JPH04305070A - セラミック接合体およびその製造方法 - Google Patents
セラミック接合体およびその製造方法Info
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- JPH04305070A JPH04305070A JP6862591A JP6862591A JPH04305070A JP H04305070 A JPH04305070 A JP H04305070A JP 6862591 A JP6862591 A JP 6862591A JP 6862591 A JP6862591 A JP 6862591A JP H04305070 A JPH04305070 A JP H04305070A
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック接合体、特に
、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる二つのセラミック焼結材を、
反応焼結法の適用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４ よりな
るセラミック焼結層を介して接合したセラミック接合体
およびその製造方法に関する。
、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる二つのセラミック焼結材を、
反応焼結法の適用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４ よりな
るセラミック焼結層を介して接合したセラミック接合体
およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種セラミック接合体として、
特開昭５８−７９８８０号公報に開示されたものが知ら
れており、この接合体においては、そのセラミック焼結
層の厚さが約１ｍｍに設定されている。
特開昭５８−７９８８０号公報に開示されたものが知ら
れており、この接合体においては、そのセラミック焼結
層の厚さが約１ｍｍに設定されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】反応焼結法により得ら
れるセラミック焼結層は、その気孔率が比較的高いのが
普通である。そのため、従来のようにセラミック焼結層
の厚さを約１ｍｍといったように厚く設定すると、その
厚さに応じて気孔の存在確立が高くなり易く、高強度な
セラミック焼結層を定常的に生成させることが難しい、
といった問題がある。
れるセラミック焼結層は、その気孔率が比較的高いのが
普通である。そのため、従来のようにセラミック焼結層
の厚さを約１ｍｍといったように厚く設定すると、その
厚さに応じて気孔の存在確立が高くなり易く、高強度な
セラミック焼結層を定常的に生成させることが難しい、
といった問題がある。
【０００４】本発明は前記に鑑み、セラミック焼結層の
厚さを減少させることによって、その層の高強度化を定
常的に達成し得るようにした接合強度の高い前記接合体
およびその製造方法を提供することを目的とする。
厚さを減少させることによって、その層の高強度化を定
常的に達成し得るようにした接合強度の高い前記接合体
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｓｉ３ Ｎ４
よりなる二つのセラミック焼結材を、反応焼結法の適
用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４ よりなるセラミック焼
結層を介して接合したセラミック接合体において、前記
セラミック焼結層の厚さＴを５０μｍ≦Ｔ≦２７０μｍ
に設定したことを特徴とする。
よりなる二つのセラミック焼結材を、反応焼結法の適
用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４ よりなるセラミック焼
結層を介して接合したセラミック接合体において、前記
セラミック焼結層の厚さＴを５０μｍ≦Ｔ≦２７０μｍ
に設定したことを特徴とする。
【０００６】本発明に係るセラミック接合体の製造方法
は、平均粒径Ｍｄが４μｍ≦Ｍｄ≦７μｍの金属Ｓｉ粉
末および溶媒を含み、且つ粘度Ｖが７００ポアズ≦Ｖ≦
１００００ポアズのスラリを、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる
二つのセラミック焼結材の両接合面間に介在させ、次い
で前記スラリを乾燥して固化層を形成し、その後前記固
化層に窒素雰囲気中で反応焼結処理を施して、Ｓｉ３
Ｎ４ よりなり、且つ両セラミック焼結材を接合するセ
ラミック焼結層を生成させることを特徴とする。
は、平均粒径Ｍｄが４μｍ≦Ｍｄ≦７μｍの金属Ｓｉ粉
末および溶媒を含み、且つ粘度Ｖが７００ポアズ≦Ｖ≦
１００００ポアズのスラリを、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる
二つのセラミック焼結材の両接合面間に介在させ、次い
で前記スラリを乾燥して固化層を形成し、その後前記固
化層に窒素雰囲気中で反応焼結処理を施して、Ｓｉ３
Ｎ４ よりなり、且つ両セラミック焼結材を接合するセ
ラミック焼結層を生成させることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】図１，図２において、セラミック接合体Ａは
、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる二つのセラミック焼結材２，
３を、反応焼結法の適用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４
よりなるセラミック焼結層４を介して接合したものであ
る。両セラミック焼結材２，３は同一の寸法を有し、縦
ａが３ｍｍ、横ｂが２０ｍｍ、長さｃが２０ｍｍであり
、セラミック焼結層４の厚さＴは５０μｍ≦Ｔ≦２７０
μｍに設定されている。
、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる二つのセラミック焼結材２，
３を、反応焼結法の適用下で生成されたＳｉ３ Ｎ４
よりなるセラミック焼結層４を介して接合したものであ
る。両セラミック焼結材２，３は同一の寸法を有し、縦
ａが３ｍｍ、横ｂが２０ｍｍ、長さｃが２０ｍｍであり
、セラミック焼結層４の厚さＴは５０μｍ≦Ｔ≦２７０
μｍに設定されている。
【０００８】次に、セラミック接合体の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【０００９】その製造には、金属Ｓｉ粉末を調製する、
金属Ｓｉ粉末等を用いてスラリを調製する、スラリを両
セラミック焼結材２，３の接合面５，６間に介在させる
、スラリを乾燥して固化層を形成する、固化層に窒素雰
囲気中で反応焼結処理を施してＳｉ３ Ｎ４ よりなり
、且つ両セラミック焼結材２，，３を接合するセラミッ
ク焼結層４を生成させる、といった各工程が順次実施さ
れた。このような反応焼結処理においては、セラミック
焼結層４の厚さはスラリの厚さと略同じである。
金属Ｓｉ粉末等を用いてスラリを調製する、スラリを両
セラミック焼結材２，３の接合面５，６間に介在させる
、スラリを乾燥して固化層を形成する、固化層に窒素雰
囲気中で反応焼結処理を施してＳｉ３ Ｎ４ よりなり
、且つ両セラミック焼結材２，，３を接合するセラミッ
ク焼結層４を生成させる、といった各工程が順次実施さ
れた。このような反応焼結処理においては、セラミック
焼結層４の厚さはスラリの厚さと略同じである。
【００１０】金属Ｓｉ粉末の調製に当っては、ボールミ
ルのアルミナポット（２リットル）内に直径１０ｍｍの
Ｓｉ３ Ｎ４ ボール１ｋｇと粗金属Ｓｉ粉末（金生興
業社製、商品名＃６００）３００ｇとを投入して、５０
時間粉砕を行った。これにより平均粒径４．３μｍの金
属Ｓｉ粉末を得た。
ルのアルミナポット（２リットル）内に直径１０ｍｍの
Ｓｉ３ Ｎ４ ボール１ｋｇと粗金属Ｓｉ粉末（金生興
業社製、商品名＃６００）３００ｇとを投入して、５０
時間粉砕を行った。これにより平均粒径４．３μｍの金
属Ｓｉ粉末を得た。
【００１１】スラリとしては４種類用意した。第１〜第
４スラリの組成は表１，表２の通りである。各表におい
て、ＰＶＡはポリビニルアルコール（和光純薬社製、重
合度約１５００）であってバインダに該当し、また水お
よびエタノールは溶媒に該当する。各スラリの調製に当
っては、各配合物を自動乳鉢に入れて５分間の混練を行
った。
４スラリの組成は表１，表２の通りである。各表におい
て、ＰＶＡはポリビニルアルコール（和光純薬社製、重
合度約１５００）であってバインダに該当し、また水お
よびエタノールは溶媒に該当する。各スラリの調製に当
っては、各配合物を自動乳鉢に入れて５分間の混練を行
った。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】先ず、各スラリを一方のセラミック焼結材
２の接合面５にハケ等により塗布し、その接合面５に他
方のセラミック焼結材３の接合面６を合せた。
２の接合面５にハケ等により塗布し、その接合面５に他
方のセラミック焼結材３の接合面６を合せた。
【００１５】次いで、セラミック焼結材２，３を室温下
に２４時間放置することによりスラリを乾燥して、固化
層を形成した。
に２４時間放置することによりスラリを乾燥して、固化
層を形成した。
【００１６】その後、セラミック焼結材２，３を焼結炉
内に設置して窒素雰囲気中で反応焼結を行い、セラミッ
ク接合体Ａ１ 〜Ａ５ を得た。
内に設置して窒素雰囲気中で反応焼結を行い、セラミッ
ク接合体Ａ１ 〜Ａ５ を得た。
【００１７】この反応焼結には次のような各工程が順次
実施された。即ち、図３に示すように、室温から１００
０℃まで２０℃／ｍｉｎ で昇温する工程（点ｄ１ 〜
点ｄ２ ）、１０００℃〜１３８０℃まで６℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｄ２ 〜点ｄ３ ）、１３８０℃
を５時間に亘って維持する１次焼結工程（点ｄ３ 〜点
ｄ４ ）、１３８０℃から１４５０℃まで２℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｄ４ 〜点ｄ５ ）、１４５０℃
を５時間に亘って維持する２次焼結工程（点ｄ５ 〜点
ｄ６ ）、１４５０℃から１２００℃まで６℃／ｍｉｎ
で降温する工程（点ｄ６ 〜点ｄ７ ）および１２０
０℃から室温まで炉冷する工程（点ｄ７ 〜点ｄ８）で
ある。
実施された。即ち、図３に示すように、室温から１００
０℃まで２０℃／ｍｉｎ で昇温する工程（点ｄ１ 〜
点ｄ２ ）、１０００℃〜１３８０℃まで６℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｄ２ 〜点ｄ３ ）、１３８０℃
を５時間に亘って維持する１次焼結工程（点ｄ３ 〜点
ｄ４ ）、１３８０℃から１４５０℃まで２℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｄ４ 〜点ｄ５ ）、１４５０℃
を５時間に亘って維持する２次焼結工程（点ｄ５ 〜点
ｄ６ ）、１４５０℃から１２００℃まで６℃／ｍｉｎ
で降温する工程（点ｄ６ 〜点ｄ７ ）および１２０
０℃から室温まで炉冷する工程（点ｄ７ 〜点ｄ８）で
ある。
【００１８】表３は、各セラミック接合体Ａ１ 〜Ａ５
におけるセラミック焼結層の厚さと、４点曲げ強さと
の関係を示す。その曲げ試験はＪＩＳ Ｒ１６０１に
則って行われた。
におけるセラミック焼結層の厚さと、４点曲げ強さと
の関係を示す。その曲げ試験はＪＩＳ Ｒ１６０１に
則って行われた。
【００１９】
【表３】
【００２０】図４は、各セラミック接合体Ａ１ 〜Ａ５
におけるセラミック焼結層４の厚さと４点曲げ強さと
の関係をグラフで示したものである。図中、点Ａ１ 〜
Ａ５ はセラミック接合体Ａ１ 〜Ａ５ にそれぞれ対
応する。一般に機械部品として要求される４点曲げ強さ
は約１８ｋｇｆ／ｍｍ２ 以上であり、したがってセラ
ミック焼結層４の厚さＴは、セラミック接合体Ａ３ ，
Ａ４のように５０μｍ≦Ｔ≦２７０μｍに設定される。
におけるセラミック焼結層４の厚さと４点曲げ強さと
の関係をグラフで示したものである。図中、点Ａ１ 〜
Ａ５ はセラミック接合体Ａ１ 〜Ａ５ にそれぞれ対
応する。一般に機械部品として要求される４点曲げ強さ
は約１８ｋｇｆ／ｍｍ２ 以上であり、したがってセラ
ミック焼結層４の厚さＴは、セラミック接合体Ａ３ ，
Ａ４のように５０μｍ≦Ｔ≦２７０μｍに設定される。
【００２１】このようなセラミック焼結層４は、両焼結
材２，３を確実に接合するに足る厚さを有し、また窒化
も十分に行われると共に気孔率も低いので高強度であり
、これにより前記要求が定常的に満たされるものである
。
材２，３を確実に接合するに足る厚さを有し、また窒化
も十分に行われると共に気孔率も低いので高強度であり
、これにより前記要求が定常的に満たされるものである
。
【００２２】セラミック焼結層４の厚さＴがＴ＜５０μ
ｍでは、その層４が薄過ぎるため、両接合面５，６間に
、それらの凹、凸部に起因してＳｉ３ Ｎ４ の無い箇
所が発生したり、また両セラミック焼結材２，３間にお
ける固化層の露出面積が狭いためその層へ窒素が十分に
進入しないことに起因して窒化が不完全になる、といっ
た不具合があり、その結果、セラミック焼結層４の強度
が低くなってセラミック接合体Ａ１ ，Ａ２ のように
４点曲げ強さが低下する。一方、セラミック焼結層４の
厚さＴがＴ＞２７０μｍでは気孔の存在確立が高くなっ
て、セラミック接合体Ａ５ のように４点曲げ強さが低
下する。 またスラリを２７０μｍを超えるように塗布するために
はスラリの粘度を１００００ポアズを上回るように高め
なければならないが、このような高粘度下ではスラリの
流動性が悪くなるため、空気の巻込みが発生し易く、そ
の結果セラミック焼結層４の気孔率が高くなる。
ｍでは、その層４が薄過ぎるため、両接合面５，６間に
、それらの凹、凸部に起因してＳｉ３ Ｎ４ の無い箇
所が発生したり、また両セラミック焼結材２，３間にお
ける固化層の露出面積が狭いためその層へ窒素が十分に
進入しないことに起因して窒化が不完全になる、といっ
た不具合があり、その結果、セラミック焼結層４の強度
が低くなってセラミック接合体Ａ１ ，Ａ２ のように
４点曲げ強さが低下する。一方、セラミック焼結層４の
厚さＴがＴ＞２７０μｍでは気孔の存在確立が高くなっ
て、セラミック接合体Ａ５ のように４点曲げ強さが低
下する。 またスラリを２７０μｍを超えるように塗布するために
はスラリの粘度を１００００ポアズを上回るように高め
なければならないが、このような高粘度下ではスラリの
流動性が悪くなるため、空気の巻込みが発生し易く、そ
の結果セラミック焼結層４の気孔率が高くなる。
【００２３】次に、金属Ｓｉ粉末の平均粒径とセラミッ
ク焼結層４の強度との関係について述べる。
ク焼結層４の強度との関係について述べる。
【００２４】前記同様の粗金属Ｓｉ粉末およびボールミ
ルを用いて金属Ｓｉ粉末を調製した。その際、粉砕時間
を変えることによって金属Ｓｉ粉末の平均粒径を調節し
た。
ルを用いて金属Ｓｉ粉末を調製した。その際、粉砕時間
を変えることによって金属Ｓｉ粉末の平均粒径を調節し
た。
【００２５】表４は粉砕時間と金属Ｓｉ粉末の平均粒径
との関係を示す。
との関係を示す。
【００２６】
【表４】
【００２７】各金属Ｓｉ粉末５０ｇとエチレングリコー
ル（溶媒）５．７５ｇとを自動乳鉢に入れて１０分間混
練し、比較的高粘度のスラリを調製した。次いで、その
スラリを金型に注入して、加圧力１ｔ／ｃｍ２ の条件
下で成形を行い、縦５ｍｍ、横５ｍｍ、長さ５０ｍｍの
成形体を成形した。さらに成形体を真空下で昇温速度１
０℃／ｈにて５００℃に加熱した後、その温度に１時間
保持して乾燥および脱ガス処理を行った。
ル（溶媒）５．７５ｇとを自動乳鉢に入れて１０分間混
練し、比較的高粘度のスラリを調製した。次いで、その
スラリを金型に注入して、加圧力１ｔ／ｃｍ２ の条件
下で成形を行い、縦５ｍｍ、横５ｍｍ、長さ５０ｍｍの
成形体を成形した。さらに成形体を真空下で昇温速度１
０℃／ｈにて５００℃に加熱した後、その温度に１時間
保持して乾燥および脱ガス処理を行った。
【００２８】その後、成形体を焼結炉内に設置して窒素
雰囲気中で反応焼結を行い、セラミック焼結層４に対応
する焼結体を得た。
雰囲気中で反応焼結を行い、セラミック焼結層４に対応
する焼結体を得た。
【００２９】この反応焼結には次のような各工程が順次
実施された。即ち、図５に示すように、室温から１２０
０℃まで６℃／ｍｉｎ で昇温する工程（点ｅ１ 〜点
ｅ２ ）、１２００℃から１４５０℃まで２℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｅ２ 〜点ｅ３ ）、１４５０℃
を４時間に亘って維持する焼結工程（点ｅ３ 〜点ｅ４
）、１４５０℃から１２００℃まで６℃／ｍｉｎ で
降温する工程（点ｅ４ 〜点ｅ５ ）および１２００℃
から室温まで炉冷する工程（点ｅ５ 〜点ｅ６ ）であ
る。
実施された。即ち、図５に示すように、室温から１２０
０℃まで６℃／ｍｉｎ で昇温する工程（点ｅ１ 〜点
ｅ２ ）、１２００℃から１４５０℃まで２℃／ｍｉｎ
で昇温する工程（点ｅ２ 〜点ｅ３ ）、１４５０℃
を４時間に亘って維持する焼結工程（点ｅ３ 〜点ｅ４
）、１４５０℃から１２００℃まで６℃／ｍｉｎ で
降温する工程（点ｅ４ 〜点ｅ５ ）および１２００℃
から室温まで炉冷する工程（点ｅ５ 〜点ｅ６ ）であ
る。
【００３０】図６は各種焼結体における金属Ｓｉ粉末の
平均粒径と４点曲げ強さとの関係を示す。図６より、焼
結体、したがってセラミック焼結層４の強度向上の観点
から金属Ｓｉ粉末の平均粒径Ｍｄは４μｍ≦Ｍｄ≦７μ
ｍに設定されることが判る。
平均粒径と４点曲げ強さとの関係を示す。図６より、焼
結体、したがってセラミック焼結層４の強度向上の観点
から金属Ｓｉ粉末の平均粒径Ｍｄは４μｍ≦Ｍｄ≦７μ
ｍに設定されることが判る。
【００３１】スラリの粘度Ｖは、セラミック焼結層４の
厚さとの関係から７００ポアズ≦Ｖ≦１００００ポアズ
に設定される。この場合、スラリの粘度ＶがＶ＜７００
ポアズではスラリの流動性が大きくなってセラミック焼
結層４の厚さＴがＴ＜５０μｍとなり易く、十分な接合
強度が得られない。一方、Ｖ＞１００００ポアズでは前
記のようにスラリの流動性が悪くなるため、空気の巻込
みが発生し易くなって強度が低下する。
厚さとの関係から７００ポアズ≦Ｖ≦１００００ポアズ
に設定される。この場合、スラリの粘度ＶがＶ＜７００
ポアズではスラリの流動性が大きくなってセラミック焼
結層４の厚さＴがＴ＜５０μｍとなり易く、十分な接合
強度が得られない。一方、Ｖ＞１００００ポアズでは前
記のようにスラリの流動性が悪くなるため、空気の巻込
みが発生し易くなって強度が低下する。
【００３２】セラミック焼結層４の密度Ｄは２．０ｇ／
ｃｍ３ ＜Ｄ＜２．７ｇ／ｃｍ３ に設定される。その
理由は、Ｄ≦２．０ｇ／ｃｍ３ ではセラミック焼結層
４の気孔率が高く低強度であり、一方、Ｄ≧２．７ｇ／
ｃｍ３ となるように固化層の密度を高めると、窒化が
不十分となってセラミック焼結層４の強度が上がらない
からである。
ｃｍ３ ＜Ｄ＜２．７ｇ／ｃｍ３ に設定される。その
理由は、Ｄ≦２．０ｇ／ｃｍ３ ではセラミック焼結層
４の気孔率が高く低強度であり、一方、Ｄ≧２．７ｇ／
ｃｍ３ となるように固化層の密度を高めると、窒化が
不十分となってセラミック焼結層４の強度が上がらない
からである。
【００３３】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、反応焼結
法により生成されるセラミック焼結層の厚さを前記のよ
うに特定したので、その層の高強度化を定常的に達成す
ることが可能であり、これにより二つのセラミック焼結
材を強固に接合したセラミック接合体を安定して提供す
ることができる。
法により生成されるセラミック焼結層の厚さを前記のよ
うに特定したので、その層の高強度化を定常的に達成す
ることが可能であり、これにより二つのセラミック焼結
材を強固に接合したセラミック接合体を安定して提供す
ることができる。
【００３４】請求項２記載の発明によれば、前記セラミ
ック接合体を容易に量産することができる。
ック接合体を容易に量産することができる。
【図１】セラミック接合体の斜視図である。
【図２】図１の２−２線断面図である。
【図３】セラミック焼結層生成時における時間と温度と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図４】セラミック接合体におけるセラミック焼結層の
厚さと４点曲げ強さとの関係を示すグラフである。
厚さと４点曲げ強さとの関係を示すグラフである。
【図５】セラミック焼結層に対応する焼結体成形時の時
間と温度との関係を示すグラフである。
間と温度との関係を示すグラフである。
【図６】焼結体における金属Ｓｉ粉末の平均粒径と４点
曲げ強さとの関係を示すグラフである。
曲げ強さとの関係を示すグラフである。
Ａ セラミック接合体２，３
セラミック焼結材 ４ セラミック焼結層５，６
接合面
セラミック焼結材 ４ セラミック焼結層５，６
接合面
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｓｉ３ Ｎ４ よりなる二つのセラミ
ック焼結材（２，３）を、反応焼結法の適用下で生成さ
れたＳｉ３ Ｎ４ よりなるセラミック焼結層（４）を
介して接合したセラミック接合体において、前記セラミ
ック焼結層（４）の厚さＴを５０μｍ≦Ｔ≦２７０μｍ
に設定したことを特徴とするセラミック接合体。 - 【請求項２】 平均粒径Ｍｄが４μｍ≦Ｍｄ≦７μｍ
の金属Ｓｉ粉末および溶媒を含み、且つ粘度Ｖが７００
ポアズ≦Ｖ≦１００００ポアズのスラリを、Ｓｉ３ Ｎ
４ よりなる二つのセラミック焼結材（２，３）の両接
合面（５，６）間に介在させ、次いで前記スラリを乾燥
して固化層を形成し、その後前記固化層に窒素雰囲気中
で反応焼結処理を施して、Ｓｉ３ Ｎ４ よりなり、且
つ両セラミック焼結材（２，３）を接合するセラミック
焼結層（４）を生成させることを特徴とするセラミック
接合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068625A JP3062767B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | セラミック接合体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068625A JP3062767B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | セラミック接合体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305070A true JPH04305070A (ja) | 1992-10-28 |
| JP3062767B2 JP3062767B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=13379124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068625A Expired - Lifetime JP3062767B2 (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | セラミック接合体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062767B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002068852A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Techno Quartz Kk | シリコン部材の接合方法およびその接合体 |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP3068625A patent/JP3062767B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002068852A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Techno Quartz Kk | シリコン部材の接合方法およびその接合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3062767B2 (ja) | 2000-07-12 |
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