JP2604065B2 - ウェーハ内に開口部を形成する方法 - Google Patents

ウェーハ内に開口部を形成する方法

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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ウェーハの一部を部分的にエッチングし、
このウェーハの他の部分を完全にエッチングすることに
よってシリコン・ウェーハのサーマル・インク・ジェッ
ト・プリントヘッドを加工する方法に関する。さらに詳
しくは、本発明は、腐蝕性のマスク材料を使用してシリ
コン・ウェーハの一部に部分的に異方性のエッチングを
行う方法に関する。部分的エッチングの深さは、マスク
材料の腐蝕速度またはマスク材料の厚さのいずれかによ
って制御され、その結果、ウェーハの残りの部分のエッ
チングの終了した時点で所望の部分的エッチングの深さ
を得ることができる。
（従来技術） サーマル・インク・ジェット印刷は、要求によって小
滴を滴下するタイプのインク・ジェット・システムであ
り、通常は抵抗ヒータであるサーマル・エネルギー・ジ
ェネレータに電気パルスを選択的に与えることによっ
て、要求に応じてインクの小滴を放出するものであり、
このジェネレータはチャンネル・オリフィスすなわちノ
ズルから所定距離だけ上流にある毛管を充填した並列イ
ンク・チャンネル内に位置する。ノズルと反対側のチャ
ンネルの端部は、小型のインク貯槽と連通し、このイン
ク貯槽には大型の外部インク供給装置が接続されてい
る。プリントヘッドは、通常その上にヒータの位置する
ヒータ・プレートとチャンネル・プレートを有し、この
チャンネル・プレート内にはチャンネルが形成され、こ
れはインクをインク供給装置からレジスタ（resistor）
に供給してノズルから吐出させるインク経路として機能
する。
サーマル・インク・ジェット・プリントヘッドは、チ
ャンネル・プレートにチャンネルを形成する場合、方向
によって決まるエッチングの性質を利用する。シリコン
であることが望ましいウェーハは、「100」面とシリコ
ンの場合100面に対して54.7゜の角度の内部「111」面に
実質的に存在するその主要面を有している。100面に対
して横方向すなわち平行に作用するよりもより以上に10
0面に対して直角に作用する異方性エッチング液を使用
することによって、開口部はシリコン・ウェーハ内に形
成される。従って、エッチング液は111面ではあまり作
用せず、これによって逆ピラミッド型の開口部をウェー
ハに残す。この開口部の位置は、エッチングを行うウェ
ーハの表面にエッチング・マスクを載置し、次にこれを
介してエッチング液が100面を腐蝕するマスク材料にバ
イアを開口することによって決定される。もし終わりま
でエッチングを行えば（すなわち、露出した100面が全
て除去されれば）、この開口部の深さは、一般的にバイ
アスのサイズとウェーハの厚さの関数である。例えば、
もしエッチング・マスクＭのバイアの開口部Ｖが、厚さ
が20ミルのシリコン・ウェーハの反対側CSに丁度届く貫
通孔Ｈを形成するように設計されていれば（第6B図参
照）、これは、実際には厚さが20ミルのウェーハW2に幅
1.4ミルの開口部Ｏを形成し（第6A図）、厚さが21ミル
のウェーハW3には全く開口部を形成しない（第6C図参
照）。バイアの開口部Ｖのサイズを小さくすると、また
キャビティの深さにも影響を及ぼすが、その理由は、バ
イアのサイズによって腐蝕を受ける100面の面積が決ま
るからである。特に、深さは下記の公式によって定義さ
れる。すなわち、開口部の深さは、最小のバイアの開口
部寸法と54.7％の正接との積の1/2に等しい（シリコン
・ウェーハの場合）。
この技術によって、小さな許容寸法誤差でシリコン・
ウェーハに構造的パターンをエッチングすることが可能
になる。パターンは、貫通孔の技術（例えば、ウェーハ
に貫通孔を作る第6A図および第6B図）、Ｖ字型溝の終了
部（例えば、所定の深さのＶ字型溝の凹部を作る第6C図
および第6D図）、またはこれ等の両者の組み合わせによ
って形成される。しかし、時には、ウェーハ内で同時に
終了する深さの異なった大きなエッチング領域を作るこ
とが有用であり、上述の技術はこのニーズを容易に満足
することはできない。例えば、もし20ミルのシリコン・
ウェーハが深さ約46ないし47ミクロン、幅約65ミクロン
の貫通開口部とＶ字型溝のチャンネルを有するようにパ
ターン化されれば、エッチング液（例えば、95℃で30％
のKOH）がこの貫通孔を形成するには約４時間を要する
が、このＶ字型溝を形成するには実質的により短い時間
しかかからない。エッチング動作のステップが１回の場
合、貫通開口部が完成するまでウェーハはエッチング液
内に止どまり、したがってＶ字型溝のエッチングが終了
した後でも、このＶ字型溝は引き続いてエッチング液に
さらされる。ウェーハがエッチング液に残る時間が長い
ほど、エッチング液が腐蝕することのできる結晶欠陥を
