JP2021518661A - シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置 - Google Patents

シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021518661A
JP2021518661A JP2020549759A JP2020549759A JP2021518661A JP 2021518661 A JP2021518661 A JP 2021518661A JP 2020549759 A JP2020549759 A JP 2020549759A JP 2020549759 A JP2020549759 A JP 2020549759A JP 2021518661 A JP2021518661 A JP 2021518661A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stamp
seam
masters
master
seams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020549759A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7060706B2 (ja
Inventor
ケヴィン ロートン カニンガム，
ケヴィン ロートン カニンガム，
マニヴァンナン トータドリ，
マニヴァンナン トータドリ，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2021518661A publication Critical patent/JP2021518661A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7060706B2 publication Critical patent/JP7060706B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
    • B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
    • B29C33/3878—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts used as masters for making successive impressions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/40—Plastics, e.g. foam or rubber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/36—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/38—Moulds for making articles of definite length, i.e. discrete articles with means to avoid flashes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2035—Exposure; Apparatus therefor simultaneous coating and exposure; using a belt mask, e.g. endless
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2909/00—Use of inorganic materials not provided for in groups B29K2803/00 - B29K2807/00, as mould material
    • B29K2909/02—Ceramics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026—Transparent
    • B29K2995/0027—Transparent for light outside the visible spectrum

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本開示の実施形態は、概して、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置に関する。本明細書に開示される方法は、概して、スタンプまたは製品中の特徴の硬化時間を、シームおよび周辺部の硬化時間から切り離すことを含む。シームおよび周辺部は、最初に硬化させることも、最後に硬化させることもできる。さらに、シーム硬化工程は、マスタの上、スタンプの上、または最終製品の上で行うことができる。【選択図】図４Ａ

Description

［０００１］本開示の実施形態は、概して、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置に関する。
［０００２］インプリントリソグラフィは、ナノメートルスケールのパターンを製造するために使用することができる接触パターニング方法である。概して、インプリントリソグラフィは、パターンのテンプレートを作成することから始まる。フォトレジストなどの液体が、パターニングされる基板上に堆積される。次いで、パターニングされたテンプレートを液体に押し付けて、パターンを基板にインプリントする。次に、パターニングされた基板を硬化させて、基板上のフォトレジストのパターニングを固化させる。
