JP3019624B2 - 電流検出装置 - Google Patents
電流検出装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力増幅器などの出力
電流を低損失かつ安価な金属箔（銅箔）パターンを利用
して負荷電流検出し、しかも集積回路化が可能な高精度
な電流検出装置に関するものである。
電流を低損失かつ安価な金属箔（銅箔）パターンを利用
して負荷電流検出し、しかも集積回路化が可能な高精度
な電流検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電流検出装置は、電子機器などの
電力制御分野で使用される電力半導体の重要な保護機能
の一部として様々な形で組み入れられている。
電力制御分野で使用される電力半導体の重要な保護機能
の一部として様々な形で組み入れられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の電流検出装置の一例について説明する。図４は従来の
電流検出装置の一例を示すものである。図４において、
１はフローティングされた電流検出の第１の入力端、２
はフローティングされた電流検出の第２の入力端、３は
金属箔または金属薄膜で形成された負荷電流検出用低抵
抗、４，５は比較器入力電圧を設定する電圧分割抵抗、
６は比較器、７は温度補償された基準電圧源、８は比較
器出力端、９は電力制御用トランジスタ、１０は電力制
御用トランジスタのベース入力端、１１は電力制御用ト
ランジスタの電源入力端、１２は負荷で構成されてい
る。
の電流検出装置の一例について説明する。図４は従来の
電流検出装置の一例を示すものである。図４において、
１はフローティングされた電流検出の第１の入力端、２
はフローティングされた電流検出の第２の入力端、３は
金属箔または金属薄膜で形成された負荷電流検出用低抵
抗、４，５は比較器入力電圧を設定する電圧分割抵抗、
６は比較器、７は温度補償された基準電圧源、８は比較
器出力端、９は電力制御用トランジスタ、１０は電力制
御用トランジスタのベース入力端、１１は電力制御用ト
ランジスタの電源入力端、１２は負荷で構成されてい
る。
【０００４】以上のように構成された従来の電流検出装
置について、以下その動作について説明する。まず、電
力制御用トランジスタ９のベース入力端１０に印加され
た信号電位に応じて、電源入力端１１より、電力制御用
トランジスタ９，負荷電流検出用低抵抗３，負荷１２の
経路で電流が流れる。この場合、電力制御用トランジス
タ９のエミッタに接続された電流検出の第１の入力端１
と負荷１２に接続された電流検出の第２の入力端を流れ
る電流の値は、金属箔または金属薄膜により形成された
負荷電流検出用低抵抗３に発生する電圧降下に比例して
いる。比較器入力電圧を設定する電圧分割抵抗４，５の
値と、温度補償された基準電圧源７の値で決まる所定の
電圧が発生すると、比較器６はその出力端７に、所定の
電流を検知した信号を出力することとなる。
置について、以下その動作について説明する。まず、電
力制御用トランジスタ９のベース入力端１０に印加され
た信号電位に応じて、電源入力端１１より、電力制御用
トランジスタ９，負荷電流検出用低抵抗３，負荷１２の
経路で電流が流れる。この場合、電力制御用トランジス
タ９のエミッタに接続された電流検出の第１の入力端１
と負荷１２に接続された電流検出の第２の入力端を流れ
る電流の値は、金属箔または金属薄膜により形成された
負荷電流検出用低抵抗３に発生する電圧降下に比例して
いる。比較器入力電圧を設定する電圧分割抵抗４，５の
値と、温度補償された基準電圧源７の値で決まる所定の
電圧が発生すると、比較器６はその出力端７に、所定の
電流を検知した信号を出力することとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の電流検出装置の構成では、金属箔または金属
薄膜で形成された負荷電流検出用低抵抗３の電力ロスを
小さくしようとすると、負荷電流検出用低抵抗３での電
圧降下は３００ｍＶから６００ｍＶ位に設定する必要が
