JPH04261862A - シリコンウェーハから精密エッチング３次元装置を製作する方法 - Google Patents
シリコンウェーハから精密エッチング３次元装置を製作する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハからの
精密エッチング３次元機械的または電気機械的構造体の
製作に関し、更に詳細には、化学的にマスクされたシリ
コンウェーハの前面のエッチングのために２段階式シリ
コンエッチング処置を用い、且つ同時に、ウェーハの背
面上の耐エッチング性マスクに損傷を生じさせるクラッ
クを防止し、かかる背面クラックを通じて不所望の背面
エッチングが生ずることのないようにする方法に関する
。
精密エッチング３次元機械的または電気機械的構造体の
製作に関し、更に詳細には、化学的にマスクされたシリ
コンウェーハの前面のエッチングのために２段階式シリ
コンエッチング処置を用い、且つ同時に、ウェーハの背
面上の耐エッチング性マスクに損傷を生じさせるクラッ
クを防止し、かかる背面クラックを通じて不所望の背面
エッチングが生ずることのないようにする方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】機械的または電気機械的構造体または装
置を作るためにシリコンウェーハの前面の精密エッチン
グが要求されるウェーハエッチング適用分野においては
、ウェーハの背面マスキング層に損傷が生じて不所望の
背面エッチングを生じさせるために装置の歩留が低下さ
せられる。背面エッチングの欠陥は、例えば熱インクジ
ェット溝板のようなダイの歩留を著しく低下させる可能
性がある。また、背面エッチング欠陥は、エッチング後
にウェーハを処理するのに必要な真空式取り扱い機器の
妨げになる可能性がある。
置を作るためにシリコンウェーハの前面の精密エッチン
グが要求されるウェーハエッチング適用分野においては
、ウェーハの背面マスキング層に損傷が生じて不所望の
背面エッチングを生じさせるために装置の歩留が低下さ
せられる。背面エッチングの欠陥は、例えば熱インクジ
ェット溝板のようなダイの歩留を著しく低下させる可能
性がある。また、背面エッチング欠陥は、エッチング後
にウェーハを処理するのに必要な真空式取り扱い機器の
妨げになる可能性がある。
【０００３】背面マスキング薄膜は極めて虚弱であり、
処理に必要な通常のウェーハ取り扱い中に機械的損傷を
受けやすい。通例のエッチマスキング層の一例としては
窒化シリコンがあり、これは引っ張り応力のかかった膜
として化学蒸着される。窒化シリコンは、一般に、種々
の有用なエッチング剤に対して優れた化学的耐エッチン
グ性を有しているが、引っ張り応力がかかると簡単に傷
及びクラックが生じ易い。即ち、クラックは内部の引っ
張り応力が開放するからである。即ち、窒化シリコンの
背面被覆に何かが機械的に接触すると口の開いたクラッ
ク及び傷が生じ、背面エッチング欠陥となり易い。
処理に必要な通常のウェーハ取り扱い中に機械的損傷を
受けやすい。通例のエッチマスキング層の一例としては
窒化シリコンがあり、これは引っ張り応力のかかった膜
として化学蒸着される。窒化シリコンは、一般に、種々
の有用なエッチング剤に対して優れた化学的耐エッチン
グ性を有しているが、引っ張り応力がかかると簡単に傷
及びクラックが生じ易い。即ち、クラックは内部の引っ
張り応力が開放するからである。即ち、窒化シリコンの
背面被覆に何かが機械的に接触すると口の開いたクラッ
ク及び傷が生じ、背面エッチング欠陥となり易い。
【０００４】背面エッチングは、例えばインクジェット
式プリントヘッドのインク流案内用溝板におけるような
前面エッチングされたシリコン構造体の歩留を低下させ
る可能性がある。本発明者にかかる「シリコン構造体の
ための製作方法」（Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ｆｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
なる発明の名称の継続中の米国特許出願には本発明と
類似の方法が開示されているが、１段式シリコンエッチ
ング処理を用いているに過ぎない。
式プリントヘッドのインク流案内用溝板におけるような
前面エッチングされたシリコン構造体の歩留を低下させ
る可能性がある。本発明者にかかる「シリコン構造体の
ための製作方法」（Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ｍｅｔｈ
ｏｄ ｆｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）
なる発明の名称の継続中の米国特許出願には本発明と
類似の方法が開示されているが、１段式シリコンエッチ
ング処理を用いているに過ぎない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、シリ
コンウェーハの背面に、背面化学的マスキング層の上に
機械的保護膜を設け、これにより、無損傷のマスキング
層がウェーハ背面をエッチング損傷から保護するように
することにある。この機械的保護膜は、マスキング膜に
対し、ウェーハを露出させるクラックを発生させて不所
望なエッチングを生じさせる機械的損傷を防止すること
により、マスキング膜の完全性を保護する。
コンウェーハの背面に、背面化学的マスキング層の上に
機械的保護膜を設け、これにより、無損傷のマスキング
層がウェーハ背面をエッチング損傷から保護するように
することにある。この機械的保護膜は、マスキング膜に
対し、ウェーハを露出させるクラックを発生させて不所
望なエッチングを生じさせる機械的損傷を防止すること
により、マスキング膜の完全性を保護する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、シリ
コンウェーハの１面のみからのエッチングによってシリ
コンウェーハから精密エッチング３次元装置を製作する
ための２段式エッチング方法を提供する。かかる３次元
装置の一例としてはインク流案内溝板があり、この溝板
は、選択的アドレス可能な加熱素子のアレイを包含する
加熱板と整列及び整合させられると、熱インクジェット
式プリントヘッドを形成する。ウェーハは前面及び背面
を有し、一実施例においては、前面のみがエッチングさ
れてそこに凹所を形成する。二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）のような第１の化学的マスキング層をウェーハの前面
及び背面に堆積させ、次いで、その上に多結晶シリコン
のような第１の機械的損傷保護層を堆積させる。例えば
、ウェーハの背面を回転チャックに取り付けてウェーハ
前面上にフォトレジストの第１の層を回転被覆すること
により、ウェーハ上の前記保護層の前面に第１のフォト
レジスト層を被着させる。ウェーハの前面上の第１のフ
ォトレジスト層の被着及びパターン付け最中は、第１の
マスキング層の背面は、クラックを生じさせる機械的損
傷の発生のないように第１の保護層によって保護される
。
コンウェーハの１面のみからのエッチングによってシリ
コンウェーハから精密エッチング３次元装置を製作する
ための２段式エッチング方法を提供する。かかる３次元
装置の一例としてはインク流案内溝板があり、この溝板
は、選択的アドレス可能な加熱素子のアレイを包含する
加熱板と整列及び整合させられると、熱インクジェット
式プリントヘッドを形成する。ウェーハは前面及び背面
を有し、一実施例においては、前面のみがエッチングさ
れてそこに凹所を形成する。二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）のような第１の化学的マスキング層をウェーハの前面
及び背面に堆積させ、次いで、その上に多結晶シリコン
のような第１の機械的損傷保護層を堆積させる。例えば
、ウェーハの背面を回転チャックに取り付けてウェーハ
前面上にフォトレジストの第１の層を回転被覆すること
により、ウェーハ上の前記保護層の前面に第１のフォト
レジスト層を被着させる。ウェーハの前面上の第１のフ
ォトレジスト層の被着及びパターン付け最中は、第１の
マスキング層の背面は、クラックを生じさせる機械的損
傷の発生のないように第１の保護層によって保護される
。
【０００７】第１のフォトレジスト層をパターン付けし
てこれに第１及び第２の組のヴァイアの所定のパターン
を作り、ウェーハの前面を露出させる。パターン付けし
た第１のフォトレジスト層及び第１の保護層を除去する
。窒化シリコンのような第２のマスキング層を、第１の
マスキング層のパターン付けされた前面層及び背面層の
上に堆積させ、次いで第２の保護層を前面及び背面の第
２のマスキング層の上に堆積させる。第２のフォトレジ
スト層を、ウェーハの前面に、第２の保護層の前面の上
に被着及びパターン付けする。この間、第２のマスキン
グ層の背面層は、その上の第２の保護層によって保護さ
れている。第２のフォトレジスト層をパターン付けし、
ウェーハ前面の第１のマスキング層内の第１の組のヴァ
イアと整列しているがこれよりも若干小さい一組のヴァ
イアを作る。第２の保護層及びその下の第２のマスキン
グ層をエッチングしてそこに一組のヴァイアを作り、第
