCCD2
00を示す。この場合、フレーム電極ドライバ(図示せず)は、選択的に動作し
て、読み出しレジスタ112’又は読み出しレジスタ212のいずれかの方に電
荷パケットをシフトする。有用な素子の生産を最大にするために、読み出しレジ
スタ212が、各端部にフローティング拡散部を有する移動セルの単一行を具え
るのが好ましく、各フローティング拡散部は、従来形式の検出回路に信号を供給
する。例えば、製造の困難さのために、分割読み出しレジスタ112’が機能し
ない場合、単一行の読み出しレジスタ212を代わりに用いることができる。し
かし、条件に応じて、読み出しレジスタ212が井戸の2行を有し、2対のフロ
ーティング拡散部と共に設けるように設計できる。この場合、各端部に1対のフ
ローティング拡散部があり、フローティング拡散部の各対は、2重増幅器(増幅
器152A及び156Bに類似している)か、又は共通増幅器(増幅器158に
類似している)の一方に信号を供給する。後者の構成では、読み出しレジスタが
適切に機能する限り、2重感度読み出しレジスタを利用可能であるという利点が
ある。
図12は、2重感度読み出しレジスタの概念を2重ビーム分光計に適用できる
CCD220を示す。図12に示す如く、CCD220の検知領域には、夫々線
226の上と下である2つの部分222及び224がある。部分222は、基準
ビームを受け、部分224は、サンプル・ビームを受ける。フレーム電極構体(
図示せず)を駆動して、上側検知部分222内のピクセル電荷を読み出しレジス
タ228にクロックすると共に、検知部分224内のピクセル電荷を読み出しレ
ジスタ230にクロックする。読み出し電極構体(図示せず)を駆動して、電荷
パ
ケットを、フローティング拡散部234A、236A、又はフローティング拡散
部234B、236Bのいずれかにシフトする。
本発明は、上述し図示した特定の実施例に限定されるものではなく、添付した
請求項及びその均等物により定義される本発明の範囲から逸脱することなく、変
更が可能である。例えば、読み出しレジスタは、分光計の波長軸に平行に延びる
必要がなく、代わりに、図4に示す配置に類似するように、波長軸と直角に延び
てもよい。さらに、本発明は、わずか2行のサブセルを具えた読み出しレジスタ
に限定されず、読み出しレジスタが電位障壁により互いに分離した3行以上のサ
ブセルを有するCCDにも適用できる。この拡張において、検出回路は、フロー
ティング拡散部に夫々結合された複数の読み出し増幅器、及び/又は複数のフロ
ーティング拡散部に接続された少なくとも1個の読み出し増幅器を具えてもよい
。3相電極構体及び3相電極ドライバの状況において、本発明を実現することを
説明したが、本発明は、3相技術に限定されるものではない。別の展開において
、読み出しレジスタが1個以上のフローティング拡散部を各端部に有する場合、
読み出し電極構体をクロックして、レジスタの一端に近い電荷パケットを、レジ
スタのこの端部のフローティング拡散部にシフトしたり、レジスタの反対端部に
近い電荷パケットを、その端部のフローティング拡散部にシフトしたりしてもよ
い。さらに、図8において、範囲Bの鎖線の傾きが範囲Aの点線の傾きよりも小
さいことは、本発明の総ての実現において本質的なことではない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ウェスト・ジョン・エス
アメリカ合衆国 ペンシルベニア州
19067 ヤードリー,グレン オーク
1076
(72)発明者 シンプソン・レイモンド・ダブリュー
アメリカ合衆国 ニュージャージー州
08690 ハミルトン スクウェア,ウェス
リアン ドライブ 62
(72)発明者 コー・サミュエル・シー
アメリカ合衆国 ニュージャージー州
08648 ローレンスビル,バリー フォー
ジ アヴェニュー 746
(72)発明者 タルミ・ヤイル
アメリカ合衆国 ニュージャージー州
08540 プリンストン,エルム リッジ
ロード 30
(72)発明者 ナードルニー・レイモンド・エイ
アメリカ合衆国 ニュージャージー州
08619 トレントン,グレイソン アヴェ
ニュー 135
(72)発明者 ブラウク・モーリ・エム
アメリカ合衆国 オレゴン州 97229 ポ
ートランド,ローン ロック ドライブ
17974
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.検知配列と、 該検知配列の縁に隣接して延びる読み出しレジスタ手段とを具え、 該読み出しレジスタ手段は、少なくとも1個の電荷累積セルを有し、該電荷累 積セルは、CCDのソース・セルから上記累積セルにシフトされた電荷を受けて 累積し、 上記電荷累積セルは、第1サブセルと、該第1サブセルよりも容量の大きい第 2サブセルとを有し、 上記第1サブセルは、上記ソース・セル及び上記第2サブセルの間にあり、電 位障壁により上記第2サブセルから上記第1サブセルが分離していることを特徴 とするCCD。 2.上記第1サブセル内に累積された電荷を検出する第1増幅器と、上記第2 サブセル内に累積された電荷を検出する第2増幅器とを具えた請求項1のCCD 。 3.上記読み出しレジスタ手段は、移動セルの第1行及び第2行を有し、 上記第1行は、上記検知配列及び上記第2行の間にあり、 上記第1行の上記移動セルは、上記第2行の上記移動セルよりも容量が小さく 、電位障壁により上記第2行の上記移動セルから分離しており、 上記第1サブセルは、上記第1行のセルであり、 上記第2サブセルは、上記第2行のセルであることを特徴とする請求項1のC CD。 4.上記第1及び第2行の電荷容量は、上記検知配列の電荷容量の2倍よりも 大きいことを特徴とする請求項3のCCD。 5.上記第1及び第2行の電荷容量は、上記検知配列の電荷容量の少なくとも 6倍であることを特徴とする請求項4のCCD。 6.上記移動セルの第1行が累積した電荷を検出するように接続された第1増 幅器と、 上記移動セルの第2行が累積した電荷を検出するように接続された第2増幅器 とを具えた請求項3のCCD。 7.上記第1増幅器は、上記第2増幅器よりも感度が高いことを特徴とする請 求項6のCCD。 8.上記読み出しレジスタ手段は、第1及び第2反対端部を有し、 上記CCDは、上記読み出しレジスタ手段内の電荷を上記読み出しレジスタ手 段の上記第1端部又は上記読み出しレジスタ手段の第2端部のいずれかに選択的 に移動させるように動作する読み出し電極手段と、 上記読み出しレジスタ手段の第1端部に移動された電荷を検出する第1増幅器 手段と、 上記読み出しレジスタ手段の第2端部に移動された電荷を検出する第2増幅器 手段とを具えることを特徴とする請求項3のCCD。 9.上記第1増幅器手段は、上記移動セルの第1行内に移動された電荷を検出 する第1増幅器と、上記移動セルの第2行に移動された電荷を検出する第2増幅 器とを有することを特徴とする請求項8のCCD。 10.上記第2増幅器手段は、上記移動セルの第1及び第2行に移動された電 荷を検出する加算増幅器を有することを特徴とする請求項8のCCD。 11.上記第1増幅器の感度は、上記第2増幅器よりも高く、 上記加算増幅器の感度は、上記第1増幅器の感度及び上記第2増幅器の感度の 中間であることを特徴とする請求項10のCCD。 13.上記検知配列は第1及び第2検知領域を有すると共に、上記第1及び第 2検知領域に境界が接する第1及び第2縁を有し、 上記読み出しレジスタ手段は上記検知配列の上記第1縁に隣接して延び、 上記CCDは、上記検知配列の上記第2縁に隣接した第2読み出しレジスタ手 段と、上記検知配列からの電荷を最初に記載した上記読み出しレジスタ手段又は 上記第2読み出しレジスタ手段のいずれか一方に選択的にシフトするように動作 する電極手段とを更に具えたことを特徴とする請求項3のCCD。 14.上記電極手段は、上記検知配列の上記第1領域から最初に記載した上記 読み出しレジスタ手段に電荷をシフトする第1電極手段と、 上記検知配列の第2領域から上記第2読み出しレジスタ手段に電荷をシフトす る第2電極手段とを具えることを特徴とする請求項13のCCD。 15.最初に記載した上記読み出しレジスタ手段は、第1及び第2反対端部を 有し、 上記CCDは、最初に記載した上記読み出しレジスタ手段内の電荷を最初に記 載した上記読み出しレジスタ手段の上記第1端部又は最初に記載した上記読み出 しレジスタ手段の第2端部のいずれかに選択的に移動させるように動作する読み 出し電極手段と、 最初に記載した上記読み出しレジスタ手段の第1端部に移動された電荷を検出 する第1増幅器手段と、 最初に記載した上記読み出しレジスタ手段の第2端部に移動された電荷を検出 する第2増幅器手段とを具えたことを特徴とする請求項13のCCD。 16.上記第1増幅器手段は、上記第1行により上記第1読み出しレジスタ手 段の上記第1端部に移動された電荷を検出するように接続された第1増幅器と、 上記第2行により上記第1読み出しレジスタ手段の上記第1端部に移動された 電荷を検出するように接続された第2増幅器とを具えることを特徴とする請求項 15のCCD。 17.上記第2読み出しレジスタ手段は、第1及び第2反対端部を有し、 上記CCDは、上記第2読み出しレジスタ手段内の電荷を上記第2読み出しレ ジスタ手段の上記第1端部又は上記第2読み出しレジスタ手段の第2端部のいず れかに選択的に移動させるように動作する読み出し電極手段と、 上記第2読み出しレジスタ手段の第1端部に移動された電荷を検出する第1増 幅器手段と、 上記第2読み出しレジスタ手段の第2端部に移動された電荷を検出する第2増 幅器手段とを具えたことを特徴とする請求項13のCCD。 18.上記第2読み出しレジスタ手段は、移動セルの第1及び第2行を有し、 上記第1及び第2増幅器手段の各々は、上記第2読み出しレジスタ手段の第1 行により移動された電荷を検出するように接続された第1増幅器と、 上記第2読み出しレジスタ手段の第2行により移動された電荷を検出するよう に接続された第2増幅器とを具えたことを特徴とする請求項17のCCD。 19.上記検知配列は、第1及び第2縁を有し、 上記読み出しレジスタ手段は、上記検知配列の上記第1縁に隣接して延び、 上記CCDは、上記検知配列の上記第2縁に隣接して延びる第2読み出しレジ スタ手段を更に具えることを特徴とする請求項3のCCD。 20.上記第2読み出しレジスタ手段は、移動セルの第1及び第2行を有し、 上記第1行は、上記検知配列及び上記第2行の間であり、 上記第1行の上記移動セルは、上記第2行の上記移動セルよりも容量が小さく 、電位障壁により上記第2行の上記移動セルから分離されていることを特徴とす る請求項19のCCD。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5963251A (en) * | 1997-02-03 | 1999-10-05 | Trw Inc. | Frame transfer readout correction |
US5965910A (en) * | 1997-04-29 | 1999-10-12 | Ohmeda Inc. | Large cell charge coupled device for spectroscopy |
US7038723B1 (en) * | 1999-04-26 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device, method for driving the same and camera using the same |
US6972794B1 (en) * | 1999-06-15 | 2005-12-06 | Micron Technology, Inc. | Dual sensitivity image sensor |
US6410905B1 (en) * | 1999-12-17 | 2002-06-25 | Scientific Imaging Technologies, Inc. | CCD with enhanced output dynamic range |
JP2004536643A (ja) * | 2001-07-25 | 2004-12-09 | デンツプライ インターナショナル インコーポレーテッド | 実時間デジタルx線撮像装置 |
US20050248676A1 (en) * | 2004-05-08 | 2005-11-10 | Mark Christenson | High-speed frame transfer of sub-frame area |
US8749686B2 (en) | 2011-04-29 | 2014-06-10 | Truesense Imaging, Inc. | CCD image sensors and methods |
CN111326535A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-06-23 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种大满阱低噪声的图像传感器结构及其制备方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3851096A (en) * | 1972-11-03 | 1974-11-26 | Texas Instruments Inc | Surveillance system |
US4001878A (en) * | 1975-11-19 | 1977-01-04 | Rca Corporation | Charge transfer color imagers |
US4165539A (en) * | 1978-06-30 | 1979-08-21 | International Business Machines Corporation | Bidirectional serial-parallel-serial charge-coupled device |
US4237383A (en) * | 1978-09-20 | 1980-12-02 | Rca Corporation | High speed loading of output register of CCD array system |
US4398301A (en) * | 1980-09-11 | 1983-08-09 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Multiple preamplifiers with intervening overflow cell for charge coupled imaging devices |
US4490744A (en) * | 1982-06-30 | 1984-12-25 | Rca Corporation | Smear reduction technique for CCD field-transfer imager system |
JPS5933864A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-23 | Hitachi Ltd | カラ−固体撮像素子 |
JPS5984575A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
US4513313A (en) * | 1982-12-07 | 1985-04-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device |
FR2559957B1 (fr) * | 1984-02-21 | 1986-05-30 | Thomson Csf | Barrette multilineaire a transfert de charge |
FR2564674B1 (fr) * | 1984-05-18 | 1986-09-19 | Thomson Csf | Barrette multilineaire a transfert de charge et procede d'analyse |
JPS6153766A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-17 | Hitachi Ltd | インタ−ライン型電荷転送撮像素子 |
US4641963A (en) * | 1985-05-02 | 1987-02-10 | Rca Corporation | Back-illuminated CCD imager adapted for contrast transfer function measurements thereon |
JPH07120772B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1995-12-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 固体撮像素子 |
NL8601510A (nl) * | 1986-06-11 | 1988-01-04 | Philips Nv | Inrichting voor het aansturen van een laser. |
JPH0644823B2 (ja) * | 1986-08-22 | 1994-06-08 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置 |
US4807037A (en) * | 1987-03-06 | 1989-02-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers |
FR2616027B1 (fr) * | 1987-05-26 | 1994-03-25 | Thomson Csf | Photosenseur a structure de transfert de trame et son utilisation dans un capteur d'images a effet de trainage reduit |
US4987466A (en) * | 1988-06-07 | 1991-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor |
US4908518A (en) * | 1989-02-10 | 1990-03-13 | Eastman Kodak Company | Interline transfer CCD image sensing device with electrode structure for each pixel |
JP2969702B2 (ja) * | 1989-02-14 | 1999-11-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
US4949183A (en) * | 1989-11-29 | 1990-08-14 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
US5040071A (en) * | 1990-03-21 | 1991-08-13 | Eastman Kodak Company | Image sensor having multiple horizontal shift registers |
-
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