JPH04369287A - セラミック配線基板 - Google Patents
セラミック配線基板Info
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- JPH04369287A JPH04369287A JP3144769A JP14476991A JPH04369287A JP H04369287 A JPH04369287 A JP H04369287A JP 3144769 A JP3144769 A JP 3144769A JP 14476991 A JP14476991 A JP 14476991A JP H04369287 A JPH04369287 A JP H04369287A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック配線基板に関
し、より詳細にはＧａＡｓ半導体素子を収容する半導体
素子収納用パッケージやＧａＡｓ半導体素子、抵抗器、
コンデンサ等が載置固定される回路基板等に使用される
セラミック配線基板に関するものである。
し、より詳細にはＧａＡｓ半導体素子を収容する半導体
素子収納用パッケージやＧａＡｓ半導体素子、抵抗器、
コンデンサ等が載置固定される回路基板等に使用される
セラミック配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミック配線基板、例えば半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに使用さ
れるセラミック配線基板は、一般に酸化アルミニウム焼
結体（アルミナセラミックス） 等の電気絶縁材料から
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有し、且つ上面にモリブデン（Ｍｏ） 、タング
ステン（Ｗ） 等の高融点金属粉末から成るメタライズ
配線層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路
に電気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロ
ウ等のロウ材を介して取着された外部リード端子と、蓋
体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体
素子を載置固定し、半導体素子の各電極とメタライズ配
線層とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する
とともに絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等
から成る封止材により接合させ、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に半導体素子を気密に封止することによっ
て半導体装置となる。
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに使用さ
れるセラミック配線基板は、一般に酸化アルミニウム焼
結体（アルミナセラミックス） 等の電気絶縁材料から
成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するための
凹部を有し、且つ上面にモリブデン（Ｍｏ） 、タング
ステン（Ｗ） 等の高融点金属粉末から成るメタライズ
配線層を有する絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路
に電気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロ
ウ等のロウ材を介して取着された外部リード端子と、蓋
体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体
素子を載置固定し、半導体素子の各電極とメタライズ配
線層とをボンディングワイヤを介して電気的に接続する
とともに絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等
から成る封止材により接合させ、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に半導体素子を気密に封止することによっ
て半導体装置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
半導体素子は高速駆動化、高集積化が急激に進み、半導
体素子も従来のＳｉから高速駆動が可能なＧａＡｓの大
型のものが使用されるようになってきており、かかる大
型のＧａＡｓ半導体素子を従来の半導体素子収納用パッ
ケージに収容した場合、以下に述べる欠点を招来した。
半導体素子は高速駆動化、高集積化が急激に進み、半導
体素子も従来のＳｉから高速駆動が可能なＧａＡｓの大
型のものが使用されるようになってきており、かかる大
