JPH0444344A - 圧力検出素子のパッケージ構造 - Google Patents
圧力検出素子のパッケージ構造Info
- Publication number
- JPH0444344A JPH0444344A JP2153146A JP15314690A JPH0444344A JP H0444344 A JPH0444344 A JP H0444344A JP 2153146 A JP2153146 A JP 2153146A JP 15314690 A JP15314690 A JP 15314690A JP H0444344 A JPH0444344 A JP H0444344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- resin
- case
- main body
- body case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 abstract 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 abstract 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子のパッケージ構造に関するもの
である。
である。
半導体素子の一例として、半導体圧力センサを考える。
半導体圧力センサをプリント板等に装着する際のパッケ
ージとして、ＤＩＰ型、ＳＩＰ型、ＳＭＤ型等が考えら
れる。通常、半導体圧力センサをプリント板等にセット
した後、フラックス塗布、はんだデイツプ、洗浄、耐湿
性向上のためシーラント等を施す。このとき、フラック
ス、洗浄液等がパッケージ内に侵入すると特性に悪影響
を及ぼすため、パッケージの気密性が要求される。
ージとして、ＤＩＰ型、ＳＩＰ型、ＳＭＤ型等が考えら
れる。通常、半導体圧力センサをプリント板等にセット
した後、フラックス塗布、はんだデイツプ、洗浄、耐湿
性向上のためシーラント等を施す。このとき、フラック
ス、洗浄液等がパッケージ内に侵入すると特性に悪影響
を及ぼすため、パッケージの気密性が要求される。
この気密構造を得るために、例えばＳＩＰ型では米国特
許明細書第４８３８０８９号にみられるようにシール部
材でセンサチップを囲み、その回りを樹脂で充填し加熱
硬化している。又、ＤＩＰ型では特開平１−１６２３５
４号公報にみられるように接着剤と弾性体を配し加熱硬
化している。
許明細書第４８３８０８９号にみられるようにシール部
材でセンサチップを囲み、その回りを樹脂で充填し加熱
硬化している。又、ＤＩＰ型では特開平１−１６２３５
４号公報にみられるように接着剤と弾性体を配し加熱硬
化している。
しかし、これらの方法では樹脂等の加熱硬化工程があり
、コストアップを招いていた。又、樹脂等の量管理が気
密構造を達成する上で難しく、気密が完全にできず質の
低下を招いていた。
、コストアップを招いていた。又、樹脂等の量管理が気
密構造を達成する上で難しく、気密が完全にできず質の
低下を招いていた。
この発明の目的は、樹脂等の量管理と加熱硬化処理を不
要にできる半導体素子のパッケージ構造を提供すること
にある。
要にできる半導体素子のパッケージ構造を提供すること
にある。
この発明は、一対のパッケージ材を当接することにより
その内部に素子収納室を形成し、当該素子収納室内に半
導体素子を配置した半導体素子のパッケージ構造におい
て、 前記両パッケージ材の当接部に気密封止用弾性体を介在
させるとともに、この気密封止用弾性体を押圧変形させ
た状態で両パッケージ材を連結する連結部材を設けた半
導体素子のパッケージ構造をその要旨とするものである
。
その内部に素子収納室を形成し、当該素子収納室内に半
導体素子を配置した半導体素子のパッケージ構造におい
て、 前記両パッケージ材の当接部に気密封止用弾性体を介在
させるとともに、この気密封止用弾性体を押圧変形させ
た状態で両パッケージ材を連結する連結部材を設けた半
導体素子のパッケージ構造をその要旨とするものである
。
両パッケージ材の当接部に気密封止用弾性体が介在され
、連結部材により気密封止用弾性体を押圧変形させた状
態で両パッケージ材が連結される。
、連結部材により気密封止用弾性体を押圧変形させた状
態で両パッケージ材が連結される。
その結果、米国特許明細書第４．８３８．０８９号や特
開平１−１６２３５４号公報のように樹脂の量を管理し
たり加熱硬化処理を必要とせずに、両パッケージ材内に
形成される素子収納室に半導体素子が気密封止される。
開平１−１６２３５４号公報のように樹脂の量を管理し
たり加熱硬化処理を必要とせずに、両パッケージ材内に
形成される素子収納室に半導体素子が気密封止される。
以下、この発明を半導体圧力センサに具体化した一実施
例を図面に従って説明する。
例を図面に従って説明する。
第２図はパッケージした半導体圧力センサの平面図、第
１図は第２図のＡ−Ａ断面図である。これらの第１図及
び第２図に示すように、パッケージ材としての本体ケー
ス１とパッケージ材としての蓋材２を組み合わせること
によりその内部に素子収納室３が形成され、この素子収
納室３に半導体圧力センサ（以下、センサチップという
）４が配置されている。