１のマスキング層内の第１の組のヴァイアを通してウェ
ーハの前面を露出させる。第２のフォトレジスト層を除
去した後、ウェーハを異方性エッチングし、第１の組の
比較的緩い許容誤差の凹所をそこに作る。第２の保護層
を、次いで第２のマスキング層を、除去する。ウェーハ
を再びエッチング浴に入れて、小さい厳しい許容誤差の
第２の組の凹所をウェーハ前面に異方性エッチングし、
そして第１のマスキング層を除去して仕上がり精密エッ
チング３次元装置を後に残す。この残された３次元装置
が複数である場合には、ダイシングのような区分処理に
よってこれらを分割する。他の実施例においては、ウェ
ーハの背面及び前面をエッチングし、この間、耐エッチ
ング性マスキング層のパターン付け中に機械的損傷を受
けやすい面を保護層によって常に同様に保護する。
てこれに第１及び第２の組のヴァイアの所定のパターン
を作り、ウェーハの前面を露出させる。パターン付けし
た第１のフォトレジスト層及び第１の保護層を除去する
。窒化シリコンのような第２のマスキング層を、第１の
マスキング層のパターン付けされた前面層及び背面層の
上に堆積させ、次いで第２の保護層を前面及び背面の第
２のマスキング層の上に堆積させる。第２のフォトレジ
スト層を、ウェーハの前面に、第２の保護層の前面の上
に被着及びパターン付けする。この間、第２のマスキン
グ層の背面層は、その上の第２の保護層によって保護さ
れている。第２のフォトレジスト層をパターン付けし、
ウェーハ前面の第１のマスキング層内の第１の組のヴァ
イアと整列しているがこれよりも若干小さい一組のヴァ
イアを作る。第２の保護層及びその下の第２のマスキン
グ層をエッチングしてそこに一組のヴァイアを作り、第
１のマスキング層内の第１の組のヴァイアを通してウェ
ーハの前面を露出させる。第２のフォトレジスト層を除
去した後、ウェーハを異方性エッチングし、第１の組の
比較的緩い許容誤差の凹所をそこに作る。第２の保護層
を、次いで第２のマスキング層を、除去する。ウェーハ
を再びエッチング浴に入れて、小さい厳しい許容誤差の
第２の組の凹所をウェーハ前面に異方性エッチングし、
そして第１のマスキング層を除去して仕上がり精密エッ
チング３次元装置を後に残す。この残された３次元装置
が複数である場合には、ダイシングのような区分処理に
よってこれらを分割する。他の実施例においては、ウェ
ーハの背面及び前面をエッチングし、この間、耐エッチ
ング性マスキング層のパターン付け中に機械的損傷を受
けやすい面を保護層によって常に同様に保護する。
【０００８】以下、本発明をその実施例について図面を
参照して詳細に説明する。図面においては、同じ符号は
同じ部材を示す。
参照して詳細に説明する。図面においては、同じ符号は
同じ部材を示す。
【０００９】
【実施例】（１００）シリコンウェーハ１０から１つま
たは複数の精密エッチング３次元構造体１２を製作する
方法を図１ないし図１０に示す。図１５は、複数の精密
エッチング構造体１２が作られているシリコンウェーハ
１０の平面図であり、図１５の平面図は、図１ないし図
１０について後述する製作段階が終わった後、そして、
破線で示す互いに直行する垂直及び水平のダイシング線
１３、１５にそれぞれ沿ってウェーハをダイシングする
前のウェーハの状態を示すものである。図１６に、精密
エッチングシリコン構造体１２の代表的な例をインク流
案内用溝板として示す。この溝板は、破線で示す加熱素
子板２０と整列させられてこれに結合され、米国特許第
４，８９９，１８１号及び米国再公布特許Ｒｅ第３２，
５７２号に開示されている形式の熱インクジェット式プ
リントヘッド１７を構成する。これら米国特許の内容に
ついては本明細書において参照として説明する。外部供
給源（図示せず）からのインク（図示せず）は若干の負
圧の下で入口２５に入り、そして、シリコン基板１２を
通して異方性エッチングされた凹所であるリザーバ２４
を満たす。インク溝として働く平行な細長い比較的小形
の厳しい許容誤差の凹所２２のアレイが、大形の緩い許
容誤差のリザーバ２４が異方性エッチングされた後に、
異方性エッチングまたは等方性エッチングされる。一実
施例においては、この緩い許容誤差でエッチングされた
リザーバのエッチングは、前記溝のエッチングと同時に
終わる。前記溝は、リザーバに隣接する端部が閉塞され
ており、他端は開放しておって液滴放出ノズル１９とし
て働く。前掲の米国特許第４，８９９，１８１号に開示
されているように、インクは、矢印２３で示すように、
リザーバ２４から厚膜絶縁ポリマ層２７内の凹所２８を
通って溝２２へ流れる。このポリマ層は、破線で示して
あり、加熱素子板２０に添着されてパターン付けされる
。前記厚膜層もパターン付けされ、加熱素子２１上から
該厚膜層を除去してピット２６を形成するようになって
いる。このピットは、業界に周知のように、加熱素子へ
の電気パルスの選択的印加によって発生させられる一時
的気泡（図示せず）の横移動を抑制する。本実施例では
窒化シリコンまたは二酸化シリコンである耐エッチング
マスク１４は溝板から除去される。しかし、図示のよう
に、加熱素子との組立の前には残っていてもよい。米国
再公布Ｒｅ第３２，５７２号に開示されているように、
溝２２とリザーバ２４との間の連通は、厚膜層２７内の
凹所２８の代わりに、エッチング処理によって、または
フライス削り作業によっても得られる。
たは複数の精密エッチング３次元構造体１２を製作する
方法を図１ないし図１０に示す。図１５は、複数の精密
エッチング構造体１２が作られているシリコンウェーハ
１０の平面図であり、図１５の平面図は、図１ないし図
１０について後述する製作段階が終わった後、そして、
破線で示す互いに直行する垂直及び水平のダイシング線
１３、１５にそれぞれ沿ってウェーハをダイシングする
前のウェーハの状態を示すものである。図１６に、精密
エッチングシリコン構造体１２の代表的な例をインク流
案内用溝板として示す。この溝板は、破線で示す加熱素
子板２０と整列させられてこれに結合され、米国特許第
４，８９９，１８１号及び米国再公布特許Ｒｅ第３２，
５７２号に開示されている形式の熱インクジェット式プ
リントヘッド１７を構成する。これら米国特許の内容に
ついては本明細書において参照として説明する。外部供
給源（図示せず）からのインク（図示せず）は若干の負
圧の下で入口２５に入り、そして、シリコン基板１２を
通して異方性エッチングされた凹所であるリザーバ２４
を満たす。インク溝として働く平行な細長い比較的小形
の厳しい許容誤差の凹所２２のアレイが、大形の緩い許
容誤差のリザーバ２４が異方性エッチングされた後に、
異方性エッチングまたは等方性エッチングされる。一実
施例においては、この緩い許容誤差でエッチングされた
リザーバのエッチングは、前記溝のエッチングと同時に
終わる。前記溝は、リザーバに隣接する端部が閉塞され
ており、他端は開放しておって液滴放出ノズル１９とし
て働く。前掲の米国特許第４，８９９，１８１号に開示
されているように、インクは、矢印２３で示すように、
リザーバ２４から厚膜絶縁ポリマ層２７内の凹所２８を
通って溝２２へ流れる。このポリマ層は、破線で示して
あり、加熱素子板２０に添着されてパターン付けされる
。前記厚膜層もパターン付けされ、加熱素子２１上から
該厚膜層を除去してピット２６を形成するようになって
いる。このピットは、業界に周知のように、加熱素子へ
の電気パルスの選択的印加によって発生させられる一時
的気泡（図示せず）の横移動を抑制する。本実施例では
窒化シリコンまたは二酸化シリコンである耐エッチング
マスク１４は溝板から除去される。しかし、図示のよう
に、加熱素子との組立の前には残っていてもよい。米国
再公布Ｒｅ第３２，５７２号に開示されているように、
溝２２とリザーバ２４との間の連通は、厚膜層２７内の
凹所２８の代わりに、エッチング処理によって、または
フライス削り作業によっても得られる。
【００１０】次に図１ないし図１０を参照して、例えば
図１６について前述した溝板のような、シリコン構造体
１２に対して製作課程または方法を説明する。単一のシ
リコンウェーハ１０から複数のシリコン構造体を同時に
形成することができるのであるが、１つのかかる構造体
１２一部だけを断面で示す。また、過程の説明の都合上
、大形の緩い許容誤差の凹所と平行な唯１つの厳しい許
容誤差の凹所について説明する。
図１６について前述した溝板のような、シリコン構造体
１２に対して製作課程または方法を説明する。単一のシ
リコンウェーハ１０から複数のシリコン構造体を同時に
形成することができるのであるが、１つのかかる構造体
１２一部だけを断面で示す。また、過程の説明の都合上
、大形の緩い許容誤差の凹所と平行な唯１つの厳しい許
容誤差の凹所について説明する。
【００１１】図１に、第１の耐エッチング性マスキング
層３４を有している予め清浄化した（１００）シリコン
ウェーハ１０の一部を断面で示す。このマスキング層は
、好ましくは、両面上にあって各々が厚さ約５０００Å
である熱成長二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層３４である
。 図１に示すウェーハ部分またはシリコン構造体１２の上
面を前面１２Ａと呼び、下面を背面１２Ｂと呼ぶことに
する。多結晶シリコンのような第１の機械的保護層３６
を、化学蒸着（ＣＶＤ）により二酸化シリコンまたは酸
化物層３４の前面及び背面の上に０．１ないし１．０μ
ｍ の厚さに堆積させる。この保護層は、ウェーハまた
は構造体１２の前面上のフォトレジストまたは感光層の
被着及びパターン付け中、ウェーハまたはシリコン構造
体の背面上のマスキング層に対する機械的損傷を防止す
る。背面マスキング層に損傷があるとクラックが発生し
、その結果、不所望のエッチングが生じ、歩留が低下す
ることになる。半導体業界に周知のように、約０．５な
いし１０μｍ の厚さを有する例えばＫＩＴ８２０（登
録商標）のような代表的な第１のフォトレジスト層３０
を、真空チャック（図示せず）を用いて、シリコン基板
１２の前面１２Ａ上の保護層３６の上に回転被覆する。
層３４を有している予め清浄化した（１００）シリコン
ウェーハ１０の一部を断面で示す。このマスキング層は
、好ましくは、両面上にあって各々が厚さ約５０００Å
である熱成長二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層３４である
。 図１に示すウェーハ部分またはシリコン構造体１２の上
面を前面１２Ａと呼び、下面を背面１２Ｂと呼ぶことに
する。多結晶シリコンのような第１の機械的保護層３６
を、化学蒸着（ＣＶＤ）により二酸化シリコンまたは酸
化物層３４の前面及び背面の上に０．１ないし１．０μ
ｍ の厚さに堆積させる。この保護層は、ウェーハまた
は構造体１２の前面上のフォトレジストまたは感光層の
被着及びパターン付け中、ウェーハまたはシリコン構造
体の背面上のマスキング層に対する機械的損傷を防止す
る。背面マスキング層に損傷があるとクラックが発生し
、その結果、不所望のエッチングが生じ、歩留が低下す
ることになる。半導体業界に周知のように、約０．５な
いし１０μｍ の厚さを有する例えばＫＩＴ８２０（登
録商標）のような代表的な第１のフォトレジスト層３０
を、真空チャック（図示せず）を用いて、シリコン基板
１２の前面１２Ａ上の保護層３６の上に回転被覆する。
【００１２】図２に示すように、フォトレジスト層３０
を露光及び現像してフォトレジスト内に第１及び第２の
組のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂをそれぞれ形成する。第
１の組のヴァイア２９Ａ（図にはその内の１つを示す）
は比較的大形の貫通凹所をエッチングするために用いら
れ、この凹所は、例えば、図１６に示す溝板内のインク
リザーバとして用いられる。このような大形の凹所はエ
ッチングに数時間かかり、これに対して、例えばインク
溝のような小形の凹所は２０ないし３０分しかかからな
いから、エッチング剤内に必要よりも長い時間にわたっ
て入れておかないならば、小形の凹所の寸法的許容誤差
をはるかに厳しくすることができる。従って、本発明は
異方性エッチング処理を提供し、これは、背面を不所望
のエッチングに対して保護し、大形の緩い許容誤差の凹
所についての別個のエッチング、及びこれに続く小形の
厳しい許容誤差の凹所のエッチングを可能にする。緩い
許容誤差及び厳しい許容誤差のエッチングをこのように
別々にすることは前掲の米国特許第４，８６３，５６０
号に開示されており、その内容は参照として本明細書に
おいて説明する。第２の組のヴァイア２９Ｂ（実際には
多数あるが、図にはその内の１つを示す）は、厳しい寸
法的許容誤差及び選択的な短いエッチング時間を必要と
する比較的小形の凹所をエッチングするのに用いられる
。図３に示すように、第１の保護層３６及び第１のマス
キング層３４（即ち、それぞれ多結晶シリコン層及び酸
化物層）を順々にエッチングして内部に第１及び第２の
組のヴァイアを形成する。これらヴァイアはウェーハま
たはシリコン構造体１２の前面１２Ａを露出させる。次
に、第１のフォトレジスト層を除去する。
を露光及び現像してフォトレジスト内に第１及び第２の
組のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂをそれぞれ形成する。第
１の組のヴァイア２９Ａ（図にはその内の１つを示す）
は比較的大形の貫通凹所をエッチングするために用いら
れ、この凹所は、例えば、図１６に示す溝板内のインク
リザーバとして用いられる。このような大形の凹所はエ
ッチングに数時間かかり、これに対して、例えばインク
溝のような小形の凹所は２０ないし３０分しかかからな
いから、エッチング剤内に必要よりも長い時間にわたっ
て入れておかないならば、小形の凹所の寸法的許容誤差
をはるかに厳しくすることができる。従って、本発明は
異方性エッチング処理を提供し、これは、背面を不所望
のエッチングに対して保護し、大形の緩い許容誤差の凹
所についての別個のエッチング、及びこれに続く小形の
厳しい許容誤差の凹所のエッチングを可能にする。緩い
許容誤差及び厳しい許容誤差のエッチングをこのように
別々にすることは前掲の米国特許第４，８６３，５６０
号に開示されており、その内容は参照として本明細書に
おいて説明する。第２の組のヴァイア２９Ｂ（実際には
多数あるが、図にはその内の１つを示す）は、厳しい寸
法的許容誤差及び選択的な短いエッチング時間を必要と
する比較的小形の凹所をエッチングするのに用いられる
。図３に示すように、第１の保護層３６及び第１のマス
キング層３４（即ち、それぞれ多結晶シリコン層及び酸
化物層）を順々にエッチングして内部に第１及び第２の
組のヴァイアを形成する。これらヴァイアはウェーハま
たはシリコン構造体１２の前面１２Ａを露出させる。次
に、第１のフォトレジスト層を除去する。
【００１３】第１のフォトレジスト層を除去した後、第
１の保護層を除去し、パターン付け済みの第１のマスキ
ング層３４だけを残す。図４に示すように、第２の耐エ
ッチング層１４（第１のマスキング層３４に対する損傷
なしに除去可能である）を、第１のマスキング層の前面
及び背面に、及び構造体１２の前面上にある前記層内の
第１及び第２の組のヴァイアの上に堆積させる。好まし
い第２のマスキング層は窒化シリコンであり、化学蒸着
（ＣＶＤ）により、０．０５ないし０．５μｍ の厚さ
に堆積させられる。第２のマスキング層１４の堆積の後
、好ましくは多結晶シリコンの第２の保護層１６を、シ
リコン構造体１２の両面に、第２のマスキング層の上に
、０．１ないし１．０μｍ の厚さに堆積させる。図５
に示すように、第１のフォトレジスト層と類似の第２の
フォトレジスト層を、構造体１２の前面に、そして第２
の保護層の上に、回転被覆する。構造体１２の背面上の
第２の保護層は、第２のフォトレジスト層の堆積及びパ
ターン付け中に、ウェーハ１０または構造体１２の背面
上の第１及び第２のマスキング層に対して機械的損傷を
生じさせるクラックを防止する。第２のフォトレジスト
層３０はパターン付けされ、第１のマスキング層内の第
１の組のヴァイア１９Ａと類似しておってこれと整列す
る一組のヴァイア２９Ｃを該フォトレジスト層内に形成
する。この組のヴァイア２９Ｃは第１の組のヴァイア２
９Ａよりも若干小さく、従ってヴァイア２９Ｃが作る貫
通凹所は所望のものよりも若干小さく、そして、後述す
るように、後でこの小さい凹所をエッチングする最中に
若干拡大される。
１の保護層を除去し、パターン付け済みの第１のマスキ
ング層３４だけを残す。図４に示すように、第２の耐エ
ッチング層１４（第１のマスキング層３４に対する損傷
なしに除去可能である）を、第１のマスキング層の前面
及び背面に、及び構造体１２の前面上にある前記層内の
第１及び第２の組のヴァイアの上に堆積させる。好まし
い第２のマスキング層は窒化シリコンであり、化学蒸着
（ＣＶＤ）により、０．０５ないし０．５μｍ の厚さ
に堆積させられる。第２のマスキング層１４の堆積の後
、好ましくは多結晶シリコンの第２の保護層１６を、シ
リコン構造体１２の両面に、第２のマスキング層の上に
、０．１ないし１．０μｍ の厚さに堆積させる。図５
に示すように、第１のフォトレジスト層と類似の第２の
フォトレジスト層を、構造体１２の前面に、そして第２
の保護層の上に、回転被覆する。構造体１２の背面上の
第２の保護層は、第２のフォトレジスト層の堆積及びパ
ターン付け中に、ウェーハ１０または構造体１２の背面
上の第１及び第２のマスキング層に対して機械的損傷を
生じさせるクラックを防止する。第２のフォトレジスト
層３０はパターン付けされ、第１のマスキング層内の第
１の組のヴァイア１９Ａと類似しておってこれと整列す
る一組のヴァイア２９Ｃを該フォトレジスト層内に形成
する。この組のヴァイア２９Ｃは第１の組のヴァイア２
９Ａよりも若干小さく、従ってヴァイア２９Ｃが作る貫
通凹所は所望のものよりも若干小さく、そして、後述す
るように、後でこの小さい凹所をエッチングする最中に
若干拡大される。
【００１４】次に、図６に示すように、第２の保護層１
６及び第２のマスキング層１４を順々にプラズマエッチ
ングして内部にヴァイア２９Ｃを作り、これによってシ
リコン構造体１２の前面１２Ａを露出させ、次いで第２
のフォトレジスト層をこれから除去する。次に図７につ
いて説明すると、ウェーハまたはシリコン構造体１２を
ＫＯＨのようなエッチング浴内に入れて異方性エッチン
グを行なう。３ないし４時間後、｛１１１｝面の壁を有
する貫通凹所が作られる。多結晶シリコンを第２の保護
層１６として用いる場合には、これは同時にエッチング
