JPH04282844A - フィルムキャリアテ−プ - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフィルムキャリアテ−プ
に関するものであり、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性に
優れ、かつカ−ルがなく高い接着力を有するフィルムキ
ャリアテ−プに関するものである。
に関するものであり、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性に
優れ、かつカ−ルがなく高い接着力を有するフィルムキ
ャリアテ−プに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、フィルムキャリアテ−プはポリイ
ミドフィルムの側面所定位置に穿孔機でスプロケットホ
−ルおよびデバイスホ−ルを加工したあと該ホール部分
を除くフィルム部分と金属箔とを接着剤で張り合わせる
ことにより製造されている。このようなフィルムキャリ
アテ−プでは、接着剤の耐熱性が十分でないために、ポ
リイミドフィルムが本来備えている優れた耐熱性、耐薬
品性、電気特性、機械特性などを十分に生かしていない
のが実情である。また、接着剤自体の接着力についても
必ずしも十分ではないという問題がある。
ミドフィルムの側面所定位置に穿孔機でスプロケットホ
−ルおよびデバイスホ−ルを加工したあと該ホール部分
を除くフィルム部分と金属箔とを接着剤で張り合わせる
ことにより製造されている。このようなフィルムキャリ
アテ−プでは、接着剤の耐熱性が十分でないために、ポ
リイミドフィルムが本来備えている優れた耐熱性、耐薬
品性、電気特性、機械特性などを十分に生かしていない
のが実情である。また、接着剤自体の接着力についても
必ずしも十分ではないという問題がある。
【0003】このような問題点を解決する方法として、
接着剤を用いずに金属箔表面にポリイミド前駆体の有機
極性溶媒溶液を直接塗布したあと、溶媒の乾燥除去、イ
ミド化する方法、あるいは芳香族ポリアミック酸でポリ
イミドフィルムと金属箔を張り合わせる方法等が提案さ
れている。しかしながら、前者はICチップを搭載する
デバイスホ−ルの加工が困難であるため未だ実用化に至
っていない。一方、後者は、耐熱性、耐薬品性、電気特
性等については従来の接着剤使いのものより優れている
が、銅箔と耐熱性樹脂フィルムを張り合わせたあとの、
カ−ル(反り)が大きいため実用化されていないのが現
状である。
接着剤を用いずに金属箔表面にポリイミド前駆体の有機
極性溶媒溶液を直接塗布したあと、溶媒の乾燥除去、イ
ミド化する方法、あるいは芳香族ポリアミック酸でポリ
イミドフィルムと金属箔を張り合わせる方法等が提案さ
れている。しかしながら、前者はICチップを搭載する
デバイスホ−ルの加工が困難であるため未だ実用化に至
っていない。一方、後者は、耐熱性、耐薬品性、電気特
性等については従来の接着剤使いのものより優れている
が、銅箔と耐熱性樹脂フィルムを張り合わせたあとの、
カ−ル(反り)が大きいため実用化されていないのが現
状である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、かかる
従来技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的と
するところは耐熱性、耐薬品性、寸法安定性に優れ、か
つカ−ルがなく高い接着力を有するフィルムキャリアテ
−プを提供することにある。
従来技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的と
するところは耐熱性、耐薬品性、寸法安定性に優れ、か
つカ−ルがなく高い接着力を有するフィルムキャリアテ
−プを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
耐熱性絶縁フィルムと金属箔とを接着剤層を介して積層
一体化してなるフィルムキャリアテ−プであって、該接
着剤層が芳香族テトラカルボン酸二無水物とシロキサン
系ジアミンとを主成分として反応させて得たポリアミッ
ク酸の薄膜からなることを特徴とするフィルムキャリア
テ−プにより達成される。
耐熱性絶縁フィルムと金属箔とを接着剤層を介して積層
一体化してなるフィルムキャリアテ−プであって、該接
着剤層が芳香族テトラカルボン酸二無水物とシロキサン
系ジアミンとを主成分として反応させて得たポリアミッ
ク酸の薄膜からなることを特徴とするフィルムキャリア
テ−プにより達成される。
【0006】本発明における耐熱性絶縁フィルムとして
は、融点が280℃以上のもの、あるいはJIS C
4003で規定される長時間連続使用の最高許容温度が
121℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分
子樹脂フィルムが使用される。
は、融点が280℃以上のもの、あるいはJIS C
4003で規定される長時間連続使用の最高許容温度が
121℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分
子樹脂フィルムが使用される。
【0007】これらの高分子樹脂フィルムとしては、ビ
スフェノ−ル類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レ−ト、ポリスルホン、またはポリエ−テルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネ−トとの縮合物、あるいはビスフ
ェノ−ル類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエ−テルアミド、ポリフェ
ニレンスルファイド、ポリアリルエ−テルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂フィルム等があげられる。これらの
高分子樹脂フィルムの中でも、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミド、特にピロメリット酸二無水物、あるいは
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェ
ニルエ−テルなどの芳香族ジアミンとの縮合物である芳
香族ポリイミド樹脂フィルムは特に好ましい。
スフェノ−ル類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリ
レ−ト、ポリスルホン、またはポリエ−テルスルホンに
代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン
酸と芳香族イソシアネ−トとの縮合物、あるいはビスフ
ェノ−ル類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応か
ら得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳
香族ポリアミド、芳香族ポリエ−テルアミド、ポリフェ
ニレンスルファイド、ポリアリルエ−テルケトン、ポリ
アミドイミド系樹脂フィルム等があげられる。これらの
高分子樹脂フィルムの中でも、芳香族ポリイミド、芳香
族ポリアミド、特にピロメリット酸二無水物、あるいは
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェ
ニルエ−テルなどの芳香族ジアミンとの縮合物である芳
香族ポリイミド樹脂フィルムは特に好ましい。
【0008】このような耐熱性樹脂フィルムはその表面
が低温プラズマ処理されていることが好ましい。ここで
低温プラズマ処理するとは上記耐熱性樹脂フィルム表面
を、電極間に直流または交流の高電圧を印加することに
よって開始持続する放電にさらすことによって成される
処理をいう。処理する圧力は特に限定されず、処理装置
の放電形式などによって好ましい条件を選定すれば良い
。処理雰囲気はAr,He,N2 ,H2 O,O2
,空気など一般に行われるものでも良いが、メタノ−ル
、エタノ−ル、グリシジルメタアクリレ−トなどの有機
ガス、特にグリシジルメタアクリレ−トが好ましい。前
記有機ガスは、単独あるいは2種以上混合して用いるこ
とができる。またAr,He,N2 ,空気などのガス
などで希釈しても良い。
が低温プラズマ処理されていることが好ましい。ここで
低温プラズマ処理するとは上記耐熱性樹脂フィルム表面
を、電極間に直流または交流の高電圧を印加することに
よって開始持続する放電にさらすことによって成される
処理をいう。処理する圧力は特に限定されず、処理装置
の放電形式などによって好ましい条件を選定すれば良い
。処理雰囲気はAr,He,N2 ,H2 O,O2
,空気など一般に行われるものでも良いが、メタノ−ル
、エタノ−ル、グリシジルメタアクリレ−トなどの有機
ガス、特にグリシジルメタアクリレ−トが好ましい。前
記有機ガスは、単独あるいは2種以上混合して用いるこ
とができる。またAr,He,N2 ,空気などのガス
などで希釈しても良い。
【0009】また、金属箔としては導電性を有する種々
のもの、例えば銅、アルミニウム、ニッケルなどが使用
できる。厚みは、10〜100μmのものが好ましい。 金属箔の表面は粗面加工されているものが好ましいが、
一般に用いられるフィルムキャリアテ−プ用のものであ
れば良く、特に限定されるものではない。
のもの、例えば銅、アルミニウム、ニッケルなどが使用
できる。厚みは、10〜100μmのものが好ましい。 金属箔の表面は粗面加工されているものが好ましいが、
一般に用いられるフィルムキャリアテ−プ用のものであ
れば良く、特に限定されるものではない。
【0010】本発明に用いられる芳香族テトラカルボン
酸二無水物としては、ピロメリット酸、3、3´、4、
4´ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2、3、3
´、4´ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3、3
´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、2、2´,3,3´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2´,3,3´−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2、2−ビス(3、4−ジカルボ
キシフェニル)プロパン二無水物、2、2−ビス(2、
3、−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス
(3、4−ジカルボキシフェニル)エ−テル二無水物、
ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、1、1−ビス(2、3−ジカルボキシフェニル)エ
タン二無水物、ビス(2、3−ジカルボキシフェニル)
メタン二無水物、2、3、6、7ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、1、4、5、8−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1、2、5、6−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、1、2、3、4−ベンゼンテトラ
カルボン酸二無水物、3、4、9、10ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、2、3、6、7アントラセンテト
ラカルボン酸二無水物、1、2、7、8フェナントレン
およびテトラカルボン酸二無水物などが用いられる。こ
れらは単独或いは2種以上混合して用いられる。
酸二無水物としては、ピロメリット酸、3、3´、4、
4´ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2、3、3
´、4´ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3、3
´,4,4´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、2、2´,3,3´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2、2´,3,3´−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2、2−ビス(3、4−ジカルボ
キシフェニル)プロパン二無水物、2、2−ビス(2、
3、−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、ビス
(3、4−ジカルボキシフェニル)エ−テル二無水物、
ビス(3、4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、1、1−ビス(2、3−ジカルボキシフェニル)エ