［０００３］しかしながら、従来のインプリントリソグラフィ方法および装置には、様々な課題がある。例えば、従来のインプリントリソグラフィ方法は、表示装置のような大面積基板（３００ｍｍより大きい）には適していない。というのは、従来使用されているマスタが、大面積ディスプレイをパターニングするのに十分な大きさではないからである。したがって、いくつかの従来のインプリント方法は、互いに接着された複数のマスタを使用してきた。しかしながら、マスタの間と周辺部とにシームが形成され、その後、基板上のパターニングに転写される。シームと周辺部にパターニングされた凹凸があると、装置効率の低下、さらには装置の故障を引き起こす可能性がある。例えば、導光パネル（ＬＧＰ）の場合、ＬＧＰにシームをインプリントすると、ＬＧＰから光を誘導または外に結合しかねない、表面特徴となる。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の場合、ＬＣＤにシームをインプリントすると、閲覧者には、ディスプレイにシームが見えるだろう。
［０００４］したがって、大面積基板をインプリントするために使用することができる、改良されたインプリントリソグラフィ方法および装置が必要とされている。
［０００５］本開示の実施形態は、概して、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置に関する。本明細書に開示される方法は、概して、スタンプまたは製品中の特徴の硬化時間を、シームおよび周辺部の硬化時間から切り離すことを含む。シームおよび周辺部は、最初に硬化させることも、最後に硬化させることもできる。さらに、シーム硬化工程は、マスタの上、スタンプの上、または最終製品の上で行うことができる。
［０００６］一実施形態では、インプリントリソグラフィ方法が開示される。この方法は、スタンプを形成するために、バッキング板に接着された複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、複数のマスタの各対が、その間にシームを有する、スタンプ材料をインプリントすることと、紫外線光源とスタンプ材料との間にマスクを配置することと、スタンプ材料を、紫外線光源からの紫外線に露光して、スタンプ材料の硬化部分および未硬化部分を形成することとを含む。
［０００７］別の実施形態では、インプリントリソグラフィ方法が開示される。この方法は、スタンプを形成するために、バッキング板に接着された複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、前記複数のマスタの各対が、その間にシームを有する、スタンプ材料をインプリントすることと、スタンプを用いて基板上へのフォトレジスト材料をインプリントすることと、紫外線光源とフォトレジスト材料との間にマスクを配置することと、フォトレジスト材料を紫外線光源からの紫外線に露光して、フォトレジスト材料の硬化部分および未硬化部分を形成することとを含む。
［０００８］さらに別の実施形態では、インプリントリソグラフィ方法が開示される。この方法は、バッキング板に複数のマスタを接着することであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、複数のマスタの各対が、それらの間にシームを有する、複数のマスタを接着することと、複数のマスタの各対の間のシームを充填材料で充填することと、複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることによって、スタンプを形成することと、スタンプを用いて基板上にフォトレジスト材料をインプリントすることと、インプリントされたフォトレジスト材料からスタンプを除去して、複数の特徴および充填されたシームのポジ画像を有する最終製品を形成することとを含む。
［０００９］さらに別の実施形態では、インプリントリソグラフィ装置が開示される。装置は、ＵＶ透過性バッキング板と、ＵＶ透過性バッキング板に結合された少なくとも２つのマスタとを含み、少なくとも２つのマスタの各々が、その上に複数の特徴を有し、少なくとも２つのマスタが、それらの間にシームを有する。
［００１０］本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、それらの実施形態の一部が添付図面に示される。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面が本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、よって本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
［００１１］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。 ［００１２］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。 ［００１３］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。 ［００１４］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。 ［００１５］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。 ［００１６］本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。
［００１７］理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。加えて、一実施形態の要素は、本明細書に記載の他の実施形態における利用に有利に適合されうる。
［００１８］本開示の実施形態は、概して、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置に関する。本明細書に開示される方法は、概して、スタンプまたは製品中の特徴の硬化時間を、シームおよび周辺部の硬化時間から切り離すことを含む。シームおよび周辺部は、最初に硬化させることも、最後に硬化させることもできる。さらに、シーム硬化工程は、マスタの上、スタンプの上、または最終製品の上で行うことができる。
［００１９］以下の実施形態は、シームのない大面積インプリントを形成するための方法および装置に言及する。また、これらの実施形態は、マスタ、スタンプ、または最終製品の周辺部での類似のシームのような課題を硬化するのに有用である。
［００２０］図１Ａ〜図１Ｆは、本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。図１Ａ〜１Ｆに示される方法は、シームおよび周辺部の課題に対する主要レベルの解決策を提供する。この方法は、複数のマスタ１０４をバッキング板１０２上に接着することから始まる。図１Ａに示す実施形態では、２つのマスタ１０４がバッキング板１０２に接着されている。マスタ１０４は、その上に特徴１０５のパターンを有する。シーム１０６は、２つのマスタ１０４の間に形成される。図１Ｂに示すように、シーム１０６は充填材料１０８で充填される。概して、充填材料１０８は、完全に平坦な表面となるようにシーム１０６を充填することはない。その代わりに、シーム１０６が充填材料１０８で不足充填されると、図１Ｂに示すように、シーム１０６は凹状になる。別の実施形態では、シーム１０６は、充填材料１０８で過剰充填され、凸状になる。
［００２１］図１Ｃに示すように、スタンプ材料１１０がマスタ１０４と接触してスタンプ１１２を形成する。図１Ｄに示すように、スタンプ１１２はマスタ１０４のネガパターンである。したがって、スタンプ１１２は、凹状シーム１０６およびネガティブ特徴１１６に対応する位置に凸状部分１１４を含む。次に、スタンプ１１２を使用して、図１Ｅに示すように、基板１２０上に堆積されたフォトレジスト材料１１８をパターニングし、図１Ｆに示すように、最終製品１２２を形成する。最終製品１２２は、凹状部分１２７と同様に、複数の特徴部１２５でパターニングされたフォトレジスト材料１１８を含む。この方法は、スタンプレベルおよび最終製品レベルにおいて、２つの転写インプリントを含むので、最終製品１２２は、マスタ１０４およびシーム１０６のポジ画像である。
［００２２］充填材料１０８は、概して、任意の適切な材料である。一例では、充填材料１０８はポリマーである。別の例では、充填材料１０８は、低粘度シリコーンなど、幅が約１００μｍと約５００μｍとの間の間隙またはシームを充填することができる低粘度接着剤である。いくつかの例では、充填材料１０８は、毛管作用によって間隙またはシームを充填することができる。スタンプ材料１１０は、概して、任意の適切な材料である。一例では、スタンプ材料１１０は、ポリジメチルシロキサン材料（ＰＤＭＳ）、または基板上にスピンコーティングもしくは堆積されたＰＤＭＳの任意の他の変形である。さらなる例では、スタンプ材料１１０は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースなどの、中間パターン転写媒体として機能する任意の軟質材料である。基板は、概して、限定されないが、ガラス、溶融シリカ、石英、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびポリカーボネートを含む任意の適切な基板材料である。
［００２３］さらなる実施形態では、この方法は、基板をパターニングするためのより少ないまたは追加の工程を含む。例えば、一実施形態では、基板上にマスタのネガ画像を形成するために、追加の転写インプリント工程が実行される。別の実施形態では、マスタを使用して基板を直接パターニングし、中間転写インプリント工程を排除する。
［００２４］図２Ａ〜２Ｄは、本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。図２Ａ〜２Ｄに示される方法は、シームおよび周辺部が最後に硬化される際のシームおよび周辺部の課題に対するスタンプレベルの解決策を提供する。この方法は、複数のマスタ２０４をバッキング板２０２上に接着することから始まる。図２Ａに示す実施形態では、２つのマスタ２０４がバッキング板２０２に接着されている。マスタ２０４は、その上に特徴２０５のパターンを有する。シーム２０６は、２つのマスタ２０４の間に形成される。図２Ａに示すように、シーム２０６は充填されないままである。他の実施形態では、シーム２０６は、シーム２０６が凹状になるように不足充填される。
［００２５］次に、図２Ｂに示すように、マスタ２０４はスタンプ材料２１０をインプリントする。マスタ２０４がスタンプ材料２１０をインプリントした後に、図２Ｃに示すように、スタンプ材料２１０と紫外線（ＵＶ）光源２２６との間に、マスク２２４が配置される。工程中、マスク２２４は、ＵＶ光が、シーム２０６に対応するスタンプ材料２１０の部分に到達するのを防止する。ＵＶ光源２２６からのＵＶ光は、シーム２０６に対応するスタンプ材料２１０の部分に到達しないので、シーム２０６は、スタンプ材料２１０にインプリントされるが、硬化されない。
［００２６］図２Ｄに硬化部分２２８として示される、スタンプ材料２１０のマスクされていない部分が硬化された後に、マスタ２０４がスタンプ材料２１０から除去され、図２Ｄに示されるように、未硬化部分２３０が基板２２１の表面に沿って平坦になるまで、スタンプ材料２１０の未硬化部分２３０（シーム２０６および周辺部に対応する）が、流動または「弛緩」する。未硬化部分２３０が流動し、基板２２１の表面に沿って平坦になった後に、スタンプ材料２１０は、追加のＵＶ光で再び硬化され、その上に特徴２２５を有するスタンプ２１２を生成する。スタンプ２１２は、最終製品にシームを残すことなく、大面積基板などの最終製品をインプリントするために使用することができる。
［００２７］スタンプ材料２１０は、概して、任意の適切な材料である。一例では、スタンプ材料２１０はＰＤＭＳ材料である。別の例では、ソフトスタンプ材料２１０は、ＰＶＡから作製される。基板２２１は、概して、限定されないが、ガラス、ＰＭＭＡ、およびポリカーボネートを含む任意の適切な基板材料である。
［００２８］別の実施形態では、シーム２０６は、ポリマーなどの充填材料で過剰充填される。図２Ａ〜図２Ｄに示すように、スタンプ材料２１０は、基板２２１上に堆積されるが、さらなる実施形態では、スタンプ材料２１０は、マスタ２０４上に直接コーティングされ、後に除去される。さらなる実施形態では、未硬化部分２３０は、その後硬化される代わりに洗い流される。例えば、未硬化部分２３０は、特定のスタンプ材料２１０を除去するために選択された１つ以上の溶媒を使用して除去されてもよい。加えて、さらなる実施形態は、集束する狭い放射線ビームを使用して材料の所定の部分を硬化するために、マスクレスの直接書込みレーザシステムの使用を企図する。例えば、インプリント方法中に特徴を有する領域を硬化させるために、マスクレスの直接書込みシステムを使用することができる。次に、マスタが除去された後にシーム領域および周辺領域を硬化させるために、マスクレスの直接書込みレーザシステムを使用することもできる。
［００２９］さらなる実施形態では、この方法は、基板をパターニングするためのより少ないまたは追加の工程を含む。例えば、一実施形態では、基板上にマスタのネガ画像を形成するために、追加の転写インプリント工程が実行される。別の実施形態では、マスタを使用して基板を直接パターニングし、中間転写インプリント工程を排除する。
［００３０］図３Ａ〜３Ｄは、本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。図３Ａ〜３Ｄに示される方法は、シームおよび周辺部が最初に硬化される際のシームおよび周辺部の課題に対するスタンプレベルの解決策を提供する。この方法は、複数のマスタ３０４をバッキング板３０２上に接着することから始まる。図３Ａに示す実施形態では、２つのマスタ３０４がバッキング板３０２に接着されている。マスタ３０４は、その上に特徴３０５のパターンを有する。シーム３０６は、２つのマスタ３０４の間に形成される。図３Ａに示すように、シーム３０６は充填されないままである。他の実施形態では、シーム３０６は、シーム３０６が凹状になるように余剰充填される。
［００３１］次に、基板３２１上に堆積されたスタンプ材料３１０が硬化される。より詳細には、マスク３２４は、図３Ｂ〜３Ｃに示されるように、スタンプ材料３１０とＵＶ光源３２６との間に配置される。工程中、マスク３２４は、未硬化部分３３０として示される、特徴３０５がインプリントされるスタンプ材料３１０の部分に、ＵＶ光が到達しないようにする。硬化部分３２８として示される、スタンプ材料３１０のマスクされていない部分が硬化される。硬化部分３２８は、シーム３０６および周辺部の領域に対応する。次に、図３Ｃに示すように、マスタ３０４は、スタンプ材料３１０の未硬化部分３３０をインプリントするが、硬化部分３２８はインプリントされない。インプリントされた後に、インプリントされた未硬化部分３３０は硬化される。次に、図３Ｄに示すように、マスタ３０４およびバッキング板３０２を除去して、その上に特徴３２５を有するスタンプ３１２を形成する。スタンプ３１２は、最終製品にシームを残すことなく、大面積基板などの最終製品をインプリントするために使用することができる。
［００３２］スタンプ材料３１０は、概して、任意の適切な材料である。一例では、スタンプ材料３１０はＰＤＭＳ材料である。基板３２１は、概して、限定されないが、ガラス、ＰＭＭＡ、およびポリカーボネートを含む任意の適切な基板材料である。
［００３３］別の実施形態では、シーム３０６は、ポリマーなどの充填材料で過剰充填される。さらなる実施形態は、インプリント工程の前に特徴を有する領域を硬化するために、マスクレスの直接書込みレーザシステムの使用を企図する。例えば、マスタ３０４がスタンプ材料３１０をインプリントする前に、シーム３０６および周辺部領域を硬化させるために、マスクレスの直接書込みレーザシステムが使用される。さらに、スタンプ材料３１０がマスタ３０４によってインプリントされた後に、スタンプ材料３１０の残りを硬化させるために、マスクレスの直接書込みレーザシステムを使用することができる。
［００３４］図３Ｂ〜３Ｃに示すように、ＵＶ光源３２６はスタンプ材料３１０の下に配置される。しかしながら、図４Ａに示される実施形態では、ＵＶ光源４２６は、バッキング板４０２、マスタ４０４、およびスタンプ材料４１０の上方に配置される。この実施形態では、未硬化部分４３０によって示されるように、ＵＶ光がマスタ４０４の下にあるスタンプ材料４１０の部分に到達しないように、マスタ４０４が自己整合マスクとして動作する。したがって、バッキング板４０２は、硬化に使用されているＵＶ光の波長に対して透明である任意の適切な材料を含む。適切なバッキング板材料は、限定されないが、ガラス、石英、サファイアおよび溶融シリカを含む。図４Ｂに示されるように、ＵＶ光の角度に応じて、硬化されるスタンプ材料４１０の領域は、概して、シーム４０６よりもわずかに大きく、インプリントされたスタンプの機械的安定性を改善する。別の言い方をすれば、マスタ４０４のエッジには、概して、重なる領域４３１があり、その結果、その下のスタンプ材料４１０の領域が硬化される。また、スタンプ材料４１０の硬化領域とマスタ４０４との間がわずかに重なるようにするために、他の方法および構成も企図される。重なる領域４３１のサイズは、概して、特徴４０５のパターンへの影響を最小限に抑えつつ、シームレスまたはほぼシームレスな転写を達成するために、硬化領域およびマスタ４０４の撓みに基づいて選択される。
［００３５］重なる領域４３１は、マスタ４０４が特徴４０５のパターンをスタンプ材料４１０に転写するときに生じることがある、シーム４０６の端における小さな段差の高さを除去または低減するのに有用である。図４Ｂに示される工程の後に、後続のインプリントステップが使用され、マスタ４０４上のパターンをスタンプ材料４１０に転写し、その後、硬化される。
［００３６］図５Ａ〜５Ｆは、本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。図５Ａ〜５Ｆに示される方法は、シームおよび周辺部が最後に硬化される際のシームおよび周辺部の課題に対する製品レベルの解決策を提供する。この方法は、複数のマスタ５０４をバッキング板５０２上に接着することから始まる。図５Ａに示す実施形態では、２つのマスタ５０４がバッキング板５０２に接着されている。マスタ５０４は、その上に特徴５０５のパターンを有する。シーム５０６は、２つのマスタ５０４の間に形成される。図５Ｂに示すように、シーム５０６は充填材料５０８で充填される。概して、充填材料５０８は、完全に平坦な表面を生成するようにはシーム５０６を充填することはない。代わりに、シーム５０６が充填材料５０８で過剰充填される場合、充填されたシーム５０６は、図５Ｂに示されるように、凸状になる。別の実施形態では、充填シーム５０６は、充填材料５０８で不足充填され、凹状になる。
［００３７］図５Ｃに示すように、スタンプ材料５１０はマスタ５０４と接触して、スタンプ５１２を形成する。図５Ｄに示すように、スタンプ５１２はマスタ５０４のネガパターンである。したがって、スタンプ５１２は、凸状シーム５０６およびネガティブ特徴５１６に対応する位置に凹状部分５１４を含む。次に、スタンプ５１２を使用して、基板５２０上に堆積されたフォトレジスト材料５１８をパターニングする。図５Ｅに示すように、マスク５２４は、スタンプ５１２とＵＶ光源５２６との間に配置される。工程中、マスク５２４は、未硬化部分５３０によって示されるように、シーム５０６およびスタンプ５１２の周辺部にＵＶ光が到達しないようにし、その結果、シームおよび周辺部はインプリントされるが、硬化されない。次に、図５Ｆに示すように、スタンプ５１２が除去され、最終製品５２２が形成される。最終製品５２２は、未硬化部分５３０が基板５２１の表面に沿って平坦になるまで、流動または「弛緩」する未硬化部分５３０を含む。未硬化部分５３０が流動し、基板５２１の表面上で平坦になった後に、最終製品５２２は、追加のＵＶ光で再び硬化され、シームのない特徴５２５を有する最終製品５２２が生成される。
［００３８］図５Ａ〜５Ｆに示すように、フォトレジスト材料５１８は、基板５２０上に堆積されるが、さらなる実施形態では、フォトレジスト材料５１８は、スタンプ５１２上に直接コーティングされ、後に除去される。さらなる実施形態では、未硬化部分５３０は、後で硬化させる代わりに、洗い流されてもよい。加えて、さらなる実施形態は、インプリント方法中に特徴を有する領域を硬化させるために、マスクレスの直接書込みレーザシステムの使用を企図する。
［００３９］図６Ａ〜６Ｆは、本明細書に開示される実施形態による基板パターニング方法の様々な段階を示す。図６Ａ〜６Ｆに示される方法は、シームおよび周辺部が最初に硬化される際のシームおよび周辺部の課題に対する製品レベルの解決策を提供する。この方法は、複数のマスタ６０４をバッキング板６０２上に接着することから始まる。図６Ａに示す実施形態では、２つのマスタ６０４がバッキング板６０２に接着されている。マスタ６０４は、その上に特徴６０５のパターンを有する。シーム６０６は、２つのマスタ６０４の間に形成される。図６Ｂに示すように、シーム６０６は充填材料６０８で充填される。概して、充填材料６０８は、完全に平坦な表面を提供するようにシーム６０６を充填することはない。代わりに、シーム６０６が充填材料６０８で過剰充填される場合、充填されたシーム６０６は、図６Ｂに示されるように、凸状になる。別の実施形態では、充填シーム６０６は、充填材料６０８で余剰充填され、凹状になる。
［００４０］図６Ｃに示すように、スタンプ材料６１０はマスタ６０４と接触して、スタンプ６１２を形成する。図６Ｄに示すように、スタンプ６１２はマスタ６０４のネガパターンである。したがって、スタンプ６１２は、凸状シーム６０６およびネガティブ特徴６１６に対応する位置に凹状部分６１４を含む。次に、スタンプ６１２を使用して、基板６２０上に堆積されたフォトレジスト材料６１８をパターニングする。図６Ｅに示すように、マスク６２４は、スタンプ６１２とＵＶ光源６２６との間に配置される。工程中、マスク６２４は、未硬化部分６３０として示される、特徴６１６がインプリントされるフォトレジスト材料６１８の部分に、ＵＶ光が到達しないようにする。硬化部分６２８として示される、フォトレジスト材料６１８のマスクされていない部分が硬化される。硬化部分６２８は、シーム６０６および周辺部の領域に対応する。次に、スタンプ６１２は、図６Ｆに示すように、硬化部分６２８がインプリントされていない間に、フォトレジスト材料６１８の未硬化部分６３０をインプリントし、シームのない大面積基板などの最終製品６２２を形成する。
［００４１］スタンプ材料６１０は、概して、任意の適切な材料である。一例では、スタンプ材料６１０はＰＤＭＳ材料である。フォトレジスト材料６１８は、概して、任意の適切なフォトレジスト材料である。基板６２０は、概して、限定されないが、ガラス、ＰＭＭＡ、およびポリカーボネートを含む任意の適切な基板材料である。
［００４２］別の実施形態では、シーム６０６は、ポリマーなどの充填材料で過剰充填され、高弾性スタンプ材料６１０が使用される。さらなる実施形態はまた、インプリント前にシーム６０６および周辺領域を硬化させるために、マスクレスの直接書込みレーザシステムの使用を企図する。例えば、スタンプ６１２がフォトレジスト材料６１８の未硬化部分６３０をインプリントする前に、シーム６０６および周辺領域を硬化するために、マスクレスの直接書込みレーザシステムが使用される。さらに、インプリントが行われた後にフォトレジスト材料６１８の残りを硬化するために、マスクレスの直接書込みレーザシステムを使用することができる。
［００４３］開示される方法および装置は、有利には、３００ナノメートル（ｎｍ）以上のディスプレイ装置などの大面積基板上にナノ寸法の特徴をパターニングするために使用され、シームおよび周辺部におけるパターニングの問題が低減または排除される。例えば、シームおよび周辺部におけるパターニングの問題を低減または排除した状態で、１００ｎｍの特徴または５０ｎｍの特徴などのナノ特徴を有するディスプレイ装置をインプリントするために、開示された方法および装置を使用することができる。開示される方法および装置は、自動車用途、拡張現実またはバーチャルリアリティヘッドセットもしくはスマートウィンドウを含む他の用途のための他のディスプレイ装置および他の光学素子またはフィルムに加えて、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、導光板（ＬＧＰ）、光照射野板（ＬＦＰ）、およびワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）をパターニングするのに有用である。シームおよび周辺部におけるパターニング凹凸を低減または排除することによって、光学装置の機能性が一般的に改善される。例えば、ＬＧＰでは、シームと周辺部の凹凸を低減または除去することにより、装置からの光損失が低減される。ＬＣＤでは、シームと周辺部の凹凸を低減または除去することで、ディスプレイからの投影画像の品質が向上し、閲覧者には、投影されている画像のパターニングされたシームが見えなくなる。
