JPH04332142A - 光半導体装置の製造法 - Google Patents
光半導体装置の製造法Info
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- JPH04332142A JPH04332142A JP3128285A JP12828591A JPH04332142A JP H04332142 A JPH04332142 A JP H04332142A JP 3128285 A JP3128285 A JP 3128285A JP 12828591 A JP12828591 A JP 12828591A JP H04332142 A JPH04332142 A JP H04332142A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、接着剤を介して装着部
材に光半導体素子を取付ける光半導体装置の製造法に関
し、特に、装着部材の表面に接着剤を塗布し、その上に
、所要の平行度および位置精度で光半導体素子を載せ、
上記接着剤の硬化で上記装着部材に上記光半導体素子を
固着する光半導体装置の製造法に関する。
材に光半導体素子を取付ける光半導体装置の製造法に関
し、特に、装着部材の表面に接着剤を塗布し、その上に
、所要の平行度および位置精度で光半導体素子を載せ、
上記接着剤の硬化で上記装着部材に上記光半導体素子を
固着する光半導体装置の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から良く知られているように、装着
部材に対して光半導体を装着するときには、接着剤とし
て熱硬化性樹脂を用いている。この時使用されるダイボ
ンディング装置では、架台上に装着部材を載せて固定し
、その装着部材の表面に対して接着剤を所定量載せると
ともに、一方において、上記架台上方に吸着部材を配置
していて、これに光半導体素子を所定位置でかつ水平な
姿勢で吸着保持しておき、上記吸着部材を降下し、上記
接着剤に上記光半導体素子を接着した状態で、上記吸着
部材にかかる吸引力を解除し、上記吸着部材を上昇させ
る。この後、次の工程で、架台から上記装着部材を取出
し、加熱炉などの別の個所で、加熱して、上記接着剤を
硬化し、上記装着部材に対する光半導体素子の取付けを
完成するのである。
部材に対して光半導体を装着するときには、接着剤とし
て熱硬化性樹脂を用いている。この時使用されるダイボ
ンディング装置では、架台上に装着部材を載せて固定し
、その装着部材の表面に対して接着剤を所定量載せると
ともに、一方において、上記架台上方に吸着部材を配置
していて、これに光半導体素子を所定位置でかつ水平な
姿勢で吸着保持しておき、上記吸着部材を降下し、上記
接着剤に上記光半導体素子を接着した状態で、上記吸着
部材にかかる吸引力を解除し、上記吸着部材を上昇させ
る。この後、次の工程で、架台から上記装着部材を取出
し、加熱炉などの別の個所で、加熱して、上記接着剤を
硬化し、上記装着部材に対する光半導体素子の取付けを
完成するのである。
【0003】ここで問題になるのは、接着剤が硬化され
ない内に、装着部材を架台から外して、加熱炉へと移動
することである。このような動作のために、折角、装置
部材に対する光半導体素子の取付け精度、平行度を高め
ておいても、上記の動作の間にずれを生じてしまい、歩
留りを悪くする。特に、位置精度が±0.1mm以内、
平行度が5μm/mm以内にすることが望ましいエリア
センサ、ラインセンサなどの光情報の読取りなどに用い
る光半導体装置では、感度低下および画像品位の低下な
どの悪影響がある。
ない内に、装着部材を架台から外して、加熱炉へと移動
することである。このような動作のために、折角、装置
部材に対する光半導体素子の取付け精度、平行度を高め
ておいても、上記の動作の間にずれを生じてしまい、歩
留りを悪くする。特に、位置精度が±0.1mm以内、
平行度が5μm/mm以内にすることが望ましいエリア
センサ、ラインセンサなどの光情報の読取りなどに用い
る光半導体装置では、感度低下および画像品位の低下な
どの悪影響がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、ダイボンディ
ング装置に装着部材がある内に、接着剤を硬化し、最初
のセッティングの状態(高い位置精度および平行度)を
維持したまま、上記装着部材に対する光半導体素子の固
定を十分に、あるいは或る程度満足できるように、実現
することが考えられている。
ング装置に装着部材がある内に、接着剤を硬化し、最初
