JP2003053700A - シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ - Google Patents

シリコン結晶異方性エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタ

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JP2003053700A
JP2003053700A JP2001248172A JP2001248172A JP2003053700A JP 2003053700 A JP2003053700 A JP 2003053700A JP 2001248172 A JP2001248172 A JP 2001248172A JP 2001248172 A JP2001248172 A JP 2001248172A JP 2003053700 A JP2003053700 A JP 2003053700A
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JP
Japan
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thin film
mask pattern
ink
single crystal
silicon substrate
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JP2001248172A
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English (en)
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Takashi Yagi
孝 八木
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Fujifilm Business Innovation Corp
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Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 インクプール底面のエッチングを良好に行
い、かつ、インクプール開口部の微細形状薄膜マスクパ
ターンを塞ぐことを可能とする。 【解決手段】 単結晶シリコン基板２に犠牲層５となる
層を形成する工程と、犠牲層５の上に数μｍオーダ幅の
開口を持つ薄膜マスクパターン４を形成する工程と、シ
リコン結晶異方性ケミカルエッチング液６にて犠牲層５
を除去して薄膜マスクパターン４と単結晶シリコン基板
２との間に空洞を形成するとともに単結晶シリコン基板
２にケミカルエッチングを行う工程と、薄膜マスクパタ
ーン４を塞ぐ保護膜１２を形成する工程とを有する。犠
牲層５は、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液６
により、単結晶シリコン基板２をエッチングする速度よ
りも速い速度で選択的にエッチング可能な材料で構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン結晶異方性
エッチング方法、インク流路板製造方法、インク流路
板、インクジェットプリントヘッドおよびインクジェッ
トプリンタに関し、特にシリコン結晶異方性エッチング
方法、インク流路板製造方法、インク流路板、インクジ
ェットプリントヘッドおよびインクジェットプリンタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】インクジェットプリントヘッドのインク
プールを形成するインク流路板の主要部断面図を図１に
示す。このインク流路板１は＜１００＞面単結晶シリコ
ン基板２を用いて、薄膜形成やフォトリソグラフィ等、
周知された半導体プロセスにより所望の薄膜パターンを
構成した後、シリコン結晶異方性ケミカルエッチングを
行うことにより、単結晶シリコン基板のみを用いたプロ
セスにより一体形成される。
【０００３】インク流路板内に形成されるインクプール
形成方法の一例を説明する。インクプール７が形成され
る単結晶シリコン基板２にはインク吐出に携わるノズル
も一体形成され、ノズル形成される側の面にインクプー
ル７が形成される為、インク吐出の安定を図る為に行う
ワイピングや周知のダンパ機能を持たせる必要性がある
等の理由により、インクプール７はその開口面を物理的