除去され、第１のマスキング層３４の上に欠陥なしの第
２のマスキング層１４が残される。
６及び第２のマスキング層１４を順々にプラズマエッチ
ングして内部にヴァイア２９Ｃを作り、これによってシ
リコン構造体１２の前面１２Ａを露出させ、次いで第２
のフォトレジスト層をこれから除去する。次に図７につ
いて説明すると、ウェーハまたはシリコン構造体１２を
ＫＯＨのようなエッチング浴内に入れて異方性エッチン
グを行なう。３ないし４時間後、｛１１１｝面の壁を有
する貫通凹所が作られる。多結晶シリコンを第２の保護
層１６として用いる場合には、これは同時にエッチング
除去され、第１のマスキング層３４の上に欠陥なしの第
２のマスキング層１４が残される。
【００１５】図８は第２のマスキング層を除去した後の
シリコン構造体１２の状態を示すものであり、第１及び
第２のヴァイア２９Ａ及び２８Ｂが露出させられ、従っ
てまたこれを通って前面１２Ａが露出させられる。図９
について説明すると、ウェーハまたはシリコン構造体を
ＫＯＨのような異方性エッチング浴内に１０ないし３０
分間入れて第２のエッチング段階を行ない、３次元シリ
コン装置１２のエッチングを完了する。第１の組のヴァ
イアを通してエッチングされた小形の凹所３２は深さが
１０ないし７５μｍ であって極めて小さい許容誤差で
精密エッチングされ、一方、これよりも大きい前記凹所
は、ほぼ同時に、シリコン構造体１２の前面１２Ａにお
いて拡大されて比較的狭い棚部３９を形成する。構造体
１２を十分に長くエッチング剤内に入れておくと、棚部
３９はエッチング除去され、｛１１１｝面を有する凹所
の壁だけが残ることになる。前記大形の貫通凹所の寸法
的要件は遥かに低いので、狭い棚部３９の存在は重要な
ものではなく、無視することもできる。前記小形の凹所
は図１６における溝２２となる。最後の選択随意の段階
は図１０に示す第１のマスキング層３４の除去である。 或いはまた、凹所２４の底部を覆っている第１のマスキ
ング層のみを除去し（図１６）、これをインク入口とし
て働かせ。
シリコン構造体１２の状態を示すものであり、第１及び
第２のヴァイア２９Ａ及び２８Ｂが露出させられ、従っ
てまたこれを通って前面１２Ａが露出させられる。図９
について説明すると、ウェーハまたはシリコン構造体を
ＫＯＨのような異方性エッチング浴内に１０ないし３０
分間入れて第２のエッチング段階を行ない、３次元シリ
コン装置１２のエッチングを完了する。第１の組のヴァ
イアを通してエッチングされた小形の凹所３２は深さが
１０ないし７５μｍ であって極めて小さい許容誤差で
精密エッチングされ、一方、これよりも大きい前記凹所
は、ほぼ同時に、シリコン構造体１２の前面１２Ａにお
いて拡大されて比較的狭い棚部３９を形成する。構造体
１２を十分に長くエッチング剤内に入れておくと、棚部
３９はエッチング除去され、｛１１１｝面を有する凹所
の壁だけが残ることになる。前記大形の貫通凹所の寸法
的要件は遥かに低いので、狭い棚部３９の存在は重要な
ものではなく、無視することもできる。前記小形の凹所
は図１６における溝２２となる。最後の選択随意の段階
は図１０に示す第１のマスキング層３４の除去である。 或いはまた、凹所２４の底部を覆っている第１のマスキ
ング層のみを除去し（図１６）、これをインク入口とし
て働かせ。
【００１６】図１ないし図１０について前述した精密エ
ッチング３次元シリコン装置を製作する方法は、シリコ
ン内に２つの異なるエッチング深さを形成するために２
つのマスキング層を必要とする。即ち、例えば、一方は
、完全貫通エッチングされて第２の化学的マスキング層
によって形成されるリザーバであり、他方は、深さが１
０ないし７５μｍ に過ぎない一組の毛管状溝であって
第１の化学的マスキング層によって形成される。本発明
の主な目的は、２つのフォトレジスト層の被着及びパタ
ーン付け最中のマスキング層の保護であり、これにより
、クラックを発生させる損傷を防止し、従って不所望の
エッチングを防止し、製作歩留を大幅に改善することで
ある。従って、２段階シリコンエッチング方法は、溝の
寸法的制御を大きくするという利点を提供する。即ち、
この溝がエッチングされるのは短時間に過ぎず、貫通エ
ッチングされたリザーバは早くエッチングされてしまっ
ている。２段階エッチングには２倍の数のフォトレジス
ト層を被着及びパターン付けすることが必要であるが、
シリコンウェーハは、好ましくは多結晶シリコンの保護
層によって常に保護されており、この多結晶シリコンは
異方性エッチング剤内で簡単にエッチングされ、製作過
程を簡単にする。
ッチング３次元シリコン装置を製作する方法は、シリコ
ン内に２つの異なるエッチング深さを形成するために２
つのマスキング層を必要とする。即ち、例えば、一方は
、完全貫通エッチングされて第２の化学的マスキング層
によって形成されるリザーバであり、他方は、深さが１
０ないし７５μｍ に過ぎない一組の毛管状溝であって
第１の化学的マスキング層によって形成される。本発明
の主な目的は、２つのフォトレジスト層の被着及びパタ
ーン付け最中のマスキング層の保護であり、これにより
、クラックを発生させる損傷を防止し、従って不所望の
エッチングを防止し、製作歩留を大幅に改善することで
ある。従って、２段階シリコンエッチング方法は、溝の
寸法的制御を大きくするという利点を提供する。即ち、
この溝がエッチングされるのは短時間に過ぎず、貫通エ
ッチングされたリザーバは早くエッチングされてしまっ
ている。２段階エッチングには２倍の数のフォトレジス
ト層を被着及びパターン付けすることが必要であるが、
シリコンウェーハは、好ましくは多結晶シリコンの保護
層によって常に保護されており、この多結晶シリコンは
異方性エッチング剤内で簡単にエッチングされ、製作過
程を簡単にする。
【００１７】他の方法においては、第２のエッチング剤
を等方性エッチング剤とする。即ち、シリコン構造体を
等方性エッチング剤にさらす時間が比較的短いからであ
る。前記他の方法においては、エッチングされた凹所の
壁は、図７ないし図１０に示す凹所の壁と異なり、一般
に半球状（図示せず）となる。図１なしい図１０につい
て説明したシリコンウェーハからの精密エッチング３次
元装置の製作方法は、第１のマスキング層の被着及びパ
ターン付け中に第１の耐エッチング層３４を被覆且つ保
護する第１の保護層３６を削除することにより、歩留低
下を最小にしながら簡単にすることができる。これが可
能であるのは、好ましくは二酸化シリコンである第１の
耐エッチング性マスクの背面にあるクラックまたは傷が
エッチング剤にさらされる時間が比較的短いということ
を意味する比較的浅い厳しい許容誤差の凹所のエッチン
グ中にウェーハをマスクするのに第１の耐エッチング性
マスキング層を用いるからである。大形の貫通凹所のエ
ッチングのためにエッチング浴に長時間さらされている
最中は、第１のマスキング層は第２のマスキング層によ
って覆われている。即ち、図１ないし図１０に示す製作
過程は同じままである。但し、図１ないし図３において
、保護層３６は堆積されてない。
を等方性エッチング剤とする。即ち、シリコン構造体を
等方性エッチング剤にさらす時間が比較的短いからであ
る。前記他の方法においては、エッチングされた凹所の
壁は、図７ないし図１０に示す凹所の壁と異なり、一般
に半球状（図示せず）となる。図１なしい図１０につい
て説明したシリコンウェーハからの精密エッチング３次
元装置の製作方法は、第１のマスキング層の被着及びパ
ターン付け中に第１の耐エッチング層３４を被覆且つ保
護する第１の保護層３６を削除することにより、歩留低
下を最小にしながら簡単にすることができる。これが可
能であるのは、好ましくは二酸化シリコンである第１の
耐エッチング性マスクの背面にあるクラックまたは傷が
エッチング剤にさらされる時間が比較的短いということ
を意味する比較的浅い厳しい許容誤差の凹所のエッチン
グ中にウェーハをマスクするのに第１の耐エッチング性
マスキング層を用いるからである。大形の貫通凹所のエ
ッチングのためにエッチング浴に長時間さらされている
最中は、第１のマスキング層は第２のマスキング層によ
って覆われている。即ち、図１ないし図１０に示す製作
過程は同じままである。但し、図１ないし図３において
、保護層３６は堆積されてない。
【００１８】従って、この変形した過程（図示せず）は
図１ないし図１０に示す過程と類似する。差異は、第１
の保護層が除かれているということである。この変形し
た過程を説明すると次のようになる。即ち、二酸化シリ
コンの第１の耐エッチング性マスキング層３４をシリコ
ンウェーハまたは基板の前面１２Ａ及び背面１２Ｂに堆
積させる。このウェーハを、背面下向きに真空チャック
に載せて該チャックと接触させる。感光層またはフォト
レジスト層３０を前記ウェーハの前面に回転被覆し、パ
ターン付けして第１及び第２の組のヴァイア２９Ａ及び
２９Ｂを内部に作り、これを通して第１のマスキング層
を露出させる。次に、第１のマスキング層をプラズマエ
ッチングし、前記と類似の第１及び第２のヴァイアを内
部に作って前記ウェーハの前面を露出させ、そして前記
フォトレジスト層を除去する。窒化シリコンの第２の耐
エッチング性マスキング層１４をウェーハの前面及び背
面に堆積させ、その前面層内の第１及び第２の組のヴァ
イアを含む前記第１の耐エッチング性マスキング層を覆
う。多結晶シリコンの機械的損傷保護層１６をウェーハ
の両面に堆積させ、第２の耐エッチング性マスキング層
を覆う。このウェーハを面下向きに真空チャックに載せ
、そして、第２のフォトレジスト層を第２のマスキング
層の前面層上に回転被覆してパターン付けし、第１のマ
スキング層内の第１の組のヴァイアと類似の一組のヴァ
イアを作ってこれと整列させる。この処理段階中、ウェ
ーハの背面の保護層は第２のマスキング層内のクラック
及び傷を防止する。第２のフォトレジスト層内の前記組
のヴァイアは第１のマスキング層内の第１の組のヴァイ
アよりも若干小さく、第１のマスキング層の縁が、その
後に行なわれる第２のマスキング層のエッチングにさら
されるのを防止する。前記保護層及び第２のマスキング
層は順々にプラズマエッチングされて内部に一組のヴァ
イアを作り、ウェーハ前面を露出させる。第２のフォト
レジスト層を除去し、そしてこのウェーハをエッチング
浴に入れて異方性エッチングし、比較的大形の緩い許容
誤差の貫通凹所を内部に作る。前記保護層が多結晶シリ
コンである場合には、これは前記貫通凹所がエッチング
される間に同時にエッチング除去される。さもない場合
には、前記保護層を別個の段階で除去する。第２のマス
キング層を除去し、第１のマスキング層及びその内部の
第１及び第２の組のヴァイアを露出させる。このウェー
ハをエッチング浴に入れ、第２の組のヴァイアを通して
ウェーハの前面内に比較的浅い厳しい許容誤差の凹所を
等方性エッチングまたは異方性エッチングし、且つ同時
に、第１の組のヴァイアを通して比較的大形の凹所のエ
ッチングを完了する。前述の場合と同じように、異方性
エッチングを行なう場合には、エッチング浴内にある時
間が比較的短いので、大形の凹所内に小さい棚部３９が
作られる。最終段階として、第１のマスキング層を除去
する。または、これをこの精密エッチング構造体上に残
しておいてもよい。多重装置がこのエッチング済みウェ
ーハ内に包含されている場合には、ダイシングのような
分離処理によってこれら装置を分離することが必要とな
る。
図１ないし図１０に示す過程と類似する。差異は、第１
の保護層が除かれているということである。この変形し
た過程を説明すると次のようになる。即ち、二酸化シリ
コンの第１の耐エッチング性マスキング層３４をシリコ
ンウェーハまたは基板の前面１２Ａ及び背面１２Ｂに堆
積させる。このウェーハを、背面下向きに真空チャック
に載せて該チャックと接触させる。感光層またはフォト
レジスト層３０を前記ウェーハの前面に回転被覆し、パ
ターン付けして第１及び第２の組のヴァイア２９Ａ及び
２９Ｂを内部に作り、これを通して第１のマスキング層
を露出させる。次に、第１のマスキング層をプラズマエ
ッチングし、前記と類似の第１及び第２のヴァイアを内
部に作って前記ウェーハの前面を露出させ、そして前記
フォトレジスト層を除去する。窒化シリコンの第２の耐
エッチング性マスキング層１４をウェーハの前面及び背
面に堆積させ、その前面層内の第１及び第２の組のヴァ
イアを含む前記第１の耐エッチング性マスキング層を覆
う。多結晶シリコンの機械的損傷保護層１６をウェーハ
の両面に堆積させ、第２の耐エッチング性マスキング層
を覆う。このウェーハを面下向きに真空チャックに載せ
、そして、第２のフォトレジスト層を第２のマスキング
層の前面層上に回転被覆してパターン付けし、第１のマ
スキング層内の第１の組のヴァイアと類似の一組のヴァ
イアを作ってこれと整列させる。この処理段階中、ウェ
ーハの背面の保護層は第２のマスキング層内のクラック
及び傷を防止する。第２のフォトレジスト層内の前記組
のヴァイアは第１のマスキング層内の第１の組のヴァイ
アよりも若干小さく、第１のマスキング層の縁が、その
後に行なわれる第２のマスキング層のエッチングにさら
されるのを防止する。前記保護層及び第２のマスキング
層は順々にプラズマエッチングされて内部に一組のヴァ
イアを作り、ウェーハ前面を露出させる。第２のフォト
レジスト層を除去し、そしてこのウェーハをエッチング
浴に入れて異方性エッチングし、比較的大形の緩い許容
誤差の貫通凹所を内部に作る。前記保護層が多結晶シリ
コンである場合には、これは前記貫通凹所がエッチング
される間に同時にエッチング除去される。さもない場合
には、前記保護層を別個の段階で除去する。第２のマス
キング層を除去し、第１のマスキング層及びその内部の
第１及び第２の組のヴァイアを露出させる。このウェー
ハをエッチング浴に入れ、第２の組のヴァイアを通して
ウェーハの前面内に比較的浅い厳しい許容誤差の凹所を
等方性エッチングまたは異方性エッチングし、且つ同時
に、第１の組のヴァイアを通して比較的大形の凹所のエ
ッチングを完了する。前述の場合と同じように、異方性
エッチングを行なう場合には、エッチング浴内にある時
間が比較的短いので、大形の凹所内に小さい棚部３９が
作られる。最終段階として、第１のマスキング層を除去
する。または、これをこの精密エッチング構造体上に残
しておいてもよい。多重装置がこのエッチング済みウェ
ーハ内に包含されている場合には、ダイシングのような
分離処理によってこれら装置を分離することが必要とな
る。
【００１９】他の実施例においては、３次元構造体を前
面及び背面からエッチングする。エッチングがウェーハ
の前面及び背面の両方に生ずるというこの処理に対して
は、処理は、図１ないし図３について説明したのと同じ
に開始し、第１の保護層３６の除去で終わり、第１のマ
スキング層３４だけが残り、前面上の第１及び第２の組
のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂでパターン付けされる。ウ
ェーハの背面の第１のマスキング層３４をパターン付け
するため、図１７に示すように、ウェーハ１２上の第１
の前面及び背面マスキング層を、好ましくは多結晶シリ
コンの第２の保護層４０の化学蒸着によって覆う。この
ウェーハを前面１２Ａ下向きに真空チャック（図示せず
）に載せて該チャックと接触させ、感光性またはフォト
レジストの層４２を第２の保護層４０の背面に回転被覆
し、パターン付けして第３及び第４の組のヴァイア４４
Ａ及び４４Ｂをそれぞれ作る。第２の保護層４０及び第
１のマスキング層３４を順々にプラズマエッチングし、
そして、図１８に示すように、感光性またはフォトレジ
ストの層４２をこれから除去する。
面及び背面からエッチングする。エッチングがウェーハ
の前面及び背面の両方に生ずるというこの処理に対して
は、処理は、図１ないし図３について説明したのと同じ
に開始し、第１の保護層３６の除去で終わり、第１のマ
スキング層３４だけが残り、前面上の第１及び第２の組
のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂでパターン付けされる。ウ
ェーハの背面の第１のマスキング層３４をパターン付け
するため、図１７に示すように、ウェーハ１２上の第１
の前面及び背面マスキング層を、好ましくは多結晶シリ
コンの第２の保護層４０の化学蒸着によって覆う。この
ウェーハを前面１２Ａ下向きに真空チャック（図示せず
）に載せて該チャックと接触させ、感光性またはフォト
レジストの層４２を第２の保護層４０の背面に回転被覆
し、パターン付けして第３及び第４の組のヴァイア４４
Ａ及び４４Ｂをそれぞれ作る。第２の保護層４０及び第
１のマスキング層３４を順々にプラズマエッチングし、
そして、図１８に示すように、感光性またはフォトレジ
ストの層４２をこれから除去する。
【００２０】処理は、図４ないし図１０について説明し
たように進行する。但し、この場合、第１のマスキング
層３４の背面は、第１のマスキング層３４の前面層内の
第１及び第２の組のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂに加え、
第３及び第４の組のヴァイア４４Ａ及び４４Ｂでパター
ン付けされる。図１９について説明すると、第２の保護
層４０を除去し、そして第２のマスキング層４６を堆積
させ、その上に第３の保護層４７を堆積させる。これら
層は、いずれも、例えば化学的蒸着（ＣＶＤ）により前
記組のヴァイアを包含する第１のマスキング層の前面及
び背面に堆積させられる。第２の耐エッチング性マスキ
ング層は好ましくは窒化シリコンであり、第３の保護層
は好ましくは多結晶シリコンであるが、他の層に対する
損傷なしに順々に堆積及び除去することができるならば
他の材料を使用することもできる。ここでも、ウェーハ
を背面下向きに真空チャック（図示せず）に載せ、フォ
トレジストまたは他の感光材料の第３の層４８を、前面
上に、第３の保護層の上に、回転被覆し、そして、第１
の組のヴァイア２９Ａと整列しておってこれよりも若干
小さい一組のヴァイア４９でパターン付けする。この処
理段階中、第３の保護層が、比較的虚弱な第２のマスキ
ング層に対する損傷を防止し、このようにして、クラッ
クまたは傷が第２のマスキング層に生ずることを防止す
る。第３の保護層４７及び第２のマスキング層４６を第
３のフォトレジスト層４８内の前記組のヴァイア４９を
通して順々にプラズマエッチングし、次いで、第３のフ
ォトレジスト層を除去する。前記の代わりに、第３の保
護層を除去し、そして第４の保護層を堆積させ、次いで