タン二無水物、ビス(2、3−ジカルボキシフェニル)
メタン二無水物、2、3、6、7ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、1、4、5、8−ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1、2、5、6−ナフタレンテトラ
カルボン酸二無水物、1、2、3、4−ベンゼンテトラ
カルボン酸二無水物、3、4、9、10ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、2、3、6、7アントラセンテト
ラカルボン酸二無水物、1、2、7、8フェナントレン
およびテトラカルボン酸二無水物などが用いられる。こ
れらは単独或いは2種以上混合して用いられる。
【0011】本発明において使用されるシロキサン系ジ
アミンとしては、次の一般式(1)で表わされるものが
あげられる。
アミンとしては、次の一般式(1)で表わされるものが
あげられる。
【0012】
【化2】
【0013】(式中、R1およびR2はそれぞれ低級ア
ルキレン基またはフェニレン基を示し、R3、R4、R
5およびR6はそれぞれ低級アルコキシ基、フェニル基
およびフェノキシ基を群から選ばれる少なくとも1つを
示す。nは1以上の整数を示す。)一般式(1)で表わ
されるシロキサン系ジアミンの具体例としては、1,1
,3,3−テトラメチル−1,3ビス(4−アミノフェ
ニル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキ
シ−1,3ビス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1
,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5ビス(4
−アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,3,3−
テトラフェニル−1,3ビス(2−アミノエチル)ジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3ビ
ス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,5,
5−テトラフェニル−3、3−ジメチル−1、5ビス(
3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5
−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5ビス(
4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−
テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5ビス(5
−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3−
テトラメチル−1,3ビス(2−アミノエチル)ジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3ビス(
3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−
テトラメチル−1,3ビス(4−アミノブチル)ジシロ
キサン、1,3,−ジメチル−1,3ジメトキシ−1,
3ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,1,5
,5,−テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス
(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5
,−テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス(4
−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5,−
テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス(5−ア
ミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,
5−ヘキサメチル−1,5ビス(3−アミノプロピル)
トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサエチ
ル−1,5ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン
、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピル−1,5ビ
ス(3−アミノプロピル)トリシロキサンなどが挙げら
れる。これらのシロキサン系ジアミンは、単独また二種
以上混合して用いることができる。
ルキレン基またはフェニレン基を示し、R3、R4、R
5およびR6はそれぞれ低級アルコキシ基、フェニル基
およびフェノキシ基を群から選ばれる少なくとも1つを
示す。nは1以上の整数を示す。)一般式(1)で表わ
されるシロキサン系ジアミンの具体例としては、1,1
,3,3−テトラメチル−1,3ビス(4−アミノフェ
ニル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキ
シ−1,3ビス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1
,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5ビス(4
−アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,3,3−
テトラフェニル−1,3ビス(2−アミノエチル)ジシ
ロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3ビ
ス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,5,
5−テトラフェニル−3、3−ジメチル−1、5ビス(
3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5
−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5ビス(
4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−
テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5ビス(5
−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3−
テトラメチル−1,3ビス(2−アミノエチル)ジシロ
キサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3ビス(
3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−
テトラメチル−1,3ビス(4−アミノブチル)ジシロ
キサン、1,3,−ジメチル−1,3ジメトキシ−1,
3ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,1,5
,5,−テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス
(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5
,−テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス(4
−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5,−
テトラメチル−3,3ジメトキシ−1,5ビス(5−ア
ミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,
5−ヘキサメチル−1,5ビス(3−アミノプロピル)
トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサエチ
ル−1,5ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン
、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピル−1,5ビ
ス(3−アミノプロピル)トリシロキサンなどが挙げら
れる。これらのシロキサン系ジアミンは、単独また二種
以上混合して用いることができる。
【0014】また、全ジアミノ化合物中のシロキサン系
ジアミンの割合は、適宜の割合で使用できるが、イミド
化後のカール防止効果および接着性の向上効果等の点か
らは50mol%以上であることが好ましく、より好ま
しくは75mol%以上である。
ジアミンの割合は、適宜の割合で使用できるが、イミド
化後のカール防止効果および接着性の向上効果等の点か
らは50mol%以上であることが好ましく、より好ま
しくは75mol%以上である。
【0015】上記芳香族テトラカルボン酸二無水物とシ
ロキサン系ジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じ
て行うことができる。例えば、略化学量論量の芳香族テ
トラカルボン酸またはその無水物とシロキサン系ジアミ
ンとを、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチル−2ピロリドン等の有機
溶媒中で、0〜80℃の温度で反応させれば良い。これ
らの溶媒は、単独あるいは2種以上混合して用いられ、
ポリアミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、
トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフ
ラン、メチルエチルケトン等を加えても良い。
ロキサン系ジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じ
て行うことができる。例えば、略化学量論量の芳香族テ
トラカルボン酸またはその無水物とシロキサン系ジアミ
ンとを、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、N−メチル−2ピロリドン等の有機
溶媒中で、0〜80℃の温度で反応させれば良い。これ
らの溶媒は、単独あるいは2種以上混合して用いられ、
ポリアミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、
トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフ
ラン、メチルエチルケトン等を加えても良い。
【0016】ポリアミック酸ワニス濃度は、5〜60重
量%が好ましく10〜40重量%が特に好ましい。
量%が好ましく10〜40重量%が特に好ましい。
【0017】耐熱性絶縁フィルムと金属箔とを芳香族テ
トラカルボン酸二無水物とシロキサン系ジアミンとを反
応させて得られたポリアミック酸の薄膜からなる接着剤
層を介して積層一体化する方法としては、例えば次の方
法があげられる。
トラカルボン酸二無水物とシロキサン系ジアミンとを反
応させて得られたポリアミック酸の薄膜からなる接着剤
層を介して積層一体化する方法としては、例えば次の方
法があげられる。
【0018】すなわち耐熱絶縁フィルム上に、上記ポリ
アミック酸ワニスを10〜40重量%含む溶媒溶液を製
膜用スリットから吐出させて均一に塗工する。この塗工
方法としてはロ−ルコ−タ、ナイフコ−タ、密封コ−タ
、コンマコ−タ、ドクタ−ブレ−ドフロ−トコ−タなど
によるものがあげられる。次に上記のように耐熱性樹脂
フィルムに塗工した溶液の溶媒を、60〜200℃で加
熱除去する。加熱除去の条件は、溶媒の濃度、種類に応
じて、適宜の温度、圧力を選定すればよい。このように
して耐熱性樹脂フィルム上に5〜30μmのポリアミッ
ク酸の薄膜を形成する。その後、汚染防止、キズ防止な
どの必要に応じ厚み15〜60μmのポリエステルフィ
ルム、ポリプロピレンなどの保護フィルムを薄膜上に張
り合わせる。さらに、使用目的の幅にスリットしたあと
、穿孔機でスプロケットホ−ルおよびICを搭載するデ
バイスホ−ルをパンチングしたあと、ポリアミック酸ワ
ニス塗工面の保護フィルムを剥がしながら金属箔と重ね
合わせ150〜280℃で加熱圧着する。圧着の温度、
圧力はポリアミック酸ワニスの組成、膜厚、銅箔の表面
粗さなどによって適宜選定すればよい。また、加熱圧着
の方法は、一般的に加熱ロ−ルによる方法が好ましい。 またアミック酸ワニスをイミド化するため最終的には2
00〜400℃の温度に加熱するのが好ましい。このイ
ミド化する雰囲気としては、銅箔の酸化防止およびイミ
ド化するフィルムの劣化防止の点から酸素の少ない雰囲
気が好ましく、特にHe,Ne,Ar,N2 などの不
活性気体雰囲気中で行うのが好ましい。
アミック酸ワニスを10〜40重量%含む溶媒溶液を製
膜用スリットから吐出させて均一に塗工する。この塗工
方法としてはロ−ルコ−タ、ナイフコ−タ、密封コ−タ
、コンマコ−タ、ドクタ−ブレ−ドフロ−トコ−タなど
によるものがあげられる。次に上記のように耐熱性樹脂
フィルムに塗工した溶液の溶媒を、60〜200℃で加
熱除去する。加熱除去の条件は、溶媒の濃度、種類に応
じて、適宜の温度、圧力を選定すればよい。このように
して耐熱性樹脂フィルム上に5〜30μmのポリアミッ
ク酸の薄膜を形成する。その後、汚染防止、キズ防止な
どの必要に応じ厚み15〜60μmのポリエステルフィ
ルム、ポリプロピレンなどの保護フィルムを薄膜上に張
り合わせる。さらに、使用目的の幅にスリットしたあと
、穿孔機でスプロケットホ−ルおよびICを搭載するデ
バイスホ−ルをパンチングしたあと、ポリアミック酸ワ
ニス塗工面の保護フィルムを剥がしながら金属箔と重ね
合わせ150〜280℃で加熱圧着する。圧着の温度、
圧力はポリアミック酸ワニスの組成、膜厚、銅箔の表面
粗さなどによって適宜選定すればよい。また、加熱圧着
の方法は、一般的に加熱ロ−ルによる方法が好ましい。 またアミック酸ワニスをイミド化するため最終的には2
00〜400℃の温度に加熱するのが好ましい。このイ
ミド化する雰囲気としては、銅箔の酸化防止およびイミ
ド化するフィルムの劣化防止の点から酸素の少ない雰囲
気が好ましく、特にHe,Ne,Ar,N2 などの不
活性気体雰囲気中で行うのが好ましい。
【0019】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明でカ−ルおよび接着性は次の方法で測定
したものである。
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、以下の説明でカ−ルおよび接着性は次の方法で測定
したものである。
【0020】[カ−ルの測定]イミド化したサンプルを
幅35mm長さ100mmに切断後、平板上に置き四隅
の持ち上がりの長さを測定し、その平均値を示した。
幅35mm長さ100mmに切断後、平板上に置き四隅
の持ち上がりの長さを測定し、その平均値を示した。
【0021】[接着力]イミド化したサンプルの銅箔と
耐熱性樹脂フィルムとの接着力は、JISC−6481
の方法によって測定した。
耐熱性樹脂フィルムとの接着力は、JISC−6481
の方法によって測定した。
【0022】実施例1
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥N2 吹
込口を供えた500mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド228g入れ窒素気流下でビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン19.88
g(0.08mol)を溶解したあと、3,3´,4,
4´ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物25.7
6g(0.08mol)を加え10℃で1時間攪拌を続
けた。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミ
ック酸ワニスを得た。該ワニスをあらかじめグリシジル
メタクリレ−ト雰囲気中で低温プラズマ処理しておいた
50μmのポリイミドフィルム(“ユ−ピレックス”5
0S (宇部興産(株)製)に乾燥後の膜厚が10μm
になるように塗工し80℃で5分乾燥し、さらに、12
0℃で5分乾燥さらに、150℃で15分乾燥した。
込口を供えた500mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド228g入れ窒素気流下でビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン19.88
g(0.08mol)を溶解したあと、3,3´,4,
4´ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物25.7
6g(0.08mol)を加え10℃で1時間攪拌を続
けた。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミ
ック酸ワニスを得た。該ワニスをあらかじめグリシジル
メタクリレ−ト雰囲気中で低温プラズマ処理しておいた
50μmのポリイミドフィルム(“ユ−ピレックス”5
0S (宇部興産(株)製)に乾燥後の膜厚が10μm
になるように塗工し80℃で5分乾燥し、さらに、12
0℃で5分乾燥さらに、150℃で15分乾燥した。
【0023】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で80℃、30分+150℃、60
分+250℃、120分+350℃、120分の加熱ス
テップキュアを施した後、室温まで徐冷してフィルムキ
ャリアテープを得た。 得られたフィルムキャリアテープはカールがほとんどな
いうえ、2.0kg/cmの接着力、320℃、60秒
の半田耐熱性および3.0の誘電率(1kHz)を有し
、極めて実用性能の優れたものであった。
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で80℃、30分+150℃、60
分+250℃、120分+350℃、120分の加熱ス
テップキュアを施した後、室温まで徐冷してフィルムキ
ャリアテープを得た。 得られたフィルムキャリアテープはカールがほとんどな
いうえ、2.0kg/cmの接着力、320℃、60秒
の半田耐熱性および3.0の誘電率(1kHz)を有し
、極めて実用性能の優れたものであった。
【0024】実施例2
実施例1と同様の反応装置にN,N−ジメチルアセトア
ミド216g入れ窒素気流下でビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン19.88g(0.08
mol)およびp−フェニレンジアミン2.163g(
0.02mol)を溶解したあと、3、3´、4、4´
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.20g
(0.10mol)を加え、10℃で1時間攪拌を続け
た。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
ミド216g入れ窒素気流下でビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン19.88g(0.08
mol)およびp−フェニレンジアミン2.163g(
0.02mol)を溶解したあと、3、3´、4、4´
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.20g
(0.10mol)を加え、10℃で1時間攪拌を続け
た。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
【0025】該ワニスを実施例1と同様に低温プラズマ
処理した75μmのポリイミドフィルム(“カプトン”
300K (東レ・デュポン(株)製)に乾燥後の膜
厚が10μmになるように塗工し80℃で5分乾燥し、
さらに、120℃で5分乾燥さらに、150℃で15分
乾燥した。
処理した75μmのポリイミドフィルム(“カプトン”
300K (東レ・デュポン(株)製)に乾燥後の膜
厚が10μmになるように塗工し80℃で5分乾燥し、
さらに、120℃で5分乾燥さらに、150℃で15分
乾燥した。
【0026】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
実施例1と同様に、スリット、穿孔加工したあと、銅箔
(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株)製)を
表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タで線圧5
kg/cm2 、速度1m/ 分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で実施例1と同様の条件で加熱キュアした
。得られたフィルムキャリアテープはカールがほとんど
認められないうえ、実施例1と同様の接着力、半田耐熱
性および誘電率を有するものであった。
実施例1と同様に、スリット、穿孔加工したあと、銅箔
(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株)製)を
表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タで線圧5
kg/cm2 、速度1m/ 分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で実施例1と同様の条件で加熱キュアした
。得られたフィルムキャリアテープはカールがほとんど
認められないうえ、実施例1と同様の接着力、半田耐熱
性および誘電率を有するものであった。
【0027】実施例3
実施例1と同様の反応装置にN,N−ジメチルアセトア
ミド223g入れ窒素気流下でビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン14.91g(0.06
mol)およびp−フェニレンジアミン8.725g(
0.04mol)を溶解したあと、3,3´,4,4´
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.20g
(0.10mol)を加え、10℃で1時間攪拌を続け
た。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
ミド223g入れ窒素気流下でビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルジシロキサン14.91g(0.06
mol)およびp−フェニレンジアミン8.725g(
0.04mol)を溶解したあと、3,3´,4,4´
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物32.20g
(0.10mol)を加え、10℃で1時間攪拌を続け
た。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミッ
ク酸ワニスを得た。
【0028】該ワニスを実施例1と同様に低温プラズマ
処理した75μmのポリイミドフィルム(“カプトン”
300K (東レ・デュポン(株)製)に乾燥後の膜
厚が10μmになるように塗工し80℃で5分乾燥し、
さらに、120℃で5分乾燥さらに、150℃で15分
乾燥した。
処理した75μmのポリイミドフィルム(“カプトン”
300K (東レ・デュポン(株)製)に乾燥後の膜
厚が10μmになるように塗工し80℃で5分乾燥し、
さらに、120℃で5分乾燥さらに、150℃で15分
乾燥した。
【0029】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
実施例1と同様に、スリット、穿孔加工したあと、銅箔
(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株)製)を
表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タで線圧5
kg/cm2 、速度1m/ 分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で同様にして加熱キュアした。得られたフ
ィルムキャリアテープはカールがほとんどないうえ、実
施例1と同様の接着力、半田耐熱性および誘電率を有す
るものであった。
実施例1と同様に、スリット、穿孔加工したあと、銅箔
(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株)製)を
表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タで線圧5
kg/cm2 、速度1m/ 分で張り合わせ、さらに
窒素雰囲気下で同様にして加熱キュアした。得られたフ
ィルムキャリアテープはカールがほとんどないうえ、実
施例1と同様の接着力、半田耐熱性および誘電率を有す
るものであった。
【0030】比較例1
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥N2 吹
込口を供えた500mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド183g入れ窒素気流下でビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン4.97g
(0.02mol)およびp−フェニレンジアミン8.
652g(0.08mol)を溶解したあと、3、3´
、4、4´ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物3
2.20g(0.1mol)を加え10℃で1時間攪拌
を続けた。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリ
アミック酸ワニスを得た。該ワニスを50μmのポリイ
ミドフィルム(“ユ−ピレックス”50S (宇部興産
(株)製)に乾燥後の膜厚が10μmになるように塗工
し80℃で5分乾燥し、さらに、120℃で5分乾燥さ
らに、150℃で15分乾燥した。
込口を供えた500mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド183g入れ窒素気流下でビス(3−
アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン4.97g
(0.02mol)およびp−フェニレンジアミン8.
652g(0.08mol)を溶解したあと、3、3´
、4、4´ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物3
2.20g(0.1mol)を加え10℃で1時間攪拌
を続けた。その後50℃で3時間攪拌して反応させポリ
アミック酸ワニスを得た。該ワニスを50μmのポリイ
ミドフィルム(“ユ−ピレックス”50S (宇部興産
(株)製)に乾燥後の膜厚が10μmになるように塗工
し80℃で5分乾燥し、さらに、120℃で5分乾燥さ
らに、150℃で15分乾燥した。
【0031】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で加同様にして加熱キュアした。得
られたフィルムキャリアテープは接着力(1.7kg/
cm)と半田耐熱性は比較的良好であったが、カールが
25mmと大きく実用できないものであった。
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で加同様にして加熱キュアした。得
られたフィルムキャリアテープは接着力(1.7kg/
cm)と半田耐熱性は比較的良好であったが、カールが
25mmと大きく実用できないものであった。
【0032】比較例2
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥N2 吹
込口を供えた200mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド99g入れ窒素気流下でジアミノジフ
ェニルエ−テル10.012g(0.05mol)を溶
解したあと、3、3´、4、4´ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物14.71g(0.05mol)を加え
10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3時間攪
拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。該ワニス
を50μmのポリイミドフィルム(“ユ−ピレックス”
50S (宇部興産(株)製)に乾燥後の膜厚が10μ
mになるように塗工し80℃で5分乾燥し、さらに、1
20℃で5分乾燥さらに、150℃で15分乾燥した。
込口を供えた200mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド99g入れ窒素気流下でジアミノジフ
ェニルエ−テル10.012g(0.05mol)を溶
解したあと、3、3´、4、4´ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物14.71g(0.05mol)を加え
10℃で1時間攪拌を続けた。その後50℃で3時間攪
拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。該ワニス
を50μmのポリイミドフィルム(“ユ−ピレックス”
50S (宇部興産(株)製)に乾燥後の膜厚が10μ
mになるように塗工し80℃で5分乾燥し、さらに、1
20℃で5分乾燥さらに、150℃で15分乾燥した。
【0033】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で同様に加熱キュアした。得られた
フィルムキャリアテープは接着力が0.4kg/cm)
と極めて低いうえ、カールが40mmと大きいものであ
った。
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で同様に加熱キュアした。得られた
フィルムキャリアテープは接着力が0.4kg/cm)
と極めて低いうえ、カールが40mmと大きいものであ
った。
【0034】比較例3
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥N2 吹
込口を供えた300mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド167.3g入れ窒素気流下でジアミ
ノジフェニルエ−テル20.023g(0.1mol)
を溶解したあと、ピロメリット酸二無水物21.812
(0.1mol)を加え10℃で1時間攪拌を続けた。 その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミック酸
ワニスを得た。該ワニスを50μmのポリイミドフィル
ム(“ユ−ピレックス”50S (宇部興産(株)製)
に乾燥後の膜厚が10μmになるように塗工し80℃で
5分乾燥し、さらに、120℃で5分乾燥さらに、15
0℃で15分乾燥した。
込口を供えた300mlの4口フラスコにN,N−ジメ
チルアセトアミド167.3g入れ窒素気流下でジアミ
ノジフェニルエ−テル20.023g(0.1mol)
を溶解したあと、ピロメリット酸二無水物21.812
(0.1mol)を加え10℃で1時間攪拌を続けた。 その後50℃で3時間攪拌して反応させポリアミック酸
ワニスを得た。該ワニスを50μmのポリイミドフィル
ム(“ユ−ピレックス”50S (宇部興産(株)製)
に乾燥後の膜厚が10μmになるように塗工し80℃で
5分乾燥し、さらに、120℃で5分乾燥さらに、15
0℃で15分乾燥した。
【0035】上記ポリアミック酸ワニス塗工フィルムを
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で同様にして加熱キュアした。得ら
れたフィルムキャリアテープは接着力が0.5kg/c
m)と極めて低いうえ、カールが35mmと大きいもの
であった。
幅35mmにスリットしたあと、穿孔機でスプロッケト
ホ−ルおよびデバイスホ−ル加工したあと、35μmの
電解銅箔(JLP 1Oz 日鉱グ−ルドフォイル(株
)製)を表面温度220℃に加熱したロ−ルラミネ−タ
で線圧5kg/cm2、速度1m/ 分で張り合わせ、
さらに窒素雰囲気下で同様にして加熱キュアした。得ら
れたフィルムキャリアテープは接着力が0.5kg/c
m)と極めて低いうえ、カールが35mmと大きいもの
であった。
【0036】
【発明の効果】本発明は、上述のごとく構成したので、
耐熱性、接着性、電気特性、耐薬品性が優れ、しかもカ
−ル性および接着性の著しく優れたフィルムキャリアテ
−プを確実に得ることができる。
耐熱性、接着性、電気特性、耐薬品性が優れ、しかもカ
−ル性および接着性の著しく優れたフィルムキャリアテ
−プを確実に得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】耐熱性絶縁フィルムと金属箔とを接着剤層
を介して積層一体化してなるフィルムキャリアテ−プで
あって、該接着剤層が芳香族テトラカルボン酸二無水物
とシロキサン系ジアミンとを主成分として反応させて得
たポリアミック酸の薄膜からなることを特徴とするフィ
ルムキャリアテ−プ。 - 【請求項2】シロキサン系ジアミンが下記一般式(1)
で表わされるものである請求項1記載のフィルムキャリ
アテ−プ。 【化1】 (式中、R1およびR2はそれぞれ低級アルキレン基ま
たはフェニレン基を示し、R3、R4、R5およびR6
はそれぞれ低級アルコキシ基、フェニル基およびフェノ
キシ基の群から選ばれる少なくとも1つであり、nは1
以上の整数を示す。) - 【請求項3】耐熱性樹脂フィルム表面が低温プラズマ処
理されていることを特徴とする請求項1また2記載のフ
ィルムキャリアテ−プ。 - 【請求項4】耐熱性樹脂フィルム表面が、有機ガス雰囲
気下で低温プラズマ処理されていることを特徴とする請
求項1記載のフィルムキャリアテ−プ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04517191A JP3151840B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | フィルムキャリアテ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04517191A JP3151840B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | フィルムキャリアテ−プ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04282844A true JPH04282844A (ja) | 1992-10-07 |
JP3151840B2 JP3151840B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=12711822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04517191A Expired - Fee Related JP3151840B2 (ja) | 1991-03-11 | 1991-03-11 | フィルムキャリアテ−プ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3151840B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002089546A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Oak-Mitsui, Inc. | Substrate adhesion enhancement to film |
JP2007067245A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィルム状配線テープ及びその製造方法、並びにフィルム状配線テープを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007302003A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-22 | Mitsui Chemicals Inc | ポリイミド金属箔積層板及びその製造方法 |
WO2017016395A1 (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 苏州卫鹏机电科技有限公司 | 一种聚酰亚胺无胶柔性印刷线路板的制备方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2425282A (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-25 | Celotex Ltd | A laminate structure for use in insulation boards |
-
1991
- 1991-03-11 JP JP04517191A patent/JP3151840B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002089546A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Oak-Mitsui, Inc. | Substrate adhesion enhancement to film |
JP2007067245A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィルム状配線テープ及びその製造方法、並びにフィルム状配線テープを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2007302003A (ja) * | 2007-06-15 | 2007-11-22 | Mitsui Chemicals Inc | ポリイミド金属箔積層板及びその製造方法 |
WO2017016395A1 (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 苏州卫鹏机电科技有限公司 | 一种聚酰亚胺无胶柔性印刷线路板的制备方法 |
US10182501B2 (en) | 2015-07-29 | 2019-01-15 | Suzhou Weipeng Electrical Technology Co., Ltd. | Method for preparing adhesive-free polyimide flexible printed circuit board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3151840B2 (ja) | 2001-04-03 |
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