JPH0441777B2 - - Google Patents
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- JPH0441777B2 JPH0441777B2 JP20818684A JP20818684A JPH0441777B2 JP H0441777 B2 JPH0441777 B2 JP H0441777B2 JP 20818684 A JP20818684 A JP 20818684A JP 20818684 A JP20818684 A JP 20818684A JP H0441777 B2 JPH0441777 B2 JP H0441777B2
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- pixels
- circuit
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- pixel
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 36
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパターンの検査装置に係り、特にプリ
ント基板及び半導体集積回路ウエハー、または、
その製造用マスクの回路パターンの欠陥検査等に
用いるに適したパターン検査装置に関する。
ント基板及び半導体集積回路ウエハー、または、
その製造用マスクの回路パターンの欠陥検査等に
用いるに適したパターン検査装置に関する。
第５図は従来のマスクパターン検査装置の構成
の一例を示したものである。Ｘ−Ｙステージ１上
に搭載した被検査マスク２を光源３で照射し、そ
の透過光に応じてイメージセンサ４で被検査マス
ク２上のパターンを検出し、該検出信号をＡ／Ｄ
変換器５により量子化した後、欠陥判定器８に入
力する。一方手本パターン発生器６は被検査マス
ク製造時の設計データを記録している磁気テープ
７から、そのパターンデータを読み出し上記イメ
ージセンサ４の出力に同期して当該パターンデー
タをイメージセンサ４の出力と比較できる形に変
換し、該出力信号をイメージセンサ４の出力と同
様に欠陥判定器８に入力する。欠陥判定器８では
上記した２つの信号すなわち検出パターンと手本
パターンとを比較してその異なつた部分を欠陥と
して判定し、その欠陥の存在するマスク上の座標
を制御装置９に送出し、制御装置９にその座標を
記憶させる。欠陥判定器８に於ける欠陥判定の方
法には、手本パターンと検出パターンを直接重ね
合わせ、その不一致部分を欠陥とする方法、ある
いは手本パターンと検出パターンの双方からその
パターンの持つ特徴（例えば、第６図１０ａ，１
０ｂのようにパターンに微小な部分が存在する、
１１ａ〜１１ｅのような直角の部分を有している
等）を抽出しその特徴同志を比較し、一方にある
特徴が存在し、他方の対応する部分に同じ特徴が
存在する時正常、そうでない時欠陥ありと判定す
る方法等、種々の方法が考案され実用されてい
る。
の一例を示したものである。Ｘ−Ｙステージ１上
に搭載した被検査マスク２を光源３で照射し、そ
の透過光に応じてイメージセンサ４で被検査マス
ク２上のパターンを検出し、該検出信号をＡ／Ｄ
変換器５により量子化した後、欠陥判定器８に入
力する。一方手本パターン発生器６は被検査マス
ク製造時の設計データを記録している磁気テープ
７から、そのパターンデータを読み出し上記イメ
ージセンサ４の出力に同期して当該パターンデー
タをイメージセンサ４の出力と比較できる形に変
換し、該出力信号をイメージセンサ４の出力と同
様に欠陥判定器８に入力する。欠陥判定器８では
上記した２つの信号すなわち検出パターンと手本
パターンとを比較してその異なつた部分を欠陥と
して判定し、その欠陥の存在するマスク上の座標
を制御装置９に送出し、制御装置９にその座標を
記憶させる。欠陥判定器８に於ける欠陥判定の方
法には、手本パターンと検出パターンを直接重ね
合わせ、その不一致部分を欠陥とする方法、ある
いは手本パターンと検出パターンの双方からその
パターンの持つ特徴（例えば、第６図１０ａ，１
０ｂのようにパターンに微小な部分が存在する、
１１ａ〜１１ｅのような直角の部分を有している
等）を抽出しその特徴同志を比較し、一方にある
