JPS6354809A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
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- JPS6354809A JPS6354809A JP61199809A JP19980986A JPS6354809A JP S6354809 A JPS6354809 A JP S6354809A JP 61199809 A JP61199809 A JP 61199809A JP 19980986 A JP19980986 A JP 19980986A JP S6354809 A JPS6354809 A JP S6354809A
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- Japan
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- current
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 9
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、増幅回路に使用するバイアス回路に関する
ものである。
ものである。
第3図は従来のバイアス回路を用いた簡単な増幅回路を
示す回路図であり、図において、1は電源■。い2はG
ND、10はバイアス定電流源、16は増幅トランジス
タ、15は入力の直流遮断コンデンサ、17は出力用負
荷抵抗を示す。また、18は入力端子、19は出力端子
、9はバイアス定電流源10の電流、20は出力の負荷
17を流れる電流、17はバイアス定電流源10と増幅
トランジスタ16のベースとの接続点を示す。
示す回路図であり、図において、1は電源■。い2はG
ND、10はバイアス定電流源、16は増幅トランジス
タ、15は入力の直流遮断コンデンサ、17は出力用負
荷抵抗を示す。また、18は入力端子、19は出力端子
、9はバイアス定電流源10の電流、20は出力の負荷
17を流れる電流、17はバイアス定電流源10と増幅
トランジスタ16のベースとの接続点を示す。
次に動作について説明する。この増幅回路は、入力端子
18に入力される交流電流をトランジスタ16でhFE
倍に増幅し、負荷17で電圧変換し、出力端子19に出
力する。この回路において無信号のDC的なバイアス設
定は、定電流源10により、その電流I9が増幅トラン
ジスタ16のベースに流れ込み、これがh□倍されてコ
レクタIR流I2゜が負荷抵抗17を流れ、出力端子1
9のDC動作点を与えるというようにして行われる。
18に入力される交流電流をトランジスタ16でhFE
倍に増幅し、負荷17で電圧変換し、出力端子19に出
力する。この回路において無信号のDC的なバイアス設
定は、定電流源10により、その電流I9が増幅トラン
ジスタ16のベースに流れ込み、これがh□倍されてコ
レクタIR流I2゜が負荷抵抗17を流れ、出力端子1
9のDC動作点を与えるというようにして行われる。
この出力端子19の電位V1qは、負荷抵抗17をRと
して、 V+q= Vcc RI t。
して、 V+q= Vcc RI t。
” V cc RX h y!16 X I qで示
すことができる。
すことができる。
また、ここで用いるバイアス定電流源10の電流は、微
小な定電流で、この定電流源の構成としては、基準の定
電流源からの電流をカレントミラー回路を用いてその面
積比をつけることにより微小な値に絞り込むなどの方法
が取られる。
小な定電流で、この定電流源の構成としては、基準の定
電流源からの電流をカレントミラー回路を用いてその面
積比をつけることにより微小な値に絞り込むなどの方法
が取られる。
従来のバイアス回路は以上のように構成されているので
、トランジスタのり、を用いる簡易な増幅回路に用いた
場合には、その出力のDC動作点がhytにより変化す
るため、定数設定が行いにくいという問題があった。ま
た、カレントミラーの面積比によってitを絞り込むこ
とによってバイアス回路のバイアス電流を得ているため
、回路の規模が大きくなるという問題があった。
、トランジスタのり、を用いる簡易な増幅回路に用いた
場合には、その出力のDC動作点がhytにより変化す
るため、定数設定が行いにくいという問題があった。ま
た、カレントミラーの面積比によってitを絞り込むこ
とによってバイアス回路のバイアス電流を得ているため
、回路の規模が大きくなるという問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、簡易な構成で微小なバイアス電流を得るこ
とができ、かつこの電流がhytに反比例するバイアス
回路を得ることを目的とする。
れたもので、簡易な構成で微小なバイアス電流を得るこ
とができ、かつこの電流がhytに反比例するバイアス
回路を得ることを目的とする。
この発明に係るバイアス回路は、基準となる定電流源と
、該定電流源にエミッタが接続されたバイアス設定トラ
ンジスタと該トランジスタのベースに接続されたカレン
トミラー回路とを備えたものである。
、該定電流源にエミッタが接続されたバイアス設定トラ
ンジスタと該トランジスタのベースに接続されたカレン
トミラー回路とを備えたものである。
この発明のバイアス回路においては、カレントミラー回
路が、バイアス設定トランジスタに定電流が流れるため
に必要なベース電流を供給するとともに該ベース電流に
比例した電流をバイアス電流として出力するように構成
したから、バイアス電流を小さく絞り込むことができ、
かつ、トランジスタのり、に反比例するバイアス電流が
得られる。
路が、バイアス設定トランジスタに定電流が流れるため
に必要なベース電流を供給するとともに該ベース電流に
比例した電流をバイアス電流として出力するように構成
したから、バイアス電流を小さく絞り込むことができ、
かつ、トランジスタのり、に反比例するバイアス電流が
得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例を示す回路図であり、第2図は
増幅回路に用いたこの発明の第2の実施例を示す回路図
である。図において、1は■、い2はGND、3は基準
の定電流源、4はバイアス設定トランジスタ、5.6は
カレントミラーを構成するPNP )ランジスタ、7は
このバイアス回路の出力端子、8はトランジスタ4のベ
ース電流、9はバイアス回路の出力電流、10はバイア
ス回路を示す。また11はカレントミラーのベース電流
補償トランジスタ、12,13.14はそれぞれの経路
を流れる電流、15は入力の直流遮断コンデンサ、16
は増幅トランジスタ、17は出力用負荷抵抗、18は入
力端子、19は出力端子、20は出力の負荷17を流れ
る電流を示す。
図はこの発明の一実施例を示す回路図であり、第2図は
増幅回路に用いたこの発明の第2の実施例を示す回路図
である。図において、1は■、い2はGND、3は基準
の定電流源、4はバイアス設定トランジスタ、5.6は
カレントミラーを構成するPNP )ランジスタ、7は
このバイアス回路の出力端子、8はトランジスタ4のベ
ース電流、9はバイアス回路の出力電流、10はバイア
ス回路を示す。また11はカレントミラーのベース電流
補償トランジスタ、12,13.14はそれぞれの経路
を流れる電流、15は入力の直流遮断コンデンサ、16
は増幅トランジスタ、17は出力用負荷抵抗、18は入
力端子、19は出力端子、20は出力の負荷17を流れ
る電流を示す。
次に動作について説明する。第1図において、定電流源
3によって引っ張られる電流は、はとんどがvccから
NPNトランジスタ4のコレクタ。
3によって引っ張られる電流は、はとんどがvccから
NPNトランジスタ4のコレクタ。
エミッタを通って供給されるが、この時必要なベース電
流8は、カレントミラー5.6より供給される。ここで
PNP )ランジスタ5.6のhyiが十分高いとする
と、カレントミラーの出力電流9はベース電流8とほぼ
等しいとすることができ、1? I=i I s /
hvta とすることができる。
流8は、カレントミラー5.6より供給される。ここで
PNP )ランジスタ5.6のhyiが十分高いとする
と、カレントミラーの出力電流9はベース電流8とほぼ
等しいとすることができ、1? I=i I s /
hvta とすることができる。
第2図において、10は本発明の第2の実施例によるバ
イアス回路で、第1図に示す本発明の第1の実施例にカ
レントミラーのベース電流14の補償用トランジスタ1
1を追加したもので、このため、定電流源3による電流
は、トランジスタ4を流れる電流12とトランジスタ1
1のベース電流13とに分流するが、カレントミラー5
,6のベアリングが十分にとれていると、I+z−hr
tax 2 x h、□IXI+3となって1.□>>
II3であるから、第1図の原理図と同様のバイアス出
力電流を得ることができる。これを簡単な増幅回路のバ
イアスとして用いると、出力端子19のDC動作点は、
負荷抵抗17をRとして ■19″″Vec hyt+b’ Iq °Rとな
り、バイアス設定トランジスタ4と増幅トランジスタ1
6のベアリングがとれていれば、VI9#VCC−R−
13 としてh□に関係なく一定と考えることができる。
イアス回路で、第1図に示す本発明の第1の実施例にカ
レントミラーのベース電流14の補償用トランジスタ1
1を追加したもので、このため、定電流源3による電流
は、トランジスタ4を流れる電流12とトランジスタ1
1のベース電流13とに分流するが、カレントミラー5
,6のベアリングが十分にとれていると、I+z−hr
tax 2 x h、□IXI+3となって1.□>>
II3であるから、第1図の原理図と同様のバイアス出
力電流を得ることができる。これを簡単な増幅回路のバ
イアスとして用いると、出力端子19のDC動作点は、
負荷抵抗17をRとして ■19″″Vec hyt+b’ Iq °Rとな
り、バイアス設定トランジスタ4と増幅トランジスタ1
6のベアリングがとれていれば、VI9#VCC−R−
13 としてh□に関係なく一定と考えることができる。
従ってこのバイアス回路をトランジスタのhvtを利用
した増幅器のバイアス回路として用いた場合には、バイ
アス設定トランジスタのh□と増幅トランジスタのhy
xのベアリングをとるだけでDC動作点を精度よく設定
することができる。
した増幅器のバイアス回路として用いた場合には、バイ
アス設定トランジスタのh□と増幅トランジスタのhy
xのベアリングをとるだけでDC動作点を精度よく設定
することができる。
なお、上記実施例においては、NPN)ランジスタを用
いた増幅回路に用いるバイアス回路について述べたが、
PNP)ランジスタを用いる増幅回路用バイアス回路を
、バイアス設定トランジスタをPNPとし、カレントミ
ラーをNPN)ランジスタにより構成して構成してもよ
(、上記と同様の効果を奏する。
いた増幅回路に用いるバイアス回路について述べたが、
PNP)ランジスタを用いる増幅回路用バイアス回路を
、バイアス設定トランジスタをPNPとし、カレントミ
ラーをNPN)ランジスタにより構成して構成してもよ
(、上記と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、微小電流バイアスを
、トランジスタのベース電流より取り出す構成としたの
で、回路が簡単になり、またトランジスタのhytを利
用した増幅器のバイアスとして用いれば、精度よく、D
C動作点を設定できるという効果がある。
、トランジスタのベース電流より取り出す構成としたの
で、回路が簡単になり、またトランジスタのhytを利
用した増幅器のバイアスとして用いれば、精度よく、D
C動作点を設定できるという効果がある。
第1図は、この発明の一実施例を示す原理図、第2図は
本発明の応用例を示す図、第3図は従来のバイアス回路
を用いた簡単な増幅回路を示す。 1は電源、2はGND、3は定電流源、4はバイアス設
定トランジスタ、5.6はカレントミラー、7は出力端
子、8はベース電流、9は出力電流、10はバイアス回
路、11はカレントミラーのベース電流補償トランジス
タ、16は増幅トランジスタ、17は負荷抵抗、18は
入力端子、19は出力端子、20は出力電流。
本発明の応用例を示す図、第3図は従来のバイアス回路
を用いた簡単な増幅回路を示す。 1は電源、2はGND、3は定電流源、4はバイアス設
定トランジスタ、5.6はカレントミラー、7は出力端
子、8はベース電流、9は出力電流、10はバイアス回
路、11はカレントミラーのベース電流補償トランジス
タ、16は増幅トランジスタ、17は負荷抵抗、18は
入力端子、19は出力端子、20は出力電流。
Claims (2)
- (1)増幅回路の増幅トランジスタに対しバイアス定電
流を供給するバイアス回路において、バイアス電流の基
準となる定電流源と、 該定電流源にエミッタが接続されたトランジスタと、 該トランジスタのベースに接続されたカレントミラー回
路とを備え、 定電流が上記トランジスタを流れるのに必要なベース電
流を上記カレントミラー回路から供給するとともに、こ
の電流に比例した電流をバイアス電流として出力するこ
とを特徴とするバイアス回路。 - (2)上記カレントミラー回路は、 カレントミラーを構成する主トランジスタ対と、エミッ
タが該主トランジスタ対のベースに接続され、ベースが
上記定電流源に接続されたベース電流補償トランジスタ
とからなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のバイアス回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199809A JPS6354809A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199809A JPS6354809A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | バイアス回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6354809A true JPS6354809A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16413994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61199809A Pending JPS6354809A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | バイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6354809A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162036A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-17 | 東レ株式会社 | 特殊紡績糸及びその製造方法 |
JPH0331917A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Fujitsu Ltd | 電流源装置 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61199809A patent/JPS6354809A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162036A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-17 | 東レ株式会社 | 特殊紡績糸及びその製造方法 |
JPH0331917A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-12 | Fujitsu Ltd | 電流源装置 |
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