JPH04275416A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04275416A JPH04275416A JP3724991A JP3724991A JPH04275416A JP H04275416 A JPH04275416 A JP H04275416A JP 3724991 A JP3724991 A JP 3724991A JP 3724991 A JP3724991 A JP 3724991A JP H04275416 A JPH04275416 A JP H04275416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- resist
- light
- temperature
- flow temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
けるレジストパターンの硬化手段等の半導体装置の製造
方法に関する。
けるレジストパターンの硬化手段等の半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造方法に半導体基板上にＳｉ
Ｏ２のような絶縁膜を介して形成された金属膜、例えば
、アルミニウム（Ａｌ）合金膜をドライエッチングによ
って所定の微細パターンに加工する工程がある。この時
、エッチングマスクとしてＡｌ合金膜上にフォトレジス
ト被着，プリベークを施したのち、マスク位置合わせ，
露光，現像を施して所定形状のレジストパターンを形成
する。ついで、このレジストパターンの耐熱性，耐エッ
チング性の向上のために、レジストのフロー温度以下の
温度で紫外線光または遠紫外線光（以下、それぞれＵＶ
，ＤＵＶ（ＤｅｅｐＵＶ）光と略称）照射を施す。 従来、上記ＵＶまたはＤＵＶ光照射においては半導体基
板の温度をレジストのフローする温度以下の温度で照射
を開始し、この照射中に一定の割合で温度を上昇させる
方法と、温度をレジストのフロー温度以下に保ったまま
照射を施す方法とがある。さらに上記方法で、ＵＶまた
はＤＵＶ光照射を行った後、レジストのフロー温度に至
近の温度でベークするレジスト硬化方法が提案されてい
る（特開昭６３−２２０５２３号公報参照）。
Ｏ２のような絶縁膜を介して形成された金属膜、例えば
、アルミニウム（Ａｌ）合金膜をドライエッチングによ
って所定の微細パターンに加工する工程がある。この時
、エッチングマスクとしてＡｌ合金膜上にフォトレジス
ト被着，プリベークを施したのち、マスク位置合わせ，
露光，現像を施して所定形状のレジストパターンを形成
する。ついで、このレジストパターンの耐熱性，耐エッ
チング性の向上のために、レジストのフロー温度以下の
温度で紫外線光または遠紫外線光（以下、それぞれＵＶ
，ＤＵＶ（ＤｅｅｐＵＶ）光と略称）照射を施す。 従来、上記ＵＶまたはＤＵＶ光照射においては半導体基
板の温度をレジストのフローする温度以下の温度で照射
を開始し、この照射中に一定の割合で温度を上昇させる
方法と、温度をレジストのフロー温度以下に保ったまま
照射を施す方法とがある。さらに上記方法で、ＵＶまた
はＤＵＶ光照射を行った後、レジストのフロー温度に至
近の温度でベークするレジスト硬化方法が提案されてい
る（特開昭６３−２２０５２３号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、温度上昇に伴うレジストパターンの変形を
防ぐためには昇温の割合は小さいほうがよく、例えば、
８０℃で光照射を開始、０．５℃／秒の割合で昇温させ
ると、所要温度１６０℃に達するには約１６０秒もかか
るという製造上の課題がある。また、高エネルギーの紫
外線および遠紫外線照射を行うため、レジスト中の残留
アジドがウェハ−表面に密着増強剤として塗布したヘキ
サメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）と反応してＮ２ガスの
気泡が発生するという問題点があった。そしてこのよう
な気泡によりフォトレジストが剥離し、微細なレジスト
パターンを形成する際の障害となっていた。
の構成では、温度上昇に伴うレジストパターンの変形を
防ぐためには昇温の割合は小さいほうがよく、例えば、
８０℃で光照射を開始、０．５℃／秒の割合で昇温させ
ると、所要温度１６０℃に達するには約１６０秒もかか
るという製造上の課題がある。また、高エネルギーの紫
外線および遠紫外線照射を行うため、レジスト中の残留
アジドがウェハ−表面に密着増強剤として塗布したヘキ
サメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）と反応してＮ２ガスの
気泡が発生するという問題点があった。そしてこのよう
な気泡によりフォトレジストが剥離し、微細なレジスト
パターンを形成する際の障害となっていた。
【０００４】また、上記ＵＶまたはＤＵＶを行った後、
レジストのフロー温度に至近の温度でベークを行った場
合、耐熱性および耐ドライエッチ性は向上するが、リア
クティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥと略記）中に
レジストからガス（主にレジストの溶媒である）が放出
されてエッチャーのチャンバー内が汚染される問題点が
あった。
レジストのフロー温度に至近の温度でベークを行った場
合、耐熱性および耐ドライエッチ性は向上するが、リア
クティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥと略記）中に
レジストからガス（主にレジストの溶媒である）が放出
されてエッチャーのチャンバー内が汚染される問題点が
あった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、気泡
の発生によるフォトレジストの剥離をなくし、フォトレ
ジストからのガス放出による汚染のない半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
の発生によるフォトレジストの剥離をなくし、フォトレ
ジストからのガス放出による汚染のない半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、フォトリソグラフィー工程における現像後
のフォトレジストに対して、フォトレジストが硬化する
光強度よりも弱い第１の光強度（例えば数ｍＷ／ｃｍ２
〜数十ｍＷ／ｃｍ２）で少なくともフォトレジストに光
照射する工程と、次にフォトレジストが硬化する第２の
光強度（例えば数百ｍＷ／ｃｍ２）でフォトレジストに
光照射する工程を有する。
に本発明は、フォトリソグラフィー工程における現像後
のフォトレジストに対して、フォトレジストが硬化する
光強度よりも弱い第１の光強度（例えば数ｍＷ／ｃｍ２
〜数十ｍＷ／ｃｍ２）で少なくともフォトレジストに光
照射する工程と、次にフォトレジストが硬化する第２の
光強度（例えば数百ｍＷ／ｃｍ２）でフォトレジストに
光照射する工程を有する。
【０００７】実際の照射の仕方としては、一定の光強度
で前記第１の照射工程を行い、次にこれより強い光強度
で前記第２の照射工程を行ってもよく、また可能であれ
ば第１の照射工程と第２の照射工程とを連続的に光強度
が強まるように制御して照射してもよい。
で前記第１の照射工程を行い、次にこれより強い光強度
で前記第２の照射工程を行ってもよく、また可能であれ
ば第１の照射工程と第２の照射工程とを連続的に光強度
が強まるように制御して照射してもよい。
【０００８】さらに本発明のフォトレジストの硬化処理
は、ＵＶまたはＤＵＶを行った後、Ｎ２あるいはＡｒ中
などの不活性ガス中でフォトレジストのフロー温度に至
近かつフロー温度に達しない温度でベークを行う工程を
有する。
は、ＵＶまたはＤＵＶを行った後、Ｎ２あるいはＡｒ中
などの不活性ガス中でフォトレジストのフロー温度に至
近かつフロー温度に達しない温度でベークを行う工程を
有する。
【０００９】
【作用】本発明は、レジストバターンを形成するにあた
って、フォトレジストを硬化させるための強度で光照射
する工程の前に、フォトレジストが硬化しない、弱い強
度の光照射を行うため、残留アジドが徐々に感光し、密
着増強剤であるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）と
の反応によるＮ２ガスの発生を抑えることができる。ま
た、フォトレジストが硬化しない弱い強度の光照射を行
うことにより昇温速度を２倍にすることができ、処理時
間を半減することができる。また、ＵＶまたはＤＵＶを
行った後、Ｎ２あるいはＡｒ中などの不活性ガス中でフ
ォトレジストのフロー温度に至近かつフロー温度には達
しない温度でベークを行うことでＲＩＥエッチング中に
フォトレジスト中からのガスの放出を抑えることができ
る。
って、フォトレジストを硬化させるための強度で光照射
する工程の前に、フォトレジストが硬化しない、弱い強
度の光照射を行うため、残留アジドが徐々に感光し、密
着増強剤であるヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）と
の反応によるＮ２ガスの発生を抑えることができる。ま
た、フォトレジストが硬化しない弱い強度の光照射を行
うことにより昇温速度を２倍にすることができ、処理時
間を半減することができる。また、ＵＶまたはＤＵＶを
行った後、Ｎ２あるいはＡｒ中などの不活性ガス中でフ
ォトレジストのフロー温度に至近かつフロー温度には達
しない温度でベークを行うことでＲＩＥエッチング中に
フォトレジスト中からのガスの放出を抑えることができ
る。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１，図２および図３に
示し、これらの図を参照にして説明する。なお、図１は
、本発明のプロセスフロー、図２はＵＶまたはＤＵＶ光
の照射条件、図３はベーキング条件を示す。
示し、これらの図を参照にして説明する。なお、図１は
、本発明のプロセスフロー、図２はＵＶまたはＤＵＶ光
の照射条件、図３はベーキング条件を示す。
【００１１】シリコンの半導体基板上にＳｉＯ２層のよ
うな絶縁膜を介してＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層を１．０μｍ厚
に堆積する。この上にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）を蒸気塗布した後、ポジ型フォトレジストとしてＯ
ＦＰＲ−５０００Ｓ３（商品名、東京応化工業（株）製
）を塗布する。次に、１００℃でプリベークを施した後
、露光および現像を行いレジストパターンを形成する。 次に、図２に示すように、フォトレジストに５０ｍＷ／
ｃｍ２の照度で２０秒間ＵＶまたはＤＵＶ（２００〜４
５０ｎｍ）の照射を行い、その後３５０ｍＷ／ｃｍ２の
照度で５０秒間ＵＶまたはＤＵＶの照射を行ってフォト
レジストの硬化処理を行う。この時、ホットプレートの
ベーキングを図３に示すような条件すなわち最初１３０
℃に加熱されているホットプレートを第２の照射工程の
終了時である７０秒後に２００℃になるように１℃／秒
の速度で昇温させ、前述の硬化処理と同時に行う。そし
て、ＵＶまたはＤＵＶの照射終了と同時にホットプレー
トの昇温を止め、初期温度の１３０℃まで降温させる。 その後、図１に示すように硬化後のレジストにフロー温
度に至近の温度、例えば、２００℃で約２５分間のポス