特徴が存在し、他方の対応する部分に同じ特徴が
存在する時正常、そうでない時欠陥ありと判定す
る方法等、種々の方法が考案され実用されてい
る。
しかし、上記のいずれの方法も完全な方法とは
言えず欠陥の見逃し、あるいは正常なパターンを
欠陥と誤判定してしまう場合がある。例えば第７
図に示すように実際のパターンｂは、マスク製造
時の諸要因により、手本パターンａに比べ丸みを
帯びている場合が多い。このような場合には、上
記いずれの欠陥判定方式においても欠陥有りと判
定されるが、実際には実用上害のない程度の丸み
であれば、これは正常パターンとして許容しなけ
ればならないものである。
言えず欠陥の見逃し、あるいは正常なパターンを
欠陥と誤判定してしまう場合がある。例えば第７
図に示すように実際のパターンｂは、マスク製造
時の諸要因により、手本パターンａに比べ丸みを
帯びている場合が多い。このような場合には、上
記いずれの欠陥判定方式においても欠陥有りと判
定されるが、実際には実用上害のない程度の丸み
であれば、これは正常パターンとして許容しなけ
ればならないものである。
このような実用上害とならない程度のパターン
角部の丸みを許容するための方法として、特開昭
58−147114号に示される方法がある。この方法は
第８図に示すように設計データから発生させた手
本パターンａの直角部分１画素をあらかじめ欠落
させたｂ後検出パターンと比較するものである。
手本パターン角部を欠落させ、検出パターンに類
似させる事により、角部における擬似欠陥（誤検
出）の発生を抑止する事ができる。直角部分１画
素を欠落させる方法として同公報では、第９図で
示すように設計データから発生させた手本パター
ンに対し３×３のウインドウを考え、多数本の原
理に従い中央画素を処理している。すなわちパタ
ーンの黒い部分を“１”白い部分を“０”とした
時３×３ウインドウ内の９個の画素の値を加算し
その値が５以上ならば黒、４以下ならば白に中央
画素を変更する。これにより第９図で示したパタ
ーンの角部は黒から白に変わり、角部１画素を欠
落させることができる。
角部の丸みを許容するための方法として、特開昭
58−147114号に示される方法がある。この方法は
第８図に示すように設計データから発生させた手
本パターンａの直角部分１画素をあらかじめ欠落
させたｂ後検出パターンと比較するものである。
手本パターン角部を欠落させ、検出パターンに類
似させる事により、角部における擬似欠陥（誤検
出）の発生を抑止する事ができる。直角部分１画
素を欠落させる方法として同公報では、第９図で
示すように設計データから発生させた手本パター
ンに対し３×３のウインドウを考え、多数本の原
理に従い中央画素を処理している。すなわちパタ
ーンの黒い部分を“１”白い部分を“０”とした
時３×３ウインドウ内の９個の画素の値を加算し
その値が５以上ならば黒、４以下ならば白に中央
画素を変更する。これにより第９図で示したパタ
ーンの角部は黒から白に変わり、角部１画素を欠
落させることができる。
しかし、実際のマスクパターンの角部は欠陥と
すべきでない正常な部分でも、常に同じ程度に丸
みを帯びて検出されるわけではなく、第１０図ａ
〜ｃにその２値化像を示す如く、手本パターンと
同様１画素も欠落していない状態で検出された
り、あるいは、３〜４画素欠落した状態で検出さ
れたりする場合があり、手本パターンの角部を常
に１画素欠落させる方法では、手本パターンと検
出パターンの比較により、角部に発生する擬似欠
陥を完全には除去できないという問題があつた。
すべきでない正常な部分でも、常に同じ程度に丸
みを帯びて検出されるわけではなく、第１０図ａ
〜ｃにその２値化像を示す如く、手本パターンと
同様１画素も欠落していない状態で検出された
り、あるいは、３〜４画素欠落した状態で検出さ
れたりする場合があり、手本パターンの角部を常
に１画素欠落させる方法では、手本パターンと検
出パターンの比較により、角部に発生する擬似欠
陥を完全には除去できないという問題があつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、種々の形状で検出される被検査パターンの
角部に対し、擬似欠陥を発生しないようにして真
の欠陥のみを検査できるようにしたパターン検査
装置を提供することにある。
くし、種々の形状で検出される被検査パターンの
角部に対し、擬似欠陥を発生しないようにして真
の欠陥のみを検査できるようにしたパターン検査
装置を提供することにある。
即ち、本発明では、上記目的を達成するため
に、基準パターンである基準パターン２値化絵素
信号について複数のシフトレジスタによつて３×
３の画素に切り出す第１の切り出し回路と該第１
の切り出し回路によつて切り出された３×３の画
素信号に対して着目画素と周囲の８画素との不一
致画素個数を検出し、この不一致画素個数が所定
の個数以上のとき基準パターンの角部における上
記着目画素として第１の不感帯画素信号を形成す
る第１の不感帯画素信号形成回路と該第１の不感
帯画素信号形成回路から得られる第１の不感帯画
素信号を複数のシフトレジスタによつて３×３の
画素に切り出す第２の切り出し回路と上記第１の
切り出し回路によつて切り出された３×３の画素
信号に対する着目画素の２値化絵素信号について
複数のシフトレジスタによつて３×３の画素に切
り出す第３の切り出し回路と該第３の切り出し回
路に切り出された３×３の画素信号に対して着目
画素と周囲の８画素の各々とについて不一致画素
信号を検出し、検出された不一致画素信号と上記
第２の切り出し回路によつて切り出された周囲の
８画素に切り出された第１の不感帯画素信号との
画素個数を検出し、これら検出された画素個数が
所定の個数以上のとき基準パターンの角部におけ
る上記着目画素として第２の不感帯画素信号を形
成する第２の不感帯画素信号形成回路とを有する
不感帯設定回路と、被検査パターンをイメージセ
ンサにより撮像して２値化回路により被検査２値
化画像信号を得る撮像手段と該撮像手段によつて
得られる被検査２値化画像信号と上記基準パター
ン２値化絵素信号との位置ずれ量を検出する位置
ずれ量検出回路と、該位置ずれ量検出回路で検出
された位置ずれ量に基いて上記被検査２値化画像
信号を位置ずれ補正する位置ずれ補正回路と、該
位置ずれ補正回路によつて補正された被検査２値
化画像信号と上記基準パターン２値化絵素信号と
の不一致を検出する比較手段と、上記不感帯設定
回路の第２の不感帯画素信号形成回路から第２の
不感帯画素信号が検出されたとき、上記比較手段
から検出される不一致画素信号を無効にして出力
し、この出力された不一致画素信号が同時に所定
の画素数検出されたとき欠陥とする欠陥判定手段
とを有することを特徴とするパターン検査装置で
ある。
に、基準パターンである基準パターン２値化絵素
信号について複数のシフトレジスタによつて３×
３の画素に切り出す第１の切り出し回路と該第１
の切り出し回路によつて切り出された３×３の画
素信号に対して着目画素と周囲の８画素との不一
致画素個数を検出し、この不一致画素個数が所定
の個数以上のとき基準パターンの角部における上
記着目画素として第１の不感帯画素信号を形成す
る第１の不感帯画素信号形成回路と該第１の不感
帯画素信号形成回路から得られる第１の不感帯画
素信号を複数のシフトレジスタによつて３×３の
画素に切り出す第２の切り出し回路と上記第１の
切り出し回路によつて切り出された３×３の画素
信号に対する着目画素の２値化絵素信号について
複数のシフトレジスタによつて３×３の画素に切
り出す第３の切り出し回路と該第３の切り出し回
路に切り出された３×３の画素信号に対して着目
画素と周囲の８画素の各々とについて不一致画素
信号を検出し、検出された不一致画素信号と上記
第２の切り出し回路によつて切り出された周囲の
８画素に切り出された第１の不感帯画素信号との
画素個数を検出し、これら検出された画素個数が
所定の個数以上のとき基準パターンの角部におけ
る上記着目画素として第２の不感帯画素信号を形
成する第２の不感帯画素信号形成回路とを有する
不感帯設定回路と、被検査パターンをイメージセ
ンサにより撮像して２値化回路により被検査２値
化画像信号を得る撮像手段と該撮像手段によつて
得られる被検査２値化画像信号と上記基準パター
ン２値化絵素信号との位置ずれ量を検出する位置
ずれ量検出回路と、該位置ずれ量検出回路で検出
された位置ずれ量に基いて上記被検査２値化画像
信号を位置ずれ補正する位置ずれ補正回路と、該
位置ずれ補正回路によつて補正された被検査２値
化画像信号と上記基準パターン２値化絵素信号と
の不一致を検出する比較手段と、上記不感帯設定
回路の第２の不感帯画素信号形成回路から第２の
不感帯画素信号が検出されたとき、上記比較手段
から検出される不一致画素信号を無効にして出力
し、この出力された不一致画素信号が同時に所定
の画素数検出されたとき欠陥とする欠陥判定手段
とを有することを特徴とするパターン検査装置で
ある。
以下、本発明の一実施例を図に基づき説明す
る。第１図ａ〜ｄは本発明のパターン検査方法に
おいて手本パターンに不感帯を設ける処理の原理
を示す図である。ａ図は設計データから手本パタ
ーン発生器により発生した手本パターンを示し、
ｂ〜ｄ図は、パターン角部にそれぞれ１、３、５
画素の不感帯（図中×印で表示）を設けた手本パ
ターンを示す。手本パターンは“０”“１”の２
値で与えられ、それぞれ白、黒に対応している。
手本パターンに不感帯を設けるにはまず、手本パ
ターンにおいて処理対象となる画素を中心とする
３×３のウインドウを考える。そして、ウインド
ウの中央画素を除く８画素のうち４画素以上が中
央画素と反対の色（中央画素が白の時、周囲画素
が黒、逆に中央画素が黒の時周囲画素が白）であ
る時、その中央画素を不感帯とする。
る。第１図ａ〜ｄは本発明のパターン検査方法に
おいて手本パターンに不感帯を設ける処理の原理
を示す図である。ａ図は設計データから手本パタ
ーン発生器により発生した手本パターンを示し、
ｂ〜ｄ図は、パターン角部にそれぞれ１、３、５
画素の不感帯（図中×印で表示）を設けた手本パ
ターンを示す。手本パターンは“０”“１”の２
値で与えられ、それぞれ白、黒に対応している。
手本パターンに不感帯を設けるにはまず、手本パ
ターンにおいて処理対象となる画素を中心とする
３×３のウインドウを考える。そして、ウインド
ウの中央画素を除く８画素のうち４画素以上が中
央画素と反対の色（中央画素が白の時、周囲画素
が黒、逆に中央画素が黒の時周囲画素が白）であ
る時、その中央画素を不感帯とする。
この操作をａ図の手本パターンの各画素に対し
て作用させると、画素１２ａは黒であり、その周
囲８画素のうち５画素が白であるため、画素１２
ａは不感帯となり、他の画素はすべて周囲８画素
のうち処理対象画素と反対の色を持つ画素は３画
素以下であるため、不感帯とはならず、ｂ図に示
す手本パターンが得られる。ｂ図に示す不感帯を
含む手本パターンに対し、同様の操作を行えばｃ
図に示す不感帯が得られるが、この操作において
処理対象となる画素の周囲８画素内に既に不感帯
となつている画素がある場合、その画素は処理対
象画素と反対色を持つ画素として扱う。また処理
対象となる画素が既に不感帯となつている場合に
は、処理後の画素も不感帯とする。これにより、
ｂ図の画素１２ｂ，１２ｃがｃ図において新たに
不感帯となる。また、同様の操作をｃ図に対して
行えばｄ図に示す手本パターンが得られる。
て作用させると、画素１２ａは黒であり、その周
囲８画素のうち５画素が白であるため、画素１２
ａは不感帯となり、他の画素はすべて周囲８画素
のうち処理対象画素と反対の色を持つ画素は３画
素以下であるため、不感帯とはならず、ｂ図に示
す手本パターンが得られる。ｂ図に示す不感帯を
含む手本パターンに対し、同様の操作を行えばｃ
図に示す不感帯が得られるが、この操作において
処理対象となる画素の周囲８画素内に既に不感帯
となつている画素がある場合、その画素は処理対
象画素と反対色を持つ画素として扱う。また処理
対象となる画素が既に不感帯となつている場合に
は、処理後の画素も不感帯とする。これにより、
ｂ図の画素１２ｂ，１２ｃがｃ図において新たに
不感帯となる。また、同様の操作をｃ図に対して
行えばｄ図に示す手本パターンが得られる。
第２図は以上説明した、本発明のパターン検査
方法において手本パターンに不感帯を設ける方法
の一実施例の回路図である。入力の手本パターン
１８は設計データから手本パターン発生器により
発生させたもので、パターンの白黒を表わす１ビ
ツトの信号であるが、出力は白黒を表わす信号１
８a′に不感帯であるか否かの信号１８b′を加えた
２ビツトの信号としている。まず手本パターン１
８を１ライン遅延線１３およびシフトレジスタ１
４を用いて３×３画素の２次元画像に展開する。
次に３×３画像の中心画素と周囲８画素とのそれ
ぞれの排他的論理和１５を演算し、その結果を加
算器１６により加算する。この加算結果は３×３
画像の中心画素を除く周囲８画素のうち、中央画
素と反対の色を有している画素の個数を表わして
いる。この加算結果を比較器１７により定数
“４”と比較し、その値が４以上の時出力“１”、
３以下の時出力を“０”とすることにより、不感
帯であるか否かの信号１８b′を得る。また、この
信号と同期してパターンの白黒を表わす信号１８
a′をシフトレジスタ１４から出力することによ
り、角部１画素に不感帯を設けた手本パターンを
得ることができる。
方法において手本パターンに不感帯を設ける方法
の一実施例の回路図である。入力の手本パターン
１８は設計データから手本パターン発生器により
発生させたもので、パターンの白黒を表わす１ビ
ツトの信号であるが、出力は白黒を表わす信号１
８a′に不感帯であるか否かの信号１８b′を加えた
２ビツトの信号としている。まず手本パターン１
８を１ライン遅延線１３およびシフトレジスタ１
４を用いて３×３画素の２次元画像に展開する。
次に３×３画像の中心画素と周囲８画素とのそれ
ぞれの排他的論理和１５を演算し、その結果を加
算器１６により加算する。この加算結果は３×３
画像の中心画素を除く周囲８画素のうち、中央画
素と反対の色を有している画素の個数を表わして
いる。この加算結果を比較器１７により定数
“４”と比較し、その値が４以上の時出力“１”、
３以下の時出力を“０”とすることにより、不感
帯であるか否かの信号１８b′を得る。また、この
信号と同期してパターンの白黒を表わす信号１８
a′をシフトレジスタ１４から出力することによ
り、角部１画素に不感帯を設けた手本パターンを
得ることができる。
不感帯の大きさを大きくするには前述したよう
に、第２図の回路の出力に対し再度同様の操作を
行えば良い。しかしその場合入力となる手本パタ
ーンには既に不感帯が含まれているため、パター
ンの白黒を表わす信号１８a′と不感帯１８b′の２
ビツトの信号から新たな不感帯１８b″を発生する
回路が必要である。この回路の一実施例を第３図
に示す。
に、第２図の回路の出力に対し再度同様の操作を
行えば良い。しかしその場合入力となる手本パタ
ーンには既に不感帯が含まれているため、パター
ンの白黒を表わす信号１８a′と不感帯１８b′の２
ビツトの信号から新たな不感帯１８b″を発生する
回路が必要である。この回路の一実施例を第３図
に示す。
第３図に示す実施例は第２図に示した実施例
に、入力信号に含まれる不感帯１８b′を処理する
ための部分を付加したものである。不感帯を含む
手本パターンの白黒を表わす信号１８a′及び不感
帯１８b′それぞれを１ライン遅延線１３およびシ
フトレジスタ１４により３×３画素の２次元画像
に展開する。白黒パターン１８a′の３×３画素２
次元画像からは排他的論理和１５により、第２図
の回路と同様の演算を行う。３×３画素２次元画
像の周囲８画素の内既に不感帯である画素は中央
画素と反対の色を有する画素として扱うため、排
他的論理和１５の出力と不感帯１８b′の各画素の
間で論理和１９を演算し、その出力を加算器１６
及び比較器１７で処理することにより新たな不感
帯１８b″が得られる。第３図に示す回路をカスケ
ードに複数段接続することにより、不感帯の大き
さを任意に設定することができる。
に、入力信号に含まれる不感帯１８b′を処理する
ための部分を付加したものである。不感帯を含む
手本パターンの白黒を表わす信号１８a′及び不感
帯１８b′それぞれを１ライン遅延線１３およびシ
フトレジスタ１４により３×３画素の２次元画像
に展開する。白黒パターン１８a′の３×３画素２
次元画像からは排他的論理和１５により、第２図
の回路と同様の演算を行う。３×３画素２次元画
像の周囲８画素の内既に不感帯である画素は中央
画素と反対の色を有する画素として扱うため、排
他的論理和１５の出力と不感帯１８b′の各画素の
間で論理和１９を演算し、その出力を加算器１６
及び比較器１７で処理することにより新たな不感
帯１８b″が得られる。第３図に示す回路をカスケ
ードに複数段接続することにより、不感帯の大き
さを任意に設定することができる。
第４図は本発明によるパターン検査方法の一実
施例のブロツク図である。以下、その動作につい
て説明する。イメージセンサにより撮像した検出
パターンを２値化回路２０により２値化し手本パ
ターンとの間の位置ずれ量を位置ずれ検出器２１
により検出する。検出した位置ずれ量をもとに手
本パターン、検出パターン間の位置ずれを位置ず
れ補正器２２にて補正する。一方手本パターン
は、第２図、第３図にてその構成を示した不感帯
設定回路２３に入力し、白黒パターンを表わす信
号１８ａと不感帯１８ｂを出力する。白黒パター
ンを表わす手本パターン１８ａと検出パターンの
不一致画素を排他的論理和２４により検出し、不
一致画素のうち不感帯でない部分のみを論理積２
５より出力する。論理積２５より出力された信号
は１ライン遅延線２６及びシフトレジスタ２７に
て例えば３×３画素の２次元画像に展開し、加算
器２８により得られた２次元画像中の不一致画数
を計数する。この不一致画素数を比較器２９によ
りある設定値と比較し、不一致画素数が設定値よ
り大きい場合に欠陥ありとして欠陥信号を出力す
る。
施例のブロツク図である。以下、その動作につい
て説明する。イメージセンサにより撮像した検出
パターンを２値化回路２０により２値化し手本パ
ターンとの間の位置ずれ量を位置ずれ検出器２１
により検出する。検出した位置ずれ量をもとに手
本パターン、検出パターン間の位置ずれを位置ず
れ補正器２２にて補正する。一方手本パターン
は、第２図、第３図にてその構成を示した不感帯
設定回路２３に入力し、白黒パターンを表わす信
号１８ａと不感帯１８ｂを出力する。白黒パター
ンを表わす手本パターン１８ａと検出パターンの
不一致画素を排他的論理和２４により検出し、不
一致画素のうち不感帯でない部分のみを論理積２
５より出力する。論理積２５より出力された信号
は１ライン遅延線２６及びシフトレジスタ２７に
て例えば３×３画素の２次元画像に展開し、加算
器２８により得られた２次元画像中の不一致画数
を計数する。この不一致画素数を比較器２９によ
りある設定値と比較し、不一致画素数が設定値よ
り大きい場合に欠陥ありとして欠陥信号を出力す
る。
既に述べたように、不感帯は検出パターンとの
比較において不一致検出を禁止する画素であるた
め、不感帯に対応する検出パターンの画素は黒で
あつても白であつてもよい。このため第１図ｄに
示す不感帯を持つ手本パターンは、第１０図ａ〜
ｃに示す検出パターンのいずれと比較しても不一
致画素を生じず、擬似欠陥を発生しない。
比較において不一致検出を禁止する画素であるた
め、不感帯に対応する検出パターンの画素は黒で
あつても白であつてもよい。このため第１図ｄに
示す不感帯を持つ手本パターンは、第１０図ａ〜
ｃに示す検出パターンのいずれと比較しても不一
致画素を生じず、擬似欠陥を発生しない。
本実施例によれば、同一回路を多段に接続する
だけで、不感帯の大きさを任意に設定できるため
検出パターンの角部の丸みに対する許容限度を容
易に変更できる。
だけで、不感帯の大きさを任意に設定できるため
検出パターンの角部の丸みに対する許容限度を容
易に変更できる。
本発明の効果をより明確とするために、第１１
図（写真）を用いて説明する。
図（写真）を用いて説明する。
同図においてａは被検査パターン、ｂは対応す
る設計パターン、ｃはａとｂの比較により検出し
た欠陥、ｄは設計パターンに本発明を適用し、角
部を不感帯として被検査パターンと比較すること
により得られた検出欠陥である。
る設計パターン、ｃはａとｂの比較により検出し
た欠陥、ｄは設計パターンに本発明を適用し、角
部を不感帯として被検査パターンと比較すること
により得られた検出欠陥である。
設計パターンに比べ、被検査パターンは、角部
が丸くなつているため、不感帯を設けずに比較を
行うと、ほとんどすべての角部が欠陥として検出
されてしまう（擬似欠陥、第１１図ｃ）。
が丸くなつているため、不感帯を設けずに比較を
行うと、ほとんどすべての角部が欠陥として検出
されてしまう（擬似欠陥、第１１図ｃ）。
これに対し、設計パターン角部に不感帯を設
け、実用上害とならない程度の角部の丸みを許容
することにより、擬似欠陥の発生を確実に防止で
き、真の欠陥のみを検出することができる（同
ｄ）。
け、実用上害とならない程度の角部の丸みを許容
することにより、擬似欠陥の発生を確実に防止で
き、真の欠陥のみを検出することができる（同
ｄ）。
以上説明したように、本発明によれば、基準パ
ターン（手本パターン）の角部の数画素を不一致
判定禁止領域（不感帯領域）とし、この不感帯領
域の大きさを容易に設定できるので、角部におい
て様々な形状で検出されたとしても、即ち例えば
角部において１画素も欠落しない状態で検出され
る被検査パターンや数画素欠落した状態で検出さ
れる被検査パターンのいずれに対しても擬似欠陥
を発生させることなく、しかも角部が鋭角パター
ンであつても鈍角パターンであつてもこれら様々
な形状に影響を受けることなく、真の欠陥のみを
検出でき、信頼性の高いパターン検査を行うこと
ができる効果を奏する。
ターン（手本パターン）の角部の数画素を不一致
判定禁止領域（不感帯領域）とし、この不感帯領
域の大きさを容易に設定できるので、角部におい
て様々な形状で検出されたとしても、即ち例えば
角部において１画素も欠落しない状態で検出され
る被検査パターンや数画素欠落した状態で検出さ
れる被検査パターンのいずれに対しても擬似欠陥
を発生させることなく、しかも角部が鋭角パター
ンであつても鈍角パターンであつてもこれら様々
な形状に影響を受けることなく、真の欠陥のみを
検出でき、信頼性の高いパターン検査を行うこと
ができる効果を奏する。
第１図は本発明に係るパターン検査方法の原理
を説明する図、第２図及び第３図は本発明の実施
例を示す回路図、第４図は本発明の実施例の全体
を示すブロツク図、第５図は従来のパターン検査
装置を示す図、第６図は特徴抽出法による欠陥検
出の原理図、第７図は欠陥の誤検出の原因を説明
する図、第８図は誤検出を抑止する従来の欠陥検
査方法の説明図、第９図は第８図の検査方法の原
理の説明図、第１０図は検出パターンの２値化像
を示す図、第１１図は本発明の効果を示す図であ
る。 １３…１ライン遅延線、１４…シフトレジス
タ、１５…排他的論理和回路、１６…加算器、１
７…比較器、１８b′，１８b″…不感帯、１９…論
理和回路。
を説明する図、第２図及び第３図は本発明の実施
例を示す回路図、第４図は本発明の実施例の全体
を示すブロツク図、第５図は従来のパターン検査
装置を示す図、第６図は特徴抽出法による欠陥検
出の原理図、第７図は欠陥の誤検出の原因を説明
する図、第８図は誤検出を抑止する従来の欠陥検
査方法の説明図、第９図は第８図の検査方法の原
理の説明図、第１０図は検出パターンの２値化像
を示す図、第１１図は本発明の効果を示す図であ
る。 １３…１ライン遅延線、１４…シフトレジス
タ、１５…排他的論理和回路、１６…加算器、１
７…比較器、１８b′，１８b″…不感帯、１９…論
理和回路。
Claims (1)
- １ 基準パターンである基準パターン２値化絵素
信号について複数のシフトレジスタによつて３×
３の画素に切り出す第１の切り出し回路と該第１
の切り出し回路によつて切り出された３×３の画
素信号に対して着目画素と周囲の８画素との不一
致画素個数を検出し、この不一致画素個数が所定
の個数以上のとき基準パターンの角部における上
記着目画素として第１の不感帯画素信号を形成す
る第１の不感帯画素信号形成回路と該第１の不感
帯画素信号形成回路から得られる第１の不感帯画
素信号を複数のシフトレジスタによつて３×３の
画素に切り出す第２の切り出し回路と上記第１の
切り出し回路によつて切り出された３×３の画素
信号に対する着目画素の２値化絵素信号について
複数のシフトレジスタによつて３×３の画素に切
り出す第３の切り出し回路と該第３の切り出し回
路に切り出された３×３の画素信号に対して着目
画素と周囲の８画素の各々とについて不一致画素
信号を検出し、検出された不一致画素信号と上記
第２の切り出し回路によつて切り出された周囲の
８画素に切り出された第１の不感帯画素信号との
画素個数を検出し、これら検出された画素個数が
所定の個数以上のとき基準パターンの角部におけ
る上記着目画素として第２の不感帯画素信号を形
成する第２の不感帯画素信号形成回路とを有する
不感帯設定回路と、被検査パターンをイメージセ
ンサにより撮像して２値化回路により被検査２値
化画像信号を得る撮像手段と、該撮像手段によつ
て得られる被検査２値化画像信号と上記基準パタ
ーン２値化絵素信号との位置ずれ量を検出する位
置ずれ量検出回路と、該位置ずれ量検出回路で検
出された位置ずれ量に基いて上記被検査２値化画
像信号を位置ずれ補正する位置ずれ補正回路と、
該位置ずれ補正回路によつて補正された被検査２
値化画像信号と上記基準パターン２値化絵素信号
との不一致を検出する比較手段と、上記不感帯設
定回路の第２の不感帯画素信号形成回路から第２
の不感帯画素信号が検出されたとき、上記比較手
段から検出される不一致画素信号を無効にして出
力し、この出力された不一致画素信号が同時に所
定の画素数検出されたとき欠陥とする欠陥判定手
段とを有することを特徴とするパターン検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208186A JPS6186639A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | パターン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59208186A JPS6186639A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | パターン検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186639A JPS6186639A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0441777B2 true JPH0441777B2 (ja) | 1992-07-09 |
Family
ID=16552083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59208186A Granted JPS6186639A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | パターン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186639A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0623998B2 (ja) * | 1986-07-05 | 1994-03-30 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | パタ−ンマスキング方法およびその装置 |
| JPS63287892A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-24 | キヤノン株式会社 | ドツトパタ−ンチエツク装置 |
| JPH04244771A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-01 | Fanuc Ltd | 同期電動機の巻線切換による工作機械主軸駆動方式 |
| JP2003083910A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-03-19 | Ibiden Co Ltd | 回路パターン検査装置および回路パターン検査方法 |
| WO2006075687A1 (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Fujitsu Limited | パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5666894B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-02-12 | 株式会社総合車両製作所 | 外観検査装置及び外観検査方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832147A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Fujitsu Ltd | レチクル検査方法 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP59208186A patent/JPS6186639A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832147A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Fujitsu Ltd | レチクル検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186639A (ja) | 1986-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |