JPH04273158A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04273158A JPH04273158A JP5360091A JP5360091A JPH04273158A JP H04273158 A JPH04273158 A JP H04273158A JP 5360091 A JP5360091 A JP 5360091A JP 5360091 A JP5360091 A JP 5360091A JP H04273158 A JPH04273158 A JP H04273158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- lead frame
- mounting
- lead
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 1
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
樹脂封止型表面実装デバイスに関する。
樹脂封止型表面実装デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型表面実装デバイスの一
例としてＳＣ−５９（ＥＩＡＪ）パッケージの断面図を
図３に示す。図示のように、この表面実装デバイスはリ
ードフレム１１に半導体チップ１２を搭載し、ボンディ
ングワイヤ１３で電気接続を行った後、樹脂１４で封止
している。そして、リードフレーム１１の外部リード１
５を樹脂１４の側面から突出させ、かつこの外部リード
１５を側面に沿って曲げ形成した上で樹脂１４の底面と
同一面となるようにガルウィング型に曲げ形成した構造
となっている。又、従来の他の構造として、図４に示す
ように、外部リード１５を樹脂１４の底面に沿うように
内側に曲げ形成し、実装したときに外部リード１５が樹
脂１４の裏面に隠れるように形成したものもある。
例としてＳＣ−５９（ＥＩＡＪ）パッケージの断面図を
図３に示す。図示のように、この表面実装デバイスはリ
ードフレム１１に半導体チップ１２を搭載し、ボンディ
ングワイヤ１３で電気接続を行った後、樹脂１４で封止
している。そして、リードフレーム１１の外部リード１
５を樹脂１４の側面から突出させ、かつこの外部リード
１５を側面に沿って曲げ形成した上で樹脂１４の底面と
同一面となるようにガルウィング型に曲げ形成した構造
となっている。又、従来の他の構造として、図４に示す
ように、外部リード１５を樹脂１４の底面に沿うように
内側に曲げ形成し、実装したときに外部リード１５が樹
脂１４の裏面に隠れるように形成したものもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の樹脂封
止型表面実装デバイスは、回路基板にデバイスを実装す
る際の半田リフロー時に熱的ストレスが加わり、樹脂１
４内に封止されているリードフレーム１１と樹脂１４と
の界面の密着性が悪化し、水分がこれらの界面に浸入さ
れ易くなる。そして、従来のデバイスでは半導体チップ
１２を搭載した箇所から短い寸法位置でリードフレーム
１１が樹脂１４の外部に突出されているため、この界面
を通して浸入される水分が半導体チップ１２まで到達さ
れ易くなり、これにより半導体チップ１２の表面が腐食
し、電気的特性が劣化するという問題がある。
止型表面実装デバイスは、回路基板にデバイスを実装す
る際の半田リフロー時に熱的ストレスが加わり、樹脂１
４内に封止されているリードフレーム１１と樹脂１４と
の界面の密着性が悪化し、水分がこれらの界面に浸入さ
れ易くなる。そして、従来のデバイスでは半導体チップ
１２を搭載した箇所から短い寸法位置でリードフレーム
１１が樹脂１４の外部に突出されているため、この界面
を通して浸入される水分が半導体チップ１２まで到達さ
れ易くなり、これにより半導体チップ１２の表面が腐食
し、電気的特性が劣化するという問題がある。
【０００４】又、外部リード１５が樹脂１４の側面から
突出されているため、回路基板に実装する際に外部リー
ド１５の分まで実装スペースが必要とされることになり
、高密度実装を実現するには樹脂１４を小さくしなけれ
ばならず、樹脂１４の表面積で決定される電力定格が小
さくなってしまうという問題もある。本発明の目的はこ
れらの問題を解消し、耐水性を改善するとともに、高密
度実装を可能とした半導体装置を提供することにある。
突出されているため、回路基板に実装する際に外部リー
ド１５の分まで実装スペースが必要とされることになり
、高密度実装を実現するには樹脂１４を小さくしなけれ
ばならず、樹脂１４の表面積で決定される電力定格が小
さくなってしまうという問題もある。本発明の目的はこ
れらの問題を解消し、耐水性を改善するとともに、高密
度実装を可能とした半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂内におい
て曲げ形成し、その一部を外部リードとして樹脂の底面
から突出させている。外部リードは樹脂の底面に沿うよ
うに曲げ形成する。
半導体チップを搭載したリードフレームを樹脂内におい
て曲げ形成し、その一部を外部リードとして樹脂の底面
から突出させている。外部リードは樹脂の底面に沿うよ
うに曲げ形成する。
【０００６】
【作用】本発明によれば、リードフレームと樹脂の界面
の長さを長くして水分の浸入路を長くし、かつ外部リー
ドを樹脂の下側に隠して実装面積を縮小する。
の長さを長くして水分の浸入路を長くし、かつ外部リー
ドを樹脂の下側に隠して実装面積を縮小する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１実施例の断面図であり。同図に
おいて、１はリードフレームであり、半導体チップ２を
搭載し、リードフレーム１と半導体チップ２とをボンデ
ィングワイヤ３で相互に電気接続している。そして、こ
のリードフレーム１は先に所定の曲げ加工を施した後に
前記半導体チップ２やボンディングワイヤ３を樹脂４で
封止している。このため、樹脂４の外部に設けられる外
部リード５は樹脂４の底面から突出され、その上で樹脂
４の外側に向けて底面に沿うように曲げ形成している。
る。図１は本発明の第１実施例の断面図であり。同図に
おいて、１はリードフレームであり、半導体チップ２を
搭載し、リードフレーム１と半導体チップ２とをボンデ
ィングワイヤ３で相互に電気接続している。そして、こ
のリードフレーム１は先に所定の曲げ加工を施した後に
前記半導体チップ２やボンディングワイヤ３を樹脂４で
封止している。このため、樹脂４の外部に設けられる外
部リード５は樹脂４の底面から突出され、その上で樹脂
４の外側に向けて底面に沿うように曲げ形成している。
【０００８】この構成によれば、リードフレーム１は曲
げ形成された上で樹脂４の内部で直角に曲げられた状態
で封止されるため、リードフレーム１と樹脂４との界面
の寸法が長くなり、外部から樹脂４とリードフレーム１
との界面を伝ってくる水分の浸入路が長くなる。これに
よりこの界面を通して浸入する水分が半導体チップ２ま
で到達することが抑制され、半導体装置の耐湿性が改善
される。因に、図３に示したＳＣ５９パッケージと本発
明を比較すると、本発明ではリードフレーム１と樹脂４
の界面における水分の浸入路は ２．８倍長くなる。又
、この半導体装置を回路基板に実装した時、外部リード
５は樹脂４の下側に隠されるので、樹脂寸法を小さくす
ることなく実装面積を縮小でき、高密度実装が実現でき
る。因に、図３のＳＣ５９パッケージと本発明を比較し
た場合、実装面積は従来の５４％の実装面積に縮小でき
る。
げ形成された上で樹脂４の内部で直角に曲げられた状態
で封止されるため、リードフレーム１と樹脂４との界面
の寸法が長くなり、外部から樹脂４とリードフレーム１
との界面を伝ってくる水分の浸入路が長くなる。これに
よりこの界面を通して浸入する水分が半導体チップ２ま
で到達することが抑制され、半導体装置の耐湿性が改善
される。因に、図３に示したＳＣ５９パッケージと本発
明を比較すると、本発明ではリードフレーム１と樹脂４
の界面における水分の浸入路は ２．８倍長くなる。又
、この半導体装置を回路基板に実装した時、外部リード
５は樹脂４の下側に隠されるので、樹脂寸法を小さくす
ることなく実装面積を縮小でき、高密度実装が実現でき
る。因に、図３のＳＣ５９パッケージと本発明を比較し
た場合、実装面積は従来の５４％の実装面積に縮小でき
る。
【０００９】尚、図２に示すように、外部リード５を樹
脂４の底面において内側に曲げるよう構成してもよい。 この構成では、図１の構成よりも折り曲げ長さを長くで
き、基板への実装時、基板の電極との接触がとり易くな
っている。又、図１の構成では外部リード５を外側に折
り曲げるためには樹脂４からリードの出る部分を内側に
寄せる必要があり、樹脂内でのリードフレームの形状が
複雑になるが、この実施例ではリードの加工を容易に行
うことができる点で有利となる。
脂４の底面において内側に曲げるよう構成してもよい。 この構成では、図１の構成よりも折り曲げ長さを長くで
き、基板への実装時、基板の電極との接触がとり易くな
っている。又、図１の構成では外部リード５を外側に折
り曲げるためには樹脂４からリードの出る部分を内側に
寄せる必要があり、樹脂内でのリードフレームの形状が
複雑になるが、この実施例ではリードの加工を容易に行
うことができる点で有利となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明はリードフレ
ームを樹脂内部で曲げ形成した上で樹脂の底面からリー
ドフレームを突出させて外部リードを形成しているので
、樹脂とリードフレームとの界面を長くして水分の浸入
路を長くし、耐湿性を向上することができる。又、実装
時に外部リードは樹脂の下側に位置されるため、樹脂寸
法を小さくすることなく実装面積を縮小でき、高密度実
装が実現できる効果がある。
ームを樹脂内部で曲げ形成した上で樹脂の底面からリー
ドフレームを突出させて外部リードを形成しているので
、樹脂とリードフレームとの界面を長くして水分の浸入
路を長くし、耐湿性を向上することができる。又、実装
時に外部リードは樹脂の下側に位置されるため、樹脂寸
法を小さくすることなく実装面積を縮小でき、高密度実
装が実現できる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】本発明の変形例の断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例の断面図である。
【図４】従来の半導体装置の他の例の断面図である。
１ リードフレーム
２ 半導体チップ
３ ボンディングワイヤ
４ 樹脂
５ 外部リード
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームに搭載した半導体チッ
プを樹脂で封止し、このリードフレームの一部を外部リ
ードとして樹脂から突出させてなる樹脂封止型表面実装
デバイスにおいて、前記リードフレームを樹脂内におい
て曲げ形成し、その一部を外部リードとして樹脂の底面
から突出させたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂の底面から突出された外部リード
を樹脂の底面に沿うように曲げ形成してなる請求項１の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5360091A JPH04273158A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5360091A JPH04273158A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273158A true JPH04273158A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=12947375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5360091A Pending JPH04273158A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273158A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002049334A (ja) * | 1999-11-01 | 2002-02-15 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置およびその製造方法 |
| JP2017212349A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP5360091A patent/JPH04273158A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002049334A (ja) * | 1999-11-01 | 2002-02-15 | Rohm Co Ltd | 発光表示装置およびその製造方法 |
| JP2017212349A (ja) * | 2016-05-26 | 2017-11-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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