トベークをＮ２雰囲気下で行ったのち、このレジストパ
ターンをマスクにしてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層にＲＩＥエッ
チングを施し配線パターンを形成する。
うな絶縁膜を介してＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層を１．０μｍ厚
に堆積する。この上にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤ
Ｓ）を蒸気塗布した後、ポジ型フォトレジストとしてＯ
ＦＰＲ−５０００Ｓ３（商品名、東京応化工業（株）製
）を塗布する。次に、１００℃でプリベークを施した後
、露光および現像を行いレジストパターンを形成する。 次に、図２に示すように、フォトレジストに５０ｍＷ／
ｃｍ２の照度で２０秒間ＵＶまたはＤＵＶ（２００〜４
５０ｎｍ）の照射を行い、その後３５０ｍＷ／ｃｍ２の
照度で５０秒間ＵＶまたはＤＵＶの照射を行ってフォト
レジストの硬化処理を行う。この時、ホットプレートの
ベーキングを図３に示すような条件すなわち最初１３０
℃に加熱されているホットプレートを第２の照射工程の
終了時である７０秒後に２００℃になるように１℃／秒
の速度で昇温させ、前述の硬化処理と同時に行う。そし
て、ＵＶまたはＤＵＶの照射終了と同時にホットプレー
トの昇温を止め、初期温度の１３０℃まで降温させる。 その後、図１に示すように硬化後のレジストにフロー温
度に至近の温度、例えば、２００℃で約２５分間のポス
トベークをＮ２雰囲気下で行ったのち、このレジストパ
ターンをマスクにしてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層にＲＩＥエッ
チングを施し配線パターンを形成する。
【００１２】本実施例によれば、フォトレジストを硬化
させる光照射工程の前に、フォトレジストが硬化しない
程度の弱い強度の光照射工程によって、残留アジドが徐
々に感光するのでヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
との反応による気泡の発生を防止することができる。ま
た、レジストパターンにＵＶまたはＤＵＶ光照射後に、
レジストのフロー温度に至近の高温でベークをＮ２雰囲
気下で施すことにより、ＲＩＥエッチング中に発生する
ガス（主に、レジストの溶媒）を１００分の１程度に低
減することができる。また、Ａｒガスのベークでも同様
な効果が得られる。これは、Ｎ２あるいはＡｒ等の不活
性ガス中ＵＶまたはＤＵＶ光を照射することにより、ラ
ジカル抑制因子であるＯ２が存在しないため、レジスト
の溶剤であるエチルセルソロブアセテートの光分解が促
進されるためである。
させる光照射工程の前に、フォトレジストが硬化しない
程度の弱い強度の光照射工程によって、残留アジドが徐
々に感光するのでヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
との反応による気泡の発生を防止することができる。ま
た、レジストパターンにＵＶまたはＤＵＶ光照射後に、
レジストのフロー温度に至近の高温でベークをＮ２雰囲
気下で施すことにより、ＲＩＥエッチング中に発生する
ガス（主に、レジストの溶媒）を１００分の１程度に低
減することができる。また、Ａｒガスのベークでも同様
な効果が得られる。これは、Ｎ２あるいはＡｒ等の不活
性ガス中ＵＶまたはＤＵＶ光を照射することにより、ラ
ジカル抑制因子であるＯ２が存在しないため、レジスト
の溶剤であるエチルセルソロブアセテートの光分解が促
進されるためである。
【００１３】また、図２に示したＵＶまたはＤＵＶの照
射中に温度を約１４０℃一定に保ったままでフォトレジ
ストの硬化を行い、さらにレジストのフロー温度に至近
の高温ベークを上記と同様に施すことによっても、同様
の結果が得られた。
射中に温度を約１４０℃一定に保ったままでフォトレジ
ストの硬化を行い、さらにレジストのフロー温度に至近
の高温ベークを上記と同様に施すことによっても、同様
の結果が得られた。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明は、フォトレジスト
を硬化させる光照射工程の前に、フォトレジストが硬化
しない程度の弱い強度による光照射工程を行うので、残
留アジドとヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）との反
応による気泡の発生を防ぎ、フォトレジストの剥離を防
止し、また、レジストパターンにＵＶまたはＤＵＶ光照
射後に、Ｎ２雰囲気下でこの光照射によって高められた
レジストのフロー温度には達しないがこれに至近の高温
でベークを施すことにより、ＲＩＥエッチング中に発生
するガス（主に、レジストの溶媒）を１００分の１程度
に低減することができ、エッチャーのチャンバー部のク
リーン度を向上した半導体装置の製造方法を提供できる
。
を硬化させる光照射工程の前に、フォトレジストが硬化
しない程度の弱い強度による光照射工程を行うので、残
留アジドとヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）との反
応による気泡の発生を防ぎ、フォトレジストの剥離を防
止し、また、レジストパターンにＵＶまたはＤＵＶ光照
射後に、Ｎ２雰囲気下でこの光照射によって高められた
レジストのフロー温度には達しないがこれに至近の高温
でベークを施すことにより、ＲＩＥエッチング中に発生
するガス（主に、レジストの溶媒）を１００分の１程度
に低減することができ、エッチャーのチャンバー部のク
リーン度を向上した半導体装置の製造方法を提供できる
。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す工程図
【
図２】紫外線光または遠紫外線光の全面露光における照
射条件を示す図
図２】紫外線光または遠紫外線光の全面露光における照
射条件を示す図
【図３】紫外線光または遠紫外線光の全面露光中におけ
るベーキング条件を示す図
るベーキング条件を示す図
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に塗布されたフォトレジスト
に露光および現像を施してフォトレジストパターンを形
成する工程と、そのフォトレジストパターンに紫外線光
または遠紫外線光をフォトレジストが硬化する光強度よ
りも弱い第１の光強度で照射する工程と、前記フォトレ
ジストパターンが硬化する第２の光強度で光照射する工
程と、その硬化後のフォトレジストをそのフォトレジス
トのフロー温度に至近かつフロー温度には達しない高温
度に加熱する工程とを少なくとも有することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】硬化後のフォトレジストをそのフォトレジ
ストのフロー温度に至近かつフロー温度には達しない高
温度に加熱する工程に代えて、硬化後のフォトレジスト
を窒素ガス，アルゴンガス等の不活性ガス中で、そのフ
ォトレジストのフロー温度に至近かつフロー温度に達し
ない高温度に加熱する工程としたことを特徴とする請求
項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3724991A JPH04275416A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3724991A JPH04275416A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04275416A true JPH04275416A (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=12492363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3724991A Pending JPH04275416A (ja) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04275416A (ja) |
-
1991
- 1991-03-04 JP JP3724991A patent/JPH04275416A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200523989A (en) | Method for forming resist pattern and method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH08179519A (ja) | 乾式マイクロリソグラフィ処理方法 | |
| US4900938A (en) | Method of treating photoresists | |
| JPH0143451B2 (ja) | ||
| JPH04275416A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2604934B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6049630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0684787A (ja) | 多層レジストのパターン形成方法 | |
| JPS59161827A (ja) | 絶縁膜加工法 | |
| KR100668729B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JP2867975B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS63215040A (ja) | レジストのハ−ドニング方法 | |
| JPS58123727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0130386B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JPH0757995A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0210363A (ja) | レジスト塗布膜のベーク処理法 | |
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0219852A (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP2692124B2 (ja) | レジスト処理方法 | |
| JP3035535B1 (ja) | パタ―ン形成方法及びパタ―ン形成装置 | |
| JP2823246B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3441439B2 (ja) | 微細レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04314323A (ja) | レジスト処理方法 | |
| KR100192932B1 (ko) | 반도체소자의 형성방법 | |
| KR920002025B1 (ko) | 원자외선을 이용한 감광성 내식막 경화방법 |