に蓋をする構造とすることが必須となる。一方、インク
プール７は最終的にはシリコン結晶異方性ケミカルエッ
チングにより形成される為、エッチング液により良好な
エッチングが行えることが必須となる。そこで、これら
を両立し、且つ単結晶シリコン基板２のみで一体形成を
行う為、図１に示すように、インクプール７の異方性エ
ッチング開始面の薄膜マスクパターンを図３に示すよう
な数μｍオーダ以下の微細形状にして、この数μｍオー
ダの微細形状部分からエッチング液が入り込み、薄膜マ
スクパターン下の単結晶シリコンを除去できるような構
造とし、異方性エッチング終了後に微細形状の薄膜マス
クパターンをめっき法や半導体プロセスで周知されてい
る熱酸化法やＣＶＤ法、スパッタリング法等により塞ぐ
手法が提案されている。一例をあげると、めっき法によ
り塞ぐ方法は特開平１１−１７０５４８号公報に記載さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法には
次の２点の問題点があった。
【０００５】第１点は、インクプール開口部の微細形状
の薄膜マスクパターンを物理的に塞ぐ為には、微細形状
の幅が数μｍオーダレベルが限界であり、微細形状薄膜
マスクパターン幅を広くすると、これを物理的に塞ぐこ
とができなくなることが挙げられる。我々の実験・評価
では、最大でも幅５μｍ程までは塞ぐことができたが、
これ以上の幅になると、インクジェットヘッドとして十
分レベルに塞ぐことが不可能であった。
【０００６】第２点は、微細形状薄膜マスクパターン幅
が小さい程、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング時
のエッチング液が微細形状薄膜マスクパターン内部に入
り込みにくく、下層の単結晶シリコンを十分にエッチン
グ出来ず、エッチング不良を起こしやすい傾向があるこ
とが挙げられる。本来、インクプールの薄膜マスクパタ
ーンが十分な大きさを持っていれば、エッチング液が十
分に入り込む為、インクプール底面となるエッチング面
（シリコン＜１００＞面）が綺麗にフラットな平面がで
るはずであるが、薄膜マスクパターンが数μｍオーダの
場合では、十分にエッチング液が入り込まず、インクプ
ール底面の平面度はおおよそ平面とは言いがたい程、凹
凸の大きい形状となってしまい、又、十分な大きさを持
った薄膜マスクパターンの場合のシリコンエッチングレ
ートに比べても、数分の１レベルのエッチングレートし
か出ず、十分に深いエッチングができない等、良好なシ
リコン結晶異方性エッチングができないという問題があ
った。特にこの問題は、シリコン結晶異方性ケミカルエ
ッチング液の中でも一般に知られるエチレンジアミンピ
ロカテコールウォーター（ＥＰＷ又はＥＤＰ）において
顕著であった。ＥＰＷは、或る一定量のＥＰＷ中に溶解
（エッチング）させることが可能なシリコン量に制限が
あり、これを超えた状態では、エッチング面にＥＰＷに
溶解されない堆積物が生成され、良好なエッチングがで
きなくなるという現象が知られている。又、或る微小領
域におけるエッチングにおいても、その微小領域におい
て局所的にシリコン溶解限度量を超える状態になると、
その微小領域においてＥＰＷに溶解されない堆積物がエ
ッチング溝各所に生成され、良好なエッチングができな
くなることも知られている。
【０００７】本発明の目的は、上記課題を解決し、イン
クプール底面のエッチングを良好に行い、かつ、インク
プール開口部の微細形状薄膜マスクパターンを塞ぐこと
を可能とするシリコン結晶異方性エッチング方法、イン
ク流路板製造方法、インク流路板、インクジェットプリ
ントヘッドおよびインクジェットプリンタを提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン結晶異
方性エッチング方法は、単結晶シリコン基板に犠牲層と
なる層を形成する工程と、前記犠牲層の上に数μｍオー
ダ幅の開口を持つ薄膜マスクパターンを形成する工程
と、シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液にて前記
犠牲層を除去して前記薄膜マスクパターンと前記単結晶
シリコン基板との間に空洞を形成するとともに前記単結
晶シリコン基板にケミカルエッチングを行う工程と、前
記薄膜マスクパターンを塞ぐ保護膜を形成する工程とを
有することを特徴とする。
【０００９】本発明のシリコン結晶異方性エッチング方
法は、前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方性ケミカル
エッチング液により、前記単結晶シリコン基板をエッチ