型のＧａＡｓ半導体素子を従来の半導体素子収納用パッ
ケージに収容した場合、以下に述べる欠点を招来した。
【０００４】即ち、半導体素子を構成するＧａＡｓ（ガ
リウム ヒ素）とパッケージの絶縁基体を構成するア
ルミナセラミックスの熱膨張係数がそれぞれ５．７ ×
１０−６／ ℃、６．５ 〜７．５ ×１０−６／ ℃
であり相違すること、半導体素子の形状が大型化し、半
導体素子の絶縁基体への載置接合面積が広くなってきて
いること等からパッケージの絶縁基体に半導体素子をロ
ウ材等の接着材を介して固定する際、ロウ材を加熱溶融
する熱が半導体素子と絶縁基体の両者に印加されると両
者間に熱膨張係数の相違に起因した大きな熱応力が発生
し、これが半導体素子にクラックや割れ等を発生させて
半導体素子の機能に障害を与えたり、半導体素子が絶縁
基体より剥離し、半導体素子を絶縁基体に強固に固定す
るとができないという欠点を招来する。
リウム ヒ素）とパッケージの絶縁基体を構成するア
ルミナセラミックスの熱膨張係数がそれぞれ５．７ ×
１０−６／ ℃、６．５ 〜７．５ ×１０−６／ ℃
であり相違すること、半導体素子の形状が大型化し、半
導体素子の絶縁基体への載置接合面積が広くなってきて
いること等からパッケージの絶縁基体に半導体素子をロ
ウ材等の接着材を介して固定する際、ロウ材を加熱溶融
する熱が半導体素子と絶縁基体の両者に印加されると両
者間に熱膨張係数の相違に起因した大きな熱応力が発生
し、これが半導体素子にクラックや割れ等を発生させて
半導体素子の機能に障害を与えたり、半導体素子が絶縁
基体より剥離し、半導体素子を絶縁基体に強固に固定す
るとができないという欠点を招来する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はＧａＡｓ半導体
素子を載置固定させるセラミック配線基板であって、該
セラミック配線基板がアルミナに対するムライトの体積
比を４：１乃至３：７としたアルミナとムライトの複合
焼結体から成ることを特徴とするものである。
素子を載置固定させるセラミック配線基板であって、該
セラミック配線基板がアルミナに対するムライトの体積
比を４：１乃至３：７としたアルミナとムライトの複合
焼結体から成ることを特徴とするものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明のセラミック配線基板を半導体素子収
納用パッケージに適用した場合の一実施例を示す断面図
であり、１ は絶縁基体、２ は蓋体である。この絶縁
基体１ と蓋体２ とで半導体素子４ を収容するため
の容器３ が構成される。
る。図１は本発明のセラミック配線基板を半導体素子収
納用パッケージに適用した場合の一実施例を示す断面図
であり、１ は絶縁基体、２ は蓋体である。この絶縁
基体１ と蓋体２ とで半導体素子４ を収容するため
の容器３ が構成される。
【０００７】前記絶縁基体１ はその上面中央部に半導
体素子４ を収容するための空所を形成する段状の凹部
が設けてあり、該凹部底面にはＧａＡｓから成る半導体
素子４ が接着材５ を介して固定される。
体素子４ を収容するための空所を形成する段状の凹部
が設けてあり、該凹部底面にはＧａＡｓから成る半導体
素子４ が接着材５ を介して固定される。
【０００８】前記絶縁基体１ はアルミナに対するムラ
イトの体積比を４：１乃至３：７としたアルミナ ム
ライトの複合焼結体から成り、例えばアルミナ（Ａｌ
２ Ｏ ３ ） 粉末とムライト（３Ａｌ ２ Ｏ ３
・２ＳｉＯ２ ） 粉末に適当な焼結助剤と有機溶剤、
溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法、カレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシート（ セラミック生シー
ト） を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し
、高温で焼成することによって製作される。
イトの体積比を４：１乃至３：７としたアルミナ ム
ライトの複合焼結体から成り、例えばアルミナ（Ａｌ
２ Ｏ ３ ） 粉末とムライト（３Ａｌ ２ Ｏ ３
・２ＳｉＯ２ ） 粉末に適当な焼結助剤と有機溶剤、
溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクタ
ーブレード法、カレンダーロール法等を採用することに
よってセラミックグリーンシート（ セラミック生シー
ト） を形成し、しかる後、前記セラミックグリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し
、高温で焼成することによって製作される。
【０００９】前記アルミナに対するムライトの体積比が
４：１乃至３：７であるアルミナムライト複合焼結体は
その熱膨張係数が５．０ ×１０−６／ ℃乃至６．４
×１０−６／ ℃であり、ＧａＡｓから成る半導体素
子４ の熱膨張係数（５．７×１０−６／ ℃） に近
似することから絶縁基体１ の凹部底面に半導体素子４
を接着材５ を介して固定する際、接着材５ を加熱溶
融させるための熱が絶縁基体１ と半導体素子４ の両
者に印加されたとしても両者間には大きな熱応力が発生
することは一切なく、該熱応力によって半導体素子４
にクラックや割れ等を発生させたり、半導体素子４ を
絶縁基体１より剥離させたりすることは皆無となる。
４：１乃至３：７であるアルミナムライト複合焼結体は
その熱膨張係数が５．０ ×１０−６／ ℃乃至６．４
×１０−６／ ℃であり、ＧａＡｓから成る半導体素
子４ の熱膨張係数（５．７×１０−６／ ℃） に近
似することから絶縁基体１ の凹部底面に半導体素子４
を接着材５ を介して固定する際、接着材５ を加熱溶
融させるための熱が絶縁基体１ と半導体素子４ の両
者に印加されたとしても両者間には大きな熱応力が発生
することは一切なく、該熱応力によって半導体素子４
にクラックや割れ等を発生させたり、半導体素子４ を
絶縁基体１より剥離させたりすることは皆無となる。
【００１０】尚、前記絶縁基体１ を構成するアルミナ
ムライト複合焼結体はアルミナに対するムライトの
体積比が４：１未満、或いは３：７を越えると絶縁基体
１ の熱膨張係数がＧａＡｓから成る半導体素子４ の
熱膨張係数と大きく相違し、その結果、絶縁基体１ の
凹部底面に半導体素子４ を加熱溶融させた接着材５
を介して固定する際、絶縁基体１ と半導体素子４ の
間に大きな熱応力が発生して半導体素子４にクラックや
割れ等を発生させてしまう。従って、絶縁基体１ を構
成するアルミナ ムライト複合焼結体はアルミナに対
するムライトの体積比を４：１乃至３：７の範囲とした
ものに特定される。
ムライト複合焼結体はアルミナに対するムライトの
体積比が４：１未満、或いは３：７を越えると絶縁基体
１ の熱膨張係数がＧａＡｓから成る半導体素子４ の
熱膨張係数と大きく相違し、その結果、絶縁基体１ の
凹部底面に半導体素子４ を加熱溶融させた接着材５
を介して固定する際、絶縁基体１ と半導体素子４ の
間に大きな熱応力が発生して半導体素子４にクラックや
割れ等を発生させてしまう。従って、絶縁基体１ を構
成するアルミナ ムライト複合焼結体はアルミナに対
するムライトの体積比を４：１乃至３：７の範囲とした
ものに特定される。
【００１１】また前記絶縁基体１ には凹部段状上面か
ら容器３ の外部に導出するメタライズ配線層６ が形
成されており、該メタライズ配線層６ の凹部段状上面
部には半導体素子４ の各電極がボンディングワイヤ７
を介して電気的に接続され、また容器３の外部に導出
された部位には外部電気回路と接続される鉄 ニッケ
ル合金から成る外部リード端子８ が銀ロウ等のロウ材
９ を介して取着される。
ら容器３ の外部に導出するメタライズ配線層６ が形
成されており、該メタライズ配線層６ の凹部段状上面
部には半導体素子４ の各電極がボンディングワイヤ７
を介して電気的に接続され、また容器３の外部に導出
された部位には外部電気回路と接続される鉄 ニッケ
ル合金から成る外部リード端子８ が銀ロウ等のロウ材
９ を介して取着される。
【００１２】前記絶縁基体１ に形成されたメタライズ
配線層６ はタングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有
機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基
体１ となるセラミックグリーンシートの上面に従来周
知のスクリーン印刷法等の厚膜手法により印刷塗布して
おくことによって絶縁基体１ の凹部段状上面から容器
３ の外部に導出するように被着形成される。
配線層６ はタングステン、モリブデン、マンガン等の
高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有
機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基
体１ となるセラミックグリーンシートの上面に従来周
知のスクリーン印刷法等の厚膜手法により印刷塗布して
おくことによって絶縁基体１ の凹部段状上面から容器
３ の外部に導出するように被着形成される。
【００１３】尚、前記絶縁基体１ に形成されたメタラ
イズ配線層６は絶縁基体１ がアルミナームライト複合
焼結体から成り、その誘電率が約８．０ 程度と従来の
アルミナセラミックスに比べ低い値となっている。その
ため絶縁基体１ に形成されたメタライズ配線層６ を
伝わる信号はその伝搬速度が極めて速いものとなり、そ
の結果、絶縁基体１ の凹部底面に高速駆動を行う半導
体素子４ を固定収容したとしても該半導体素子４ へ
の信号の出し入れはメタライズ配線層６ を介して極め
てスムーズに行うことができる。
イズ配線層６は絶縁基体１ がアルミナームライト複合
焼結体から成り、その誘電率が約８．０ 程度と従来の
アルミナセラミックスに比べ低い値となっている。その
ため絶縁基体１ に形成されたメタライズ配線層６ を
伝わる信号はその伝搬速度が極めて速いものとなり、そ
の結果、絶縁基体１ の凹部底面に高速駆動を行う半導
体素子４ を固定収容したとしても該半導体素子４ へ
の信号の出し入れはメタライズ配線層６ を介して極め
てスムーズに行うことができる。
【００１４】また前記絶縁基体１ に形成させたメタラ
イズ配線層６にロウ付けされる外部リード端子８ は内
部に収容する半導体素子４ を外部電気回路に接続する
作用を為し、外部リード端子８ を外部電気回路に接続
することによって内部に収容される半導体素子４ はメ
タライズ配線層６ 及び外部リード端子８ を介し外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。
イズ配線層６にロウ付けされる外部リード端子８ は内
部に収容する半導体素子４ を外部電気回路に接続する
作用を為し、外部リード端子８ を外部電気回路に接続
することによって内部に収容される半導体素子４ はメ
タライズ配線層６ 及び外部リード端子８ を介し外部
電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１５】尚、前記メタライズ配線層６ にロウ材９
を介してロウ付けされた外部リード端子８ はその外
表面に耐蝕性に優れた、良導電性であるニッケル（Ｎｉ
）や金（Ａｕ）等をメッキにより１．０ 乃至２０．０
μｍ の厚みに層着させておくと外部リード端子８ の
酸化腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子８
を外部電気回路に良好に電気的接続することができる
。従って、外部リード端子８ の外表面にはニッケル（
Ｎｉ）や金（Ａｕ）等をメッキにより１．０ 乃至２０
．０μｍ の厚みに層着させておくことが好ましい。
を介してロウ付けされた外部リード端子８ はその外
表面に耐蝕性に優れた、良導電性であるニッケル（Ｎｉ
）や金（Ａｕ）等をメッキにより１．０ 乃至２０．０
μｍ の厚みに層着させておくと外部リード端子８ の
酸化腐食が有効に防止されるとともに外部リード端子８
を外部電気回路に良好に電気的接続することができる
。従って、外部リード端子８ の外表面にはニッケル（
Ｎｉ）や金（Ａｕ）等をメッキにより１．０ 乃至２０
．０μｍ の厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１６】かくして前記絶縁基体１ の凹部底面にＧ
ａＡｓから成る半導体素子４ を接着材５ を介して載
置固定するとともに半導体素子４ の各電極をボンディ
ングワイヤ７を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体１ の上面に蓋体２ をガラス、樹脂、ロウ材等か
ら成る封止材を介して接合させ、容器３ を気密封止す
ることによって製品としての半導体装置となる。
ａＡｓから成る半導体素子４ を接着材５ を介して載
置固定するとともに半導体素子４ の各電極をボンディ
ングワイヤ７を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体１ の上面に蓋体２ をガラス、樹脂、ロウ材等か
ら成る封止材を介して接合させ、容器３ を気密封止す
ることによって製品としての半導体装置となる。
【００１７】（実験例）
次に本発明の作用効果を以下に示す実験例に基づき説明
する。
する。
【００１８】まず、アルミナとムライトを秤量して表１
に示す体積比のアルミナ ムライト複合焼結体を得
るとともに該複合焼結体の表面に２０ｍｍ角のタングス
テンから成るメタライズ配線層を各々、２０個被着形成
させる。
に示す体積比のアルミナ ムライト複合焼結体を得
るとともに該複合焼結体の表面に２０ｍｍ角のタングス
テンから成るメタライズ配線層を各々、２０個被着形成
させる。
【００１９】尚、表１ 中、試料番号１１は本発明品と
比較するための比較試料であり、従来一般に使用されて
いる酸化アルミニウム焼結体にタングステンから成るメ
タライズ配線層を被着形成したものである。
比較するための比較試料であり、従来一般に使用されて
いる酸化アルミニウム焼結体にタングステンから成るメ
タライズ配線層を被着形成したものである。
【００２０】次に前記各メタライズ配線層の上面に１５
ｍｍ角のＧａＡｓから成る半導体素子を半田を介して載
置させるとともに該半田を３００ ℃の温度で加熱溶融
させて半導体素子をメタライズ配線層上に固定させる。
ｍｍ角のＧａＡｓから成る半導体素子を半田を介して載
置させるとともに該半田を３００ ℃の温度で加熱溶融
させて半導体素子をメタライズ配線層上に固定させる。
【００２１】そして最後に前記メタライズ配線層上に固
定された半導体素子を顕微鏡及び肉眼で観察し、半導体
素子にクラックや割れ等が発生しているものの数を調べ
、クラック等の発生率を算出した。
定された半導体素子を顕微鏡及び肉眼で観察し、半導体
素子にクラックや割れ等が発生しているものの数を調べ
、クラック等の発生率を算出した。
【００２２】また同時にメタライズ配線層上に固定され
ている半導体素子を垂直方向に１０Ｋｇの力で引っ張り
、半導体素子がメタライズ配線層より剥離したものの数
を数え、剥離発生率を算出した尚、前記アルミナ ム
ライト複合焼結体及び酸化アルミニウム焼結体に形成し
たメタライズ配線層にはその表面にニッケルを２．０
μｍ の厚みに層着し、メタライズ配線層と半田との接
合性を良好なものとしておいた。上記の結果を表１ に
示す。
ている半導体素子を垂直方向に１０Ｋｇの力で引っ張り
、半導体素子がメタライズ配線層より剥離したものの数
を数え、剥離発生率を算出した尚、前記アルミナ ム
ライト複合焼結体及び酸化アルミニウム焼結体に形成し
たメタライズ配線層にはその表面にニッケルを２．０
μｍ の厚みに層着し、メタライズ配線層と半田との接
合性を良好なものとしておいた。上記の結果を表１ に
示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】上記実験結果からも判るように従来の酸化
アルミニウム焼結体に設けたメタライズ配線層に１５ｍ
ｍ角の大型のＧａＡｓ半導体素子を固定したものは固定
後の半導体素子にクラックや割れ等が２５％も発生して
しまい、また半導体素子のメタライズ配線層への固定も
その５５％が剥離し極めて弱いものとなる。これに対し
、本発明のアルミナに対するムライトの体積比を４：１
乃至３：７としたアルミナ ムライト複合焼結体はそ
の上面に設けたメタライズ配線層に１５ｍｍ角の大型の
ＧａＡｓ半導体素子を固定しても固定後の半導体素子に
はクラックや割れ等は殆ど発生せず、また半導体素子の
メタライズ配線層からの剥離も殆どなく、メタライズ配
線層に極めて強固に固定していることが判る。
アルミニウム焼結体に設けたメタライズ配線層に１５ｍ
ｍ角の大型のＧａＡｓ半導体素子を固定したものは固定
後の半導体素子にクラックや割れ等が２５％も発生して
しまい、また半導体素子のメタライズ配線層への固定も
その５５％が剥離し極めて弱いものとなる。これに対し
、本発明のアルミナに対するムライトの体積比を４：１
乃至３：７としたアルミナ ムライト複合焼結体はそ
の上面に設けたメタライズ配線層に１５ｍｍ角の大型の
ＧａＡｓ半導体素子を固定しても固定後の半導体素子に
はクラックや割れ等は殆ど発生せず、また半導体素子の
メタライズ配線層からの剥離も殆どなく、メタライズ配
線層に極めて強固に固定していることが判る。
【００２５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によればＧａＡｓ半
導体素子が載置固定させるセラミック配線基板をアルミ
ナに対するムライトの体積比が４：１乃至３：７である
アルミナ ムライトの複合焼結体で形成したことから
半導体素子と該半導体素子が載置固定されるセラミック
配線基板の各々の熱膨張係数が近似し、その結果、半導
体素子をセラミック配線基板に接着材を介して固定する
際、接着材を加熱溶融させるための熱がセラミック配線
基板と半導体素子の両者に印加されたとしても両者間に
は大きな熱応力が発生することは殆どなく、該熱応力に
よって半導体素子にクラックや割れ等を発生させたり、
半導体素子をセラミック配線基板より剥離させたりする
ことが皆無となる。
導体素子が載置固定させるセラミック配線基板をアルミ
ナに対するムライトの体積比が４：１乃至３：７である
アルミナ ムライトの複合焼結体で形成したことから
半導体素子と該半導体素子が載置固定されるセラミック
配線基板の各々の熱膨張係数が近似し、その結果、半導
体素子をセラミック配線基板に接着材を介して固定する
際、接着材を加熱溶融させるための熱がセラミック配線
基板と半導体素子の両者に印加されたとしても両者間に
は大きな熱応力が発生することは殆どなく、該熱応力に
よって半導体素子にクラックや割れ等を発生させたり、
半導体素子をセラミック配線基板より剥離させたりする
ことが皆無となる。
【００２６】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば半導体素子収納用パッケ
ージに変えて、ＧａＡｓ半導体素子や抵抗器、コンデン
サ等が載置固定される回路基板等にも適用可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば半導体素子収納用パッケ
ージに変えて、ＧａＡｓ半導体素子や抵抗器、コンデン
サ等が載置固定される回路基板等にも適用可能である。
【図１】本発明のセラミック配線基板を半導体素子収納
用パッケージに適用した場合の例を示す断面図である。
用パッケージに適用した場合の例を示す断面図である。
１・・・絶縁基体
２・・・蓋体
３・・・容器
４・・・半導体素子
５・・・接着材
６・・・メタライズ配線層
８・・・外部リード端子
Claims (1)
- 【請求項１】ＧａＡｓ半導体素子が載置固定されるセラ
ミック配線基板であって、アルミナに対するムライトの
体積比が４：１乃至３：７であるアルミナとムライトの
複合焼結体から成るセラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144769A JP2735708B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | セラミック配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3144769A JP2735708B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | セラミック配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04369287A true JPH04369287A (ja) | 1992-12-22 |
| JP2735708B2 JP2735708B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=15369994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3144769A Expired - Fee Related JP2735708B2 (ja) | 1991-06-17 | 1991-06-17 | セラミック配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735708B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013116826A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ムライトを主成分とする焼結体 |
| JP2014154668A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法 |
| JP2018162191A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびこれを用いた配線基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283249A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | セラミックス焼結用粉末組成物 |
| JPH02283662A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-11-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 材料セラミックス及びセラミック基板の製造方法 |
| JPH0334531A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板 |
-
1991
- 1991-06-17 JP JP3144769A patent/JP2735708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283249A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | セラミックス焼結用粉末組成物 |
| JPH02283662A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-11-21 | Hewlett Packard Co <Hp> | 材料セラミックス及びセラミック基板の製造方法 |
| JPH0334531A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013116826A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ムライトを主成分とする焼結体 |
| JP2014154668A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法 |
| JP2018162191A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびこれを用いた配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735708B2 (ja) | 1998-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |