JPH0443328A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は陽極酸化工程を要する液晶表示パ′ネルの製造
方法、特に、ａ−５ｉＴＦＴアクティブマトリクス駆動
液晶表示パネルの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

ゲート電極をＡＱとし、これを陽極酸化して得られるＡ
ｌ、Ｏ，をゲート絶縁膜の一部に用いた液晶表示パネル
用の薄膜トランジスタ基板（以下ＴＰＴ基板と記す）の
例を第２図に示す。

第２図において（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は各々、等価回
路、平面図、断面図を示すものである。Ｇ□。

Ｇ２はゲート端子、Ｇ１’、Ｇ、’はゲート配線。

Ｄｉ、Ｄ、はドレイン線、Ｔ□１〜Ｔ、は薄膜トランジ
スタ、ＬＣは液晶、Ｖｃｏ璽はカラーフィルタ基板側に
設けられる共通端子を示す、また、２０は基板、２１は
ＡΩ、２２はＡＱ、Ｏ，，２３はＳｉＮ、２４は透明電
極（画素電極）、２５．２６は各々ノンドープａ−５ｉ
、リンをドープしたａ−８ｉ（ｎ）、２７はドレイン電
極・配線、２８はソース電極であり、ａ−ＳｉＴＦＴと
画素電極とを接続している。第２図中Ｑ１で示す線は陽
極酸化を行う領域とそうでない領域の境界を示すもので
、Ｑ□より右の領域は陽極酸化を行う領域であり、左は
行わない領域である。

なおこの種の従来技術として、特願昭６３−２３６４０
３号を挙げることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、ゲート端子や電極にＡＱを用い、一部のみ
を選択的に陽極酸化して利用しようとする場合、次のよ
うな問題がある。

第２図中に示すように境界Ｑ１の左の領域は、陽極酸化
を行なわない。そのためには、陽極酸化液と接触しない
ように絶縁性の被膜でカバーする必要がある。

絶縁性の被膜としては、５ｉｎ２．ＳｉＮ、などの無機
物系のものと、ホトレジスト被膜のように有機系のもの
が考えられる。しかし、選択的に微細パターンで陽極酸
化する必要がある事、および陽極酸化後は不必要となる
ので下層のＡＱにダメージをあたえる事なく除去できる
事などから感光性有機物被膜が用いられる。これを第３
図に示す。

第３図において同図（、）は各々陽極酸化基板、同図（
ｂ）は陽極酸化方法を示すもので、３１は。

端子部、バスバー配線部など陽極酸化をしない部分をカ
バーする例えば０ＦＰＲ，ＯＭＲ（以上いずれも東京応
化社商品名）などのホトレジスト膜、３２は陽極酸化用
の外部電源接続端子、３３は、各々のゲート線を接続す
るための引き廻し配線。

３４は画素部分を示す。

この画素部分３４のＡＱを陽極酸化液４３の中で電圧４
５を印加し酸化する。この時、陽極酸化基板を正側に、
白金板４２を負側に接続する。上記工程において、正の
電源電極端子を陽極酸化基板の外部電源接続端子３２に
タッチさせる必要がある。この作業において、カバレー
ジに使用したホトレジスト材料が電源電極端子との接触
により剥離することがある。

この剥離したホトレジスト材料が電極端子に付着したり
基板の表面に付着または、陽極酸化液中に混入し、基板
に付着する事により酸化被膜不良が発生する。ここで、
ホトレジストの付着状態によって不良の発生状態が異な
り、軽い付着の場合には、ＡＱ膜にピンホール、切断な
どの不良が発生する。また、剥離したレジスト膜が密着
した場合は、その部分のＡρが酸化されないという不良
となる。

また電極端子にホトレジ材料が付着すると、電気的に接
触が悪くなり、陽極酸化が行なわれない不良が発生する
。

このように、上記従来技術は電気的接触不良による酸化
処理不能レジスト剥離によるピンホールや未酸化部分の
発生等の不良発生の可能性が高く、歩留の面で問題があ
った。

〔課題を解決するための手段〕

本発明はこれらの問題を解決する技術を提供することを
目的とする。

上記目的を達成するために本発明においては、基板側の
外部電源接続端子と電源端子の接続作業によりホトレジ
材料が剥離しないように、選択的にホトレジストパター
ン形状を形成したものである。

陽極酸化を行なうため、外部電源から接続用の端子（例
えばクリップ、バネによる圧着、ネジ締めなど）を、基
板側の接続端子に接続させる必要がある。この時、第３
図（ｂ）に示すように液面から露出している基板の上方
向又は横方向からクリップなどで基板と接続するが、カ
バレージに使用したホトレジ膜と電極端子部は同一平面
上にあるため機械的に接触する場合が多い。

本発明は、クリップなど外部電源の端子が来る方向を一
定化し、その方向にあたる部分のホトレジ膜を選択的に
除去しておくことにより膜剥離などによる不良を防止す
るものである。

〔作用〕

上記技術には次の作用がある。

１、機械的な接触動作によりカバレージ材料の剥離発生
が起らない。

２、カバレージ材料の剥離が発生しないので、陽極酸化
膜の欠陥歩留が向上する。

３、接続端子にカバレージ材料が付着しないので長時間
連続使用が可能、さらに保守点検が少なくてすみ量産に
適している。

〔実施例〕

以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。

第１図を用いて説明する。記号は先に第２図で説明した
ものと同じである。Ｃａ　ｄｍは付加容量を示す。

まず基板１０の上にＣｒ　（１１）をスパッタにより約
１ｏｏｏ人蒸着し、ホトエツチングによりゲート端子Ｇ
工、Ｇ、を形成する。その上にＰｄを０．１％添加した
ＡＱ　（１２）を２８００人スパッタにより蒸着し、ホ
トエツチングによりＡＪ（Ｐｄ）配線Ｇ、’、Ｇ、’　
を形成する。ゲート端子Ｇ□、Ｇ８とは斜線を施したＡ
領域で接続されている。この時、陽極酸化する部分（図
中ａ１より右）を除いてホトレジストで被覆する。

Ｃｒは化成液に接すると電池反応により溶出してしまう
ので、接しないようにしなければならない。一方、レジ
ストで被覆していてもレジストとＡＱとの界面から化成
液がしみ込む。このしみ込む距離は１００μｍ程度であ
る。したがってホトレジストとの界面からＣｒまでの距
離は１００μｍ以上が望ましい。

第４，５図は上記の全体図（以下パネルと記す）を示し
たものである。

第４図の例は、ゲート端子が左側の化成ライン３３で共
通接続され、ここから陽極酸化のための電圧を供給する
場合を示す。陽極酸化用の電極端子３２や化成ライン３
３は、ＡΩ（又はＡＱを主体とする合金）を用い同時に
形成する。−点鎖線Ｑ工で示した内側が陽極酸化を行な
う領域である。

Ｑ工より外側は電極端子３２を除いてホトレジストで覆
う、この時、電極端子３２を対して陽極酸化液面ＡＬ力
方向下側、逆の方向を上側と呼ぶ。

電極端子３２の上側方向に基板端面まで第４図に示すご
とくホトレジストを選択的に除去する・これによりクリ
ップ等で電極端子３２をはさむ作業においても、ホトレ
ジストとクリップ等が接触しレジスト膜が剥離する事が
ない。

第５図の実施例は、ゲート配線を左右に引き出した場合
の例を示す。本実施例では、化成ライン３３は２本必要
になる。この場合、ＡＬは陽極酸化液の液面を示すが、
電極端子３２の部分を液面より上側に呂し、クリップ等
ではさんで電圧を印加する。この時、電極端子３２が液
に触れると、この部分のＡＱが酸化され、絶縁膜となっ
て端子の働きをしなくなる。またクリップ等外部電極治
具に液が触れると電流が、その部分を通じて流れるため
、陽極酸化ができなくなる。

第５図の場合も、第４図と同様に一点鎖線Ｑ１で示した
内側が陽極酸化を行なう領域である。

Ｑ工より外側は電極端子３２を除いてホトレジストで覆
う。この時、電極端子３２の横方向のホトレジストを第
５図に示すごとく基板端面まで選択的に除去する。この
場合、クリップなど外部電極治具は、ホトレジストのな
い横方向から電極端子３２と接触する。

第６図の実施例は、電極端子３２及び化成用引き回し配
線３３の１部を含む部分から、基板端面方向へ選択的に
ホトレジを除いた例を示す。点線Ω、が陽極酸化を行う
領域である。Ｑ工より斜線で示した部分がホトレジで覆
われていることを示す、この場合、クリップなど外部電
極治具は、左右、上方向のいずれから接触してもホトレ
ジストを剥離するような事はない、いずれの場合におい
ても陽極酸化液面ＡＬは、ホトレジスト膜で覆われた場
所で、電極端子３２と接触しない位置にあることが重要
である。

第４〜６図の実施例において、電極端子３２は１個以上
複数個ある事が望ましい。これは、クリップ等、外部電
極治具との接触を確実にする上で有効である。

陽極酸化の方法は、電極端子３２が液に接触しないよう
にして浸し、電極端子に〜１４４ｖの直流電圧を印加す
る。印加の方法は、定電流０．５〜５　ｍ　Ａ　／　ａ
Ｊになるように徐々にＯｖから昇圧することが望ましい
、初から高い電圧を印加した場合、大電流が流れるため
、ＡＱ線が溶け、ゲート線に断線を生ずる。

また、ホトレジストの耐電圧の弱い部分および接着性の
弱い部分に初めから高電圧が印加されると、レジストが
破断し、Ａ、　Ｑの溶断や形状不良の大きな原因となる
。

基板は陽極側とし、陰極は白金電極とする。陽極酸化膜
としては、３％酒石酸とエチレングリコール液で１：９
に希釈したものを用いる。

電流密度０　、５　ｍ　Ａ　／　ｔｙｉの場合、約１０
公租度で電圧が１４４ｖになる。この時陽極酸化により
、Ａｌ２Ｏ２膜が２０００人の厚さで得られる。

陽極酸化中、陰極からＨ２ガスが発生し、液中に気泡と
なって移動する。この気泡がＡＱの表面等に付着すると
、Ａｎの表面にピンホールが発生したりＡｆｌ、Ｏ，の
正常な成長を妨たげ、欠陥発生の要因となる。これを防
止する方法としては、陽極酸化液中で基板を傾斜（ＡＱ
面側を表にして）する事が有効である。