１図は第２図のＡ−Ａ断面図である。これらの第１図及
び第２図に示すように、パッケージ材としての本体ケー
ス１とパッケージ材としての蓋材２を組み合わせること
によりその内部に素子収納室３が形成され、この素子収
納室３に半導体圧力センサ（以下、センサチップという
）４が配置されている。
第３図は本体ケースｌの平面図であり、第４図は第３図
のＢ−Ｂ断面図である。本体ケース１は合成樹脂よりな
り、その上面には平面略四角形状の凹部５が形成されて
いる。凹部５の底面には、これよりも開口面積の小さな
平面略四角形状の凹部６が形成され、さらに、その凹部
６の底面には同凹部６よりも開口面積の小さな平面略四
角形状の凹部７が形成されている。又、本体ケースＩの
前部（第３図中、下部）及び後部にはそれぞれ上方に延
びる突出部８が形成されている。本体ケース１の上面に
は、第３図中、−点鎖線で示す平面部Ａｔか形成されて
いる。
のＢ−Ｂ断面図である。本体ケース１は合成樹脂よりな
り、その上面には平面略四角形状の凹部５が形成されて
いる。凹部５の底面には、これよりも開口面積の小さな
平面略四角形状の凹部６が形成され、さらに、その凹部
６の底面には同凹部６よりも開口面積の小さな平面略四
角形状の凹部７が形成されている。又、本体ケースＩの
前部（第３図中、下部）及び後部にはそれぞれ上方に延
びる突出部８が形成されている。本体ケース１の上面に
は、第３図中、−点鎖線で示す平面部Ａｔか形成されて
いる。
又、本体ケース１内にはリードフレーム９がインサート
成形により一体的に配置され、そのリードフレーム９の
内端部が凹部５の底面部に露出しているとともにリード
フレーム９の外端部が本体ケース１の前面及び後面から
突出している。又、本体ケース１の左右両側面部には連
結部材の一部を構成する段差部１ｏが形成されている。
成形により一体的に配置され、そのリードフレーム９の
内端部が凹部５の底面部に露出しているとともにリード
フレーム９の外端部が本体ケース１の前面及び後面から
突出している。又、本体ケース１の左右両側面部には連
結部材の一部を構成する段差部１ｏが形成されている。
第５図は蓋材２を下方から見た図であり、第６図は第５
図のＣ−ｃ断面図である。蓋材２は合成樹脂よりなり、
その板状部ＩＩ下面の左右両側部には前記段差部１ｏと
ともに連結部材を構成する係合爪１２が下方に延設され
ている。各係合爪１２は、その下端部にそれぞれ内方へ
向けて突出する係合突起Ｉ３を有している。尚、右側部
の係合爪１２は２つに分割されている。又、第６図の左
右方向における係合爪１２の係合突起工３の間隔Ｗ２は
第４図における本体ケースｌの幅ｗ１より小さくなって
いる。
図のＣ−ｃ断面図である。蓋材２は合成樹脂よりなり、
その板状部ＩＩ下面の左右両側部には前記段差部１ｏと
ともに連結部材を構成する係合爪１２が下方に延設され
ている。各係合爪１２は、その下端部にそれぞれ内方へ
向けて突出する係合突起Ｉ３を有している。尚、右側部
の係合爪１２は２つに分割されている。又、第６図の左
右方向における係合爪１２の係合突起工３の間隔Ｗ２は
第４図における本体ケースｌの幅ｗ１より小さくなって
いる。
又、蓋材２の板状部１１の下面には四部Ｉ４が形成され
るとともに板状部１１には気体導入用貫通孔１５か設け
られている。さらに、板状部１１の下面における凹部１
４の外周部には、第５図中、−点鎖線で示す平面部Ａ２
か形成されている。そして、第１図に示すように、蓋材
２の係合爪１２が本体ケース１の左右側面に配置される
とともに、同係合爪１２の係合突起Ｉ３か本体ケースｌ
の段差部１０に係合されている。
るとともに板状部１１には気体導入用貫通孔１５か設け
られている。さらに、板状部１１の下面における凹部１
４の外周部には、第５図中、−点鎖線で示す平面部Ａ２
か形成されている。そして、第１図に示すように、蓋材
２の係合爪１２が本体ケース１の左右側面に配置される
とともに、同係合爪１２の係合突起Ｉ３か本体ケースｌ
の段差部１０に係合されている。
第７図には本体ケース１の平面部ＡＩと蓋材２の平面部
Ａ２との間に配置される気密封止用弾性体１６を示し、
第８図には第７図のＤ−Ｄ断面を示す。この気密封止用
弾性体１６はフッ素ゴムやＮＢＲ等により、所定の厚み
を有する板状に形成されている。気密封止用弾性体１６
は気体導入用貫通孔１７を有している。そして、第１図
に示すように、気密封止用弾性体１６は蓋材２の平面部
Ａ２に接着剤Ｉ８にて接着されている。
Ａ２との間に配置される気密封止用弾性体１６を示し、
第８図には第７図のＤ−Ｄ断面を示す。この気密封止用
弾性体１６はフッ素ゴムやＮＢＲ等により、所定の厚み
を有する板状に形成されている。気密封止用弾性体１６
は気体導入用貫通孔１７を有している。そして、第１図
に示すように、気密封止用弾性体１６は蓋材２の平面部
Ａ２に接着剤Ｉ８にて接着されている。
第９図にはセンサチップ４と台座１９の平面図を示し、
第１０図には第９図のＥ−Ｅ断面を示す。
第１０図には第９図のＥ−Ｅ断面を示す。
センサチップ４にはその表面側にＩＣ工程により拡散抵
抗（ピエゾ抵抗層）が形成され、裏面側にはダイヤフラ
ムを形成するための凹部２０が形成されている。センサ
チップ４と台座１９とは真空中での陽極接合等により接
合され、センサチップ４と台座１９との間の空間は真空
となっている。
抗（ピエゾ抵抗層）が形成され、裏面側にはダイヤフラ
ムを形成するための凹部２０が形成されている。センサ
チップ４と台座１９とは真空中での陽極接合等により接
合され、センサチップ４と台座１９との間の空間は真空
となっている。
そして、第１図に示すように、台座１９の下面が本体ケ
ース１の凹部７の底面に接着剤２１により接着されてい
る。又、センサチップ４とリードフレーム９とは金線あ
るいはアルミニウム線のワイヤ２２によりボンディング
され電気的接続がとられている。
ース１の凹部７の底面に接着剤２１により接着されてい
る。又、センサチップ４とリードフレーム９とは金線あ
るいはアルミニウム線のワイヤ２２によりボンディング
され電気的接続がとられている。
次に、組立手順を説明する。
本体ケース１の凹部７の底部に、センサチップ４を固定
した台座１９を配置するとともに、リードフレーム９と
センサチップ４とをワイヤボンディングする。一方、蓋
材２に接着剤１８を介して気密封止用弾性体１６を接着
する。そして、本体ケースｌの左右両側面に蓋材２の係
合爪１２の係合突起１３を摺動させながら互いに接近さ
せ、さらに、係合爪１２の係合突起１３を本体ケースｌ
の段差部ｌＯに係合させる。
した台座１９を配置するとともに、リードフレーム９と
センサチップ４とをワイヤボンディングする。一方、蓋
材２に接着剤１８を介して気密封止用弾性体１６を接着
する。そして、本体ケースｌの左右両側面に蓋材２の係
合爪１２の係合突起１３を摺動させながら互いに接近さ
せ、さらに、係合爪１２の係合突起１３を本体ケースｌ
の段差部ｌＯに係合させる。
この状態では、本体ケースｌと蓋材２の当接部に気密封
止用弾性体１６を押圧変形させた状態で本体ケース１と
蓋材２が連結されている。この際、蓋材２及び本体ケー
スｌの各々の平面部Ａ１．Ａ２は寸法的に重なり部分を
持っていて、かつ、弾性体１６の厚みは平面部ＡＩ、Ａ
２により充分なつぶれが確保できるようになっている。
止用弾性体１６を押圧変形させた状態で本体ケース１と
蓋材２が連結されている。この際、蓋材２及び本体ケー
スｌの各々の平面部Ａ１．Ａ２は寸法的に重なり部分を
持っていて、かつ、弾性体１６の厚みは平面部ＡＩ、Ａ
２により充分なつぶれが確保できるようになっている。
これゆえ、弾性体１６により素子収納室３は完全に気密
性が保たれる。
性が保たれる。
このように組み立てられた圧力センサをプリント板等に
装着する際には、蓋材２の気体導入用貫通孔１５をテー
プ等で塞いだ後、フラックスを塗布し、はんだデイツプ
を行い、さらに、洗浄し、耐湿性向上のための防湿剤を
施す。その後、気体導入用貫通孔１５を塞いでいたテー
プ等をはがす。
装着する際には、蓋材２の気体導入用貫通孔１５をテー
プ等で塞いだ後、フラックスを塗布し、はんだデイツプ
を行い、さらに、洗浄し、耐湿性向上のための防湿剤を
施す。その後、気体導入用貫通孔１５を塞いでいたテー
プ等をはがす。
そして、圧力検出時には、蓋材２の気体導入用貫通孔１
５及び気密封止用弾性体１６の気体導入用貫通孔１７を
通して導かれた大気圧がセンサチップ４に達し、センサ
チップ４と台座１９との間の真空室を基準とした絶対圧
が電圧変換され、さらに、センサチップ４内で増幅され
てリードフレーム９により圧力信号として出力される。
５及び気密封止用弾性体１６の気体導入用貫通孔１７を
通して導かれた大気圧がセンサチップ４に達し、センサ
チップ４と台座１９との間の真空室を基準とした絶対圧
が電圧変換され、さらに、センサチップ４内で増幅され
てリードフレーム９により圧力信号として出力される。
このように本実施例では、本体ケースｌ（パッケージ材
）と蓋材２（パッケージ材）の当接部に気密封止用弾性
体１６を介在させるとともに、この気密封止用弾性体１
６を押圧変形させた状態で本体ケース１と蓋材２とを連
結するようにした。
）と蓋材２（パッケージ材）の当接部に気密封止用弾性
体１６を介在させるとともに、この気密封止用弾性体１
６を押圧変形させた状態で本体ケース１と蓋材２とを連
結するようにした。
つまり、蓋材２から延設された係合爪１２を、本体ケー
ス１の段差部１０に係合させるようにした。
ス１の段差部１０に係合させるようにした。
その結果、気密封止用弾性体１６により素子収納室３は
完全に気密性が保たれるため、フラックス、洗浄液等の
侵入が全くなく、さらに、本体ケース１と蓋材２との間
は単に嵌め込む（いわゆる、スナツプフィツト）方式を
採用しているため、樹脂等の加熱硬化、樹脂の量管理が
全くいらない。
完全に気密性が保たれるため、フラックス、洗浄液等の
侵入が全くなく、さらに、本体ケース１と蓋材２との間
は単に嵌め込む（いわゆる、スナツプフィツト）方式を
採用しているため、樹脂等の加熱硬化、樹脂の量管理が
全くいらない。
尚、気密封止用弾性体１６を蓋材２に接着するための接
着剤１８は、単に弾性体１６の位置ズレ防止のためであ
り、接着剤１８の量管理は全くいらない。
着剤１８は、単に弾性体１６の位置ズレ防止のためであ
り、接着剤１８の量管理は全くいらない。
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、上記実施例では大気圧検出用圧力センサに具体