［００４４］以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施形態および更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. インプリントリソグラフィ方法であって、
    スタンプを形成するために、バッキング板に接着された複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、前記複数のマスタの各対が、その間にシームを有する、スタンプ材料をインプリントすることと、
    紫外線光源と前記スタンプ材料との間にマスクを配置することと、
    前記スタンプ材料を、前記紫外線光源からの紫外線に露光して、前記スタンプ材料の硬化部分および未硬化部分を形成することと
    を含むインプリントリソグラフィ方法。
  2. 前記スタンプ材料の前記硬化部分が、前記複数のマスタの各対の間の前記シームに対応する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記スタンプ材料の前記未硬化部分が、前記複数のマスタの各対の間の前記シームに対応する、請求項１に記載の方法。
  4. 前記スタンプ材料を、前記紫外線光源からの紫外線に露光して、前記スタンプ材料の硬化部分および未硬化部分を形成することが、前記スタンプを形成するために、前記バッキング板に接着された前記複数のマスタで前記スタンプ材料をインプリントする前に行われる、請求項１に記載の方法。
  5. 前記スタンプ材料を、前記紫外線光源からの紫外線に露光して、前記スタンプ材料の硬化部分および未硬化部分を形成することが、前記スタンプを形成するために、前記バッキング板に接着された前記複数のマスタで前記スタンプ材料をインプリントした後に行われる、請求項１に記載の方法。
  6. さらに、
    硬化部分および未硬化部分を有する前記スタンプ材料を、前記紫外線光源からの追加の紫外線に露光して、前記スタンプ材料の前記未硬化部分を硬化することを含む、請求項１記載の方法。
  7. 更に、
    前記スタンプ材料の前記未硬化部分を洗い流すことを含む、請求項１記載の方法。
  8. 更に、
    前記スタンプを用いて別個の基板上にフォトレジスト材料をインプリントすることと、
    インプリントされた前記フォトレジスト材料から前記スタンプを除去して、パターニングされた最終製品を形成することと
    を含む、請求項１記載の方法。
  9. インプリントリソグラフィ方法であって、
    スタンプを形成するために、バッキング板に接着された複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、前記複数のマスタの各対が、その間にシームを有する、スタンプ材料をインプリントすることと、
    前記スタンプを用いて基板上へのフォトレジスト材料をインプリントすることと、
    紫外線光源と前記フォトレジスト材料との間にマスクを配置することと、
    前記フォトレジスト材料を前記紫外線光源からの紫外線に露光して、前記フォトレジスト材料の硬化部分および未硬化部分を形成することと
    を含むインプリントリソグラフィ方法。
  10. 前記フォトレジスト材料の前記硬化部分が前記シームに対応する、請求項９に記載の方法。
  11. 前記フォトレジスト材料の前記未硬化部分が前記シームに対応する、請求項９に記載の方法。
  12. インプリントリソグラフィ方法であって、
    バッキング板に複数のマスタを接着することであって、各マスタが、その上に複数の特徴を有し、前記複数のマスタの各対が、それらの間にシームを有する、複数のマスタを接着することと、
    複数のマスタの各対の間の前記シームを充填材料で充填することと、
    前記複数のマスタでスタンプ材料をインプリントすることによって、スタンプを形成することと、
    前記スタンプを用いて基板上にフォトレジスト材料をインプリントすることと、
    インプリントされた前記フォトレジスト材料から前記スタンプを除去して、前記複数の特徴および充填された前記シームのポジ画像を有する最終製品を形成することと
    を含むインプリントリソグラフィ方法。
  13. 前記充填材料がポリマーである、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記シームが、前記スタンプに凹状領域を形成するために過剰充填される、請求項１２に記載の方法。
  15. 前記シームが、前記スタンプに凸状領域を形成するために不足充填される、請求項１２に記載の方法。
JP2020549759A 2018-03-19 2019-02-19 シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置 Active JP7060706B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/924,763 US10948818B2 (en) 2018-03-19 2018-03-19 Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam
US15/924,763 2018-03-19
PCT/US2019/018479 WO2019182700A1 (en) 2018-03-19 2019-02-19 Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021518661A true JP2021518661A (ja) 2021-08-02
