JPS62241406A - レベル検出回路 - Google Patents
レベル検出回路Info
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- JPS62241406A JPS62241406A JP8415186A JP8415186A JPS62241406A JP S62241406 A JPS62241406 A JP S62241406A JP 8415186 A JP8415186 A JP 8415186A JP 8415186 A JP8415186 A JP 8415186A JP S62241406 A JPS62241406 A JP S62241406A
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- Pending
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度により検波効率に差がある半導体素子を使
用するレベル検出回路に関し、特に前記検波素子の検波
効率−電化の為順方向バイアスを与えることによる生ず
る電圧オフセットを零にすることを目的とするレベル検
出回路に関する。
用するレベル検出回路に関し、特に前記検波素子の検波
効率−電化の為順方向バイアスを与えることによる生ず
る電圧オフセットを零にすることを目的とするレベル検
出回路に関する。
従来のレベル検出回路は特開昭５７−４２２４２号に開
示されている。即ち第３図の如く、被検波信号入力端子
ｅ、入力結合コンデンサ３０．３１は検波用ダイオード
２８及び２９．検波増幅トランジスタ３４゜胚はダイオ
ード２４及び２５．定電圧トランジスタ２７から成り前
記検波増幅回路３１の検波ダイオード２８及び２９に順
方向バイアスを与える為の定電圧回路。
示されている。即ち第３図の如く、被検波信号入力端子
ｅ、入力結合コンデンサ３０．３１は検波用ダイオード
２８及び２９．検波増幅トランジスタ３４゜胚はダイオ
ード２４及び２５．定電圧トランジスタ２７から成り前
記検波増幅回路３１の検波ダイオード２８及び２９に順
方向バイアスを与える為の定電圧回路。
２３はダイオード２１と抵抗２２とによってバイアスさ
れ、前記定電圧回路２６に動作電流を供給する第１の定
電流トランジスタ、及び３３は同じ（前記ダイオード２
１と抵抗２２とによってバイアスされ、前記第１の定電
流トランジスタ２３のコレクタ電流と略等しい電流を発
生する第２の定電流トランジスタで、該第２の定電流ト
ランジスタ３３のコレクタは前記増幅トランジスタ３４
のコレクタに接続されている。
れ、前記定電圧回路２６に動作電流を供給する第１の定
電流トランジスタ、及び３３は同じ（前記ダイオード２
１と抵抗２２とによってバイアスされ、前記第１の定電
流トランジスタ２３のコレクタ電流と略等しい電流を発
生する第２の定電流トランジスタで、該第２の定電流ト
ランジスタ３３のコレクタは前記増幅トランジスタ３４
のコレクタに接続されている。
しかし上記従来の回路は、オフセット電流を打ち消すた
めの補償回路として多数の製品（ダイオード２４ 、２
５ 、２８とトランジスタ２７）が必要であり。
めの補償回路として多数の製品（ダイオード２４ 、２
５ 、２８とトランジスタ２７）が必要であり。
システム全体の小型化には不向きである。
本発明の目的は、電圧源及び電流源等を使わずに補償用
ダイオードのみでオフセットを打ち消すレベル検出回路
を提供することにある。
ダイオードのみでオフセットを打ち消すレベル検出回路
を提供することにある。
上記目的はレベル検出回路に順バイアスを与えることに
よって生じる電圧オフセットを、出力回路に接続したバ
ランス回路によって打ち消すことにｒす、達成される。
よって生じる電圧オフセットを、出力回路に接続したバ
ランス回路によって打ち消すことにｒす、達成される。
第１図は本発明の一実施例を示すもので１図において、
ａは被検波信号入力端子、１は入力結合コンデンサ、９
は検波用ダイオード９．１０は補償用ダイオード、１１
及び１２はダイオード９，１０に順バイアスを与える為
の抵抗、１３は高域の低インピーダンス化のコンデンサ
、１４及び１５は電圧オフセットを打ち消すためのバラ
ンス回路、Ｃ及びｄは検波出力の取り出し端子、８はオ
ペアンプ、ｂはその出力である。
ａは被検波信号入力端子、１は入力結合コンデンサ、９
は検波用ダイオード９．１０は補償用ダイオード、１１
及び１２はダイオード９，１０に順バイアスを与える為
の抵抗、１３は高域の低インピーダンス化のコンデンサ
、１４及び１５は電圧オフセットを打ち消すためのバラ
ンス回路、Ｃ及びｄは検波出力の取り出し端子、８はオ
ペアンプ、ｂはその出力である。
次に動作を説明する。いまダイオード９及び１０は集積
回路基板上で同一構造に製造されており。
回路基板上で同一構造に製造されており。
抵抗１１及び１２によって順バイアスを供給した時に発
生する電圧オフセットは、ダイオード９及び１０共に同
じ量である。一方抵抗１４ 、１５を同一値にすれば、
抵抗１４及び１５によ・つて各々の電圧オフセットを９
及び１０の共通となっているポイントＣを中心に加え合
わせることにより、１圧オフセツトはｃ−ｄ間は零にな
る。温度によって電圧オフセットがドリフトしても、抵
抗１４及び１５のバランス回路によって出力は常にオフ
セット成分は零である。
生する電圧オフセットは、ダイオード９及び１０共に同
じ量である。一方抵抗１４ 、１５を同一値にすれば、
抵抗１４及び１５によ・つて各々の電圧オフセットを９
及び１０の共通となっているポイントＣを中心に加え合
わせることにより、１圧オフセツトはｃ−ｄ間は零にな
る。温度によって電圧オフセットがドリフトしても、抵
抗１４及び１５のバランス回路によって出力は常にオフ
セット成分は零である。
第２図は本発明の他の実施例である。第２図においては
、被検波信号入カポインドをダイオードの共通端子に設
けた回路で、ダイオード１７で検波を行い、ダイオード
１６はコンデンサ１８でバイパスされているために、検
波は行わない。検波出力は同様にＣ及びｄから取り出す
ことが出来る。
、被検波信号入カポインドをダイオードの共通端子に設
けた回路で、ダイオード１７で検波を行い、ダイオード
１６はコンデンサ１８でバイパスされているために、検
波は行わない。検波出力は同様にＣ及びｄから取り出す
ことが出来る。
このように整流回路に温度補償を施し、且つ゛電圧オフ
セットの温度ドリフトによる影響をなくすることにより
、予め定めた入力レベルで以ってレベル検出回路を動作
させることができる。
セットの温度ドリフトによる影響をなくすることにより
、予め定めた入力レベルで以ってレベル検出回路を動作
させることができる。
以上述べた如く０本発明による１レベル検出回路は、該
レベル検波回路の検波用ダイオードに生ずるオフセット
’ＩＪＥ圧と等しい電圧？発生する回路を設け、前記オ
フセット電圧が負荷に供給されるのを完全に防止してい
るので０Ｍｉ記オフセット電圧に起因する様々な欠点が
解消出来る優れた効果があろう
レベル検波回路の検波用ダイオードに生ずるオフセット
’ＩＪＥ圧と等しい電圧？発生する回路を設け、前記オ
フセット電圧が負荷に供給されるのを完全に防止してい
るので０Ｍｉ記オフセット電圧に起因する様々な欠点が
解消出来る優れた効果があろう
第１図は本発明に係る１／ペル憧出回路の一実施例を示
す回路図、第３図は他の実施例を示す回路図、第１図は
従来のレベル検出回路の回路図である。 ｌ・・・結合コンデンサ。 １１ 、１２ 、１４ 、１５ 、２０・・・抵抗。 ９．１７・・・整流用ダイオード。 １３・・・出力コンデンサ、 ８・・・オペアンプ。 １０ 、１６・・・温度補償用ダイオード。 １９・・・コンデンサ。 第 １ 図 第 ２ 図 第３■ 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ６１ 年特許願第 ８４１５１、発明の名称
レベル検出回路 補正をする者 １１件との都 特許出願人 名 称 Ｃ５１０１株式会辻 日 立 製 作 所代
理 人 図面の簡単な説明 第１図は本発明に係るレベル検出回路の一実施例を示す
回路図、第２図は他の実施例を示す回路図、第６図は従
来のレベル検出回路の回路図である。 １・・・結合コンデンサ、 １１．１２，１４，１５．２０・・・抵抗、９．１７・
・・整流用ダイオード− １３・・・出力コンデンサ、 ８・・・オペアンプ
。 １０．１６・・・温度補償用ダイオード。 １９・・・コンデンサ。
す回路図、第３図は他の実施例を示す回路図、第１図は
従来のレベル検出回路の回路図である。 ｌ・・・結合コンデンサ。 １１ 、１２ 、１４ 、１５ 、２０・・・抵抗。 ９．１７・・・整流用ダイオード。 １３・・・出力コンデンサ、 ８・・・オペアンプ。 １０ 、１６・・・温度補償用ダイオード。 １９・・・コンデンサ。 第 １ 図 第 ２ 図 第３■ 手続補正書（方式） 事件の表示 昭和 ６１ 年特許願第 ８４１５１、発明の名称
レベル検出回路 補正をする者 １１件との都 特許出願人 名 称 Ｃ５１０１株式会辻 日 立 製 作 所代
理 人 図面の簡単な説明 第１図は本発明に係るレベル検出回路の一実施例を示す
回路図、第２図は他の実施例を示す回路図、第６図は従
来のレベル検出回路の回路図である。 １・・・結合コンデンサ、 １１．１２，１４，１５．２０・・・抵抗、９．１７・
・・整流用ダイオード− １３・・・出力コンデンサ、 ８・・・オペアンプ
。 １０．１６・・・温度補償用ダイオード。 １９・・・コンデンサ。
Claims (1)
- 交流入力信号を検波する検波用ダイオードと、温度変化
に対して検波効率を一定に近づけるために検波用ダイオ
ードに順方向バイアス電圧を加える手段とを含み、該検
波出力信号を検出して次段のオペアンプに入力するレベ
ル検出回路に於て、前記検波用ダイオードに直列に他の
ダイオードを接続し、バイアス電圧を加えることにより
、周囲温度変化の際、前記オペアンプ入力端に発生する
オフセット電圧に相当する電圧を発生させ、それぞれを
互いに打ち消すことを特徴とするレベル検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8415186A JPS62241406A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | レベル検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8415186A JPS62241406A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | レベル検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241406A true JPS62241406A (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=13822503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8415186A Pending JPS62241406A (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | レベル検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62241406A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448711U (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-24 | ||
| US5659253A (en) * | 1994-11-17 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Temperature compensated radio frequency detector circuit |
| WO2000076062A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Improved diode detector |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP8415186A patent/JPS62241406A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448711U (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-24 | ||
| US5659253A (en) * | 1994-11-17 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Temperature compensated radio frequency detector circuit |
| EP0713288A3 (en) * | 1994-11-17 | 1998-03-11 | Lucent Technologies Inc. | Radio frequency detector circuit |
| WO2000076062A1 (en) * | 1999-06-04 | 2000-12-14 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Improved diode detector |
| US6262630B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-07-17 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Rapidly-responding diode detector with temperature compensation |
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