Ｖ字型溝内に見出だす可能性が高くなり、したがって所
望の65ミクロンのチャンネル幅に影響を及ぼす。
本発明の目的は、１回のエッチングのステップでウェ
ーハ内に深さの異なる開口部をエッチングする方法を提
供することによって上述の欠点を解消することであり、
その結果、ウェーハ内の開口部は保母同時に所望のエッ
チング深さを達成し、これによってより浅い開口部がエ
ッチング液にさらされる時間の長さを削減する。
この目的とその他の目的および利点は本発明の方法に
よって達成され、この方法は、腐蝕可能なマスク材料を
使用してウェーハの一部を部分的に異方的にエッチング
する。部分的エッチングの深さは、マスク材料の腐蝕速
度および（または）マスク材料の厚さのいずれかを制御
することによって制御され、その結果、ウェーハの残り
の部分のエッチングが終了するのと同時に所望の部分エ
ッチングの深さが得られる。
（実施例） 下記の図面を参照して本発明を説明するが、ここで同
一の参照番号は同一の部品を示す。
本発明はシリコン・ウェーハについて説明するが、本
発明は方向によって決まるエッチングを行うことのでき
るいずれの種類のウェーハまたは基板に対しても適用す
ることができる。本発明は、またウェーハ内にテラス
（すなわち、傾斜した側壁を有するウェーハの開口部）
を設けることについて説明するが、本発明はＶ字型溝ま
たは貫通孔を有するいずれのエッチングされた開口部に
も適用することができる。さらに、本発明は、1989年２
月２日に出願された米国特許出願番号第07/305,041号お
よび米国特許番号第RE32,527号に開示され、この開示が
参考としてここに含まれているプリントヘッドの組み立
てに関連して説明するが、本発明は、深さの変化する開
口部を有するウェーハを使用したいずれの種類のプリン
トヘッドにも適用することができる。
本発明は、テラス12、Ｖ字型溝14、および貫通孔16を
形成する工程を示す第１図ないし第４図を参照して、説
明する。第１図では、腐蝕性の第１マスク層18がテラス
12の所望の位置に載置されているが、これは、この第１
マスク層18をウェーハ10の上部表面を覆うように載置
し、次に腐蝕可能マスク材料をパターン化して所望の位
置にこの腐蝕性の第１マスク層18を残すことによって行
われることが望ましい。次に非腐蝕性の第２マスク層22
をウェーハ10上の載置してウェーハ10と腐蝕性の第１マ
スク層18を覆う。次に、この非腐蝕性の第２マスク材料
をパターン化して所望のバイアを形成し、このバイアの
少なくとも１つは第１マスク層18を露出させる。第１図
では、非腐蝕性の第２マスク層22が３つのバイアを有す
るようにパターン化される。すなわち、これらのバイア
は、テラス12用の１バイア12V、Ｖ字型溝14用の第２バ
イア、および貫通孔16用の第３バイア16Vである。留意
するべきことは、非腐蝕性の第２マスク層22は、腐蝕性
の第１マスク層18の端部と若干重なる可能性があること
である。さらに、留意すべきことは、非腐蝕性の第２マ
スク層22を載置してから、腐蝕性の第１マスク層18を載
置してもよいことである。
次に、ウェーハ10をエッチング液に浸漬する。エッチ
ングは１回のステップの工程であることが望ましく、こ
こでウェーハは最も深い開口部（例えば、貫通孔16）を
形成するのに十分な所定の時間だけエッチング液に浸漬
される。20ミルの厚さのウェーハに貫通孔をエッチング
するには、この所定の時間は、95℃で30％のKOHを使用
した場合、約４時間である。この所定時間は、エッチン
グ液の種類、エッチング液の温度およびエッチング液の
濃度によって変化する。
第２図は、所定の時間より短い、例えば、４時間の工
程の場合に１〜２時間経過した（エッチング液の種類、
温度および濃度にもよるが）エッチング工程を示す。ウ
ェーハはＶ字型溝14および貫通孔16用の第２および第３
バイア14V、16Vでそれぞれエッチングを終了している
が、第１バイア12Vを通ってこのウェーハはまだ腐蝕さ
れていない。何故ならば、エッチング液はまだ腐蝕性の
第１マスク層18を通ってエッチングを行っていないから
である。しかし、第２図は、腐蝕性の第１マスク層18の
厚さがこの第１マスク層18の腐蝕によって薄くなってい
ることを示している。
第３図は、もう少し時間の経過した、例えば、４時間
の工程の場合に約３時間経過した（エッチング液の種
類、温度および濃度にもよるが）エッチング工程を示
す。第３図では、Ｖ字型溝14のエッチングは終了してい
るが、貫通孔16のエッチングは継続している。たとえＶ
字型溝14のエッチングが終了しても（上で論じた公式に
よる深さまで）、このＶ字型溝14は、残りのエッチング
工程の期間中引き続いてエッチング液にさらされる（す
なわち、エッチング液の種類、温度および濃度によっ
て、約１時間の間）。このように引き続いてさらされる
ことによって、エッチング液が腐蝕する可能性のあるＶ
字型溝内の結晶欠陥がこのエッチング液によって表面化
される危険性が増し、従って、Ｖ字型溝の所望の幅に影
響が及ぶ。第３図は、またエッチング液によって第１マ
スク層18のエッチングが終了し、このエッチング液はウ
ェーハを腐蝕してテラス12を形成することができること
を示す。しかし、ウェーハをエッチングすることによる
テラスの形成は、腐蝕性のマスク層18の存在によって、
約３時間遅れている。従って、テラスのエッチングは貫
通孔16のエッチングを完了するのに必要な長さのみ継続
されるため、このテラス12はエッチング液に過剰にさら
されることがない。
第４図は、エッチング液の工程の完了したウェーハ、
例えば、所定の４時間が終了したウェーハを示し、この
時点でウェーハはエッチング液に対する露出から除去さ
れる。第４図では、エッチング液は完全にウェーハを通
過してウェーハを行って、貫通孔16を形成している。し
かし、テラス12の深さと幅は制限されているが、その理
由は、テラスがエッチング液にさらされる時間はより短
くなって、エッチング液がテラスの結晶欠陥を表面化す
る危険を小さくしているからである。留意するべきこと
は、もしテラスがエッチング液にさらされたままだとす
ると、テラス12のエッチングはなお継続していたことに
なる。従って、エッチング液にさらす時間を制御するこ
とによって、テラスの深さを制御することができる。し
かし、本発明によって、必要以上に長くテラスをエッチ
ング液にさらすことなく、一方では貫通孔の完了を待ち
ながら、１回のエッチング作業でテラス12、Ｖ字型溝14
および貫通孔16の所望の深さを得ることが可能になる。
第１図ないし第４図の概念は、Ｖ字型溝14にもまた適
用することが可能である。すなわち、Ｖ字型溝14をエッ
チングする前に先ずエッチング液が第１マスク層を腐蝕
しなければならないように、第１マスク層18をバイア14
V上に載置することができる。従って、Ｖ字型溝のエッ
チングを終了するタイミングを貫通孔のエッチングの終
了とほぼ同じになるように制御することがで、その結
果、Ｖ字型溝14は貫通孔のエッチングに必要な時間ずっ
とエッチング液にさらされないですむ。
従って、本発明は、ウェーハに対して部分的にエッチ
ングを行ったシリコン・ウェーハ上の大きな領域を作る
と同時に、ウェーハの他の部分をエッチングによって完
全に貫通する方法を提供する。部分的にエッチングによ
って孔を設けるこ領域にシリコン・エッチング液の中で
遅い速度で腐蝕する材料のマスクを使用することによっ
て、これを達成することができる。テラス構造の深さ
は、マスクの腐蝕速度、マスク材料の厚さ、または両者
の組み合わせと併せてバイアのサイズ（上で論じた公
式）によって制御することができる。二酸化シリコンは
腐蝕可能なマスクの最も適した例であり、30％KOH℃の
場合、熱酸化物で約１μm/時間、LOTOX、４％PSGで8.4
μm/時間のエッチング速度を有する。非常に深いテラス
の場合、LOTOXのマスク材料が適しているが、テラスが
浅い場合には、熱酸化物が適している。EDPがエッチン
グ液である場合にエッチング停止層として多量の不純物
を添加した層を利用するODE構造の場合、窒化マスク層
を使用することができるが、その理由は、窒化物は60μ
m/時間の速度でエッチングを行い、窒化物の非常に薄い
層は非常に有効なエッチング抵抗層として知られている
からである。
本発明は、エッチングを行ったチャンネル・プレート
31（1989年２月３日に出願された米国特許出願第07/30
5,041号に開示され、その開示がここに参考として含ま
れているが、第５図に概略的に示すダイス線13のよう
な）を有するサーマル・インク・ジェット・プリントヘ
ッドに適用することができる。このチャンネル・プレー
ト31は他のものと共に、複数のエッチングで貫通された
供給孔24、端部供給孔24に隣接する浅いＶ字型溝の貯槽
42、および複数のインク・チャンネル凹部20を有する。
チャンネル凹部20の一端はダイス線13に沿ってさいの目
に切断されてノズルを形成し、他端は供給孔24とＶ字型
溝の貯槽42に連通する。第５図は、貫通孔24のエッチン
グ完了前のチャンネル・プレート31を示し、これは111
面の側壁24Sと100面の床すなわち底部24Bを有する。
チャンネル凹部20の最適なチャンネル凹部のサイズは
通常深さが46ないし47ミクロン、直径が約65ミクロンで
ある。１回のエッチング動作の場合、チャンネル凹部20
のエッチングは供給孔24のエッチングの終了時間の十分
前に終了する。従って、チャンネル凹部20は供給孔のエ
ッチングを待っている間にエッチング液にさらされ、エ
ッチング液が腐蝕することのできる凹部20内の結晶欠陥
をエッチング液が表面化させる危険が大きくなり、その
結果、凹部の幅が潜在的に変化する。この潜在的な欠点
をなくすため、第１図ないし第４図を参照して説明した
のと同じ方法で、腐蝕性の第１マスク層18をチャンネル
凹部20の位置に載置してパターン化し、次に非腐蝕性の
第２マスク層22を載置してパターン化して腐蝕性の第１
マスク層と供給孔24と浅い凹部42用のバイアを露出させ
ることができる。腐蝕性のマスク材料、バイアのサイ
ズ、およびエッチング液の露出時間にもよるが、腐蝕可
能マスク層の腐蝕速度および（または）腐蝕可能マスク
層の厚さを制御することによって、チャンネル凹部の深
さを制御することができる。さらに、腐蝕速度および
（または）腐蝕可能マスク層の厚さを制御することによ
って、チャンネル凹部20のエッチング終了時間を制御す
ることができ、その結果、供給孔24のエッチング完了時
点で、所望のチャンネル深さを得ることができる。第５
図は、第３図に相当する時点でのチャンネル・プレート
31のエッチングを示し、ここでＶ字型溝42のエッチング
は終了し、供給孔24のエッチングは継続し、エッチング
液が腐蝕性のマスク層を除去しているのでチャンネル凹
部20のエッチングが始まったばかりである。
好適な実施例を参照して本発明を説明したが、これら
の実施例は図示を意図するするものであって、限定を意
図するものではない。添付の特許請求の範囲で規定する
本発明の精神と範囲から逸脱することなく、種々の変更
と変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第４図は、本発明によるエッチング工程の
種々のステップにおけるシリコン・ウェーハの概略側面
図である。 第５図は、エッチング工程完了前のチャンネル・プレー
トの拡大概略図である。 第6A図ないし第6D図は、エッチングを行ったシリコン・
ウェーハの概略側面図である。 10……シリコン・ウェーハ 12……テラス 14……Ｖ字型溝 16……貫通孔 18……腐蝕性の第１マスク層 22……非腐蝕性の第２マスク層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ウェーハ内に開口部を形成する方法におい
    て、この方法が： 上記ウェーハの表面に腐蝕性の第１マスク層を設けるス
    テップ； 上記腐蝕性の第１マスク層をパターン化して上記開口部
    の所望の位置に腐蝕性の第１マスク層を形成するステッ
    プ； 上記腐蝕性の第１マスク層及び露出した上記ウェーハ表
    面の上に第２マスク層を設けるステップ； 上記第２マスク層をパターン化して上記腐蝕性の第１マ
    スク層及び上記ウェハー表面の所望の部分を露出させる
    ステップ；および これらの露出した上記腐蝕性の第１マスク層及び上記ウ
    ェーハ表面の所望の部分から上記ウェーハ内に異方性エ
    ッチングを行い、上記開口部を所定の深さに形成するス
    テップ； を有することを特徴とする方法。
JP2325152A 1989-12-27 1990-11-27 ウェーハ内に開口部を形成する方法 Expired - Lifetime JP2604065B2 (ja)

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US07/458,182 US4957592A (en) 1989-12-27 1989-12-27 Method of using erodable masks to produce partially etched structures in ODE wafer structures

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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH682528A5 (fr) * 1990-03-16 1993-09-30 Westonbridge Int Ltd Procédé de réalisation par attaque chimique d'au moins une cavité dans un substrat et substrat obtenu par ce procédé.
US5096535A (en) * 1990-12-21 1992-03-17 Xerox Corporation Process for manufacturing segmented channel structures
EP0518467B1 (en) * 1991-04-20 1999-10-27 Canon Kabushiki Kaisha Substrate for recording head, recording head and method for producing same
US5550088A (en) * 1993-06-02 1996-08-27 Lucent Technologies Inc. Fabrication process for a self-aligned optical subassembly
US5711891A (en) * 1995-09-20 1998-01-27 Lucent Technologies Inc. Wafer processing using thermal nitride etch mask