ある。そうすると、金属箔あるいは金属薄膜が持つ正の
大きな抵抗温度係数が問題になってくる。一般的には、
金属箔の銅の温度係数は約＋４４００ｐｐｍ／℃と大き
な値を持っている。しかも比較器の一端に形成する温度
補償された基準電圧源は、３００ｍＶから６００ｍＶの
低電圧値で設定する必要があり、通常の半導体素子（例
えば、トランジスタのベース−エミッタ間電圧の温度係
数は、約−３３００ｐｐｍ／℃）で形成することは難し
く、完全に温度補償された基準電圧源の形成はほとんど
不可能であるし、たとえ何らかの特殊なデバイスで温度
補償ができたとしても、基準電圧値そのものが極めて低
いために、精密な電流検出は不可能であるという問題点
を有していた。
うな従来の電流検出装置の構成では、金属箔または金属
薄膜で形成された負荷電流検出用低抵抗３の電力ロスを
小さくしようとすると、負荷電流検出用低抵抗３での電
圧降下は３００ｍＶから６００ｍＶ位に設定する必要が
ある。そうすると、金属箔あるいは金属薄膜が持つ正の
大きな抵抗温度係数が問題になってくる。一般的には、
金属箔の銅の温度係数は約＋４４００ｐｐｍ／℃と大き
な値を持っている。しかも比較器の一端に形成する温度
補償された基準電圧源は、３００ｍＶから６００ｍＶの
低電圧値で設定する必要があり、通常の半導体素子（例
えば、トランジスタのベース−エミッタ間電圧の温度係
数は、約−３３００ｐｐｍ／℃）で形成することは難し
く、完全に温度補償された基準電圧源の形成はほとんど
不可能であるし、たとえ何らかの特殊なデバイスで温度
補償ができたとしても、基準電圧値そのものが極めて低
いために、精密な電流検出は不可能であるという問題点
を有していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、大電
力パワートランジスタなどの大出力電流の精密な電流検
出に対して、一例として、混成集積回路の基板の金属箔
（銅箔）の布線の一部の低抵抗を利用したり、あるいは
シリコン集積回路の一部のアルミの蒸着薄膜の布線の一
部を利用して、低損失でしかも精密な電流検出装置を提
供することを目的としてなされたものである。
力パワートランジスタなどの大出力電流の精密な電流検
出に対して、一例として、混成集積回路の基板の金属箔
（銅箔）の布線の一部の低抵抗を利用したり、あるいは
シリコン集積回路の一部のアルミの蒸着薄膜の布線の一
部を利用して、低損失でしかも精密な電流検出装置を提
供することを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の電流検出装置は、金属箔または金属薄膜で形
成された負荷電流検出用低抵抗と、第１の電流検出用ト
ランジスタと、第１の電流検出用トランジスタと相補な
第２の電流検出用トランジスタと、負荷電流検出用低抵
抗の両端の電圧をモニターする電流変換用抵抗と、第１
の電流検出用トランジスタの基準バイアスを作る定電流
源と、第２の電流検出用トランジスタのコレクタに接続
された比較器入力抵抗と、比較器と、温度補償された基
準電圧源とで構成され、負荷電流検出用低抵抗の一端が
第１の電流検出用トランジスタのベースに接続され、負
荷電流検出用低抵抗の他端が上記電流変換用抵抗の一端
に接続され、上記電流交換用抵抗の他端が上記第１の電
流検出用トランジスタのコネクタに接続され、第１の電
流検出用トランジスタのコレクタとエミッタは、それぞ
れ第２の電流検出用トランジスタのエミッタとベースに
接続されて構成することによって、金属箔の低抵抗での
電圧降下を少なくすると同時に電流を精度よく検出する
ことを可能にすることを特徴とするものである。
に本発明の電流検出装置は、金属箔または金属薄膜で形
成された負荷電流検出用低抵抗と、第１の電流検出用ト
ランジスタと、第１の電流検出用トランジスタと相補な
第２の電流検出用トランジスタと、負荷電流検出用低抵
抗の両端の電圧をモニターする電流変換用抵抗と、第１
の電流検出用トランジスタの基準バイアスを作る定電流
源と、第２の電流検出用トランジスタのコレクタに接続
された比較器入力抵抗と、比較器と、温度補償された基