JP7060706B2 JP7060706B2 (ja) 2022-04-26

Family

ID=67905508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020549759A Active JP7060706B2 (ja) 2018-03-19 2019-02-19 シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10948818B2 (ja)
JP (1) JP7060706B2 (ja)
KR (1) KR102548350B1 (ja)
CN (1) CN112074784A (ja)
TW (1) TWI717692B (ja)
WO (1) WO2019182700A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10948818B2 (en) * 2018-03-19 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam
US11342256B2 (en) 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
CN110824835B (zh) * 2019-11-26 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 拼接式纳米压印模板、其拼接缝的修复方法及其制作方法
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
CN116056866A (zh) * 2020-08-03 2023-05-02 应用材料公司 制造无缝软式印模的设备和方法
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011521438A (ja) * 2008-02-08 2011-07-21 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィにおけるはみ出し低減
US20160054498A1 (en) * 2014-08-25 2016-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Pattern structure and method of manufacturing the pattern structure
US20180046075A1 (en) * 2016-08-09 2018-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Imprint master template and method of manufacturing the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653030B2 (en) 2002-01-23 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
KR100582781B1 (ko) * 2003-10-20 2006-05-23 엘지전자 주식회사 임프린트 리소그라피용 스탬퍼 제조 방법
US8011916B2 (en) 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
KR20080105524A (ko) 2007-05-31 2008-12-04 삼성전자주식회사 마스크 몰드 및 그 제작방법과 제작된 마스크 몰드를이용한 대면적 미세패턴 성형방법
TWI450229B (zh) 2010-07-02 2014-08-21 Generalplus Technology Inc 有聲便利貼系統
JP2012049370A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Toshiba Corp インプリント装置
JP2013069918A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp インプリント方法およびインプリント装置
WO2013096459A1 (en) * 2011-12-19 2013-06-27 Molecular Imprints, Inc. Fabrication of seamless large area master templates for imprint lithography
CN104380206B (zh) 2012-05-14 2017-03-08 旭化成株式会社 滚筒模具的制作装置及制作方法
US8703406B2 (en) * 2012-07-12 2014-04-22 Transfer Devices Inc. Method of forming large-area masters for replication of transfer lithography templates
JP6200135B2 (ja) * 2012-07-24 2017-09-20 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
WO2017032758A1 (en) 2015-08-27 2017-03-02 Basf Se Seamless roll-to-roll nano-imprinting
KR101780729B1 (ko) 2015-09-25 2017-09-21 주식회사 삼진 대면적 유연 몰드 및 이의 제조방법
CN105974732A (zh) 2016-07-26 2016-09-28 京东方科技集团股份有限公司 压印掩膜版及纳米压印方法
KR20190027389A (ko) * 2016-08-05 2019-03-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전도성 재료들의 임프린트 리소그래피 방법, 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 임프린트 리소그래피용 장치
KR102591120B1 (ko) * 2016-08-29 2023-10-19 에스케이하이닉스 주식회사 나노임프린트 리소그래피를 이용한 패턴 형성 방법
KR20180086819A (ko) * 2017-01-23 2018-08-01 에스케이하이닉스 주식회사 임프린트 패턴 형성 방법
CN107608177B (zh) * 2017-10-22 2024-01-02 长春工业大学 一种制造超大面积纳米压印无缝图案的装置及方法
US10948818B2 (en) * 2018-03-19 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for creating a large area imprint without a seam

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011521438A (ja) * 2008-02-08 2011-07-21 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィにおけるはみ出し低減
US20160054498A1 (en) * 2014-08-25 2016-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Pattern structure and method of manufacturing the pattern structure
US20180046075A1 (en) * 2016-08-09 2018-02-15 Samsung Display Co., Ltd. Imprint master template and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200121389A (ko) 2020-10-23
TW201942687A (zh) 2019-11-01
WO2019182700A1 (en) 2019-09-26
US10948818B2 (en) 2021-03-16
CN112074784A (zh) 2020-12-11
US11774851B2 (en) 2023-10-03
KR102548350B1 (ko) 2023-06-26
US20210181625A1 (en) 2021-06-17
TWI717692B (zh) 2021-02-01
JP7060706B2 (ja) 2022-04-26
US20190285981A1 (en) 2019-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7060706B2 (ja) シームのない大面積インプリントを生成するための方法および装置
CN101097400B (zh) 软模具及其制造方法
JP6173354B2 (ja) 光透過型インプリント用モールド、大面積モールドの製造方法
JP2009170773A (ja) インプリントモールドおよびインプリント装置
TWI452551B (zh) 電子裝置的製造方法
WO2017164309A1 (ja) 光学体及び発光装置
JP2008006819A (ja) ソフトモールド製造方法及びそれを用いた薄膜パターン形成方法
JP2009190300A (ja) インプリント法
JP4371777B2 (ja) 樹脂硬化方法及び樹脂成型品の製造方法
JP2005121916A (ja) レンチキュラレンズ用凹部付き基板の製造方法、レンチキュラレンズ用凹部付き基板、レンチキュラレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
KR102463923B1 (ko) 임프린트 패턴 형성 방법 및 임프린트 장치
JP2017202672A (ja) レプリカ原盤、レプリカ原盤の製造方法、物品および被形成体の製造方法
JP2019204045A (ja) 樹脂積層光学体、光源ユニット、光学ユニット、光照射装置、画像表示装置、樹脂積層光学体の製造方法、及び光源ユニットの製造方法
US20220121114A1 (en) Large area seamless master and imprint stamp manufacturing method
KR101201325B1 (ko) 패턴 형성용 몰드 및 이를 이용한 패턴 형성방법
CN116056866A (zh) 制造无缝软式印模的设备和方法
KR101551772B1 (ko) Scil 공정용 레플리카 스탬프 및 이의 제조방법
KR101192776B1 (ko) 비노광공정용 주형용 접착제 및 이를 사용한 주형의접착방법
CN117311086A (zh) 一种波导片的拼版工作模具的制作方法及波导片、ar模组
JPWO2020080372A1 (ja) 微細パターン成形方法、インプリント用モールド製造方法およびインプリント用モールド並びに光学デバイス
TWI298815B (en) Eqipment and method for manufacturing lenticular lens sheet
JP2010223975A (ja) レンズアレイの製造方法及びレンズアレイ
KR20190061216A (ko) 패턴형성방법 및 패턴형성장치
JP2004006040A (ja) 情報記録媒体用基板の製造方法
KR20140049225A (ko) 마이크로 렌즈 어레이 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220315

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220414

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7060706

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150