ングする速度よりも速い速度で選択的にエッチング可能
な材料で構成することを特徴としてもよい。
【００１０】本発明のシリコン結晶異方性エッチング方
法は、単結晶シリコン基板に犠牲層となる層を形成する
工程と、前記犠牲層の上に数μｍオーダ幅の開口を持つ
薄膜マスクパターンを形成する工程と、前記犠牲層をエ
ッチングにより除去して前記薄膜マスクパターンと前記
単結晶シリコン基板との間に空洞を形成する工程と、前
記薄膜マスクパターンからシリコン結晶異方性ケミカル
エッチング液を導入することにより前記単結晶シリコン
基板をエッチングする工程と、前記薄膜マスクパターン
を塞ぐ保護膜を形成する工程とを有することを特徴とし
てもよい。
【００１１】本発明のシリコン結晶異方性エッチング方
法は、前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方性ケミカル
エッチング液にエッチングされない材料であって、且
つ、前記薄膜マスクパターンを形成する材料とは異なっ
た材料で形成することを特徴としてもよい。
【００１２】本発明のシリコン結晶異方性エッチング方
法は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、めっき
法の内いずれか１つまたは複数の組み合わせにより前記
保護膜を形成することを特徴としてもよい。
【００１３】本発明のインク流路板製造方法は、請求項
１〜５の何れか１項に記載のシリコン結晶異方性エッチ
ング方法を用いてインクプールを形成することを特徴と
する。
【００１４】本発明のインク流路板は、単結晶シリコン
基板にインクプールを形成したインク流路板であって、
前記単結晶シリコン基板に犠牲層となる層を形成し、前
記犠牲層の上に数μｍオーダ幅の開口を持つ薄膜マスク
パターンを形成し、シリコン結晶異方性ケミカルエッチ
ング液にて前記犠牲層を除去して前記薄膜マスクパター
ンと前記単結晶シリコン基板との間に空洞を形成すると
ともに前記単結晶シリコン基板にケミカルエッチングを
行い、前記薄膜マスクパターンを塞ぐ保護膜を形成した
ことを特徴とする。
【００１５】本発明のインク流路板は、前記犠牲層を、
前記シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液により、
前記単結晶シリコン基板をエッチングする速度よりも速
い速度で選択的にエッチング可能な材料で構成したこと
を特徴としてもよい。
【００１６】本発明のインク流路板は、単結晶シリコン
基板にインクプールを形成したインク流路板であって、
前記単結晶シリコン基板に犠牲層となる層を形成し、前
記犠牲層の上に数μｍオーダ幅の開口を持つ薄膜マスク
パターンを形成し、前記犠牲層をエッチングにより除去
して前記薄膜マスクパターンと前記単結晶シリコン基板
との間に空洞を形成し、前記薄膜マスクパターンからシ
リコン結晶異方性ケミカルエッチング液を導入すること
により前記単結晶シリコン基板をエッチングし、前記薄
膜マスクパターンを塞ぐ保護膜を形成したことを特徴と
してもよい。
【００１７】本発明のインク流路板は、前記犠牲層を、
前記シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液にエッチ
ングされない材料であって、且つ、前記薄膜マスクパタ
ーンを形成する材料とは異なった材料で形成したことを
特徴としてもよい。
【００１８】本発明のインク流路板は、熱酸化法、ＣＶ
Ｄ法、スパッタリング法、めっき法の内いずれか１つま
たは複数の組み合わせにより前記保護膜を形成したこと
を特徴としてもよい。
【００１９】本発明のインクジェットプリントヘッド
は、請求項７〜１１のいずれか１項記載のインク流路板
を備えたことを特徴とする。
【００２０】本発明のインクジェットプリンタは、請求
項７〜１１のいずれか１項記載のインク流路板を備えた
ことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。インクジェットプリ
ンタでは、インクジェットプリントヘッドのノズルから
インクを吐出させて記録媒体に画像を形成する。圧電素
子を使用するインクジェットプリントヘッドでは、圧力
室にインクを供給するインクプールを有する。
【００２２】本実施の形態では、インクプールを形成す
る単結晶シリコン基板にインク吐出に携わるノズルも一
体形成し、ノズルを形成する側の面にインクプールを形
成する。この場合、インク吐出の安定を図る為に行うワ
イピングや周知のダンパ機能を持たせる必要性がある等
の理由により、インクプールはその開口面を物理的に蓋
をする構造とすることが必須となる。
【００２３】図１はインク流路板主要部の断面図であ
る。インク流路板１は、インクプール７を有し、インク
プール７の開口部３にシリコン酸化膜１０とシリコン窒
化膜１１とからなる薄膜マスクパターンを有し、さらに
薄膜マスクパターンに保護膜１２を有する。
【００２４】図２はインク流路板１の製造プロセスを示
す工程図である。第１の実施の形態を説明する。
【００２５】まず、＜１００＞単結晶シリコン基板２に
熱酸化膜層８を形成し、インクプールに相当する部分の
熱酸化膜層８のみをフォトリソグラフィ法により除去す
る（工程１）。
【００２６】次に、工程１で形成した熱酸化膜マスクパ
ターンを用いて、シリコン結晶異方性ケミカルエッチン
グにより、適当な深さまでエッチングし、エッチング溝
９を形成する（工程２）。
【００２７】次に、シリコン結晶異方性エッチングに用
いられるエッチング液に容易にエッチングされるような
材料、即ち犠牲層５をＣＶＤ法（chemical vapor depos
ition、化学的気相成長法）やスパッタリング法等によ
り、工程２で形成したエッチング溝９を埋め込むように
単結晶シリコン基板２全面に形成し、フォトリソグラフ
ィ法によりエッチング溝９以外の部分に形成された犠牲
層材料を除去する（工程３）。シリコン結晶異方性ケミ
カルエッチング液６に容易に或いは等方的にエッチング
される材料として、ポリシリコンや金属系材料（チタ
ン、アルミ等）、有機系材料（ポリイミド等）が選定可
能であり、後述する工程４において、どのような膜を、
どのような方法で形成するかによって選択する材料が異
なる。又、工程３では、リフトオフ法による犠牲層形成
・パターニングも可能である。
【００２８】次に、熱酸化或いは、ＣＶＤ法等によりシ
リコン酸化膜１０を形成し、更にシリコン窒化膜１１を
形成した後、フォトリソグラフィ法により、工程２で形
成したエッチング溝９及び工程３で形成した犠牲層５上
にシリコン酸化膜１０及びシリコン窒化膜１１の複合膜
による微細形状薄膜マスクパターン４を形成する（工程
４）。微細形状薄膜マスクパターン４は、図３に示すよ
うに数μｍオーダ幅の開口を持つ。
【００２９】次に、工程４で形成した微細形状薄膜マス
クパターン４をマスクとしてシリコン結晶異方性ケミカ
ルエッチングを行う。この際、従来の技術とは異なり、
微細形状薄膜マスクパターン４の下層に上記犠牲層５が
存在する為、工程２で形成したエッチング溝９部に形成
された犠牲層５が短時間でエッチングされ、微細形状薄
膜マスクパターン４とエッチング溝９間でシリコン結晶
異方性ケミカルエッチング液６の循環が相対的に良くな
り、エッチング溝９は更に深く、良好にエッチングが進
行するようになった（工程５）。
【００３０】所望の深さまで、或いはシリコン基板２を
貫通するレベルまで結晶異方性ケミカルエッチングを行
った後、微細形状薄膜マスクパターン４を形成したシリ
コン酸化膜１０及びシリコン窒化膜１１の複合膜上に、
めっき法によりめっき薄膜を形成するか、又は、熱酸化
膜を形成するか、或いは、ＣＶＤ法等の薄膜形成法によ
り薄膜を形成するか、これらの薄膜形成法を複数使用し
た方法により薄膜形成するか等の方法により、微細形状
薄膜マスクパターン４を物理的に塞ぐ為の保護膜１２を
形成する（工程６）。前述したように、薄膜マスクパタ
ーン４の開口が幅５μｍ程までは保護膜１２で塞ぐこと
ができる。
【００３１】以上、説明したように、インクプール部を
形成する部分のシリコン結晶異方性ケミカルエッチング
用のマスクとしての薄膜（シリコン酸化膜やシリコン窒
化膜）を微細形状のパターンとし、この微細形状の薄膜
層の下層に犠牲層となる層を設けることにより、シリコ
ン結晶異方性ケミカルエッチング液をエッチングする領
域に十分に循環させることが可能となり、インクプール
部のエッチング不良を改善することができ、且つ、シリ
コン結晶異方性ケミカルエッチング後の微細形状薄膜マ
スクパターンを熱酸化法及びＣＶＤ法、スパッタリング
法、めっき法、及びこれらの薄膜形成法を複数使用した
方法等により物理的に塞ぐことも可能となり、インク飛
翔安定性を高めた、形状精度の良いインク流路板を製造
することができるようになった。
【００３２】次に、第２の実施の形態について説明す
る。上記第１の実施の形態は、犠牲層５として、シリコ
ン結晶異方性ケミカルエッチング液６により容易にエッ
チングされる材料を選定する方法であるが、第２の実施
の形態は、例えばシリコン酸化膜等、シリコン結晶異方
性ケミカルエッチング液に容易にエッチングされない材
料を犠牲層として用い、図２の工程４と工程５の間で、
予め犠牲層５を弗酸等を利用してエッチング等により除
去しておいて、微細形状薄膜マスクパターン４とその下
の単結晶シリコン基板２の間にエッチング溝９領域を形
成することにより、単結晶シリコン基板２と微細形状薄
膜マスクパターン４から入り込むシリコン結晶異方性ケ
ミカルエッチング液６との接触をより効果的に行うこと
により、深く、良好なエッチングを行うという方法であ
る。勿論、この例では犠牲層５にシリコン酸化膜を選定
した為、その上の微細形状薄膜マスクパターン４を形成
する薄膜についてはシリコン酸化膜を利用できないの
で、別の材料にて、例えば既述したシリコン窒化膜で形
成することとなる。
【００３３】以上、記載したように、数μｍオーダの開
口をもつ微細形状薄膜マスクパターン下の単結晶シリコ
ンの結晶異方性ケミカルエッチングを良好に行う為に、
犠牲層を設けることが有効である。ここでは、実施形態
としてインクジェットヘッド用のインク流路への適用に
ついて述べたが、これに限るものではなく、数μｍオー
ダ幅の薄膜パターンが存在し、これを用いてシリコン結
晶異方性ケミカルエッチングを行う全ての場合におい
て、本工法が有効であることは明白である。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、下記の効果が得られ
る。
【００３５】第１の効果は、従来、数μｍオーダの微細
形状薄膜パターンをマスクとしてシリコン結晶異方性ケ
ミカルエッチングを行うと、微細形状薄膜パターンから
エッチング液が十分に入り込まない為、エッチング溝底
面は本来、＜１００＞結晶面が綺麗に出るはずのところ
が実際には凹凸が大きなエッチング不良を起こしていた
が、本発明の構成及び製造方法により、微細形状薄膜パ
ターンをマスクとして使用した場合においても良好な結
晶異方性ケミカルエッチングができるようになったこと
が挙げられる。
【００３６】第２の効果は、第１の効果で説明したよう
に、微細形状薄膜パターンでもシリコン結晶異方性ケミ
カルエッチングができるようになったことで、シリコン
結晶異方性ケミカルエッチングによるエッチング溝形成
後にその上面となる微細形状薄膜パターンを物理的に塞
ぐ方法が、適用できるようになったことであり、これに
よって、インクジェットプリントヘッドのインク流路板
の製造が可能となったことである。
【００３７】第３の効果は、数μｍオーダの微細形状薄
膜マスクパターンをマスクとしてシリコン結晶異方性ケ
ミカルエッチングを行う場合、特にＥＰＷを使用する場
合において顕著にエッチング不良が発生していたが、Ｅ
ＰＷの記述していない大きな利点の１つとして、シリコ
ン結晶異方性ケミカルエッチングを行うシリコン基板に
ボロン等ドープ（拡散）層が形成されていた場合に、Ｅ
ＰＷは概ドープ層をエッチングしない（ドープ層エッチ
ングレートが他のシリコン結晶異方性ケミカルエッチン
グ液に比べて極めて遅い）という点があり、このような
観点から、ドープ層が形成されたシリコン基板に対して
も、本工法を使用することが可能であるということであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】インク流路板主要部の断面図である。
【図２】インク流路板の製造工程図である。
【図３】微細形状薄膜マスクパターン図である。
【符号の説明】
１ インク流路板 ２ 単結晶シリコン基板 ３ 開口部 ４ 薄膜マスクパターン ５ 犠牲層 ６ シリコン結晶異方性ケミカルエッチング液 ７ インクプール ８ 熱酸化膜層 ９ エッチング溝 １０ シリコン酸化膜 １１ シリコン窒化膜 １２ 保護膜

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 単結晶シリコン基板に犠牲層となる層を
    形成する工程と、前記犠牲層の上に数μｍオーダ幅の開
    口を持つ薄膜マスクパターンを形成する工程と、シリコ
    ン結晶異方性ケミカルエッチング液にて前記犠牲層を除
    去して前記薄膜マスクパターンと前記単結晶シリコン基
    板との間に空洞を形成するとともに前記単結晶シリコン
    基板にケミカルエッチングを行う工程と、前記薄膜マス
    クパターンを塞ぐ保護膜を形成する工程とを有すること
    を特徴とするシリコン結晶異方性エッチング方法。
  2. 【請求項２】 前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方性
    ケミカルエッチング液により、前記単結晶シリコン基板
    をエッチングする速度よりも速い速度で選択的にエッチ
    ング可能な材料で構成することを特徴とする請求項１記
    載のシリコン結晶異方性エッチング方法。
  3. 【請求項３】 単結晶シリコン基板に犠牲層となる層を
    形成する工程と、前記犠牲層の上に数μｍオーダ幅の開
    口を持つ薄膜マスクパターンを形成する工程と、前記犠
    牲層をエッチングにより除去して前記薄膜マスクパター
    ンと前記単結晶シリコン基板との間に空洞を形成する工
    程と、前記薄膜マスクパターンからシリコン結晶異方性
    ケミカルエッチング液を導入することにより前記単結晶
    シリコン基板をエッチングする工程と、前記薄膜マスク
    パターンを塞ぐ保護膜を形成する工程とを有することを
    特徴とするシリコン結晶異方性エッチング方法。
  4. 【請求項４】 前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方性
    ケミカルエッチング液にエッチングされない材料であっ
    て、且つ、前記薄膜マスクパターンを形成する材料とは
    異なった材料で形成することを特徴とする請求項３記載
    のシリコン結晶異方性エッチング方法。
  5. 【請求項５】 熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング
    法、めっき法の内いずれか１つまたは複数の組み合わせ
    により前記保護膜を形成することを特徴とする請求項
    １、２、３または４記載のシリコン結晶異方性エッチン
    グ方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５の何れか１項に記載のシリ
    コン結晶異方性エッチング方法を用いてインクプールを
    形成することを特徴とするインク流路板製造方法。
  7. 【請求項７】 単結晶シリコン基板にインクプールを形
    成したインク流路板であって、前記単結晶シリコン基板
    に犠牲層となる層を形成し、前記犠牲層の上に数μｍオ
    ーダ幅の開口を持つ薄膜マスクパターンを形成し、シリ
    コン結晶異方性ケミカルエッチング液にて前記犠牲層を
    除去して前記薄膜マスクパターンと前記単結晶シリコン
    基板との間に空洞を形成するとともに前記単結晶シリコ
    ン基板にケミカルエッチングを行い、前記薄膜マスクパ
    ターンを塞ぐ保護膜を形成したことを特徴とするインク
    流路板。
  8. 【請求項８】 前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方性
    ケミカルエッチング液により、前記単結晶シリコン基板
    をエッチングする速度よりも速い速度で選択的にエッチ
    ング可能な材料で構成したことを特徴とする請求項７記
    載のインク流路板。
  9. 【請求項９】 単結晶シリコン基板にインクプールを形
    成したインク流路板であって、前記単結晶シリコン基板
    に犠牲層となる層を形成し、前記犠牲層の上に数μｍオ
    ーダ幅の開口を持つ薄膜マスクパターンを形成し、前記
    犠牲層をエッチングにより除去して前記薄膜マスクパタ
    ーンと前記単結晶シリコン基板との間に空洞を形成し、
    前記薄膜マスクパターンからシリコン結晶異方性ケミカ
    ルエッチング液を導入することにより前記単結晶シリコ
    ン基板をエッチングし、前記薄膜マスクパターンを塞ぐ
    保護膜を形成したことを特徴とするインク流路板。
  10. 【請求項１０】 前記犠牲層を、前記シリコン結晶異方
    性ケミカルエッチング液にエッチングされない材料であ
    って、且つ、前記薄膜マスクパターンを形成する材料と
    は異なった材料で形成したことを特徴とする請求項９記
    載のインク流路板。
  11. 【請求項１１】 熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング
    法、めっき法の内いずれか１つまたは複数の組み合わせ
    により前記保護膜を形成したことを特徴とする請求項
    ７、８、９または１０記載のインク流路板。
  12. 【請求項１２】 請求項７〜１１のいずれか１項記載の
    インク流路板を備えたことを特徴とするインクジェット
    プリントヘッド。
  13. 【請求項１３】 請求項７〜１１のいずれか１項記載の
    インク流路板を備えたことを特徴とするインクジェット
    プリンタ。
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