のセッティングの状態(高い位置精度および平行度)を
維持したまま、上記装着部材に対する光半導体素子の固
定を十分に、あるいは或る程度満足できるように、実現
することが考えられている。
【0005】その一つの方法として、ヒ−タ−ブロック
を用いて、上記ダイボンディング装置において接着剤の
加熱硬化を行うことが考えられるが、この方法では、そ
の加熱処理の間、上記ダイボンディング装置が使えず、
生産効率が低下する。
を用いて、上記ダイボンディング装置において接着剤の
加熱硬化を行うことが考えられるが、この方法では、そ
の加熱処理の間、上記ダイボンディング装置が使えず、
生産効率が低下する。
【0006】また、このような熱硬化型接着剤に紫外線
硬化性を付与して、光半導体素子を吸着部材で保持した
ままの状態で、上記光半導体素子を押し付けた接着剤に
紫外線を照射し、紫外線硬化により、仮止めがなされる
ようにし、加熱炉に移してから本格的に加熱硬化するこ
とも考えられた。
硬化性を付与して、光半導体素子を吸着部材で保持した
ままの状態で、上記光半導体素子を押し付けた接着剤に
紫外線を照射し、紫外線硬化により、仮止めがなされる
ようにし、加熱炉に移してから本格的に加熱硬化するこ
とも考えられた。
【0007】この方法では、接着剤の仮止めのため、装
着部材に対する光半導体素子の位置精度および平行度が
保たれるが、カラ−エリアセンサなどの光半導体では、
カラ−フィルタに染料を用いているために、紫外線によ
り、色劣化を引き起こす。これは、情報の読取りに際し
て色の再現性を低下させる原因となる。
着部材に対する光半導体素子の位置精度および平行度が
保たれるが、カラ−エリアセンサなどの光半導体では、
カラ−フィルタに染料を用いているために、紫外線によ
り、色劣化を引き起こす。これは、情報の読取りに際し
て色の再現性を低下させる原因となる。
【0008】
【発明の目的】本発明は、上記事情に基いてなされたも
ので、ダイボンディング装置において、装着部材に対し
て光半導体素子を接着する際に、十分な位置精度および
平行度を保つことができ、しかも、カラ−フィルタの色
劣化を防止でき、高品位な画像で色再現性を維持できる
ようにした光半導体装置の製造法を提供しようとするも
のである。
ので、ダイボンディング装置において、装着部材に対し
て光半導体素子を接着する際に、十分な位置精度および
平行度を保つことができ、しかも、カラ−フィルタの色
劣化を防止でき、高品位な画像で色再現性を維持できる
ようにした光半導体装置の製造法を提供しようとするも
のである。
【0009】
【課題を解決するための手段】このため、本発明では、
装着部材の表面に接着剤を塗布し、その上に、所要の平
行度および位置精度で光半導体素子を載せ、上記接着剤
の硬化で上記装着部材に上記光半導体素子を固着する光
半導体装置の製造法において、上記接着剤には、可視光
硬化型樹脂に熱硬化性を付与したものを用い、上記装着
部材に塗布した上記接着剤に対して上記光半導体素子を
載せた状態で、上記接着剤が光学的に露出されている個
所に可視光線を照射し、上記光半導体素子に対して一定
の保持力を与えてから、次の工程に移行し、加熱によっ
て上記接着剤の硬化を完成させるのである。
装着部材の表面に接着剤を塗布し、その上に、所要の平
行度および位置精度で光半導体素子を載せ、上記接着剤
の硬化で上記装着部材に上記光半導体素子を固着する光
半導体装置の製造法において、上記接着剤には、可視光
硬化型樹脂に熱硬化性を付与したものを用い、上記装着
部材に塗布した上記接着剤に対して上記光半導体素子を
載せた状態で、上記接着剤が光学的に露出されている個
所に可視光線を照射し、上記光半導体素子に対して一定
の保持力を与えてから、次の工程に移行し、加熱によっ
て上記接着剤の硬化を完成させるのである。
【0010】
【実施例】以下、本発明の製造法を図示の実施例にもと
ずいて具体的に説明する。ここで使用されるダイボンデ
ィング装置では、架台1上に装着部材2を載せて固定し
、その装着部材2の表面に対して接着剤3を所定量載せ
るとともに、一方において、上記架台1の上方に吸着部
材4を配置していて、真空吸引力を用いて、これに光半
導体素子5を所定位置でかつ水平な姿勢で吸着保持して
おくのである(図1参照)。
ずいて具体的に説明する。ここで使用されるダイボンデ
ィング装置では、架台1上に装着部材2を載せて固定し
、その装着部材2の表面に対して接着剤3を所定量載せ
るとともに、一方において、上記架台1の上方に吸着部
材4を配置していて、真空吸引力を用いて、これに光半
導体素子5を所定位置でかつ水平な姿勢で吸着保持して
おくのである(図1参照)。