これを感光層で被覆してパターン付けしてもよい。
たように進行する。但し、この場合、第１のマスキング
層３４の背面は、第１のマスキング層３４の前面層内の
第１及び第２の組のヴァイア２９Ａ及び２９Ｂに加え、
第３及び第４の組のヴァイア４４Ａ及び４４Ｂでパター
ン付けされる。図１９について説明すると、第２の保護
層４０を除去し、そして第２のマスキング層４６を堆積
させ、その上に第３の保護層４７を堆積させる。これら
層は、いずれも、例えば化学的蒸着（ＣＶＤ）により前
記組のヴァイアを包含する第１のマスキング層の前面及
び背面に堆積させられる。第２の耐エッチング性マスキ
ング層は好ましくは窒化シリコンであり、第３の保護層
は好ましくは多結晶シリコンであるが、他の層に対する
損傷なしに順々に堆積及び除去することができるならば
他の材料を使用することもできる。ここでも、ウェーハ
を背面下向きに真空チャック（図示せず）に載せ、フォ
トレジストまたは他の感光材料の第３の層４８を、前面
上に、第３の保護層の上に、回転被覆し、そして、第１
の組のヴァイア２９Ａと整列しておってこれよりも若干
小さい一組のヴァイア４９でパターン付けする。この処
理段階中、第３の保護層が、比較的虚弱な第２のマスキ
ング層に対する損傷を防止し、このようにして、クラッ
クまたは傷が第２のマスキング層に生ずることを防止す
る。第３の保護層４７及び第２のマスキング層４６を第
３のフォトレジスト層４８内の前記組のヴァイア４９を
通して順々にプラズマエッチングし、次いで、第３のフ
ォトレジスト層を除去する。前記の代わりに、第３の保
護層を除去し、そして第４の保護層を堆積させ、次いで
これを感光層で被覆してパターン付けしてもよい。
【００２１】図２０に、ウェーハを、ＫＯＨのような異
方性エッチング浴内に十分に長い時間にわたって入れて
おいて適等する深さの凹所が形成された後の状態を示す
。図示の例においては、３または４時間にわたって入れ
ておいて貫通凹所２４を形成する。第３の保護層が多結
晶シリコンである場合には、これは同時にエッチング除
去される。さもない場合には、別個の除去段階が必要に
なる。次に、第２のマスキング層４６を除去し、次いで
、第１及び第２の組のヴァイアが内部にパターン付けさ
れている第１のマスキング層を有するウェーハの等方性
または異方性のエッチングを行なう。等方性エッチング
浴を比較的短時間用いる場合には、前面１２Ａ及び背面
１２Ｂにある浅い凹所は円筒状または半球形状に凹んだ
凹所（図示せず）となる。好ましくは、異方性エッチン
グ剤を用い、浅い凹所３２、３７、３８を作る。その各
々は、図２１に示すように、｛１１１｝面に従う壁を有
す。図９及び図１０におけると同じように、棚部３９が
凹所２４の壁に形成される。この棚部は、凹所２４の入
口を取り巻いている面が｛１００｝面であるので、第２
のマスキング層１４が図８に示すように除去されるとき
に作られる。
方性エッチング浴内に十分に長い時間にわたって入れて
おいて適等する深さの凹所が形成された後の状態を示す
。図示の例においては、３または４時間にわたって入れ
ておいて貫通凹所２４を形成する。第３の保護層が多結
晶シリコンである場合には、これは同時にエッチング除
去される。さもない場合には、別個の除去段階が必要に
なる。次に、第２のマスキング層４６を除去し、次いで
、第１及び第２の組のヴァイアが内部にパターン付けさ
れている第１のマスキング層を有するウェーハの等方性
または異方性のエッチングを行なう。等方性エッチング
浴を比較的短時間用いる場合には、前面１２Ａ及び背面
１２Ｂにある浅い凹所は円筒状または半球形状に凹んだ
凹所（図示せず）となる。好ましくは、異方性エッチン
グ剤を用い、浅い凹所３２、３７、３８を作る。その各
々は、図２１に示すように、｛１１１｝面に従う壁を有
す。図９及び図１０におけると同じように、棚部３９が
凹所２４の壁に形成される。この棚部は、凹所２４の入
口を取り巻いている面が｛１００｝面であるので、第２
のマスキング層１４が図８に示すように除去されるとき
に作られる。
【００２２】第２のマスキング層４６の背面層を、大形
の貫通凹所２４と同時にエッチングするようにパターン
付けするならば、浅い凹所３８も貫通凹所となる。これ
を可能にするためには、第３の保護層４７を第３のフォ
トレジスト層４８で被覆した後、図２２に示す第４のフ
ォトレジスト層５０を第３の保護層４７の背面層上に回
転被覆することが必要となる。第３及び第４のフォトレ
ジスト層を順次パターン付けし、前記組のヴァイア４９
、及び第１のマスキング層３４の背面層内の第３の組の
ヴァイア４４Ａと整列しているがこれよりも若干小さい
類似の一組のヴァイア５１を形成する。即ち、第３の保
護層４７を、これが多結晶シリコンである場合には、大
形の緩い許容誤差の貫通凹所２４及び３８Ａの異方性エ
ッチングと同時に除去した後、及び第２のマスキング層
４６を除去した後、ウェーハを等方性または異方性のエ
ッチング浴へ、好ましくは異方性エッチング浴へ戻し、
ウェーハ１２の前面１２Ａ及び背面１２Ｂにそれぞれあ
る厳しい許容誤差の浅い凹所３２及び３７のエッチング
を行なう。
の貫通凹所２４と同時にエッチングするようにパターン
付けするならば、浅い凹所３８も貫通凹所となる。これ
を可能にするためには、第３の保護層４７を第３のフォ
トレジスト層４８で被覆した後、図２２に示す第４のフ
ォトレジスト層５０を第３の保護層４７の背面層上に回
転被覆することが必要となる。第３及び第４のフォトレ
ジスト層を順次パターン付けし、前記組のヴァイア４９
、及び第１のマスキング層３４の背面層内の第３の組の
ヴァイア４４Ａと整列しているがこれよりも若干小さい
類似の一組のヴァイア５１を形成する。即ち、第３の保
護層４７を、これが多結晶シリコンである場合には、大
形の緩い許容誤差の貫通凹所２４及び３８Ａの異方性エ
ッチングと同時に除去した後、及び第２のマスキング層
４６を除去した後、ウェーハを等方性または異方性のエ
ッチング浴へ、好ましくは異方性エッチング浴へ戻し、
ウェーハ１２の前面１２Ａ及び背面１２Ｂにそれぞれあ
る厳しい許容誤差の浅い凹所３２及び３７のエッチング
を行なう。
【００２３】図２４に示すように、浅い厳しい許容誤差
の凹所のエッチング中、前述したように短時間の異方性
エッチング中に、貫通凹所２４内の棚部３９及び貫通凹
所３８Ａ内の棚部５２が形成される。ウェーハ１２のこ
の断面図は、第１のマスキング層３４の除去後の状態を
示すものである。２面エッチング法が多くの理由で有用
である。しかし、熱インクジェット式プリントヘッドの
溝板に対しては、これを用いてページ幅プリントヘッド
に対するサブユニットの組立てのための接合（ｂｕｔ）
用端部を形成することができ、または、例えば米国特許
第４，８２９，３２４号に開示されているようにダイシ
ング位置をも形成することができる。
の凹所のエッチング中、前述したように短時間の異方性
エッチング中に、貫通凹所２４内の棚部３９及び貫通凹
所３８Ａ内の棚部５２が形成される。ウェーハ１２のこ
の断面図は、第１のマスキング層３４の除去後の状態を
示すものである。２面エッチング法が多くの理由で有用
である。しかし、熱インクジェット式プリントヘッドの
溝板に対しては、これを用いてページ幅プリントヘッド
に対するサブユニットの組立てのための接合（ｂｕｔ）
用端部を形成することができ、または、例えば米国特許
第４，８２９，３２４号に開示されているようにダイシ
ング位置をも形成することができる。
【００２４】２面エッチング法による精密エッチング３
次元シリコン装置を製作する他の方法を、図１１ないし
図１４に、例えば（１００）シリコンウェーハの一部の
ような、｛１００｝面の前面及び背面を有するシリコン
基板１２の部分的断面図で示す。図１１ないし図１４に
は、図１ないし図１０について前述した製作法における
基板１２の前面及び背面上の第１のマスキング層の上に
第３の化学的マスキング層を追加堆積した状態を示して
ある。即ち、第３の保護層を、ＣＶＤにより、第１の２
つのマスキング層の上に堆積させる。前記他の方法にお
いて、第１のマスキング層１４は、図１ないし図１０に
ついて説明した方法において用いた二酸化シリコンでは
なく、窒化シリコンであり、その上に二酸化シリコンを
第３のマスキング層３４として堆積させる。次に、第１
の機械的損傷保護層１６を、好ましくは多結晶シリコン
を、第３のマスキング層の前面及び背面上に堆積させる
。第１のフォトレジスト層３０を、真空チャックを用い
て、第１の保護層３６の前面上に回転被覆する。この間
、第１の保護層の背面は真空チャックと接触しており、
虚弱なマスキング層に対して機械的損傷を発生させるク
ラックを防止する。
次元シリコン装置を製作する他の方法を、図１１ないし
図１４に、例えば（１００）シリコンウェーハの一部の
ような、｛１００｝面の前面及び背面を有するシリコン
基板１２の部分的断面図で示す。図１１ないし図１４に
は、図１ないし図１０について前述した製作法における
基板１２の前面及び背面上の第１のマスキング層の上に
第３の化学的マスキング層を追加堆積した状態を示して
ある。即ち、第３の保護層を、ＣＶＤにより、第１の２
つのマスキング層の上に堆積させる。前記他の方法にお
いて、第１のマスキング層１４は、図１ないし図１０に
ついて説明した方法において用いた二酸化シリコンでは
なく、窒化シリコンであり、その上に二酸化シリコンを
第３のマスキング層３４として堆積させる。次に、第１
の機械的損傷保護層１６を、好ましくは多結晶シリコン
を、第３のマスキング層の前面及び背面上に堆積させる
。第１のフォトレジスト層３０を、真空チャックを用い
て、第１の保護層３６の前面上に回転被覆する。この間
、第１の保護層の背面は真空チャックと接触しており、
虚弱なマスキング層に対して機械的損傷を発生させるク
ラックを防止する。
【００２５】図１１に、図１ないし図１０における方法
について前述したヴァイアの組と同構造の第１及び第２
の組のヴァイアのためにパターン付けされたフォトレジ
スト層を示す。第１の保護層、第３のマスキング層及び
第１のマスキング層を順々にプラズマエッチングしてこ
れに第１及び第２のヴァイアを形成し、シリコン構造体
１２の前面１２Ａを露出させる。次いで第１のフォトレ
ジスト層を除去し、そして次に第１の保護層を除去する
。図１２に示すように、第３のマスキング層の前面及び
背面を、前面層内の第１及び第２の組のヴァイアを含み
、第２のマスキング層３８、好ましくは窒化シリコンの
堆積により、次いで第２の保護層３６、好ましくは多結
晶シリコンの堆積によって、順々に被覆する。シリコン
構造体１２、例えば溝板即ちプリントヘッド１７（図１
６）を製作する第１の方法におけると同じように、第２
のフォトレジスト層３０を第２の保護層の前面に回転被
覆し、そして、第１及び第３のマスキング層内の第１の
組のヴァイアと整列しているがこれよりも若干小さいヴ
ァイアを作るようにパターン付けする。この間、構造体
背面のマスキング層は、第１、第２及び第３のマスキン
グ層の背面を覆う保護層３６によって損傷から保護され
る。
について前述したヴァイアの組と同構造の第１及び第２
の組のヴァイアのためにパターン付けされたフォトレジ
スト層を示す。第１の保護層、第３のマスキング層及び
第１のマスキング層を順々にプラズマエッチングしてこ
れに第１及び第２のヴァイアを形成し、シリコン構造体
１２の前面１２Ａを露出させる。次いで第１のフォトレ
ジスト層を除去し、そして次に第１の保護層を除去する
。図１２に示すように、第３のマスキング層の前面及び
背面を、前面層内の第１及び第２の組のヴァイアを含み
、第２のマスキング層３８、好ましくは窒化シリコンの
堆積により、次いで第２の保護層３６、好ましくは多結
晶シリコンの堆積によって、順々に被覆する。シリコン
構造体１２、例えば溝板即ちプリントヘッド１７（図１
６）を製作する第１の方法におけると同じように、第２
のフォトレジスト層３０を第２の保護層の前面に回転被
覆し、そして、第１及び第３のマスキング層内の第１の
組のヴァイアと整列しているがこれよりも若干小さいヴ
ァイアを作るようにパターン付けする。この間、構造体
背面のマスキング層は、第１、第２及び第３のマスキン
グ層の背面を覆う保護層３６によって損傷から保護され
る。
【００２６】図１３は、第２の保護層及び第２のマスキ
ング層を順々にプラズマエッチングしてこれに一組のヴ
ァイアを形成し、次いでこれを用い、ウェーハまたは基
板１２を通すエッチングによって大形の凹所をエッチン
グする、という状態を示すものである。一般的ウェーハ
に対しては、厚さは約０．５０８ｍｍ（約２０ミル）で
ある。次に、フォトレジスト層３０をシリコン構造体１
２から除去し、次いで、この構造体を異方性エッチング
浴内に、浴組成、温度、浴濃度及びウェーハ厚さに応じ
、約３ないし４時間入れて深い凹所をエッチングする。 第２の保護層３６は、これが多結晶シリコンである場合
には、例えばＫＯＨのエッチング浴によって同時の除去
される。図１４について説明すると、第２のマスキング
層３８を除去し、そしてシリコン構造体１２を他の異方
性エッチング浴に２０ないし３０分間入れ、第１及び第
３のマスキング層内の第２の組のヴァイアによって小さ
い浅い凹所を選択的に形成する。更に、軽いエッチング
が、これもエッチング剤にさらされる大形凹所内に行な
われ、浅い棚部３９がその中に形成される。例えばプリ
ントヘッドの溝板１７内のリザーバ及び溝を表す凹所の
細密エッチング及び緩い許容誤差のエッチング後の第１
及び第３のマスキング層の除去により、前述した図１０
及び図１６に示すような精密エッチング３次元シリコン
構造体または装置が形成される。
ング層を順々にプラズマエッチングしてこれに一組のヴ
ァイアを形成し、次いでこれを用い、ウェーハまたは基
板１２を通すエッチングによって大形の凹所をエッチン
グする、という状態を示すものである。一般的ウェーハ
に対しては、厚さは約０．５０８ｍｍ（約２０ミル）で
ある。次に、フォトレジスト層３０をシリコン構造体１
２から除去し、次いで、この構造体を異方性エッチング
浴内に、浴組成、温度、浴濃度及びウェーハ厚さに応じ
、約３ないし４時間入れて深い凹所をエッチングする。 第２の保護層３６は、これが多結晶シリコンである場合
には、例えばＫＯＨのエッチング浴によって同時の除去
される。図１４について説明すると、第２のマスキング
層３８を除去し、そしてシリコン構造体１２を他の異方
性エッチング浴に２０ないし３０分間入れ、第１及び第
３のマスキング層内の第２の組のヴァイアによって小さ
い浅い凹所を選択的に形成する。更に、軽いエッチング
が、これもエッチング剤にさらされる大形凹所内に行な
われ、浅い棚部３９がその中に形成される。例えばプリ
ントヘッドの溝板１７内のリザーバ及び溝を表す凹所の
細密エッチング及び緩い許容誤差のエッチング後の第１
及び第３のマスキング層の除去により、前述した図１０
及び図１６に示すような精密エッチング３次元シリコン
構造体または装置が形成される。
【００２７】要約すると、本発明においては、シリコン
ウェーハの上に堆積された虚弱な機械的損傷を受けやす
い化学的マスキング層の上に機械的保護層を被覆して用
い、例えばこのウェーハを真空チャックに載せてフォト
レジストで被覆というような処理に必要な通常の取り扱
い中に前記マスキング層を保護する。窒化シリコン及び
二酸化シリコンは種々の有用な化学的エッチングに対し
て優れた耐エッチング性を有し、従って好ましいマスキ
ング層となるが、これに引っ張り応力が加わると簡単に
クラックが生じて口が開きやすい。即ち、クラックが広
がると内部応力が開放されるからである。前述の実施例
においては、好ましい保護層である多結晶シリコンを２
つのマスキング層の上に堆積させ、順々にパターン付け
して２つの異なるエッチング深さを作ったものを用いる
。これにより、前面上の窒化シリコンをエッチングして
パターン付けするための同じ化学作用を用いて前述保護
層をパターン付けすることができるようになる。ウェー
ハの前面上の各マスキング層内の各パターンのヴァイア
は、その背面層を、クラックを発生させる損傷から保護
する。このクラックが発生すると、ウェーハ背面に不所
望のエッチングを生じさせ、歩留を低下させ且つ製作費
を増大させる可能性があるのである。
ウェーハの上に堆積された虚弱な機械的損傷を受けやす
い化学的マスキング層の上に機械的保護層を被覆して用
い、例えばこのウェーハを真空チャックに載せてフォト
レジストで被覆というような処理に必要な通常の取り扱
い中に前記マスキング層を保護する。窒化シリコン及び
二酸化シリコンは種々の有用な化学的エッチングに対し
て優れた耐エッチング性を有し、従って好ましいマスキ
ング層となるが、これに引っ張り応力が加わると簡単に
クラックが生じて口が開きやすい。即ち、クラックが広
がると内部応力が開放されるからである。前述の実施例
においては、好ましい保護層である多結晶シリコンを２
つのマスキング層の上に堆積させ、順々にパターン付け
して２つの異なるエッチング深さを作ったものを用いる
。これにより、前面上の窒化シリコンをエッチングして
パターン付けするための同じ化学作用を用いて前述保護
層をパターン付けすることができるようになる。ウェー
ハの前面上の各マスキング層内の各パターンのヴァイア
は、その背面層を、クラックを発生させる損傷から保護
する。このクラックが発生すると、ウェーハ背面に不所
望のエッチングを生じさせ、歩留を低下させ且つ製作費
を増大させる可能性があるのである。
【００２８】追加の処理段階によってウェーハの両面の
エッチングを行ない、この間、保護層が、例えばフォト
レジスト層を被着及びパターン付けするために用いる器
具と接触しているウェーハマスキング層を常に保護する
。以上、本発明をその実施例について説明したが、本発
明の範囲内で種々の変形及び変更を行なうことができる
。
エッチングを行ない、この間、保護層が、例えばフォト
レジスト層を被着及びパターン付けするために用いる器
具と接触しているウェーハマスキング層を常に保護する
。以上、本発明をその実施例について説明したが、本発
明の範囲内で種々の変形及び変更を行なうことができる
。
【図１】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図２】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図３】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図４】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図５】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図６】本発明における３次元装置製作の種々の段階に
おける状態を示す断面図である。
おける状態を示す断面図である。
【図７】複数のエッチング済み装置を内部に有するシリ
コンウェーハの平面図である。
コンウェーハの平面図である。
【図８】図７に示す装置をダイシング作業によって分離
させた後のエッチング製作済み３次元装置の例として示
すエッチング溝板の断面図である。
させた後のエッチング製作済み３次元装置の例として示
すエッチング溝板の断面図である。
【図９】本発明の他の実施例における３次元装置製作の
他の段階における状態を示す断面図である。
他の段階における状態を示す断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例における３次元装置製作
の他の段階における状態を示す断面図である。
の他の段階における状態を示す断面図である。
【図１１】本発明にかかる３次元装置を製作する他の実
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１２】本発明にかかる３次元装置を製作する他の実
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１３】本発明にかかる３次元装置を製作する他の実
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１４】本発明にかかる３次元装置を製作する他の実
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１５】複数の装置が内部にエッチングされているシ
リコンウェーハの平面図である。
リコンウェーハの平面図である。
【図１６】図１５に示す装置をダイシング作業によって
分離した後の、エッチングで製作された３次元装置の一
例としてのエッチング済み溝板の拡大断面図である。
分離した後の、エッチングで製作された３次元装置の一
例としてのエッチング済み溝板の拡大断面図である。
【図１７】シリコンウェーハの前面及び背面をエッチン
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１８】シリコンウェーハの前面及び背面をエッチン
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図１９】シリコンウェーハの前面及び背面をエッチン
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図２０】シリコンウェーハの前面及び背面をエッチン
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図２１】シリコンウェーハの前面及び背面をエッチン
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
グする、本発明にかかる３次元装置を製作する更に他の
実施例の種々の段階における状態を示す断面図である。
【図２２】図１７ないし図２１に示す更に他の実施例の
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
【図２３】図１７ないし図２１に示す更に他の実施例の
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
【図２４】図１７ないし図２１に示す更に他の実施例の
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
方法に従って３次元装置を製作する際の種々の段階にお
ける状態を示す断面図である。
１２ シリコン基板
１４、３４、３８、４６ マスキング層１６、３６、
４０、４７ 保護層 ２２、２４、２８、３２、３７、３８、３８Ａ 凹所
２９Ａ、２９Ｂ、２９Ｃ、４４Ａ、４４Ｂ、４９、５１
ヴァイア
４０、４７ 保護層 ２２、２４、２８、３２、３７、３８、３８Ａ 凹所
２９Ａ、２９Ｂ、２９Ｃ、４４Ａ、４４Ｂ、４９、５１
ヴァイア
Claims (1)
- 【請求項１】 前面及び背面を有するシリコンウェー
ハから、該ウェーハの前面のみをエッチングすることに
よって精密エッチング３次元装置を製作する方法におい
て、（ａ） 第１の耐エッチング性マスキング層を
清浄なシリコンウェーハの前面及び背面に堆積させる段
階と、（ｂ） 前記ウェーハの前面及び背面の第１
のマスキング層の上に第１の機械的損傷保護層を堆積さ
せる段階と、（ｃ） 前記ウェーハ前面上の第１の
保護層の上に第１の感光層を被着及びパターン付けして
第１のフォトレジスト層内に第１及び第２の組のパター
ンのヴァイアを作り、もって前記組のヴァイアを通して
前記第１の保護層を露出させ、この間、前記ウェーハ背
面の第１のマスキング層をその上の前記第１の保護層に
よって損傷から保護する段階と、（ｄ） 前記第１
のフォトレジスト層内の第１及び第２の組のヴァイアを
通して露出させられた前記ウェーハ前面の第１の保護層
及びその下の第１のマスキング層をエッチングして、こ
れに、前記ウェーハ前面を露出させるヴァイアの組を形
成する段階と、（ｅ） 前記パターン付けされた第
１の感光層を前記ウェーハの前面から除去する段階と、
（ｆ） 前記第１の保護層を前記ウェーハの前面及
び背面から除去する段階と、（ｇ） 前記ウェーハ
の前面及び背面の第１の耐エッチング性マスキング層の
上に第２の耐エッチング性マスキング層を堆積させ、も
って、前記ウェーハ前面を露出させる前記第１のマスキ
ング層内のヴァイアを前記第２のマスキング層によって
被覆する段階と、（ｈ） 前記ウェーハの前面及び
背面上の第２のマスキング層の上に第２の機械的損傷保
護層を堆積させる段階と、（ｉ） 前記ウェーハ前
面の第２の保護層の上に第２の感光層を被着及びパター
ン付けして前記第１のマスキング層内の第１の組のヴァ
イアと類似及び整列する一組のヴァイアを作る段階とを
有し、前記第２のフォトレジスト層内の一組のヴァイア
は前記第１のマスキング層内の第１の組のヴァイアより
も若干小さく、この間、前記ウェーハ背面の第２のマス
キング層をその上の第２の保護層によって損傷から保護
し、更に、（ｊ） 前記露出した第２の保護層及び
その下の第２のマスキング層を前記第２の感光層内の前
記組のヴァイアを通してエッチングして、そこに、前記
ウェーハ前記を露出させる一組のヴァイアを形成する段
階と、（ｋ） 前記パターン付けされた第２のフォ
トレジスト層を前記ウェーハの前面から除去する段階と
、（ｌ） 前記第２の保護層及び第２のマスキング
層内の前記組のヴァイアを通って露出させられた前記ウ
ェーハの前面が比較的大形の緩い許容誤差の凹所をそこ
に作るように前記ウェーハをエッチング浴内で異方性エ
ッチングする段階と、（ｍ） 前記第２の保護層を
除去し、次いで前記第２の保護層の除去によって露出さ
せられた前記第２のマスキング層を除去することによっ
て、実質的に完成された前記大形の緩い許容誤差の凹所
を持つ前記ウェーハの上に欠陥なしの第１のマスキング
層を残す段階と、（ｎ） 前記ウェーハをエッチン
グ浴内で異方性エッチングする段階とを有し、もって、
前記第１のマスキング層内の第１及び第２の組のヴァイ
アを通って露出させられたウェーハの前面が、前記第２
の組のヴァイアを通して前側の前記ウェーハ面に比較的
小形の厳しい許容誤差の凹所を作り、同時に、前記第１
の組のヴァイアを通して前記前側ウェーハ面における前
記比較的大形の凹所のエッチングが完了させられること
を特徴とするシリコンウェーハから精密エッチング３次
元装置を製作する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US533204 | 1990-06-04 | ||
| US07/533,204 US5006202A (en) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | Fabricating method for silicon devices using a two step silicon etching process |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261862A true JPH04261862A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=24124942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121387A Pending JPH04261862A (ja) | 1990-06-04 | 1991-05-27 | シリコンウェーハから精密エッチング３次元装置を製作する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5006202A (ja) |
| JP (1) | JPH04261862A (ja) |
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