準電圧源とで構成され、負荷電流検出用低抵抗の一端が
第１の電流検出用トランジスタのベースに接続され、負
荷電流検出用低抵抗の他端が上記電流変換用抵抗の一端
に接続され、上記電流交換用抵抗の他端が上記第１の電
流検出用トランジスタのコネクタに接続され、第１の電
流検出用トランジスタのコレクタとエミッタは、それぞ
れ第２の電流検出用トランジスタのエミッタとベースに
接続されて構成することによって、金属箔の低抵抗での
電圧降下を少なくすると同時に電流を精度よく検出する
ことを可能にすることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記した構成によって、第１の電流検
出用トランジスタのベースエミッタ間電圧と、第２の電
流検出用トランジスタのベースエミッタ間電圧をあらか
じめ相補な特性にしておけば、その絶対値は相殺させる
ことができる。そのため、金属箔または金属薄膜で形成
された低抵抗で検出された電圧は、ほとんど電流変換用
抵抗の両端に印加されるので、低電圧ロスで精度よく、
電流−電流変換されることとなる。ここで、電流−電流
変換された電流値が、第１の電流検出用トランジスタの
基準バイアスを作っている定電流源の電流値と比較して
十分に大きな値であるとすると、比較器の一端に加わる
電流値は、ほぼ低抵抗に比例した電流と見なすことがで
きる。そこで、希望の電圧利得を設定できる抵抗で電流
−電圧変換すれば、比較的に大きな比較器基準電圧が設
定できる。このことはピーク整流値の他に平均値整流す
る場合においては極めて大きな特徴で、電圧利得を増大
させるべく高抵抗を設定すれば、時定数が一定であると
した時の条件では、その抵抗の両端に接続するコンデン
サの容量はその分だけ小さく設定できる。この場合、温
度補償された比較器基準電圧源の値は自由に大きく設定
できるので、金属箔の持つ温度係数（約＋４４００ｐｐ
ｍ／℃）や、半導体素子の持つ温度係数（例えば、ベー
ス・エミッタ間電圧：約−３３００ｐｐｍ／℃）など
は、適当に正負の温度係数を組み合わせることで、温度
係数の小さい、すなわち温度補償された基準電圧源を形
成することができる。
出用トランジスタのベースエミッタ間電圧と、第２の電
流検出用トランジスタのベースエミッタ間電圧をあらか
じめ相補な特性にしておけば、その絶対値は相殺させる
ことができる。そのため、金属箔または金属薄膜で形成
された低抵抗で検出された電圧は、ほとんど電流変換用
抵抗の両端に印加されるので、低電圧ロスで精度よく、
電流−電流変換されることとなる。ここで、電流−電流
変換された電流値が、第１の電流検出用トランジスタの
基準バイアスを作っている定電流源の電流値と比較して
十分に大きな値であるとすると、比較器の一端に加わる
電流値は、ほぼ低抵抗に比例した電流と見なすことがで
きる。そこで、希望の電圧利得を設定できる抵抗で電流
−電圧変換すれば、比較的に大きな比較器基準電圧が設
定できる。このことはピーク整流値の他に平均値整流す
る場合においては極めて大きな特徴で、電圧利得を増大
させるべく高抵抗を設定すれば、時定数が一定であると
した時の条件では、その抵抗の両端に接続するコンデン
サの容量はその分だけ小さく設定できる。この場合、温
度補償された比較器基準電圧源の値は自由に大きく設定
できるので、金属箔の持つ温度係数（約＋４４００ｐｐ
ｍ／℃）や、半導体素子の持つ温度係数（例えば、ベー
ス・エミッタ間電圧：約−３３００ｐｐｍ／℃）など
は、適当に正負の温度係数を組み合わせることで、温度
係数の小さい、すなわち温度補償された基準電圧源を形
成することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の電流検出装置の実施例につい
て、図１（ａ），（ｂ）、図２，図３（ａ），（ｂ）を
参照しながら詳細に説明する。
て、図１（ａ），（ｂ）、図２，図３（ａ），（ｂ）を
参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例における電流検出装置の基本構成を示すものである。
図１（ａ）において、１はフローティングされた電流検
出の第１の入力端、２はフローティングされた電流検出
の第２の入力端、３は金属箔または金属薄膜で形成され
た負荷電流検出用低抵抗、６は比較器、７は温度補償さ
れた基準電圧源、８は比較器出力端、１３は第１の電流
検出用トランジスタ、１４は第１の電流検出用トランジ
スタ１３と相補な第２の電流検出用トランジスタ、１５
は負荷電流検出用低抵抗３の両端電圧をモニターする電
流変換用抵抗、１６は第１の電流検出用トランジスタ１
３の基準バイアスを作る定電流源、１７は第２の電流検
出用トランジスタの電圧利得を決定する比較器入力抵
抗、１８は比較器の基準電位を決定する第１の固定電源
端である。
例における電流検出装置の基本構成を示すものである。
図１（ａ）において、１はフローティングされた電流検
出の第１の入力端、２はフローティングされた電流検出
の第２の入力端、３は金属箔または金属薄膜で形成され
た負荷電流検出用低抵抗、６は比較器、７は温度補償さ
れた基準電圧源、８は比較器出力端、１３は第１の電流
検出用トランジスタ、１４は第１の電流検出用トランジ
スタ１３と相補な第２の電流検出用トランジスタ、１５
は負荷電流検出用低抵抗３の両端電圧をモニターする電
流変換用抵抗、１６は第１の電流検出用トランジスタ１
３の基準バイアスを作る定電流源、１７は第２の電流検
出用トランジスタの電圧利得を決定する比較器入力抵
抗、１８は比較器の基準電位を決定する第１の固定電源
端である。
【００１１】また、図１（ｂ）は、図１（ａ）の第１の
電流検出用トランジスタ１３と、第２の電流検出用トラ
ンジスタ１４の極性が逆の場合に相当し図１（ａ）と同
一の番号は同じものを示しており、まったく対象の動作
をする。
電流検出用トランジスタ１３と、第２の電流検出用トラ
ンジスタ１４の極性が逆の場合に相当し図１（ａ）と同
一の番号は同じものを示しており、まったく対象の動作
をする。
【００１２】以上のように構成された電流検出装置につ
いて、以下その動作について説明する。まず、フローテ
ィングされた電流検出の第１の入力端１と第２の入力端
２を流れる電流の値は、その両端に接続された金属箔ま
たは金属薄膜により形成された負荷電流検出用低抵抗３
に発生する電圧降下に比例している。この電圧値は第１
の電流検出用トランジスタ１３と第２の電流検出用トラ
ンジスタ１４のベース・エミッタ電圧でレベルシフトさ
れるが、この電圧は互いに相補なトランジスタであるの
で、ほとんど相殺されている。したがって、負荷電流検
出用低抵抗３の両端電圧はそのまま電流変換用抵抗１５
に現れる。ここで典型的な電流値を与えると、１０Ａ
（アンペア）の電流値を精度よく検出する場合について
説明する。低抵抗値を、仮に３０ｍΩに設定すると、１
０Ａの電流が負荷電流検出用低抵抗３に発生すると、そ
の両端電圧は３００ｍＶになり、そのまま、電流変換用
抵抗１５の両端で検出される。電流変換用抵抗１５を３
ＫΩに設定すると、１０Ａの電流は、１００μＡに変換
されることとなる。第１の電流検出用トランジスタ１３
の基準バイアスを作る定電流源１６の値を、例えばμＡ
に設定すると、比較器入力抵抗１７には電流変換用抵抗
１５で発生した大部分の電流が流れる。しかも比較器入
力抵抗１７の値は自由に設定することができるので、電
圧利得を可変して、最適な温度補償された基準電圧源７
を形成することが可能になる。
いて、以下その動作について説明する。まず、フローテ
ィングされた電流検出の第１の入力端１と第２の入力端
２を流れる電流の値は、その両端に接続された金属箔ま
たは金属薄膜により形成された負荷電流検出用低抵抗３
に発生する電圧降下に比例している。この電圧値は第１
の電流検出用トランジスタ１３と第２の電流検出用トラ
ンジスタ１４のベース・エミッタ電圧でレベルシフトさ
れるが、この電圧は互いに相補なトランジスタであるの
で、ほとんど相殺されている。したがって、負荷電流検
出用低抵抗３の両端電圧はそのまま電流変換用抵抗１５
に現れる。ここで典型的な電流値を与えると、１０Ａ
（アンペア）の電流値を精度よく検出する場合について
説明する。低抵抗値を、仮に３０ｍΩに設定すると、１
０Ａの電流が負荷電流検出用低抵抗３に発生すると、そ
の両端電圧は３００ｍＶになり、そのまま、電流変換用
抵抗１５の両端で検出される。電流変換用抵抗１５を３
ＫΩに設定すると、１０Ａの電流は、１００μＡに変換
されることとなる。第１の電流検出用トランジスタ１３
の基準バイアスを作る定電流源１６の値を、例えばμＡ
に設定すると、比較器入力抵抗１７には電流変換用抵抗
１５で発生した大部分の電流が流れる。しかも比較器入
力抵抗１７の値は自由に設定することができるので、電
圧利得を可変して、最適な温度補償された基準電圧源７
を形成することが可能になる。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例における電流
検出装置の基本構成を示すものである。図２において、
１はフローティングされた電流検出の第１の入力端、２
はフローティングされた電流検出の第２の入力端、３は
金属箔または金属薄膜で形成された負荷電流検出用低抵
抗、６は比較器、７は温度補償された基準電圧源、８は
比較器出力端、１３は第１の電流検出用トランジスタ、
１４は第１の電流検出用トランジスタ１３と相補な第２
の電流検出用トランジスタ、１５は負荷電流検出用低抵
抗３の両端の電圧をモニターする電流変換用抵抗、１６
は第１の電流検出用トランジスタ１３の基準バイアスを
作る定電流源、１７は第２の電流検出用トランジスタの
電圧利得を決定する比較器入力抵抗、１８は比較器の基
準電位を決定する第１の固定電源端、１９，２０はそれ
ぞれ電流反転のためのレベルシフト段用トランジスタ、
２１は平均値整流用コンデンサ、２２は電流反転のため
のレベルシフト段のバイアスを決定する第２の固定電源
端である。
検出装置の基本構成を示すものである。図２において、
１はフローティングされた電流検出の第１の入力端、２
はフローティングされた電流検出の第２の入力端、３は
金属箔または金属薄膜で形成された負荷電流検出用低抵
抗、６は比較器、７は温度補償された基準電圧源、８は
比較器出力端、１３は第１の電流検出用トランジスタ、
１４は第１の電流検出用トランジスタ１３と相補な第２
の電流検出用トランジスタ、１５は負荷電流検出用低抵
抗３の両端の電圧をモニターする電流変換用抵抗、１６
は第１の電流検出用トランジスタ１３の基準バイアスを
作る定電流源、１７は第２の電流検出用トランジスタの
電圧利得を決定する比較器入力抵抗、１８は比較器の基
準電位を決定する第１の固定電源端、１９，２０はそれ
ぞれ電流反転のためのレベルシフト段用トランジスタ、
２１は平均値整流用コンデンサ、２２は電流反転のため
のレベルシフト段のバイアスを決定する第２の固定電源
端である。
【００１４】この実施例では、比較器の基準電位を決定
する第１の固定電源端１８は、電流反転のためのレベル
シフト段用トランジスタ１９，２０のバイアスを決定す
る第２の固定電源端２２とは独立して動作する以外は、
第１の実施例と同様な動作をさせることができる。これ
は、第２の固定電源端２２が比較的に高電圧で動作させ
る場合でも、レベルシフト用トランジスタ１９，２０を
介して、第１の固定電源端１８を自由に設定することが
可能となる。例えば、第１の固定電源端１８をグランド
電位にすると、比較器６や温度補償された基準電圧源７
を汎用の集積回路プロセスで構成することができる。
する第１の固定電源端１８は、電流反転のためのレベル
シフト段用トランジスタ１９，２０のバイアスを決定す
る第２の固定電源端２２とは独立して動作する以外は、
第１の実施例と同様な動作をさせることができる。これ
は、第２の固定電源端２２が比較的に高電圧で動作させ
る場合でも、レベルシフト用トランジスタ１９，２０を
介して、第１の固定電源端１８を自由に設定することが
可能となる。例えば、第１の固定電源端１８をグランド
電位にすると、比較器６や温度補償された基準電圧源７
を汎用の集積回路プロセスで構成することができる。
【００１５】図３（ａ）は、図１（ａ）の基本構成を使
用した実装形態の一例を示すもので、図１（ａ）と同一
番号は、同じものを示している。３は混成集積回路基板
上に形成された金属箔パターン形成による負荷電流検出
用低抵抗、１５はチップ抵抗を使用した電流変換用抵
抗、２３は混成集積回路基板、２４は集積回路チップ、
２５はボンディングワイヤーである。
用した実装形態の一例を示すもので、図１（ａ）と同一
番号は、同じものを示している。３は混成集積回路基板
上に形成された金属箔パターン形成による負荷電流検出
用低抵抗、１５はチップ抵抗を使用した電流変換用抵
抗、２３は混成集積回路基板、２４は集積回路チップ、
２５はボンディングワイヤーである。
【００１６】図３（ｂ）は、図１（ａ）の基本構成を使
用した実装形態の第２の例を示すもので、図１（ａ）と
同一番号は、同じものを示している。３は集積回路上に
形成されたアルミ蒸着膜パターン形成による負荷電流検
出用低抵抗、２４は集積回路チップ、２６はボンディン
グパッドである。
用した実装形態の第２の例を示すもので、図１（ａ）と
同一番号は、同じものを示している。３は集積回路上に
形成されたアルミ蒸着膜パターン形成による負荷電流検
出用低抵抗、２４は集積回路チップ、２６はボンディン
グパッドである。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、金属箔または金
属薄膜で形成された低抵抗を用いて、極めて小さな電力
損失と、精密に温度補償された精度の高い電流検出装置
を可能にするもので、混成集積回路のみならず、モノリ
シック集積回路用としても応用が可能で、電力制御産業
分野の全般にわたって、広範囲の応用が期待できる。
属薄膜で形成された低抵抗を用いて、極めて小さな電力
損失と、精密に温度補償された精度の高い電流検出装置
を可能にするもので、混成集積回路のみならず、モノリ
シック集積回路用としても応用が可能で、電力制御産業
分野の全般にわたって、広範囲の応用が期待できる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における電流検
出装置の基本構成図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における電流検出装置の
基本構成図
出装置の基本構成図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における電流検出装置の
基本構成図
【図２】本発明の第２の実施例における電流検出装置の
基本構成図
基本構成図
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施例における電流検
出装置の第１基本構造図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における電流検出装置の
第２基本構造図
出装置の第１基本構造図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における電流検出装置の
第２基本構造図
【図４】従来の電流検出装置の基本構成図
１ フローティングされた電流検出の第１の入力端 ２ フローティングされた電流検出の第２の入力端 ３ 金属箔または金属薄膜で形成された負荷電流検出
用低抵抗 ６ 比較器 ７ 温度補償された基準電圧源 ８ 比較器出力端 ９ 電力制御用トランジスタ １０ 電力制御用トランジスタのベース入力端 １１ 電力制御用トランジスタの電源入力端 １２ 負荷 １３ 第１の電流検出用トランジスタ １４ 第２の電流検出用トランジスタ １５ 低抵抗３の両端電圧をモニターする電流変換用
抵抗 １６ 第１の電流検出用トランジスタ９の基準バイア
スを作る定電流源 １７ 第２の電流検出用トランジスタの電圧利得を決
定する比較器入力抵抗 １８ 比較器の基準電位を決定する第１の固定電源端 １９ 電流反転のためのレベルシフト段用トランジス
タ ２０ 電流反転のためのレベルシフト段用トランジス
タ ２１ 平均値整流用コンデンサ ２２ 第２の固定電源端 ２３ 混成集積回路用基板 ２４ モノリシック集積回路チップ ２５ ボンディングワイヤー ２６ ボンディングパッド
用低抵抗 ６ 比較器 ７ 温度補償された基準電圧源 ８ 比較器出力端 ９ 電力制御用トランジスタ １０ 電力制御用トランジスタのベース入力端 １１ 電力制御用トランジスタの電源入力端 １２ 負荷 １３ 第１の電流検出用トランジスタ １４ 第２の電流検出用トランジスタ １５ 低抵抗３の両端電圧をモニターする電流変換用
抵抗 １６ 第１の電流検出用トランジスタ９の基準バイア
スを作る定電流源 １７ 第２の電流検出用トランジスタの電圧利得を決
定する比較器入力抵抗 １８ 比較器の基準電位を決定する第１の固定電源端 １９ 電流反転のためのレベルシフト段用トランジス
タ ２０ 電流反転のためのレベルシフト段用トランジス
タ ２１ 平均値整流用コンデンサ ２２ 第２の固定電源端 ２３ 混成集積回路用基板 ２４ モノリシック集積回路チップ ２５ ボンディングワイヤー ２６ ボンディングパッド
Claims (1)
- 【請求項１】 金属箔または金属薄膜で形成された負荷
電流検出用低抵抗と、第１の電流検出用トランジスタ
と、上記第１の電流検出用トランジスタと相補な第２の
電流検出用トランジスタと、上記負荷電流検出用低抵抗
の両端の電圧をモニターする電流変換用抵抗と、上記第
１の電流検出用トランジスタの基準バイアスを作る定電
流源と、上記第２の電流検出用トランジスタのコレクタ
に接続された比較器入力抵抗と、比較器と、温度補償さ
れた基準電圧源とで構成され、上記負荷電流検出用低抵
抗の一端が第１の電流検出用トランジスタのベースに接
続され、上記負荷電流検出用低抵抗の他端が上記電流変
換用抵抗の一端に接続され、上記電流交換用抵抗の他端
が上記第１の電流検出用トランジスタのコネクタに接続
され、上記第１の電流検出用トランジスタのコレクタと
エミッタは、それぞれ上記第２の電流検出用トランジス
タのエミッタとベースに接続されて構成することを特徴
とする電流検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248977A JP3019624B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 電流検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4248977A JP3019624B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 電流検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102292A JPH06102292A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3019624B2 true JP3019624B2 (ja) | 2000-03-13 |
Family
ID=17186201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4248977A Expired - Fee Related JP3019624B2 (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | 電流検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3019624B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN101334430B (zh) * | 2007-06-29 | 2012-07-18 | 吴伟 | 一种高精确度电流检测和温度在线检测装置及其采样方法 |
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-
1992
- 1992-09-18 JP JP4248977A patent/JP3019624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06102292A (ja) | 1994-04-15 |
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