化したが、第１１図に示すように、負圧又は正圧検出用
の圧力センサに具体化してもよい。この場合、蓋材２に
パイプ２３が付けられ、このパイプ２３により負圧又は
正圧（加圧）が導かれ、気密封止用弾性体１６の気体導
入用貫通孔１７を介してセンサチップ４に達し、圧力が
電気信号に変換される。
例えば、上記実施例では大気圧検出用圧力センサに具体
化したが、第１１図に示すように、負圧又は正圧検出用
の圧力センサに具体化してもよい。この場合、蓋材２に
パイプ２３が付けられ、このパイプ２３により負圧又は
正圧（加圧）が導かれ、気密封止用弾性体１６の気体導
入用貫通孔１７を介してセンサチップ４に達し、圧力が
電気信号に変換される。
又、上記実施例ではＤＩＰ型の構造であったが、ＳＩＰ
型やＳＭＤ型に同様の構造を採用してもよい。
型やＳＭＤ型に同様の構造を採用してもよい。
以上詳述したようにこの発明によれば、樹脂等の量管理
と加熱硬化処理を不要にできる優れた効果を発揮する。
と加熱硬化処理を不要にできる優れた効果を発揮する。
第１図は第２図のＡ−Ａ断面図、第２図はパッケージし
た半導体圧力センサの平面図、第３図は本体ケースの平
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図、第５図は蓋材を
下方から見た図、第６図は図はセンサチップと台座の平
面図、第１Ｏ図は第９図のＥ−Ｅ断面図、第１１図は側
倒の半導体圧力センサの断面図である。 １はパッケージ材としての本体ケース、２はパッケージ
材としての蓋材、３は素子収納室、１０は連結部材を構
成する段差部、１２は連結部材を構成する係合爪、１６
は気密封止用弾性体。 特許出願人 日本電装 株式会社 代 理 人 弁理士 恩１）博宣（ほか１名）第２図 本体ケース 蓋材 素子収納室 段差部 係合爪 気密封正月弾性体 １５１！１ 第７図 １４図 ６ＩＩＩ ｉＩ８図 ０；■＝＝ゴ＝＝コ １６１１図
た半導体圧力センサの平面図、第３図は本体ケースの平
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図、第５図は蓋材を
下方から見た図、第６図は図はセンサチップと台座の平
面図、第１Ｏ図は第９図のＥ−Ｅ断面図、第１１図は側
倒の半導体圧力センサの断面図である。 １はパッケージ材としての本体ケース、２はパッケージ
材としての蓋材、３は素子収納室、１０は連結部材を構
成する段差部、１２は連結部材を構成する係合爪、１６
は気密封止用弾性体。 特許出願人 日本電装 株式会社 代 理 人 弁理士 恩１）博宣（ほか１名）第２図 本体ケース 蓋材 素子収納室 段差部 係合爪 気密封正月弾性体 １５１！１ 第７図 １４図 ６ＩＩＩ ｉＩ８図 ０；■＝＝ゴ＝＝コ １６１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対のパッケージ材を当接することによりその内部
に素子収納室を形成し、当該素子収納室内に半導体素子
を配置した半導体素子のパッケージ構造において、 前記両パッケージ材の当接部に気密封止用弾性体を介在
させるとともに、この気密封止用弾性体を押圧変形させ
た状態で両パッケージ材を連結する連結部材を設けたこ
とを特徴とする半導体素子のパッケージ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15314690A JP2841738B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 圧力検出素子のパッケージ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15314690A JP2841738B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 圧力検出素子のパッケージ構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444344A true JPH0444344A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2841738B2 JP2841738B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=15556025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15314690A Expired - Lifetime JP2841738B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | 圧力検出素子のパッケージ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841738B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002214060A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | タイヤ装着用トランスポンダ及びトランスポンダ装着タイヤ並びにその製造方法 |