以上、説明の中で陽極酸化用のマスキング材料としてホ
トレジストを挙げたが、材料としてはこれにとられれる
ものではなく、絶縁性の材料なら有機物、無機物（Ｓｉ
ｎ２．ＳｉＮ膜など）いずれでも良い。

〔発明の効果〕

本発明によれば、陽極酸化工程においてホトレジスト膜
の剥離がないので、これが原因で起きるＡＱの溶断、ピ
ンホール等が発生せず大幅に歩留を改善することができ
る。

また、第４〜６図の実施例で、給電端子３２を基板の内
側に設置したが、給電端子３２の一部が基板のへりに接
しているように設置してもかまわない、この実施例を第
７図ａ、ｂで示す。

第７図（ａ）は、給電端子３２の一辺が基板の上部へり
に接している例であり、（ｂ）は給電端子３２の二辺が
基板のスミに接している場合を示す、また、（ｃ）は給
電端子３２の一辺が、基板の横へりに接している。

上記いずれの場合も、基板のへりと接する部分にホトレ
ジス１〜ＩＩがないので、給電用クリップ等ではさんで
もレジストの剥離が起こらず、陽極酸化膜にピンホール
等の欠陥が発生しない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の表示パネルの回路図、電極
配線パターンの平面図、素子形成部の断面図、第２図は
従来の表示パネルの回路図、電極配線パターンの平面図
、素子形成部の断面図、第３図（ａ）は、従来のホトレ
ジスト膜によるカバレージを示す表示パネルの平面図、
同図（ｂ）は、基板と陽極酸化方法を示す説明図、第４
図乃至第７図は本発明のホトレジストによるカバレージ
の状態を示す表示パネルの平面図である。 Ｇ、、Ｇ２・・ゲート端子、Ｑ、・・化成境界、Ｇ、０
２′・・・ゲート配線、Ａ′・・・ＣｒとＡＱとの接続
部、Ｄ工ＩＤ２・・・ドレイン配線、Ｔ　ｌ　ｉ〜Ｔ２
□・　ａ　−５ｉＴＦＴ、ＬＣ・−・液晶セル、１１−
　Ｃｒ　、　Ｃａｄ・・・付加容量、１２・・・ＡＱ、
１３・・・ＡＱ２０．、ＰＡＤ・・・化成バッド、１４
−　Ｓ　ｉ　Ｎ、１５−　ａ　−Ｓ　ｉ、Ｑ・・・切断
線、１７・・・画素電極、１８・・・ドレイン電極、１
９・・・ＳｉＮ、３２・・化成電極端子、３３・・・化
成ライン、３１・・・ホトレジスト膜、４１・・化成槽
、４２・・・白金板、４３・・・陽極酸化液、４４・化
（ｂ） り福１号 ＴＦＴ印

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数本のゲート端子とこれに接続する複数本のゲー
   ト線と、マトリクス状に配置された複数個の薄膜トラン
   ジスタとを含む薄膜電子回路を有する液晶表示パネルに
   おいて、前記ゲート端子を形成する工程と、前記ゲート
   配線を形成する工程と、前記ゲート端子部をホトレジス
   トで被覆する工程と、前記ゲート配線をゲート端子を介
   して共通接続し、これに通電して陽極酸化することによ
   りゲート配線の表面をＡｌ＿２Ｏ＿３により被覆する工
   程において、陽極酸化用の給電端子を陽極酸化範囲より
   外側としたことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法
   。 ２、前記ゲート端子部をホトレジストで被覆する工程に
   おいて、少なくとも給電端子及びゲート端子部の一部を
   除いてホトレジストで被覆することを特徴とする請求項
   第１項記載の液晶表示パネルの製造方法。 ３、前記ゲート端子部をホトレジストで被覆する工程に
   おいて、少なくとも給電端子周辺の一方向にホトレジス
   トを設けないことを特徴とする請求項第１項記載の液晶
   表示パネルの製造方法。 ４、前記ゲート端子部をホトレジストで被覆する工程に
   おいて、少なくとも給電端子周辺の三方向にホトレジス
   トを設けないことを特徴とする請求項第１項記載の液晶
   表示パネルの製造方法。 ５、前記ゲート端子部をホトレジストで被覆する工程に
   おいて、少なくとも給電端子の一辺が基板のへりと接し
   ていることを特徴とする請求項第１項記載の液晶表示パ
   ネルの製造方法。 ６、前記ゲート端子部をホトレジストで被覆する工程に
   おいて、少なくとも給電端子の二辺が基板のへりと接し
   ていることを特徴とする請求項第１項記載の液晶表示パ
   ネルの製造方法。