JPH04266052A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH04266052A JPH04266052A JP3049069A JP4906991A JPH04266052A JP H04266052 A JPH04266052 A JP H04266052A JP 3049069 A JP3049069 A JP 3049069A JP 4906991 A JP4906991 A JP 4906991A JP H04266052 A JPH04266052 A JP H04266052A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路素子を収
容するための半導体素子収納用パッケージの改良に関す
るものである。
容するための半導体素子収納用パッケージの改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子、特にＬＳＩ 等の半
導体集積回路素子を収容するための半導体素子収納用パ
ッケージは、一般にアルミナセラミックス等の電気絶縁
材料から成り、その上面略中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹部及び該凹部周辺より外周端にかけ
て導出されたタングステン（Ｗ） 、モリブデン（Ｍｏ
）等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層を有す
る絶縁基体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電
気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等
のロウ材を介し取着された外部リード端子と金属製蓋体
とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体集
積回路素子を取着収容するとともに該半導体集積回路素
子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配
線層に接続し、しかる後、絶縁基体上面に金属製蓋体を
取着させ絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内部に半
導体集積回路素子を気密に封止することによって最終製
品としての半導体装置となる。
導体集積回路素子を収容するための半導体素子収納用パ
ッケージは、一般にアルミナセラミックス等の電気絶縁
材料から成り、その上面略中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹部及び該凹部周辺より外周端にかけ
て導出されたタングステン（Ｗ） 、モリブデン（Ｍｏ
）等の高融点金属粉末から成るメタライズ配線層を有す
る絶縁基体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電
気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等
のロウ材を介し取着された外部リード端子と金属製蓋体
とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体集
積回路素子を取着収容するとともに該半導体集積回路素
子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配
線層に接続し、しかる後、絶縁基体上面に金属製蓋体を
取着させ絶縁基体と金属製蓋体とから成る容器内部に半
導体集積回路素子を気密に封止することによって最終製
品としての半導体装置となる。
【０００３】尚、前記絶縁基体はその上面にコバール金
属や４２Ａｌｌｏｙ 等から成る金属枠体が予めロウ付
けされており、該金属枠体に金属製蓋体をシームウエル
ド等により溶接することによって金属製蓋体は絶縁基体
に取着され、容器が気密に封止される。
属や４２Ａｌｌｏｙ 等から成る金属枠体が予めロウ付
けされており、該金属枠体に金属製蓋体をシームウエル
ド等により溶接することによって金属製蓋体は絶縁基体
に取着され、容器が気密に封止される。
【０００４】しかしながら、近時、半導体集積回路素子
の大型化、信号の伝播速度の高速化が急激に進み、該半
導体集積回路素子を上記従来の半導体素子収納用パッケ
ージに収容した場合、以下に述べる欠点を有したものと
なる。
の大型化、信号の伝播速度の高速化が急激に進み、該半
導体集積回路素子を上記従来の半導体素子収納用パッケ
ージに収容した場合、以下に述べる欠点を有したものと
なる。
【０００５】即ち、（１） 半導体集積回路素子を構成
するシリコンとパッケージの絶縁基体を構成するアルミ
ナセラミックスの熱膨張係数がそれぞれ３．０ 〜３．
５ ×１０−６／ ℃、６．０ 〜７．５ ×１０−６
／ ℃であり、大きく相違することから両者に半導体集
積回路素子を作動させた際等に発生する熱が印加される
と両者間に大きな熱応力が発生し、該熱応力によって半
導体集積回路素子が破損したり、絶縁基体より剥離して
半導体装置としての機能を喪失させてしまう
するシリコンとパッケージの絶縁基体を構成するアルミ
ナセラミックスの熱膨張係数がそれぞれ３．０ 〜３．
５ ×１０−６／ ℃、６．０ 〜７．５ ×１０−６
／ ℃であり、大きく相違することから両者に半導体集
積回路素子を作動させた際等に発生する熱が印加される
と両者間に大きな熱応力が発生し、該熱応力によって半
導体集積回路素子が破損したり、絶縁基体より剥離して
半導体装置としての機能を喪失させてしまう
【０００６】（２） パッケージの絶縁基体を構成する
アルミナセラミックスはその誘電率が９ 〜１０（ 室
温１ＭＨｚ） と高いため、絶縁基体に設けたメタライ
ズ配線層を伝わる信号の伝播速度が遅く、そのため信号
の高速伝播を要求する半導体集積回路素子はその搭載収
容が不可となる等の欠点を有していた。
アルミナセラミックスはその誘電率が９ 〜１０（ 室
温１ＭＨｚ） と高いため、絶縁基体に設けたメタライ
ズ配線層を伝わる信号の伝播速度が遅く、そのため信号
の高速伝播を要求する半導体集積回路素子はその搭載収
容が不可となる等の欠点を有していた。
【０００７】そこで上記欠点を解消するために半導体素
子収納用パッケージの絶縁基体をアルミナセラミックス
に代えて半導体集積回路素子を構成するシリコンの熱膨
張係数（３．０〜３．５ ×１０−６／ ℃） と近似
した熱膨張係数４．０ 〜４．５ ×１０−６／ ℃を
有し、且つ誘電率が６．３ と低いムライト質焼結体を
用いることが検討されている。
子収納用パッケージの絶縁基体をアルミナセラミックス
に代えて半導体集積回路素子を構成するシリコンの熱膨
張係数（３．０〜３．５ ×１０−６／ ℃） と近似
した熱膨張係数４．０ 〜４．５ ×１０−６／ ℃を
有し、且つ誘電率が６．３ と低いムライト質焼結体を
用いることが検討されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このム
ライト質焼結体をパッケージの絶縁基体として使用した
場合、該ムライト質焼結体はその熱膨張係数が４．０
〜４．５ ×１０−６／ ℃であり、金属枠体の熱膨張
係数（ コバール金属や４２Ａｌｌｏｙ ：５．２〜６
．０ ×１０−６／ ℃） と相違するため絶縁基体に
金属枠体をロウ付けするとロウ付け部に両者の熱膨張係
数の相違に起因する熱応力が内在し、その結果、金属枠
体に小さな外力が印加されても該外力は前記内在応力と
相俊って大きくなり、金属枠体を絶縁基体より剥がれさ
せてしまうという欠点を誘発した。
ライト質焼結体をパッケージの絶縁基体として使用した
場合、該ムライト質焼結体はその熱膨張係数が４．０
〜４．５ ×１０−６／ ℃であり、金属枠体の熱膨張
係数（ コバール金属や４２Ａｌｌｏｙ ：５．２〜６
．０ ×１０−６／ ℃） と相違するため絶縁基体に
金属枠体をロウ付けするとロウ付け部に両者の熱膨張係
数の相違に起因する熱応力が内在し、その結果、金属枠
体に小さな外力が印加されても該外力は前記内在応力と
相俊って大きくなり、金属枠体を絶縁基体より剥がれさ
せてしまうという欠点を誘発した。
【０００９】本発明は上面に金属枠体がロウ付けされた
絶縁基体と金属製蓋体とから成り、絶縁基体の金属枠体
に金属製蓋体を取着することによって内部に半導体集積
回路素子を収容するようになした半導体素子収納用パッ
ケージにおいて、前記絶縁基体をムライト質焼結体で形
成し、且つ金属枠体をニッケル４１．５乃至４２．５重
量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金から成る芯
体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層の断面積が
芯体の断面積の２０乃至４０％ となるように被着させ
た金属体で形成したことを特徴とするものである。
絶縁基体と金属製蓋体とから成り、絶縁基体の金属枠体
に金属製蓋体を取着することによって内部に半導体集積
回路素子を収容するようになした半導体素子収納用パッ
ケージにおいて、前記絶縁基体をムライト質焼結体で形
成し、且つ金属枠体をニッケル４１．５乃至４２．５重
量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金から成る芯
体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層の断面積が
芯体の断面積の２０乃至４０％ となるように被着させ
た金属体で形成したことを特徴とするものである。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付図面に示す実施例に基づき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明にかかる半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示す断面図であり、１ は絶縁基
体、２ は金属製蓋体である。この絶縁基体１ と金属
製蓋体２ とで半導体集積回路素子４ を収容するため
の容器３ が構成される。
ッケージの一実施例を示す断面図であり、１ は絶縁基
体、２ は金属製蓋体である。この絶縁基体１ と金属
製蓋体２ とで半導体集積回路素子４ を収容するため
の容器３ が構成される。
【００１２】前記絶縁基体１ はその上面中央部に半導
体集積回路素子４を収容するための空所を形成する段状
の凹部Ａが設けてあり、凹部Ａ底面には半導体集積回路
素子４ が接着材を介し取着される。
体集積回路素子４を収容するための空所を形成する段状
の凹部Ａが設けてあり、凹部Ａ底面には半導体集積回路
素子４ が接着材を介し取着される。
【００１３】前記絶縁基体１ はムライト質焼結体から
成り、該ムライト質焼結体はその熱膨張係数が４．０
〜４．５ ×１０−６／ ℃であり、半導体集積回路素
子４ を構成するシリコンの熱膨張係数（３．０〜３．
５ ×１０−６／ ℃） と近似することから絶縁基体
１ の凹部Ａ底面に半導体集積回路素子４ を取着収容
した後、両者に半導体集積回路素子４ を作動させた際
等に発生する熱が印加されたとしても両者間には大きな
熱応力が発生することはなく、該熱応力によって半導体
集積回路素子４ が破損したり、絶縁基体１ より剥離
したりすることはない。
成り、該ムライト質焼結体はその熱膨張係数が４．０
〜４．５ ×１０−６／ ℃であり、半導体集積回路素
子４ を構成するシリコンの熱膨張係数（３．０〜３．
５ ×１０−６／ ℃） と近似することから絶縁基体
１ の凹部Ａ底面に半導体集積回路素子４ を取着収容
した後、両者に半導体集積回路素子４ を作動させた際
等に発生する熱が印加されたとしても両者間には大きな
熱応力が発生することはなく、該熱応力によって半導体
集積回路素子４ が破損したり、絶縁基体１ より剥離
したりすることはない。
【００１４】また前記絶縁基体１ には凹部Ａの周辺か
ら容器３ の外部にかけてメタライズ配線層５ が形成
されており、該メタライズ配線層５ の凹部Ａ周辺部に
は半導体集積回路素子４ の各電極がボンディングワイ
ヤ６ を介し電気的に接続され、また容器３ の外部に
導出された部位には外部電気回路と接続される外部リー
ド端子７ が銀ロウ等のロウ材８ を介し取着されてい
る。
ら容器３ の外部にかけてメタライズ配線層５ が形成
されており、該メタライズ配線層５ の凹部Ａ周辺部に
は半導体集積回路素子４ の各電極がボンディングワイ
ヤ６ を介し電気的に接続され、また容器３ の外部に
導出された部位には外部電気回路と接続される外部リー
ド端子７ が銀ロウ等のロウ材８ を介し取着されてい
る。
【００１５】尚、前記ムライト質焼結体から成る絶縁基
体１ は例えば、ムライト（３ Ａｌ ２ Ｏ３・２Ｓ
ｉＯ２ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシア（
ＭｇＯ） 、カルシア（ＣａＯ） 等の原料粉末に適当
な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに
これをドクターブレード法を採用することによってセラ
ミックグリーンシート（ セラミック生シート） を形
成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（１
４００〜１８００℃） で焼成することによって製作さ
れる。
体１ は例えば、ムライト（３ Ａｌ ２ Ｏ３・２Ｓ
ｉＯ２ ） 、シリカ（ＳｉＯ２ ） 、マグネシア（
ＭｇＯ） 、カルシア（ＣａＯ） 等の原料粉末に適当
な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに
これをドクターブレード法を採用することによってセラ
ミックグリーンシート（ セラミック生シート） を形
成し、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに複数枚積層し、高温（１
４００〜１８００℃） で焼成することによって製作さ
れる。
【００１６】また前記メタライズ金属層５ はタングス
テン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、従来周
知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用することによ
って絶縁基体１ の凹部Ａ周辺から容器３ の外部に導
出するよう被着形成される。
テン、モリブデン等の高融点金属粉末から成り、従来周
知のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用することによ
って絶縁基体１ の凹部Ａ周辺から容器３ の外部に導
出するよう被着形成される。
【００１７】前記メタライズ配線層５ は絶縁基体１
を構成するムライト質焼結体の誘電率が６．３ と低い
ことからそれを伝わる電気信号の伝播速度を極めて速い
ものとなすことができ、これによってパッケージ内に信
号の伝播速度が速い高速駆動を行う半導体集積回路素子
４ を収容することも可能となる。
を構成するムライト質焼結体の誘電率が６．３ と低い
ことからそれを伝わる電気信号の伝播速度を極めて速い
ものとなすことができ、これによってパッケージ内に信
号の伝播速度が速い高速駆動を行う半導体集積回路素子
４ を収容することも可能となる。
【００１８】また前記メタライズ配線層５ にロウ付け
される外部リード端子７ は内部に収容する半導体集積
回路素子４ を外部電気回路に接続する作用を為し、外
部リード端子７ を外部電気回路に接続することによっ
て内部に収容される半導体集積回路素子４ はメタライ
ズ配線層５ 及び外部リード端子７ を介し外部電気回
路に電気的に接続されることとなる。
される外部リード端子７ は内部に収容する半導体集積
回路素子４ を外部電気回路に接続する作用を為し、外
部リード端子７ を外部電気回路に接続することによっ
て内部に収容される半導体集積回路素子４ はメタライ
ズ配線層５ 及び外部リード端子７ を介し外部電気回
路に電気的に接続されることとなる。
【００１９】前記外部リード端子７ はコバール金属や
４２Ａｌｌｏｙ 等の金属から成り、コバール金属等の
インゴット（ 塊） を従来周知の圧延加工法を採用す
ることによって所定の板状に形成される。
４２Ａｌｌｏｙ 等の金属から成り、コバール金属等の
インゴット（ 塊） を従来周知の圧延加工法を採用す
ることによって所定の板状に形成される。
【００２０】また前記絶縁基体１ にはその上面にメタ
ライズ金属層９ が被着形成されており、該メタライズ
金属層９ 上には金属枠体１０が銀ロウ等のロウ材を介
しロウ付けされている。
ライズ金属層９ が被着形成されており、該メタライズ
金属層９ 上には金属枠体１０が銀ロウ等のロウ材を介
しロウ付けされている。
【００２１】前記絶縁基体１ 上面のメタライズ金属層
９ はタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末か
ら成り、該タングステン粉末等に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１ の上面
に従来周知のスクリーン印刷法により印刷塗布するとと
もにこれを高温で焼き付けることによって絶縁基体１
の上面に被着形成される。
９ はタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末か
ら成り、該タングステン粉末等に適当な有機溶剤、溶媒
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１ の上面
に従来周知のスクリーン印刷法により印刷塗布するとと
もにこれを高温で焼き付けることによって絶縁基体１
の上面に被着形成される。
【００２２】また前記メタライズ金属層９ にロウ付け
される金属枠体１０は金属製蓋体２ を絶縁基体１ に
取着する際の下地金属部材として作用し、金属枠体１０
に金属製蓋体２ をシームウエルド法等により溶接する
ことによって金属製蓋体２ は絶縁基体１ 上に取着さ
れる。
される金属枠体１０は金属製蓋体２ を絶縁基体１ に
取着する際の下地金属部材として作用し、金属枠体１０
に金属製蓋体２ をシームウエルド法等により溶接する
ことによって金属製蓋体２ は絶縁基体１ 上に取着さ
れる。
【００２３】前記金属枠体１０はニッケル４１．５乃至
４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金
から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層
の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるよう
に被着させた金属体から成り、その熱膨張係数が４．７
〜４．９ ×１０−６／ ℃のものとなっている。
４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金
から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層
の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるよう
に被着させた金属体から成り、その熱膨張係数が４．７
〜４．９ ×１０−６／ ℃のものとなっている。
【００２４】前記金属枠体１０はその熱膨張係数が４．
７ 〜４．９×１０−６／ ℃であり、絶縁基体１ を
構成するムライト質焼結体の熱膨張係数と近似している
ことから絶縁基体１ に被着させたメタライズ金属層９
に金属枠体１０をロウ付けする際、絶縁基体１ と金
属枠体１０との間には両者の熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、両者のロウ付け
部に大きな応力が内在することもない。従って、ロウ付
け後、金属枠体２ に外力が印加されたとしても該外力
がロウ付け部に内在する応力と相俊って大となり、金属
枠体２ を絶縁基体１より剥がれさせることはない。
７ 〜４．９×１０−６／ ℃であり、絶縁基体１ を
構成するムライト質焼結体の熱膨張係数と近似している
ことから絶縁基体１ に被着させたメタライズ金属層９
に金属枠体１０をロウ付けする際、絶縁基体１ と金
属枠体１０との間には両者の熱膨張係数の相違に起因す
る大きな熱応力が発生することはなく、両者のロウ付け
部に大きな応力が内在することもない。従って、ロウ付
け後、金属枠体２ に外力が印加されたとしても該外力
がロウ付け部に内在する応力と相俊って大となり、金属
枠体２ を絶縁基体１より剥がれさせることはない。
【００２５】尚、前記金属枠体１０は、例えばニッケル
４１．５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５
重量％を加熱溶融させてニッケルー鉄合金のインゴット
（ 塊） を作り、次に前記インゴットの外表面に銅を
圧接させ、しかる後、これを圧延することによって製作
される。
４１．５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５
重量％を加熱溶融させてニッケルー鉄合金のインゴット
（ 塊） を作り、次に前記インゴットの外表面に銅を
圧接させ、しかる後、これを圧延することによって製作
される。
【００２６】また前記金属枠体１０はニッケル、鉄の量
及び芯体と被覆層の断面積の比率が上述した範囲から外
れると金属枠体１０の熱膨張係数が絶縁基体１ を構成
するムライト質焼結体に対して大きくなりすぎ、その結
果、金属枠体１０を絶縁基体１ に強固に取着させるこ
とができなくなる。従って、前記金属枠体１０はニッケ
ル４１．５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．
５重量％の合金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆
層を、該被覆層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０
％ となるように被着させた金属体で形成するものに特
定される。
及び芯体と被覆層の断面積の比率が上述した範囲から外
れると金属枠体１０の熱膨張係数が絶縁基体１ を構成
するムライト質焼結体に対して大きくなりすぎ、その結
果、金属枠体１０を絶縁基体１ に強固に取着させるこ
とができなくなる。従って、前記金属枠体１０はニッケ
ル４１．５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．
５重量％の合金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆
層を、該被覆層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０
％ となるように被着させた金属体で形成するものに特
定される。
【００２７】また前記メタライズ金属層９ 及び金属枠
体１０はその各々の露出外表面にニッケル、金等の耐蝕
性に優れた金属をメッキにより２．０乃至２０．０μｍ
の厚みに層着させておくとメタライズ金属層９及び金
属枠体１０が酸化腐食し、変色するのを有効に防止する
ことができる。 従って、メタライズ金属層９ 及び金属枠体１０の露出
外表面には酸化腐食による変色を有効に防止するために
ニッケル、金等を２．０ 乃至２０．０μｍ の厚みに
層着しておくことが好ましい。
体１０はその各々の露出外表面にニッケル、金等の耐蝕
性に優れた金属をメッキにより２．０乃至２０．０μｍ
の厚みに層着させておくとメタライズ金属層９及び金
属枠体１０が酸化腐食し、変色するのを有効に防止する
ことができる。 従って、メタライズ金属層９ 及び金属枠体１０の露出
外表面には酸化腐食による変色を有効に防止するために
ニッケル、金等を２．０ 乃至２０．０μｍ の厚みに
層着しておくことが好ましい。
【００２８】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば絶縁基体１ の凹部Ａ 底面に半導体集積
回路素子４ を接着材を介し取着するとともに半導体集
積回路素子４ の各電極をメタライズ配線層５ にボン
ディングワイヤ６ を介し電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体１ の上面にロウ付けした金属枠体１０に金属
製蓋体２ をシームウエルド法等により溶接し、容器３
の内部を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
ージによれば絶縁基体１ の凹部Ａ 底面に半導体集積
回路素子４ を接着材を介し取着するとともに半導体集
積回路素子４ の各電極をメタライズ配線層５ にボン
ディングワイヤ６ を介し電気的に接続し、しかる後、
絶縁基体１ の上面にロウ付けした金属枠体１０に金属
製蓋体２ をシームウエルド法等により溶接し、容器３
の内部を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
【００２９】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば外部リード端子７ を
金属枠体１０と同じ金属体、即ち、ニッケル４１．５乃
至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合
金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆
層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるよ
うに被着させた金属体を使用すれば外部リード端子７
の絶縁基体１ への取着が極めて強固なものとなる。従
って、外部リード端子７ を絶縁基体１ に極めて強固
に取着させるには外部リード端子７ をニッケル４１．
５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％
の合金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該
被覆層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ とな
るように被着させた金属体で形成しておくことが好まし
い。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば外部リード端子７ を
金属枠体１０と同じ金属体、即ち、ニッケル４１．５乃
至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合
金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆
層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるよ
うに被着させた金属体を使用すれば外部リード端子７
の絶縁基体１ への取着が極めて強固なものとなる。従
って、外部リード端子７ を絶縁基体１ に極めて強固
に取着させるには外部リード端子７ をニッケル４１．
５乃至４２．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％
の合金から成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該
被覆層の断面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ とな
るように被着させた金属体で形成しておくことが好まし
い。
【００３０】また外部リード端子７ の露出外表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性である金属
をメッキにより２．０ 乃至２０．０μｍ の厚みに層
着させておくと外部リード端子７ が酸化腐食し、変色
するのを有効に防止することができるとともに外部リー
ド端子７ と外部電気回路との電気的接続を極めて良好
なものとなすことができる。従って、外部リード端子７
の酸化腐食による変色を有効に防止し、且つ外部電気
回路との電気的接続を良好とするためには外部リード端
子７ の露出外表面にニッケル、金等を２．０ 乃至２
０．０μｍ の厚みに層着しておくことが好ましい。
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性である金属
をメッキにより２．０ 乃至２０．０μｍ の厚みに層
着させておくと外部リード端子７ が酸化腐食し、変色
するのを有効に防止することができるとともに外部リー
ド端子７ と外部電気回路との電気的接続を極めて良好
なものとなすことができる。従って、外部リード端子７
の酸化腐食による変色を有効に防止し、且つ外部電気
回路との電気的接続を良好とするためには外部リード端
子７ の露出外表面にニッケル、金等を２．０ 乃至２
０．０μｍ の厚みに層着しておくことが好ましい。
【００３１】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、半導体集積回路素子を収容する容器をムライト
質焼結体で形成したことから絶縁容器の熱膨張係数を半
導体集積回路素子の熱膨張係数に近似させることができ
、その結果、絶縁容器内に半導体集積回路素子を収容し
た後、半導体集積回路素子を作動させた際等に発生する
熱が絶縁基体と半導体集積回路素子の両者に印加された
としても両者間には大きな熱応力が発生することはなく
、該熱応力によって半導体集積回路素子が破損したり、
絶縁基体より剥離したりすることはない。
よれば、半導体集積回路素子を収容する容器をムライト
質焼結体で形成したことから絶縁容器の熱膨張係数を半
導体集積回路素子の熱膨張係数に近似させることができ
、その結果、絶縁容器内に半導体集積回路素子を収容し
た後、半導体集積回路素子を作動させた際等に発生する
熱が絶縁基体と半導体集積回路素子の両者に印加された
としても両者間には大きな熱応力が発生することはなく
、該熱応力によって半導体集積回路素子が破損したり、
絶縁基体より剥離したりすることはない。
【００３２】またムライト質焼結体より成る絶縁基体は
その誘電率が６．３ と低いため該絶縁基体に設けたメ
タライズ配線層を伝わる電気信号の伝播速度を極めて速
いものとなすことができ、その結果、絶縁容器内部に高
速駆動を行う半導体集積回路素子の収容も可能となる。
その誘電率が６．３ と低いため該絶縁基体に設けたメ
タライズ配線層を伝わる電気信号の伝播速度を極めて速
いものとなすことができ、その結果、絶縁容器内部に高
速駆動を行う半導体集積回路素子の収容も可能となる。
【００３３】更に金属枠体をニッケル４１．５乃至４２
．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金から
成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層の断
面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるように被
着させた金属体で形成したことからその熱膨張係数を絶
縁基体に近似させることができ、その結果、絶縁基体の
上面に金属枠体をロウ付けする際、絶縁基体と金属枠体
との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力は
殆ど発生せず、絶縁基体上面に金属枠体を極めて強固に
ロウ付けすることを可能として高信頼性の半導体素子収
納用パッケージを提供することもできる。
．５重量％、鉄５７．５乃至５８．５重量％の合金から
成る芯体の外表面に銅から成る被覆層を、該被覆層の断
面積が芯体の断面積の２０乃至４０％ となるように被
着させた金属体で形成したことからその熱膨張係数を絶
縁基体に近似させることができ、その結果、絶縁基体の
上面に金属枠体をロウ付けする際、絶縁基体と金属枠体
との間には両者の熱膨張係数の相違に起因する熱応力は
殆ど発生せず、絶縁基体上面に金属枠体を極めて強固に
ロウ付けすることを可能として高信頼性の半導体素子収
納用パッケージを提供することもできる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・絶縁基体
２・・・金属製蓋体
３・・・容器
５・・・メタライズ配線層
７・・・外部リード端子
９・・・メタライズ金属層
１０・・金属枠体
Ａ・・・凹部
Claims (1)
- 【請求項１】上面に金属枠体がロウ付けされた絶縁基体
と金属製蓋体とから成り、絶縁基体の金属枠体に金属製
蓋体を取着することによって内部に半導体集積回路素子
を収容するようになした半導体素子収納用パッケージに
おいて、前記絶縁基体をムライト質焼結体で形成し、且
つ金属枠体をニッケル４１．５乃至４２．５重量％、鉄
５７．５乃至５８．５重量％の合金から成る芯体の外表
面に銅から成る被覆層を、該被覆層の断面積が芯体の断
面積の２０乃至４０％ となるように被着させた金属体
で形成したことを特徴とする半導体素子収納用パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049069A JP2873105B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3049069A JP2873105B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04266052A true JPH04266052A (ja) | 1992-09-22 |
| JP2873105B2 JP2873105B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=12820793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3049069A Expired - Fee Related JP2873105B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873105B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7069859B2 (en) | 2000-07-18 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Planographic printing plate packaging structure and method for packaging planographic printing plate |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3049069A patent/JP2873105B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7069859B2 (en) | 2000-07-18 | 2006-07-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Planographic printing plate packaging structure and method for packaging planographic printing plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2873105B2 (ja) | 1999-03-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |