JPH04296387A

JPH04296387A - 液晶表示素子

Info

Publication number: JPH04296387A
Application number: JP35427491A
Authority: JP
Inventors: Ulrich Finkenzeller; フィンケンツェラーウルリヒ; Georg Weber; ヴェーバーゲオルグ; Volker Reiffenrath; ライフェンラ−トフォルケル
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 1990-12-20
Filing date: 1991-12-20
Publication date: 1992-10-20
Anticipated expiration: 2017-03-04
Also published as: JP2001294863A; EP0492222A3; JP3579682B2; JP2000186283A; EP0492222B1; JP3263420B2; HK123997A; DE69123127D1; DE69123127T2; JP2004124099A; EP0492222A2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はしきい電圧の温度係数が
改善された液晶表示素子とこの素子中に用いられる液晶
材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子を広い温度範囲で作動させ
る場合には一般にしきい電圧の温度依存性が低いことが
要求される。その理由はこの場合温度シフト　（　ｔｅ
ｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｈｉｆｔ　）　の電子補償　（　
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　）
　　を完全に省略することができるためか、あるいはし
きい電圧の中位のまたは高い温度係数をもつ液晶表示素
子の場合よりも補償エレクトロニクス　（　ｃｏｍｐｅ
ｎｓａｔｉｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　）　が単純
であって、従ってより安いことが求められるからである
。

【０００３】従って技術的および経済的の両見地から、
（１）式に規定された温度係数γの低い液晶表示素子が
好ましい。

【０００４】

【数１】しきい電圧は例えば、２０℃の温度とθ＝０°の視角で
１０％の透過　（　ｔｒａｎｓ−ｍｉｓｓｉｏｎ　）を
生ずる電圧（　　一般にＶ１０・０・２０　と略記　　
）と定義することができる。他の定義もまた可能であり
［例えばＧ．Ｗ．グレイ　（　Ｇ．Ｗ．　Ｇｒａｙ　）
編、温度転移形液晶　（　Ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ　
Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　）８１−８７　ペー
ジ参照］、異なった定義の適合性は通常特定の実験装置
　（　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｓｅｔ−ｕｐ　）に
よって異る。

【０００５】本出願では次の定義Ｖｔｈ＝Ｖ１０・０・２０を用いた。

【０００６】ＤＥ　３６　０６　７８７にしきい電圧の
温度依存性が低い液晶表示素子のための混合概念（　ｍ
ｉｘｔｕｒｅ　ｃｏｎｃｅｐｔ　）　が提案されている
。この中に記された液晶材料は誘電的に正の成分（Ａ）
［ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　
ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ　（Ａ）］と誘電的に中性成分を含
んでいる。成分（Ａ）中に用いられた誘電的に正の化合
物は例えば、３−ハロゲノシアノフェニル類、３−ハロ
ゲン−４−イソチオシアナートフェニル類および３，４
−ジハロゲノフェニル類である。ＤＥ　３６０６　７８
７　　に示された液晶混合物の例では、例えば、３．５
ｍＶ／　℃またはそれ以下というγのかなり有利な値に
特徴があるということは真実である。一方、これら混合
物は電気工学的特性線　（ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃａ
ｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ　ｌｉｎｅ）　の勾
配や、曲げや延びに対する弾性常数の比および光学およ
び誘電異方性のかなり低い値に特徴があることが多い。さらにある一定の温度間隔、例えば０℃から４０℃間の
γの平均値はかなり低いので、かならずしもこの混合物
と作動させるエレクトロニックスとのよい適合性は保証
されない。簡単であって、かつ安価な電子補償　（　ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌ　ｃｏｍ−ｐｅｎｓａｔｉｏｎ
　）　に関しては混合物がほぼ直線的な温度依存性を示
すことが通常有利である。電子的な観点からは他の好ま
しい温度特性は、しきい電圧が、一定の使用温度範囲の
両端に向かってかなり低い傾斜でほぼ直線的に変化しな
がら、通常の使用温度付近で最大である時に示される。

【０００７】これらの必要条件は現状の技術　（　ｔｈ
ｅ　ｓｔａｔｅ　ｏｆｔｈｅ　ａｒｔ　）　による混合
物では不充分な程度にしか満足されてない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は現状の
技術による混合物と比較してしきい電圧の温度係数γが
改善された液晶表示素子も提供することである。

【０００９】本発明の他の目的はしきい電圧の温度依存
性の電子補償をかなり簡単で安価なものにする液晶表示
素子を提供することである。

【００１０】本発明の更に他の目的、特徴および付随す
る有利性は添付の図面と合わせて次に述べる詳細な説明
を読めば当業者には明らかであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】これらのまた他の有利性
は本発明の作動可能な液晶表示素子を提供することによ
って達成できることがわかった。この作動可能な液晶表
示素子は温度に依存するしきい電圧をもち、互に離れた
てその間に空間を形成する一対のキャリヤープレートと
、該プレートを互に密封して室をつくる手段とこの室の
中に依存する正の誘電異方性をもつ液晶材料―この液晶
材料はネマチックキャリヤーホストと強力な誘電的に正
の添加物を含む―の層を有しており、この強力な誘電的
に正の添加物が一定の使用温度範囲で働いてしきい電圧
の温度係数を改善する２，６−ジフルオロベンゾニトリ
ルの少くとも一つの誘導体よりなる点で改良がなされて
いる。

【００１２】本発明の液晶表示素子は誘電的に正の液晶
材料を用いており、ねじれネマチックセルまたは誘電的
に正の液晶材料を含有する他のセルタイプの原理に基い
ている。ねじれネマチックセルという用語はここでは広
い意味で用いられており、０から６００°のねじれ角を
有するセル、すなわちＬＴＮセル（低ねじれネマチック
）、ＴＮセル（約９０°のねじれ角を有するねじれネマ
チックセル）およびＳＴＮセル（超ねじれネマチック）
を含有している。この素子は二つの基材の間にはさまれ
た少くとも一つの液晶層を有しており、これら基材の内
側は重ねあわせた透明な配向層を有する透明な電極層を
示している。また基材の少くとも一つは透明である。電
極層は通常酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、または酸化イ
ンジウム（Ｉｎ２　Ｏ３　）で作られている。配向層は
例えばＰＶＡやポリイミドの膜などのポリマー膜をもう
け続いてみがくことにより、または他の方法により得る
ことができる。

【００１３】異った表面傾き角αは例えばＧ．Ｗ．グレ
イ　（Ｇ．Ｗ．　Ｇｒａｙ）らの上記引用文献、７４−
７７ページに記されたような異った配向方法を用いて得
ることができる。ねじれ角φ≦２００°のねじれネマチ
ックセルは通常例えば０．５°から１０°の範囲の比較
的小さな表面傾き角で作動するが、一方φ≧２００°の
高いねじれ角では通常例えば２°から４５°の範囲の大
きな傾き角が必要である。

【００１４】不作動状態の液晶層の構造は主に基材上の
配向層の方向間の角度と、表面傾き角およびねじれ角に
よって定まる。

【００１５】液晶表示素子は一つ以上の他の液晶層を含
有してもよく、これら液晶層は一般に、特に例えば、標
準のＳＴＮ液晶表示素子において干渉色をなくすために
および／またはコントラストを改善するためにおよび／
またはコントラストの視角依存性を改善するために用い
られる。他の液晶層のかわりに、例えば有機ポリマー膜
または液晶性ポリマー膜（　　例えばＤＥ　３９　１９
　３８２参照　　）のような、他の補償媒体　（　ｃｏ
ｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｍｅｄｉａ　）　を用いてもよ
い。

【００１６】原理が本明細書に略述されている本発明の
液晶素子の構成はこのような素子に通例のタイプの構成
に相当する。通例のタイプの構成という用語は本明細書
では広い意味に用いられ、誘電的に正のネマチック液晶
を用いるセルのすべての変型や改良も含んでいる。代表
的なタイプの構成の更に詳細な記述は例えばＧ．Ｗ．グ
レイ　（　Ｇ．Ｗ．　Ｇｒａｙ　）の上記引用文献の第
３章；Ｂ．Ｓ．ショイブレ　（　Ｂ．Ｓ．Ｓｃｈｅｕｂ
ｌｅ　）、コンタクテ（　Ｋｏｎｔａｋｔｅ　：接点、
接触）、ダルムシュタット（Ｄａｒｍ−ｓｔａｄｔ　）
　、　１９８９（１）、　３４−４８　ページ；および
Ｅ．金子、液晶テレビ表示　（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔ
ａｌ　ＴＶ　Ｄｉｓｐｌａｙｓ　）、東京、１９８７、
特に第２と３章参照；に見られる。

【００１７】しかし本発明の液晶表示素子と現状の技術
による液晶表示素子との間の本質的な相違は液晶材料の
選択にある。

【００１８】本発明の液晶材料は正の誘電異方性を示し
、ネマチックキャリヤーホストと強力な誘電的に正の添
加物を含み、後者は２，６−ジフルオロベンゾニトリル
類の少くとも一つの誘導体よりなっている。

【００１９】式Ｉ　−ＩＩＩ　で示される次の小グルー
プの２，６−ジフルオロベンゾニトリル類が好ましい。

【００２０】

【化１】

【００２１】

【化２】

【００２２】

【化３】式中Ｒは１ないし１５個の炭素原子をもつアルキルまた
は３ないし１５個の炭素原子をもつアルケニルであり、
これらの基の各々の中の１個のＣＨ２　基を−Ｏ−、−
ＣＯ−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−で置換すること
も可能である。

【００２３】

【化４】は１，４−フェニレン基、２−フルオルまたは３−フル
オロ−１，４−フェニレン基または１，４−シクロヘキ
シレン基である。

【００２４】

【化５】は１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロ
ピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル
またはピリジン−２，５−ジイルである。Ｚ１　は−Ｃ
Ｈ２　ＣＨ２　−、−ＣＯＯ−または単結合である。Ｚ
２　は−ＣＨ２　ＣＨ２　−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−
または単結合である。ｎ、γおよびｓは互いに独立して
０、１または２である。γ＋ｓは０、１または２である
。

【００２５】

【化６】は非置換のまたは２−または３−の位置で側鎖状にモノ
フルオロ化した　（　ｌａｔ−ｅｒａｌｌｙ　ｍｏｎｏ
ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ　）１，４−フェニレン基を示
す。

【００２６】簡単にするために以下に次の略語を使用す
る。Ｐｈｅ　　　　　　　１，４−フェニレンＰｈｅ．２Ｆ
　　　　２−フルオロ−１，４−フェニレンＰｈｅ．３
Ｆ　　　　３−フルオロ−１，４−フェニレンＰｈｅ．
（Ｆ）　　　側鎖状に非置換のあるいは２−または３−
の位置で側鎖状にモノフルオロ化した１，４−フェニレ
ンＰｈｅ．３Ｆ５Ｆ　　３，５−ジフルオロ−１，４−
フェニレンＣｙｃ　　　　　　　１，４−シクロヘキシ
レンＤｉｏ　　　　　　　１，３−ジオキサン−２，５
−ジイルＴｈｐ　　　　　　　テトラヒドロピラン−２
，５−ジイルＰｙｒ　　　　　　　ピリミジン−２，５
−ジイルＰｙＤ　　　　　　　ピリミジン−２，５−ジ
イル式Ｉ−ＩＩＩ　の化合物は複核、三核および四核化
合物よりなり、一般に複核および三核化合物が好まれる
。

【００２７】式Ｉ−ＩＩＩ　の化合物は１個以上の結合
基Ｚ１　とＺ２　をもってもよく、またその結合基Ｚ１
　とＺ２　は好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２　−　あるいは
単結合を示すが、カルボン酸グループ−ＣＯＯ−　は一
般に好ましくない。Ｚ１　とＺ２　の少なくとも一つが
単結合を示す化合物が特に好ましい。

【００２８】本発明の液晶材料は式Ｉ．１−Ｉ．２４、
ＩＩ．１−ＩＩ．１１またはＩＩＩ　．１−ＩＩＩ　．
１３で示される次の化合物の少くとも一種を含有するこ
とが好ましい。Ｒ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．１Ｒ−Ｐｈｅ
．２Ｆ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　Ｉ．２Ｒ−Ｐｈｅ．３Ｆ−Ｐ
ｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　Ｉ．３Ｒ−Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈ
ｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　Ｉ．４Ｒ
−Ｐｈｅ−Ｃ　≡Ｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．５Ｒ−Ｐｈｅ−Ｃ
ＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　Ｉ．６Ｒ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｐｈ
ｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　Ｉ．７Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５
Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
Ｉ．８Ｒ−Ｐｈｅ．２Ｆ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−
ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．９Ｒ−
Ｐｈｅ．３Ｆ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　
　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．１０Ｒ−Ｐｈｅ−
Ｐｈｅ．３Ｆ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　Ｉ．１１Ｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−
Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　
　　　　　　　Ｉ．１２Ｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｐｈｅ−
ＣＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　Ｉ
．１３Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ
−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．１４Ｒ
−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−ＣＨ２ＣＨ２．３Ｆ５Ｆ−
ＣＮ　　　　Ｉ．１５Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃ
　≡Ｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　Ｉ．１６Ｒ−Ｃ
ｙｃ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−ＣＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−Ｃ
Ｎ　　　　　　　　　Ｉ．１７Ｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　
　　　　　　Ｉ．１８Ｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃ　≡Ｃ−
Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　Ｉ．１９Ｒ−Ｐ
ｈｅ．（Ｆ）−ＣＯＯ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−Ｃ
Ｎ　　　　　　　　　Ｉ．２０Ｒ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ
２−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　Ｉ．２１
Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ
　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｉ．２２Ｒ−Ｃｙ
ｃ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　
　　　　　　　　　　　　　Ｉ．２３Ｒ−Ｃｙｃ−Ｃｙ
ｃ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−３Ｆ５Ｆ−ＣＮ
　　　　　　　　　Ｉ．２４Ｒ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ
５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　ＩＩ．１Ｒ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈｅ
．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　ＩＩ．２Ｒ
−Ｃｙｃ−ＣＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ．３Ｒ−Ｃｙｃ
−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　ＩＩ．４Ｒ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ
−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　ＩＩ
．５Ｒ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−
ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ．６Ｒ−
Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　
　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ．７Ｒ−Ｐｈｅ．
（Ｆ）−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−
ＣＮ　ＩＩ．８Ｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−
Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　ＩＩ．９Ｒ
−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　
　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ．１０Ｒ−Ｐｈ
ｅ．（Ｆ）−Ｐｈｅ．（Ｆ）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｙｃ−
Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　ＩＩ．１１Ｒ−Ｄｉｏ−Ｐ
ｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　ＩＩＩ．１Ｒ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ．
３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　ＩＩＩ．２Ｒ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ．３Ｆ５
Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　ＩＩＩ．３Ｒ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｐｈ
ｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　
　ＩＩＩ．４Ｒ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｐｈｅ．３
Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ
Ｉ．５Ｒ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐ
ｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　ＩＩＩ．６
Ｒ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈｅ．
３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　ＩＩＩ．７Ｒ−Ｃ
ｙｃ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　ＩＩＩ．８Ｒ−Ｄｉｏ−
Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　
　　　　　　　　　　　ＩＩＩ．９Ｒ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ
．（Ｆ）−ＣＯＯ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　
　　　　ＩＩＩ．１０Ｒ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ．（Ｆ）−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　
　　ＩＩＩ．１１Ｒ−Ｐｈｅ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ．３Ｆ５
Ｆ−ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ＩＩＩ．１２Ｒ−Ｃｙｃ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−
ＣＮ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＩ
Ｉ．１３式Ｉ−ＩＩＩ　およびＩ．　１−Ｉ．　２４、
ＩＩ．　１−ＩＩ．　１１およびＩＩＩ．１−ＩＩＩ　
．１３においてＲはアルキル、アルコキシまたはアルケ
ニルさらにオキサアルキルであることが好ましい。

【００２９】Ｒがアルキル基および／またはアルコキシ
基である場合には、Ｒは直鎖基または枝分れ基でありう
る。好ましくはＲは直鎖基であり、１、２、３、４、５
、６または７個の炭素原子をもち従ってメチル、エチル
、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキ
シ、ヘキソキシまたはヘプトキシ、さらにオクチル、ノ
ニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テ
トラデシル、ペンタデシル、オクトキシ、ノノキシ、デ
コキシ、ウンデコキシ、ドデコシキ、トリデコキシまた
はテトラデコキシであることが好ましい。オキサアルキ
ルは直鎖の２−オキサプロピル（＝メトキシメチル）、
　２−オキサブチル（＝エトキシメチル）または３−オ
キサブチル（＝２−メトキシエチル）２−，３−，４−
オキサペンチル、２−，３−，４−，５−オキサヘキシ
ル、２−、３−、４−、５−、または６−オキサヘプチ
ル、２−，３−，４−，５−，６−または７−オキサオ
クチル、２−，３−，４−，５−，６−，７−または８
−オキサノニル、２−，３−，４−，５−，６−，７−
，８−または９−オキサデシルであることが好ましい。Ｒがその中の１個のＣＨ２　基を−ＣＨ＝ＣＨ−で置換
したアルキル基である場合には、Ｒは直鎖基または枝分
れ基でありうる。好ましくはＲは直鎖基であり３ないし
１０個の炭素原子を有している。従ってＲは特にプロペ
−１−またはプロペ−２−ニル、ブテ−１−、−２−ま
たはブテ−３−ニル、ペンテ−１−、−２−、−３−ま
たはペンテ−４−ニル、ヘキセ−１−、−２−、−３−
、−４−またはヘキセ−５−ニル、ヘプテ−１−、−２
−、−３−、−４−、−５−またはヘプテ−６−ニル、
オクテ−１−、−２−、−３−、−４−、−５−、−６
−またはオクテ−７−ニル、ノネ−１−、−２−、−３
−、−４−、−５−、−６−、−７−またはノネ−８−
ニル、デセ−１−、−２−、−３−、−４−、−５−、
−６−、−７−、−８−またはデセ−９−ニルである。Ｒがその中の１個のＣＨ２　基をアシルオキシ基−ＣＯ
−Ｏ−またはオキシカルボニル基−Ｏ−ＣＯ−で置換し
たアルキル基である場合にはＲは直鎖基または枝分れ基
でありうる。好ましくは、Ｒは直鎖基であり２ないし６
個の炭素原子を有している。従って、Ｒは特にアセチル
オキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタ
ノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、アセチルオキシメ
チル、プロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチ
ル、ペンタノイルオキシメチル、２−アセチルオキシエ
チル、２−プロピオニルオキシエチル、２−ブチリルオ
キシエチル、３−アセチルオキシプロピル、３−プロピ
オニルオキシプロピル、４−アセチルオキシブチル、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカ
ルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル
、メトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチ
ル、フロポキシカルボニルメチル、ブトキシカルボニル
メチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（エ
トキシカルボニル）エチル、２−（プロポキシカルボニ
ル）エチル、３−（メトキシカルボニル）プロピル、３
−（エトキシカルボニル）プロピル、４−（メトキシカ
ルボニル）ブチルである。

【００３０】Ｒがその中の１個のＣＨ２　基を非置換ま
たは置換の−ＣＨ＝ＣＨ−で置換しまた隣接する１個の
ＣＨ２　基をＣＯまたはＣＯ−ＯまたはＯ−ＣＯ−置換
したアルキル基である場合には、Ｒは直鎖または枝分れ
基でありうる。好ましくは、Ｒは直鎖基であり４ないし
１３個の炭素原子を有している。従ってＲは特にアクリ
ロイルオキシメチル、２−アクリロイルオキシエチル、
３−アクリロイルオキシプロピル、４−アクリロイルオ
キシブチル、５−アクリロイルオキシペンチル、６−ア
クリロイルオキシヘキシル、７−アクリロイルオキシペ
プチル、８−アクリロイルオキシオクチル、９−アクリ
ロイルオキシノニル、１０−アクリロイルオキシデシル
、メタクリロイルオキシメチル、２−メタクリロイルオ
キシエチル、３−メタクリロイルオキシプロピル、４−
メタクリロイルオキシブチル、５−メタクリロイルオキ
シペンチル、６−メタクリロイルオキシヘキシル、７−
メタクリロイルオキシヘプチル、８−メタクリロイルオ
キシオクチル、９−メタクリロイルオキシノニルである
。

【００３１】枝分れの側鎖基　（　ｂｒａｎｃｈｅｄ　
ｗｉｎｇ　ｇｒｏｕｐｓ　）　Ｒをもつ式Ｉ−ＩＩＩ　
の化合物は従来の液晶基礎材料によく溶解するのである
場合には重要であるが、これら化合物が光学活性である
ならば、特にキラルドープ物質として重要である。

【００３２】このタイプの枝分れ基は原則として１個以
下の鎖状枝分れをもっている。好ましい枝分れ基Ｒはイ
ソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、イ
ソブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル
、イソペンチル（＝３−メチルブチル）、２−メチルペ
ンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル−２
−プロピルペンチル、イソプロポキシ、２−メチルプロ
ポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、２
−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチ
ルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシ、１−メチルヘプ
トキシである。Ｒがその中の２個以上のＣＨ２　基を−
Ｏ−および／または−ＣＯ−Ｏ−で置換したアルキル基
である場合にはＲは直鎖基または枝分れ基であり得る。好ましくはＲは枝分れしており、３ないし１２個の炭素
原子を有している。従ってＲは特にビスカルボキシメチ
ル、２，２−ビスカルボキシエチル、３，３−ビスカル
ボキシプロピル、４，４−ビスカルボキシブチル、５，
５−ビスカルボキシペンチル、６，６−ビスカルボキシ
ヘキシル、７，７−ビスカルボキシヘプチル、８，８−
ビスカルボキシオクチル、９，９−ビスカルボキシノニ
ル、１０，１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキ
シカルボニル）メチル、２，２−ビス（メトキシカルボ
ニル）エチル、３，３−ビス（メトキシカルボニル）プ
ロピル、４，４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、
５，５−ビス（メトキシカルボニル）ペンチル、６，６
−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、７，７−ビス
（メトキシカルボニル）ヘプチル、８，８−ビス（メト
キシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニル
）メチル、２，２−ビス（エトキシカルボニル）エチル
、３，３−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、４，
４−ビス（エトキシカルボニル）ブチル、５，５−ビス
（エトキシカルボニル）ヘキシルである。

【００３３】式Ｉ−ＩＩＩ　はこれら化合物のラセミ化
合物のみならず光学的鏡像体とその混合物を含んでいる
。

【００３４】式Ｉ−ＩＩＩ　およびその補助式　（　ｓ
ｕｂｆｏｒｍｕｌａｅ　）によって示される上記の化合
物のうち、その中に含まれる基の少くとも一つが上述の
好ましい意味の一つを有する化合物が好まれる。

【００３５】式Ｉ−ＩＩＩ　及び式Ｉ．１−Ｉ．２４、
ＩＩ．１−ＩＩ．１１とＩＩＩ．１−ＩＩＩ　．１３の
化合物は、例えば、ＤＥ　３２　０９　１７８およびＵ
Ｓ　４，８５３，１５２に記載の方法で製造することが
できる。これら化合物をつくる他の方法は文献［例えば
ホウベン−ワイル（　Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ　）、有
機化学の方法　（　Ｍｅｔｈｏｌｅｎ　ｄｅｒ　Ｏｒｇ
ａｎｉｓｈｅｎ　Ｃｈｅｍｉｅ）、ゲオルグ−ティーメ
出版社　（　Ｇｅｏｒｇ−Ｔｈｉｅｍｅ　Ｖｅｒｌａｇ
　），シュツットガルト　（Ｓｔｕｔｔ−ｇａｒｔ）、
第ＩＸ巻、８６７ページ以下、のような定評のある著書
］に記されているようにそれ自体公知であり、既知で上
記の反応に適した反応条件の下に行われる。種々の変法
を利用することもまた可能であるが、これら変法はそれ
自体公知であり、ここでは詳細には記載しない。

【００３６】２，６−ジフルオロベンゾニトリルの少く
とも一つの誘導体、好ましくは式Ｉ−ＩＩＩ　の少なく
とも一つの化合物、特に式Ｉ．１−Ｉ．２４、ＩＩ．１
−ＩＩ．１１およびＩＩＩ　．１−ＩＩＩ　．８の少く
とも一つの化合物を含有する本発明の液晶材料はしきい
電圧の改善された温度係数によって特徴づけられる。意
図する用途について本発明の液晶材料の他の性質を改善
し、最適化するために専門家はさらに苦労せずに、また
発明のための努力をすることなしに容易に２，６−ジフ
ルオロベンゾニトリル類、特に式Ｉ−ＩＩＩ　の２，６
−ジフルオロベンゾニトリル類を、更にとりわけ、式Ｉ
．１−Ｉ．２４，ＩＩ．　１−ＩＩ．１１およびＩＩＩ
　．１−ＩＩＩ　．８の２，６−ジフルオロベンゾニト
リル類を選ぶことができる。ＳＴＮ表示はしばしば、例
えば、０．８μｍ　ないし１．４μｍ　という比較的大
きな値の光学的おくれ　（　Ｏｐｔｉｃａｌ　ｒｅｔａ
ｒｄａｔｉｏｎ）ｄΔｎを示す。この場合層の厚さｄと
従って、切替え回数の減少を可能にするΔｎの高い液晶
材料を用いることが望ましいことが多い。この用途に対
しては専門家は例えば式Ｉ．　１−Ｉ．７、Ｉ．９−Ｉ
．１３、Ｉ．１８−Ｉ．２０またはＩＩＩ　．２−ＩＩ
Ｉ　．７の化合物のようなΔｎの高い２，６−ジフルオ
ロベンゾニトリル類を好むであろう。また例えばＯＭＩ
表示［例えば，　Ｍ．シャット等　（Ｓｃｈａｄｔ，　
Ｍ．　ｅｔ　ａｌ．）　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅ
ｔｔ．５０（１９８７）２３６参照］または他のタイプ
の素子（　　例えばＤＥ　３０　２２　８１８参照　　
）のような０．４μｍ　ないし０．８μｍ　というｄΔ
ｎのかなり低い値をもつＳＴＮ表示はかなり低いかまた
は低いΔｎの値をもつ液晶材料を必要とし、従って専門
家は、例えば、少くとも一つの飽和環系　（　ｓａｔｕ
ｒａｔｅｄ　ｒｉｎｇ　ｓｙｓｔｅｍ　）を示す式Ｉ．
１−Ｉ．２４、ＩＩ．１−ＩＩ．１１およびＩＩＩ　．
１−ＩＩＩ　．１３の化合物を好んで選ぶであろう。

【００３７】本発明の液晶材料の他の性質、例えば流動
粘度　（　ｆｌｏｗ　ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ　）　、澄明
点および／またはネマチック相範囲などを改善し最適化
するために、さらに専門家は十分に定義された、かつか
なり限定された２，６−ジフルオロベンゾニトリル類の
中の化合物類の化合物、特に式Ｉ−ＩＩＩ　で示される
２，６−ジフルオロベンゾニトリル類の中のより小さい
サブグループの化合物、またとりわけ式Ｉ．１−Ｉ．２
４、ＩＩ．１−ＩＩ．１１およびＩＩＩ　．１−ＩＩＩ
　．１３で示される化合物の中のかなり小さくて好まし
いサブグループの化合物を選定することができる。

【００３８】Ｉ．１〜Ｉ．２４，ＩＩ．　１〜ＩＩ．　
１１およびＩＩＩ．１〜ＩＩＩ．１３の化合物の少なく
とも１種以上を含有する液晶材料が好ましく、これらの
化合物の環は下記の構造から選択される。

【００３９】Ｐｈｅ，　Ｐｈｅ．２Ｆ，　Ｐｈｅ．３Ｆ
，　Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ，　Ｃｙｃ，　Ｄｉｏ，　Ｔｈｐ
，　Ｐｙｒ，および　Ｐｙｄは一本以上の単結合を通じ
て直接結合している／または一以下のエチレングループ
を通じて直接結合している。特に好ましいのは式Ｉ　お
よび／またはＩＩの一種以上の化合物を含有する液晶材
料であって、その式の中でｎ　　　　　　　　　　　　　　　　０または１であり
、Ｚ１　およびＺ２　　　　　それぞれ独立であって、
単結合または−ＣＨ２−ＣＨ２−　を示す。

【００４０】

【化７】

【００４１】

【化８】式ＩＩＩ　の化合物を一種以上含有する液晶材料が特に
好ましい。その中でｒ　　　　　　　　　　　　　　　　０であり、ｓ　　
　　　　　　　　　　　　　　０または１であり、

【０
０４２】

【化９】以下の化合物の小さいグループから選択される一種以上
の化合物を含有する液晶材料が特に好ましい。Ｉ．１，
　Ｉ．２，　Ｉ．３，　Ｉ．４，　Ｉ．７，　Ｉ．８，
　Ｉ．９，　Ｉ．１１，　Ｉ．１２，　Ｉ．１４，　Ｉ
．１５，　Ｉ．１８，　Ｉ．２１，ＩＩ．１，　ＩＩ．
２，　ＩＩ．４，　ＩＩ．５，　ＩＩＩ．２，　ＩＩＩ
．３，　ＩＩＩ．４，　ＩＩＩ．５上記の好ましい、お
よび特に好ましい材料を含有する液晶表示装置は好まし
い特性を示し、しかも好ましい。

【００４３】結合基Ｚ１　およびＺ２　の少なくとも一
種が−ＣＯＯ−を示す式Ｉ　−ＩＩＩ　による化合物を
一種以上含有する液晶材料は主にこれらカーボキシレー
ト化合物の不十分な安定性による不利な特性を示す。Ｚ
２　が−ＣＯＯ−であるような式Ｉ　およびＩＩの化合
物および末端環Ｐｈｅ．３Ｆ５Ｆ−　ＣＮに隣接する結
合基が−ＣＯＯ−であるような式ＩＩＩ　の化合物は往
々にして不十分な安定性を示し、これらの化合物を一種
以上含有している液晶材料は一般にむしろ不利な特性を
有している。稀な例として式Ｉ　−ＩＩＩ　のカーボキ
シレート化合物の使用が必要であることが明らかになっ
た場合には、液晶材料の量に対してこれらの化合物の量
の比が低く、かつ好ましくは５％超にならないこと、好
ましくは２．５％以下、特に好ましくは１．０％以下で
あること。

【００４４】２，６−ジフルオロベンゾニトリル類は比
較的高いかまたは高い値の誘電異方性Δεに特徴があり
、このために有利なしきい電圧値を生ずることになる。　　これらの有利な性質のほかに、本発明の液晶材料は
一定の使用温度範囲でしきい電圧の温度係数が改善され
た点に特徴があり、この温度範囲は、例えば、ネマチッ
ク相範囲としてまたはそれぞれの用途に必要な温度範囲
として定義することができる。

【００４５】本発明の液晶表示素子の好ましい実施態様
においては、しきい電圧Ｖｔｈが一定の使用温度範囲で
少くともほぼ温度の影響をうけないように、一つ以上の
２，６−ジフルオロベンゾニトリル類が選択される。温
度係数γ＝ｄＶｔｈ／ｄＴが３×１０−２Ｖ℃−１より
小さい、特に２×１０−２Ｖ℃−１より小さい、更に特
に１×１０−２Ｖ℃より小さい液晶表示素子が好まれる
。

【００４６】本発明の液晶表示素子の他の好ましい実施
態様においては、Ｖｔｈがかなり十分に明確な温度依存
性を示すように、一つ以上の２，６−ジフルオロベンゾ
ニトリル類が選ばれるが、この明確な温度依存性は作動
させるエレクトロニクス（　ｄｒｉ−ｖｉｎｇ　ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃｓ　）の要求に最もよく適合している。

【００４７】例えば、図１にしきい電圧Ｖｔｈの温度依
存性が実施例１の液晶材料について示されている。この
液晶材料のしきい電圧は約３５℃で最大でありこれより
低いか高い温度に向ってわずかに減少する。−３０℃か
ら＋７０℃までの使用温度範囲を考えると、Ｖｔｈはそ
の最大値に対してほぼ対照的な挙動を示し、またＶｔｈ
の最大値に対応する温度はこの使用温度範囲のほぼ中心
に位置しているということができる。この対稱的挙動は
特に技術的観点からみて有利である。

【００４８】これと比較すると、現状技術の混合物ＺＬ
Ｉ　１４２４６−０００　Ｅ．メルク　（　Ｅ．　Ｍａ
ｒｋ　）社の商品：ダルムシュタット（　Ｄａｒｍｓｔ
ａｄｔ　）、ドイツ）はしきい電圧γの温度依存性につ
いて対稱曲線というよりもむしろＳ−型を示すが、この
ことは有利なことではない。本発明の技術的教示を応用
して得られるγの改善は一層価値のあるものである。何
故ならば技術的に用いた混合物はγについてのみならず
、使用温度範囲、粘度、しきい電圧、電気光学的特性曲
線の勾配、ＵＶならびに熱安定性等などの他のパラメー
ターについてもまた最適でなければならないからである
。しかし一つのパラメーターの最適化はしばしば一つあ
るいはいくつかの他のパラメーターの悪化につながるこ
とが一般的に認められる。従って本発明の技術的教示は
いくつかの異なる要求について注文生産の混合物を提供
する可能性をかなり拡大している。

【００４９】さらにしきい電圧が例えば少くともほぼ直
線的な依存性または作動させるエレクトロニクスの特性
に最もよく適合する他のタイプの依存性のような別の明
確な温度依存性を示すような方法で、一つ以上の２，６
−ジフルオロベンゾニトリル類を選ぶことは可能である
。４×１０−３Ｖ℃−１≦ｄＶｔｈ／ｄＴ≦１．２×１
０−２Ｖ℃−１、特に４．５×１０−３Ｖ℃−１≦ｄＶ
ｔｈ／ｄＴ≦９．５×１０−３Ｖ℃−１の範囲でしきい
電圧が直線的温度依存性を示す液晶表示素子が好ましい
。

【００５０】本発明の液晶材料はネマチックキャリヤー
ホストと強く誘電的に正の添加物を含有しており後者は
少くとも一種の２，６−ジフルオロベンゾニトリルを含
んでいる。

【００５１】この液晶材料は２ないし４０、特に３ない
し３５の成分を含有することが好ましい。非常に特に好
ましくは、この材料は一つ以上の２，６−ジフルオロベ
ンゾニトリル類のほかに５ないし２５の成分を含有する
。

【００５２】２，６−ジフルオロベンゾニトリル類以外
の液晶材料の成分はネマチックまたはネマチック液晶性
　（　ｎｅｍａｔｏｇｅｎｉｃ　）（単変性または等方
性）物質の中から、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリ
デンアニリン類、ビフエニル類、テルフェニル類　、安
息香酸フェニルまたは安息香酸シクロヘキシル類、シク
ロヘキサンカルボン酸フェニルまたはシクロヘキサンカ
ルボン酸シクロヘキシル類、シクロヘキシル安息香酸フ
ェニルまたはシクロヘキシル安息香酸シクロヘキシル類
、シクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸フェニルま
たはシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸シクロヘ
キシル類、安息香酸シクロヘキシルフェニル類、シクロ
ヘキサンカルボン酸シクロヘキシルフェニル類、シクロ
ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルフェ
ニル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘキシルビ
フェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘキサン類
、シクロヘキシルシクロヘキサン類、シクロヘキシルシ
クロヘキセン類、シクロヘキシルシクロヘキシルシクロ
ヘキセン類、１，４−ビス−シクロヘキシルベンゼン類
、４，４’−ビス−シクロヘキシルビフェニル類、フェ
ニル−またはシクロヘキシルピリミジン類、フェニル−
またはシクロヘキシルピリジン類、フェニル−またはシ
クロヘキシルジオキサン類、フェニル−またはシクロヘ
キシル−１，３−ジチアン類、１，２−ジフェニルエタ
ン類、１，２−ジシクロヘキシルエタン類、１−フェニ
ル−２−シクロヘキシルエタン類、１−シクロヘキシル
−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン類、１−
シクロヘキシル−２−ビフェニルエタン類、１−フェニ
ル−２−シクロヘキシルフェニルエタン類、ハロゲン化
または非ハロゲン化スチルベン類、ベンジルフェニルエ
ーテル類、トラン類、および置換けい皮酸類の部類の物
質の中から、選ぶことが好ましい。これら化合物中の１
、４−フェニレン基もまた、弗素化することができる。

【００５３】本発明による媒体の他の成分として適当な
最も重要な化合物は式１、２、３、４および５によって
特徴づけることができる。

【００５４】Ｒ′−Ｌ−Ｅ−Ｒ″　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　１Ｒ′−Ｌ−ＣＯＯ−Ｅ−Ｒ″　　　　　　　
　　　　　２Ｒ′−Ｌ−ＯＯＣ−Ｅ−Ｒ″　　　　　　
　　　　　　３Ｒ′−Ｌ−ＣＨ２　−ＣＨ２　−Ｅ−Ｒ
″　　　　４Ｒ′−Ｌ−Ｃ≡Ｃ−Ｅ−Ｒ″　　　　　　
　　　　　　５式１、２、３、４および５において、Ｌ
とＥは同じでもまたは異ってもよいが各々互に独立して
−Ｐｈｅ−，−Ｃｙｃ−，−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−、−Ｐｈ
ｅ−Ｃｙｃ−、−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−，−Ｐｙｔ−，Ｄｉ
ｏ−，−Ｇ−Ｐｈｅ−と−Ｇ−Ｃｙｃ−およびこれらの
鏡像体よりなる群から選ばれる二価の基である。ここで
Ｐｈｅは非置換または弗素置換１、４−フェニレンであ
り、Ｃｙｃはトランス−１、４−シクロヘキシレンまた
は１、４−シクロヘキセニレンであり、Ｐｙｒはピリミ
ジン−２、５−ジイルまたはピリジン−２、５−ジイル
であり、Ｄｉｏは１、３−ジオキサン−２、５−ジイル
であり、Ｇは２−（トランス−１、４−シクロヘキシル
）エチル、ピリミジン−２、５−ジイル、ピリジン−２
、５−ジイルまたは１、３−ジオキサン−２、５−ジイ
ルである。

【００５５】好ましくは基ＬとＥの一つはＣｙｃ，Ｐｈ
ｅまたはＰｙｒである。ＥはＣｙｃ，ＰｈｅまたはＰｈ
ｅ−Ｃｙｃであることが好ましい。好ましくは本発明の
媒体は式１、２、３、４および５の化合物より選ばれる
一つ以上の成分を含有し、これら式中ＬとＥはＣｙｃ，
ＰｈｅおよびＰｙｒよりなる群から選ばれ、同時に一つ
以上の成分が式１、２、３、４および５の化合物から選
ばれる、式中基ＬとＥのうち一つはＣｙｃ，Ｐｈｅおよ
びＰｙｒよりなる群から選ばれもう一つの他の基は−Ｐ
ｈｅ−Ｐｈｅ，−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ，−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−
，−Ｇ−Ｐｈｅおよび−Ｇ−Ｃｙｃ−よりなる群から選
ばれ、さらに恐らく一つ以上の成分が式１、２、３、４
および５の化合物から選ばれ、式中基ＬとＥは−Ｐｈｅ
−Ｃｙｃ−，−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−，−Ｇ−Ｐｈｅ−およ
び−Ｇ−Ｃｙｃ−よりなる群から選ばれる。

【００５６】部分式１ａ，２ａ，３ａ，４ａおよび５ａ
の化合物中のＲ′とＲ″は各々、互に独立して８個まで
の炭素原子をもつアルキル、アルケニル、アルコキシ、
アルケニルオキシおよびアルカノイルオキシである。大
部分のこれらの化合物において、Ｒ′とＲ″は互に異っ
ており、これらの基の一つは殆んどの場合アルキルまた
はアルケニルである。部分式１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂお
よび５ｂの化合物において、Ｒ′は−ＣＮ、−ＣＦ３　
，−ＯＣＦ３　，−ＯＣＨＦ２　，−Ｆ，−Ｃｌまたは
−ＮＣＳである。これらの式中、Ｒ’は部分式１ａない
し５ａの化合物において記載した意味を有し、アルキル
またはアルケニルであることが好ましい。しかし、式１
、２、３、４および５の化合物を意図した他の置換基は
共通である。これらの物質やその混合物の多くは市販さ
れている。これらの物質はすべてこれらの方法に類似の
、文献に知られた方法で得ることができる。

【００５７】本発明の媒体は化合物１ａ，２ａ，３ａ，
４ａおよび５ａのグループ（グループ１）からの成分に
加えて、化合物１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂおよび５ｂのグ
ループおよび５ｂのグループ（グループ２）からの成分
を含有することが好ましく、その相対的比率は次の如く
であることが好ましい。

【００５８】グループ１　　：　　０％ないし６０％、
特に５ないし５０％グループ２　　：　　０％ないし６０％、特に５ないし
４０％液晶材料は１％ないし４０％、特に５ないし３０％の２
、６−ジフルオロベンゾニトリル類を含有することが好
ましい。この材料は、好ましくは式Ｉ　−ＩＩＩ　の化
合物から、特に式Ｉ．１　−Ｉ．２４、ＩＩ．１−ＩＩ
．　１１およびＩＩＩ　．１３の化合物から選ばれる２
、３、４、５、５、６、７または８種の２、６−ジフル
オロベンゾニトリル類を含有することが好ましい。

【００５９】本発明の材料はそれ自体慣例の方法で製造
される。一般に、種々成分を高い温度で有利に互に溶解
させる。適当な添加物によって、本発明の液晶材料は意
図する用途に応じて改良され、最適化される。このタイ
プの添加物は当業者には知られており、文献［例えば、
Ｈ．ケルカ−／Ｒ．ハッツ（　Ｈ．Ｋｅｌｋｅｒ／　Ｒ
．Ｈａｔｚ　）　、液晶ハンドブック（　Ｈａｎｄｂｏ
ｏｋ　ｏｆ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　）、化
学出版（　ＶｅｒｌａｇＣｈｅｍｉｅ）、ワインハイム
（　Ｗｅｉｎｈｅｉｍ　）、１９８０］に詳細に記され
ている。例えばカラー表示系をつくる多色染料および／
または誘電異方性および／または粘度をかえる物質およ
び／または液晶のらせん構造を誘起し必要なねじれ角φ
を調整しおよび／または逆ねじれ（　ｒｅｖｅｒｓｅｔ
ｗｉｓｔ　）を除くためのキラルドープ剤（　ｃｈｉｒ
ａｌ　ｄｏｐａｎｔ　）　を通常加える。

【００６０】次の実施例は本発明を限定するものではな
く説明することを目的とするものである。以上および以
下において、百分率は重量％である。温度はすべて摂氏
温度で示され、ｍ．ｐ．は融点を意味し、ｃ．ｐ．は澄
明点である。さらにＣは結晶状態、Ｎはネマチック相、
Ｓはスメクチック相、Ｉは等方相をあらわす。これらの
記号の間にあるデーターは転移点を示す。△ｎは光学異
方性（５８９ｎｍ，２０℃）を示し粘度（ｍｍ２／ｓｅ
ｃ）　は２０℃で測定した。

【００６１】

【実施例１】ａ）　　図１においてＶｔｈの温度依存性
は本発明のＳＴＮ表示（　黒丸　）について示してある
。この表示は次のパラメーターねじれ角φ＝２４０° セルの厚さ（　ｃｅｌｌ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　）とピ
ッチの長さ（　ｐｉｔｃｈ　ｌｅｎｇｔｈ　）の比ｄ／ｐ＝０．５傾き角α＝５° をもち、次のものよりなる液晶材料を含有する：８％　
　４−ペンチル−３″、５″−ジフルオロ−４″−シア
ノテルフェニル１４％　　１−（トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル）−２−（３、
５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−エタン１８％
　　トランス−１−ｐ−メトキシフェニル−４−プロピ
ルシクロヘキサン１４％　　トランス−１−ｐ−エトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１５％　　トランス−、トランス−４−プロポキシ−４
′−プロピルシクロヘキサン１０％　　４−エチル−４′−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）−ビフェニル８％　　４−エチル−４′−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−ビフェニル４％　　４、４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−ビフェニル３％　　４、４′−ビス−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−２−フルオロビフェニル３％　　４、
４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−２−フルオロビフェニル３％　　４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロビフェニルｂ）比較のためにＶｔｈの温度依存性を現状技術のＳＴ
Ｎ素子（白丸）　について示す。この素子は次のパラメ
ーターねじれ角φ＝２４０° セルの厚さとピッチの長さの比ｄ／ｐ＝０．５傾き角α＝５° ２％　　４−エチル安息香酸　　３−フルオロ−４−シ
アノフェニル３％　　４−プロピル安息香酸　　３−フルオロ−４−
シアノフェニル８％　　４−ペンチル安息香酸　　３−フルオロ−４−
シアノフェニル６％　　４−ヘプチル安息香酸　　３−フルオロ−４−
シアノフェニル１６％　　トランス−１−ｐ−メトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１２％　　トランス−１−ｐ−エトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１１％　　トランス−、トランス−４−プロポキシ−４
′−プロピルシクロヘキシルシクロヘキサン１２％　　
４−エチル−４′−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−ビフェニル１１％　　４−エチル−４′−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−ビフェニル４％　　４、４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−ビフェニル５％　　４、４′−ビス−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−２−フルオロビフェニル５％　　４、
４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−２−フルオロビフェニル５％　　４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロビフェニルｃ）実施例１ａ）の本発明のＳＴＮ表示はＶｔｈがその
最大値についてほぼ対称的な特性を示しており、Ｖｔｈ
の最大値に対応する温度は−３０℃と７０℃の間の一定
の使用温度範囲のほぼ中心に位置している。

【００６２】これとは反対に現状技術のＳＴＮ表示はＶ
ｔｈの温度依存性がわずかにＳ字曲線を示し、このこと
は技術的に見て不利である。

【００６３】

【実施例２】本発明のＳＴＮ表示は次のパラメーターを
示す。ねじれ角φ＝２４０° セルの厚さ（　ｃｅｌｌ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　）とピ
ッチの長さ（　ｐｉｔｃｈ　ｌｅｎｇｔｈ　）の比ｄ／ｐ＝０．５傾き角α＝５°をもち、次のものよりなる液晶材料を含
有し：５％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビフ
ェニル５％　　４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−４”
−シアノテルフェニル１２％　　４−［トランス−４−（トランス−　　−ブ
チルシクロヘキシル）−シクロヘキシル）］−２，６−
ジフルオロ−１−シアノベンゼン１８％　　トランス−１−ｐ−メトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１４％　　トランス−１−ｐ−エトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１５％　　トランス、トランス−４−プロポキシ−４′
−プロピルシクロヘキシルシクロヘキサン１０％　　４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４’−
エチルビフェニル８％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−４’−エチルビフェニル４％　　４、４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−ビフェニル３％　　４、４′−ビス−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−２−フルオロビフェニル３％　　４、
４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−２−フルオロビフェニル３％　　４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロビフェニル次のパラメーターを示す液晶材料を含有する。融点　　　　　　　　−２０℃ 透明点　　　　　　１０２℃ 粘度　　　　　　　　２４ｍｍ２ｓ−１　　　　（２０
℃）誘電異方性　　６．２　　　　　　　　　　（２０
℃，１ｋＨｚ）複屈折　　　　　　０．１２５０　　　
　（２０℃，５８９ｎｍ）優れた特性を示し、特にしき
い電圧の好ましい温度依存性を示す。

【００６４】

【実施例３】本発明のＳＴＮ表示は次のパラメーターを
示す。ねじれ角φ＝２４０° セルの厚さ（　ｃｅｌｌ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　）とピ
ッチの長さ（　ｐｉｔｃｈ　ｌｅｎｇｔｈ　）の比ｄ／ｐ＝０．５傾き角α＝５°をもち、次のものよりなる液晶材料を含
有し：５％　　４−［トランス−４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２，６
−ジフルオロ−１−シアノベンゼン８％　　４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−４”
−シアノテルフェニル９％　　４−［トランス−４−（トランス−４−ブチル
シクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２，６−ジフル
オロ−１−シアノベンゼン１８％　　トランス−１−ｐ−メトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１４％　　トランス−１−ｐ−エトキシフェニル−４−
プロピルシクロヘキサン１５％　　トランス−、トランス−４−プロポキシ−４
′−プロピルシクロヘキシルシクロヘキサン１０％　　
４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４’
−エチルビフェニル８％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−４’−エチルビフェニル４％　　４、４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−ビフェニル３％　　４、４′−ビス−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）−２−フルオロビフェニル３％　　４、
４′−ビス−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−２−フルオロビフェニル３％　　４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−４′−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロビフェニル次のパラメーターを示す液晶材料を含有する。融点　　　　　　　　−３０℃ 透明点　　　　　　１０２℃ 粘度　　　　　　　　２４ｍｍ２ｓ−１　　　　（２０
℃）誘電異方性　　６．２　　　　　　　　　　（２０
℃，１ｋＨｚ）複屈折　　　　　　０．１２５２　　　
　（２０℃，５８９ｎｍ）優れた特性を示し、特にしき
い電圧の好ましい温度依存性を示す。

【００６５】

【実施例４】下記の物質と組成から成る液晶混合物２ａ
：１８．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）−ベンゾニトリル８．０％　　４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−ベンゾニトリル１０．０％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル８．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−メトキシベンゼン３．０％　　３−フルオロ−４−シアノフェニル　　４
−エチルベンゾエート３．０％　　３−フルオロ−４−シアノフェニル　　４
−プロピルベンゾエート５．０％　　３−フルオロ−４−シアノフェニル　　４
−ペンチルベンゾエート５．０％　　４−プロピル−４’−エトキシトラン３．
０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
）−４’−メトキシトラン４．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−エトキシトラン３．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−プロポキシトラン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン５．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−メチルフェニル）−エタン４．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−エチルフェニル）−エタン５．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼン４．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼンにあって３−フルオロ−４−シアノフェニル−４−アル
キルベンゾエート類を２，６−ジフルオロ−４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル
に置換して、下記の物質と組成から成る２ｂの混合物を
得た。１８．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル８．０％　　４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−ベンゾニトリル１０．０％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル８．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−メトキシベンゼン１１．０％　　２，６−ジフルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル５．０
％　　４−プロピル−４’−エトキシトラン３．０％　
　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４
’−メトキシトラン４．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−エトキシトラン３．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−プロポキシトラン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン５．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−メチルフェニル）−エタン４．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−エチルフェニル）−エタン５．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼン４．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼン混合物２ａおよび２ｂは下記の物理特性を有する。

【００６６】

【表１】　　本発明の技術思想によって製造された混合物２ｂは
混合物２ａよりも低いしきい電圧の温度依存性を示す。

【００６７】

【実施例５】実施例２で示した液晶材料を基本的には他
の小さい変化を除いて、３−フルオロ−４−シアノフェ
ニル　　４アルキルベンゾエート類を置換して変更した
。得られた混合物３ｂは以下の化合物と組成とよりなる。１８．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル８．０％　　４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）−ベンゾニトリル１０．０％　　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル７．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−１−メトキシベンゼン５．０％　　２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル５．０％　
　２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ベンゾニトリル５．０％　　２、６−
ジフルオロ−４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピル−シクロヘキシル）−シクロヘキシル］ベンゾニ
トリル５．０％　　４−プロピル−４’−エトキシトラン４．
０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
）−４’−メトキシトラン４．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−エトキシトラン５．０％　　４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−４’−プロポキシトラン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン６．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−フルオロフェニル）−エタン３．０％　　１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−２−（４
−メチルフェニル）−エタン５．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼン４．０％　　４−［トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−シクロヘキシル］−１−トリ
フルオロメトキシベンゼン混合物３ｂは下記の物理特性を有する：透明点［℃］　
　　　　　　　８４粘度［ｍｍ２　ｓ−１］　　２１　　　　（２０℃）複
屈折　　　　　　０．１３９０　　　　（２０℃、５８
９ｎｍ）誘電異方性　　　　　　１２．６　　　　（２
０℃、１ｋＨｚ）ねじれ角［度］　　　　２４０しきい電圧［Ｖ］１．８０本発明の技術思想によって製造された混合物３ｂは混合
物２ａよりも低いしきい電圧の温度依存性を示した。

【図面の簡単な説明】

【図１】しきい電圧の温度依存性を示した図である。

【符号の説明】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　温度に依存するしきい電圧　（　ｔｈ
ｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　）をもち、互に離れ
てその間に空間を形成する一対のキャリヤープレート　
（　ｃａｒｒｉｅｒ　　　ｐｌａｔｅ　）　と、該プレ
ートを互に密封して室をつくる手段とこの室の中に存在
する正の誘電異方性をもつ液晶材料（この液晶材料はネ
マチックキャリヤーホスト　　（ｎｅｍａｔｉｃ　ｃａ
ｒｒｉｅｒ　ｈｏｓｔ　）と強力な誘電的に正の添加物
　（　ｓｔｒｏｎｇｌｙ　ｄｉｅｌｅｃｔ−　　ｒｉｃ
ａｌｌｙ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　ａｄｄｉｔｖｅ　）を含
む）の層を有する作動可能な液晶表示素子において、強
力な誘電的に正の該添加物が一定の使用温度範囲で働い
てしきい電圧の温度係数を改善する２，６−ジフルオロ
ベンゾニトリルの少くとも一種の誘導体よりなることを
特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】　　液晶物質の該層が少くとも二つの光学
的状態間で電気的に切替可能であり、２，６−ジフルオ
ロベンゾニトリルの該誘導体は該層のスイッチを入れた
しきい電圧および／またはスイッチを切ったしきい電圧
が一定の使用温度範囲で少くともほぼ温度の影響を受け
ないように選ばれる請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】　　液晶物質の該層が少くとも二つの光学
的状態間で電気的に切替可能であり、２，６−ジフルオ
ロベンゾニトリルの該誘導体は該層のスイッチを入れた
しきい電圧および／またはスイッチを切ったしきい電圧
が一定の使用温度範囲で温度に少くともほぼ直線的に依
存するように選ばれる請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項４】　　液晶物質の該層が少くとも二つの光学
的状態間で電気的に切替可能であり、２，６−ジフルオ
ロベンゾニトリルの該誘導体は該層のスイッチを入れた
しきい電圧および／またはスイッチを切ったしきい電圧
が一定の使用温度範囲の少くともほぼ中心近くに位置す
る極大点を通るように選ばれる請求項１の液晶表示素子
。
【請求項５】　　請求項１ないし４のいずれか１項の液
晶表示素子に用いられる液晶材料。