【0011】この場合、上記接着剤3には、カラ−フィ
ルタでの色劣化を引き起こさない可視光領域(400〜
500nm)において硬化する感度を有する可視光硬化
型樹脂に熱硬化性を付与したものを使用する。例えば、
上記接着剤の材料として、ジメタクリレ−トの樹脂に、
410〜500nmの可視光に感度を有するα−ジケト
ン類、あるいはカンファ−キノンと、2−(N、N−ジ
メチルアミノ)エチルメタクリレ−トまたはアルキルバ
ルビツ−ル酸のような還元剤とを組合わせた光重合開始
剤を添加し、これに、熱重合開始剤として過酸化ベンゾ
イルなどを添加したものを用いる。
ルタでの色劣化を引き起こさない可視光領域(400〜
500nm)において硬化する感度を有する可視光硬化
型樹脂に熱硬化性を付与したものを使用する。例えば、
上記接着剤の材料として、ジメタクリレ−トの樹脂に、
410〜500nmの可視光に感度を有するα−ジケト
ン類、あるいはカンファ−キノンと、2−(N、N−ジ
メチルアミノ)エチルメタクリレ−トまたはアルキルバ
ルビツ−ル酸のような還元剤とを組合わせた光重合開始
剤を添加し、これに、熱重合開始剤として過酸化ベンゾ
イルなどを添加したものを用いる。
【0012】次に、上記吸着部材4を降下し、所定の位
置精度および平行度を維持した状態で、上記接着剤5に
上記光半導体素子5を押し付け、接着し(図2参照)、
その時、外周にはみ出した接着剤の部分に、可視光6を
照射する(図3参照)。なお、上記光半導体素子5の一
部が光透過性であれば、そこを介しても、可視光を接着
剤に投射できる。
置精度および平行度を維持した状態で、上記接着剤5に
上記光半導体素子5を押し付け、接着し(図2参照)、
その時、外周にはみ出した接着剤の部分に、可視光6を
照射する(図3参照)。なお、上記光半導体素子5の一
部が光透過性であれば、そこを介しても、可視光を接着
剤に投射できる。
【0013】上記可視光の照射で、上記接着剤が硬化し
、十分に光半導体素子5に対する保持力を確保してから
、上記吸着部材4にかかる吸引力を解除し、上記吸着部
材4を上昇させる(図4参照)。この後、次の工程で、
架台1から上記装着部材2を取出し、加熱炉などの別の
個所(図示せず)で、加熱して、上記接着剤3を熱硬化
し、上記装着部材2に対する光半導体素子5の取付けを
完成する。
、十分に光半導体素子5に対する保持力を確保してから
、上記吸着部材4にかかる吸引力を解除し、上記吸着部
材4を上昇させる(図4参照)。この後、次の工程で、
架台1から上記装着部材2を取出し、加熱炉などの別の
個所(図示せず)で、加熱して、上記接着剤3を熱硬化
し、上記装着部材2に対する光半導体素子5の取付けを
完成する。
【0014】残る工程では、上記光半導体素子5に対し
てリ−ド7を電気的に導通する状態にし、ガラスなどの
透明部材で封止を行う。
てリ−ド7を電気的に導通する状態にし、ガラスなどの
透明部材で封止を行う。
【0015】このようにして製造された光半導体装置は
、光半導体素子が上記装着部材に対して、例えば、±0
.1mm以下の位置精度、および、5μm/mm以下の
平行度を保って高精度に接着できるため、エリアセンサ
などの情報読取り装置に使用するとき、高感度で高品質
な画像が得られる。しかも、仮止めのための樹脂硬化用
の光線に、可視光を採用しているので、カラ−フィルタ
などを使用している場合に、色劣化をもたらすことなく
、色再現性の良い画像を得ることができる。また、ダイ
ボンディング装置としては、仮止めだけを行うので、接
着剤硬化のための装置占有時間が短縮でき、生産効率も
向上でき、コストの低減を図ることができる。
、光半導体素子が上記装着部材に対して、例えば、±0
.1mm以下の位置精度、および、5μm/mm以下の
平行度を保って高精度に接着できるため、エリアセンサ
などの情報読取り装置に使用するとき、高感度で高品質
な画像が得られる。しかも、仮止めのための樹脂硬化用
の光線に、可視光を採用しているので、カラ−フィルタ
などを使用している場合に、色劣化をもたらすことなく
、色再現性の良い画像を得ることができる。また、ダイ
ボンディング装置としては、仮止めだけを行うので、接
着剤硬化のための装置占有時間が短縮でき、生産効率も
向上でき、コストの低減を図ることができる。
【0016】
【発明の効果】本発明は以上詳述したようになり、接着
剤には、可視光硬化型樹脂に熱硬化性を付与したものを
用い、装着部材に塗布した上記接着剤に対して光半導体
素子を載せた状態で、上記接着剤が光学的に露出されて
いる個所に可視光線を照射し、上記光半導体素子に対し
て一定の保持力を与えてから、次の工程に移行し、加熱
によって上記接着剤の硬化を完成させるので、最初の上
記光半導体素子のセッティングにおいて、上記装着部材
に対する上記光半導体素子の位置精度および平行度が保
たれ、高精度で歩留りの良い光半導体が得られ、ダイボ
ンディング装置の占有時間が短縮でき、生産効率を上げ
ることができ、また、カラ−フィルタを用いる情報読取
り装置などにこの光半導体装置を使用する場合、色劣化
を生じるおそれがなく、高い色再現性を維持できる。
剤には、可視光硬化型樹脂に熱硬化性を付与したものを
用い、装着部材に塗布した上記接着剤に対して光半導体
素子を載せた状態で、上記接着剤が光学的に露出されて
いる個所に可視光線を照射し、上記光半導体素子に対し
て一定の保持力を与えてから、次の工程に移行し、加熱
によって上記接着剤の硬化を完成させるので、最初の上
記光半導体素子のセッティングにおいて、上記装着部材
に対する上記光半導体素子の位置精度および平行度が保
たれ、高精度で歩留りの良い光半導体が得られ、ダイボ
ンディング装置の占有時間が短縮でき、生産効率を上げ
ることができ、また、カラ−フィルタを用いる情報読取
り装置などにこの光半導体装置を使用する場合、色劣化
を生じるおそれがなく、高い色再現性を維持できる。
【図1】本発明の一実施例を説明するための概略構成図
である。
である。
【図2】同じく上記実施例を説明するための概略構成図
である。
である。
【図3】同じく上記実施例を説明するための概略構成図
である。
である。
【図4】同じく上記実施例を説明するための概略構成図
である。
である。
1 架台
2 装着部材
3 接着剤
4 吸着部材
5 光半導体素子
6 可視光
7 リ−ド
Claims (1)
- 【請求項1】 装着部材の表面に接着剤を塗布し、そ
の上に、所要の平行度および位置精度で光半導体素子を
載せ、上記接着剤の硬化で上記装着部材に上記光半導体
素子を固着する光半導体装置の製造法において、上記接
着剤には、可視光硬化型樹脂に熱硬化性を付与したもの
を用い、上記装着部材に塗布した上記接着剤に対して上
記光半導体素子を載せた状態で、上記接着剤が光学的に
露出されている個所に可視光線を照射し、上記光半導体
素子に対して一定の保持力を与えてから、次の工程に移
行し、加熱によって上記接着剤の硬化を完成させること
を特徴とする光半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3128285A JPH04332142A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 光半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3128285A JPH04332142A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 光半導体装置の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04332142A true JPH04332142A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14981043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3128285A Pending JPH04332142A (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | 光半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04332142A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294793A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | イメージセンサチップの固定方法 |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3128285A patent/JPH04332142A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294793A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | イメージセンサチップの固定方法 |
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