US5738757A (en) * 1995-11-22 1998-04-14 Northrop Grumman Corporation Planar masking for multi-depth silicon etching
US5901425A (en) 1996-08-27 1999-05-11 Topaz Technologies Inc. Inkjet print head apparatus
KR100514711B1 (ko) * 1997-05-14 2005-09-15 세이코 엡슨 가부시키가이샤 분사 장치의 노즐 형성 방법 및 잉크 젯 헤드의 제조 방법
US6146973A (en) * 1997-12-12 2000-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. High density isolation using an implant as a polish stop
DE19803186C1 (de) * 1998-01-28 1999-06-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung strukturierter Wafer
US6265757B1 (en) 1999-11-09 2001-07-24 Agere Systems Guardian Corp. Forming attached features on a semiconductor substrate
US6811853B1 (en) 2000-03-06 2004-11-02 Shipley Company, L.L.C. Single mask lithographic process for patterning multiple types of surface features
US6627096B2 (en) 2000-05-02 2003-09-30 Shipley Company, L.L.C. Single mask technique for making positive and negative micromachined features on a substrate
US6483962B1 (en) 2000-05-24 2002-11-19 Vlad J. Novotny Optical cross connect switching array system with optical feedback
US6905614B1 (en) * 2000-05-24 2005-06-14 Active Optical Networks, Inc. Pattern-transfer process for forming micro-electro-mechanical structures
US6907150B2 (en) * 2001-02-07 2005-06-14 Shipley Company, L.L.C. Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
US20030021572A1 (en) * 2001-02-07 2003-01-30 Steinberg Dan A. V-groove with tapered depth and method for making
US6885786B2 (en) * 2001-02-07 2005-04-26 Shipley Company, L.L.C. Combined wet and dry etching process for micromachining of crystalline materials
US6964804B2 (en) * 2001-02-14 2005-11-15 Shipley Company, L.L.C. Micromachined structures made by combined wet and dry etching
TW480621B (en) 2001-03-02 2002-03-21 Acer Comm & Multimedia Inc Method for producing high density chip
US20020195417A1 (en) * 2001-04-20 2002-12-26 Steinberg Dan A. Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures
US6700388B1 (en) 2002-02-19 2004-03-02 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Methods and apparatus for detecting electromagnetic interference
DE10301291B3 (de) * 2003-01-15 2004-08-26 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Einbringen von eine unterschiedliche Dimensionierung aufweisenden Strukturen in ein Substrat
EP1479648A3 (en) 2003-05-23 2005-10-19 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby
US7560039B2 (en) * 2004-09-10 2009-07-14 Lexmark International, Inc. Methods of deep reactive ion etching
US7279110B2 (en) * 2004-12-27 2007-10-09 Asml Holding N.V. Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
WO2007009873A2 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Nv Bekaert Sa A roll of preformed steel cord reinforced strip
JP5028112B2 (ja) * 2006-03-07 2012-09-19 キヤノン株式会社 インクジェットヘッド用基板の製造方法およびインクジェットヘッド
US7824560B2 (en) 2006-03-07 2010-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for ink jet recording head chip, and manufacturing method for ink jet recording head
NL1034489C2 (nl) * 2007-10-09 2009-04-14 Micronit Microfluidics Bv Werkwijzen voor het vervaardigen van een microstructuur.
US8132775B2 (en) 2008-04-29 2012-03-13 International Business Machines Corporation Solder mold plates used in packaging process and method of manufacturing solder mold plates
CN103578965B (zh) * 2012-07-31 2016-08-03 无锡华润上华半导体有限公司 两种腐蚀深度的一次成形方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US32572A (en) * 1861-06-18 Safety-guard for steam-boilers
GB1407861A (en) * 1972-12-20 1975-09-24 Western Electric Co Fabrication of semiconductor devices
US4040891A (en) * 1976-06-30 1977-08-09 Ibm Corporation Etching process utilizing the same positive photoresist layer for two etching steps
JPS57182449A (en) * 1981-05-07 1982-11-10 Fuji Xerox Co Ltd Forming method of ink jet multinozzle
JPS6154954A (ja) * 1984-08-28 1986-03-19 Alps Electric Co Ltd サ−マルヘツド及びその製造方法
US4810557A (en) * 1988-03-03 1989-03-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising a tandem groove, and article produced by the method
US4863560A (en) * 1988-08-22 1989-09-05 Xerox Corp Fabrication of silicon structures by single side, multiple step etching process
US4875968A (en) * 1989-02-02 1989-10-24 Xerox Corporation Method of fabricating ink jet printheads
US4899178A (en) * 1989-02-02 1990-02-06 Xerox Corporation Thermal ink jet printhead with internally fed ink reservoir

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