| JP2007155505A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Nagano Keiki Co Ltd | センサ装置 |
| WO2007095381A3 (en) * | 2006-02-15 | 2007-10-18 | Sandisk Corp | A sip module with a single sided lid |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15314690A patent/JP2841738B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002214060A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-31 | Yokohama Rubber Co Ltd:The | タイヤ装着用トランスポンダ及びトランスポンダ装着タイヤ並びにその製造方法 |
| JP4501097B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2010-07-14 | 横浜ゴム株式会社 | タイヤ装着用トランスポンダ及びトランスポンダ装着タイヤの製造方法 |
| JP2007155505A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Nagano Keiki Co Ltd | センサ装置 |
| JP4652962B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2011-03-16 | 長野計器株式会社 | センサ装置 |
| WO2007095381A3 (en) * | 2006-02-15 | 2007-10-18 | Sandisk Corp | A sip module with a single sided lid |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2841738B2 (ja) | 1998-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002071491A (ja) | 圧力センサ | |
| US5436407A (en) | Metal semiconductor package with an external plastic seal | |
| JPH03136355A (ja) | ヒートシンク付半導体装置 | |
| JPH0444344A (ja) | 圧力検出素子のパッケージ構造 | |
| JPH11126865A (ja) | 半導体素子および製造方法 | |
| JP3259377B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001308241A (ja) | 樹脂封止形リードフレーム組立体 | |
| CN110945645B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| JPH07113706A (ja) | 半導体圧力センサのパッケージ構造 | |
| JPS63151053A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6320120Y2 (ja) | ||
| JP3285971B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3127056B2 (ja) | マイクロセンサ | |
| JP3693450B2 (ja) | 固体イメージセンサ装置 | |
| JP2540345B2 (ja) | 半導体パッケ―ジの製造方法 | |
| JPH01191456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01179437A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10189794A (ja) | 固体イメージセンサ装置の透明カバー接着部構造 | |
| JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH03254730A (ja) | ディスポーザブル血圧トランスデューサ | |
| JPH02236132A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS638523A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63163248A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| WO2019021766A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH06148014A (ja) | 半導体圧力センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |