JPH0435510A - 高周波検波回路 - Google Patents
高周波検波回路Info
- Publication number
- JPH0435510A JPH0435510A JP2141778A JP14177890A JPH0435510A JP H0435510 A JPH0435510 A JP H0435510A JP 2141778 A JP2141778 A JP 2141778A JP 14177890 A JP14177890 A JP 14177890A JP H0435510 A JPH0435510 A JP H0435510A
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- Japan
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- diode
- circuit
- detection
- high frequency
- detection circuit
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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- Amplifiers (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイオード検波回路を用いた高周波検波回路
に係り、特に温度変化に対して安定な検波特性を得られ
る高周波検波回路に関するものである。
に係り、特に温度変化に対して安定な検波特性を得られ
る高周波検波回路に関するものである。
第８図のような基本的なダイオード検波回路におけるダ
イオードＤの順方向電圧ｖｆは、第９図に示すように一
般的に一２ｍＶ／”Ｃ程度温度によって変化する。この
ため、高周波入力電圧が大きい場合は温度変化を無視で
きるが、入力が微小になるにしたがって検波出力電圧の
誤差が問題となってくる。
イオードＤの順方向電圧ｖｆは、第９図に示すように一
般的に一２ｍＶ／”Ｃ程度温度によって変化する。この
ため、高周波入力電圧が大きい場合は温度変化を無視で
きるが、入力が微小になるにしたがって検波出力電圧の
誤差が問題となってくる。
本発明はこのような従来の欠点に鑑みてなされたもので
、ダイオード検波回路における検波出力の温度変化に対
する変動を補償し安定化を図ることを目的とする。
、ダイオード検波回路における検波出力の温度変化に対
する変動を補償し安定化を図ることを目的とする。
本発明による高周波検波回路は、直流的に絶対値が同一
の電流がそれぞれ出力される二つのダイオード検波回路
と、差動増幅回路又は加算回路を設け、高周波信号を一
方のダイオード検波回路にのみ入力するとともに、それ
ぞれのダイオード検波回路の出力端子を差動増幅回路又
は加算回路に接続して、減算あるいは加算することによ
り、検波用ダイオードの温度変化の影響が打ち消される
ようにしたものである。
の電流がそれぞれ出力される二つのダイオード検波回路
と、差動増幅回路又は加算回路を設け、高周波信号を一
方のダイオード検波回路にのみ入力するとともに、それ
ぞれのダイオード検波回路の出力端子を差動増幅回路又
は加算回路に接続して、減算あるいは加算することによ
り、検波用ダイオードの温度変化の影響が打ち消される
ようにしたものである。
第１図は本発明による高周波検波回路の一実施例を示す
回路図である。検波用ダイオードＤ、とコンデンサＣＩ
、抵抗Ｒ１およびバイアス用の電源Ｅ１によって第１の
ダイオード検波回路１が形成されている。一方、検波用
ダイオードＤ２とコンデンサＣ２、抵抗Ｒ２およびバイ
アス用可変電圧源Ｅ２によって第２のダイオード検波回
路２が形成されている。そして抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４、抵
抗Ｒ５、抵抗Ｒ６と演算増幅器Ｑ、によって構成された
差動増幅回路５の入力側に、ダイオード検波回路１．２
のそれぞれの出力端子３．４が接続しである。
回路図である。検波用ダイオードＤ、とコンデンサＣＩ
、抵抗Ｒ１およびバイアス用の電源Ｅ１によって第１の
ダイオード検波回路１が形成されている。一方、検波用
ダイオードＤ２とコンデンサＣ２、抵抗Ｒ２およびバイ
アス用可変電圧源Ｅ２によって第２のダイオード検波回
路２が形成されている。そして抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４、抵
抗Ｒ５、抵抗Ｒ６と演算増幅器Ｑ、によって構成された
差動増幅回路５の入力側に、ダイオード検波回路１．２
のそれぞれの出力端子３．４が接続しである。
ダイオードＤ＋ とダイオードＤ２、およびコンデン
サＣ＋ 、Ｃｔ 、抵抗Ｒ＋、Ｒｚには、それぞれ互い
に同一の特性のものが選ばれている。また抵抗Ｒ３と抵
抗Ｒ５、および抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ６はそれぞれ同一の値
のものが用いられている。
サＣ＋ 、Ｃｔ 、抵抗Ｒ＋、Ｒｚには、それぞれ互い
に同一の特性のものが選ばれている。また抵抗Ｒ３と抵
抗Ｒ５、および抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ６はそれぞれ同一の値
のものが用いられている。
ダイオード可変電圧源Ｅ２は、ダイオード検波回路１と
ダイオード検波回路２のそれぞれの出力電圧Ｖ、 、Ｖ
２が高周波入力信号０のときに等しくなり、差動増幅回
路５の出力電圧■３がＯとなるように調整されている。
ダイオード検波回路２のそれぞれの出力電圧Ｖ、 、Ｖ
２が高周波入力信号０のときに等しくなり、差動増幅回
路５の出力電圧■３がＯとなるように調整されている。
高周波入力信号は一方のダイオード検波回路１のみに供
給される。
給される。
ここで、ダイオード検波回路１０入力端子６に高周波信
号が入力された場合を考える。
号が入力された場合を考える。
ダイオードＤ＋、Ｄｚの周囲の温度が２５°Ｃのとき、
検波回路１．２の出力電圧Ｖｌ、■２はそれぞれ例えば
、第２図の（イ）、（ロ）のようになる。そして、差動
増幅回路５の出力電圧■３は、Ｖ、＝Ｖ、−Ｖ、から第
２図の（ハ）のようになる。次に、温度が１００”Ｃに
なると、出力電圧■１は第３図の（イ）のように上昇す
るが、この上昇分だけ出力電圧■２も同図（ロ）のよう
に上昇するため、同図（ハ）に示すように第２図の（ハ
）とほとんど変わらない出力電圧ｖ３が得られる。一方
、温度が−５０”Ｃと下がった場合は、出力電圧■、は
第４図の（イ）のように低下するが、出力電圧ｖ２もこ
の低下分だけ（ロ）のように低下するため、差動増幅回
路５からは同図（ハ）のように、第２図の（ハ）と変わ
らない出力電圧■３が得られることになる。
検波回路１．２の出力電圧Ｖｌ、■２はそれぞれ例えば
、第２図の（イ）、（ロ）のようになる。そして、差動
増幅回路５の出力電圧■３は、Ｖ、＝Ｖ、−Ｖ、から第
２図の（ハ）のようになる。次に、温度が１００”Ｃに
なると、出力電圧■１は第３図の（イ）のように上昇す
るが、この上昇分だけ出力電圧■２も同図（ロ）のよう
に上昇するため、同図（ハ）に示すように第２図の（ハ
）とほとんど変わらない出力電圧ｖ３が得られる。一方
、温度が−５０”Ｃと下がった場合は、出力電圧■、は
第４図の（イ）のように低下するが、出力電圧ｖ２もこ
の低下分だけ（ロ）のように低下するため、差動増幅回
路５からは同図（ハ）のように、第２図の（ハ）と変わ
らない出力電圧■３が得られることになる。
第５図に本発明の他の実施例を示す。これは、第１のダ
イオード検波回路１′の極性を逆に接続したダイオード
Ｄ１ ′に電源Ｅ、′によってバイアスを与えることに
より、逆極性で絶対値が同一の電流が検波回路１′およ
び検波回路２からそれぞれ出力されるように構成すると
ともに、差動増幅回路５に代えて加算回路５′を用いた
ものである。このような構成によっても、検波用ダイオ
ードＤ＋’の順方向電圧の温度変化の影響は加算回路５
′によって打ち消されることになる。なお、第５図中、
Ｒ？ 、Ｒｍ 、Ｒ？ 、Ｒ＋。は同じ値の抵抗、Ｑ２
は演算増幅器である。
イオード検波回路１′の極性を逆に接続したダイオード
Ｄ１ ′に電源Ｅ、′によってバイアスを与えることに
より、逆極性で絶対値が同一の電流が検波回路１′およ
び検波回路２からそれぞれ出力されるように構成すると
ともに、差動増幅回路５に代えて加算回路５′を用いた
ものである。このような構成によっても、検波用ダイオ
ードＤ＋’の順方向電圧の温度変化の影響は加算回路５
′によって打ち消されることになる。なお、第５図中、
Ｒ？ 、Ｒｍ 、Ｒ？ 、Ｒ＋。は同じ値の抵抗、Ｑ２
は演算増幅器である。
二つのダイオード検波回路におけるそれぞれのダイオー
ドＤｒ、Ｄｚは、検波特性が同一で、かつ周囲温度が同
じになるように出来るだけ近くに配置するのが望ましい
。そのためには、第６図に示すように一つのパッケージ
内に二つのダイオードＤ＋ 、Ｄｚ ’Ｅ設けた２素子
複合ダイオードか、あるいは第７図のように一つのパフ
ケージ内の二つのトランジスタをダイオード接続して、
それぞれダイオードＤ、 、Ｄ２として用いるのが効果
的である。
ドＤｒ、Ｄｚは、検波特性が同一で、かつ周囲温度が同
じになるように出来るだけ近くに配置するのが望ましい
。そのためには、第６図に示すように一つのパッケージ
内に二つのダイオードＤ＋ 、Ｄｚ ’Ｅ設けた２素子
複合ダイオードか、あるいは第７図のように一つのパフ
ケージ内の二つのトランジスタをダイオード接続して、
それぞれダイオードＤ、 、Ｄ２として用いるのが効果
的である。
本発明によれば、検波用ダイオードの温度変化に影響さ
れることなく、微小入力時においても、入力された高周
波信号に比例した正しい検波出力を得ることができる効
果がある。
れることなく、微小入力時においても、入力された高周
波信号に比例した正しい検波出力を得ることができる効
果がある。
第１図は本発明の高周波検波回路の一実施例を示す回路
図、第２図〜第４図は検波ダイオードの異なる温度にお
ける時間ｔに対する検波特性であり、これらの図におい
て（イ）は■１の特性図、（ロ）はＶ２の特性図、（ハ
）は■、の特性図である。第５図は本発明の高周波検波
回路の他の実施例を示す回路図、第６図および第７図は
それぞれ検波用ダイオードの異なる構成例を示す回路図
、第８図は従来のダイオード検波回路を示す回路図、第
９図はダイオードの温度特性を示す図である。
図、第２図〜第４図は検波ダイオードの異なる温度にお
ける時間ｔに対する検波特性であり、これらの図におい
て（イ）は■１の特性図、（ロ）はＶ２の特性図、（ハ
）は■、の特性図である。第５図は本発明の高周波検波
回路の他の実施例を示す回路図、第６図および第７図は
それぞれ検波用ダイオードの異なる構成例を示す回路図
、第８図は従来のダイオード検波回路を示す回路図、第
９図はダイオードの温度特性を示す図である。
Claims (3)
- （１）直流的に同一な構成の二つのダイオード検波回路
の出力端子を差動増幅回路に接続し、高周波信号を一方
のダイオード検波回路にのみ入力する構成としたことを
特徴とする高周波検波回路。 - （２）直流的に逆極性で絶対値が同一の電流がそれぞれ
出力される二つのダイオード検波回路の出力端子を加算
回路に接続し、高周波信号を一方のダイオード検波回路
にのみ入力する構成としたことを特徴とする高周波検波
回路。 - （３）二つのダイオード検波回路におけるそれぞれの検
波用ダイオードが、同一パッケージ内に設けられている
請求項１又は請求項２の高周波検波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141778A JPH07118612B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 高周波検波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141778A JPH07118612B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 高周波検波回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0435510A true JPH0435510A (ja) | 1992-02-06 |
| JPH07118612B2 JPH07118612B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=15299953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2141778A Expired - Lifetime JPH07118612B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 高周波検波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118612B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012195910A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 検波回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183612A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-12 | Nec Corp | 検波回路 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2141778A patent/JPH07118612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183612A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-12 | Nec Corp | 検波回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012195910A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-11 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 検波回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118612B2 (ja) | 1995-12-18 |
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