JPS6358836A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6358836A JPS6358836A JP20124686A JP20124686A JPS6358836A JP S6358836 A JPS6358836 A JP S6358836A JP 20124686 A JP20124686 A JP 20124686A JP 20124686 A JP20124686 A JP 20124686A JP S6358836 A JPS6358836 A JP S6358836A
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板主面に被着又は酸化等により形成
された被食刻物を選択食刻する半導体装置の製造方法に
関するもので、特に多層酸化膜等の？１！食刻物にパタ
ーンを形成するとき、簡便な）！漬方法として利用され
ろものである。
された被食刻物を選択食刻する半導体装置の製造方法に
関するもので、特に多層酸化膜等の？１！食刻物にパタ
ーンを形成するとき、簡便な）！漬方法として利用され
ろものである。
（従来の技術）
半導体基板の主面に形成された被食刻物に選択食刻を施
す従来の技術について、例えばブレーナ形ＮＰＮｔ−ラ
ンジスタ基板上の多層酸化膜を被食刻物とし、電極用コ
ンタクトホールを選択食刻する場合を一例として、第２
図又は第３図を参照して以下説明する。
す従来の技術について、例えばブレーナ形ＮＰＮｔ−ラ
ンジスタ基板上の多層酸化膜を被食刻物とし、電極用コ
ンタクトホールを選択食刻する場合を一例として、第２
図又は第３図を参照して以下説明する。
第２図は、シリコン基板１上に形成された多層酸化膜、
？−にウェットエツチング方式により電極コンタクトホ
ールを選択食刻する従来の￥Ａ造工稈を示寸断面図であ
る。 被食刻物、？−は基板主面より順にＢＳＧ （ボ
ロンシリケートガラＩＮ！１２ａ。
？−にウェットエツチング方式により電極コンタクトホ
ールを選択食刻する従来の￥Ａ造工稈を示寸断面図であ
る。 被食刻物、？−は基板主面より順にＢＳＧ （ボ
ロンシリケートガラＩＮ！１２ａ。
５ｉ０２膜２ｂ １ＰＳＧ （リンシリケーＩ−ガラス
）膜２Ｃ及びＳｉＯ，！！φ２ｄから成る多層酸化膜２
である。 まずネガ形感光性樹脂を用い、第２図（ａ）
に示すように、レジストパターン３を形成する。 次に
ＨＦ−ＮＨ，Ｆ系エツチング液によるウェットエツチン
グ方式により被食刻物−？−の）１択食刻を行う。 被
食刻物ｌが多層酸化膜の場合、１回のエツチング工程で
穴あけを行うとサイドニッチングが大きくなるので、第
１回目と第２回目の２回に分けてエツチングを施し、所
望の選択食刻を行っている。 即ら第２図（ｂ）に示す
ように、第１回目は多層酸化膜厚の約半分程度をエツチ
ング除去する。 次に第１回目とほぼ同様の方法により
第２回目の選択食刻を行う。 即ち第２図（Ｃ）に示す
ように、新しくレジストパターン４を形成し、第２図（
ｄ ’）に示すように多層酸化膜の残部をエツチング除
去し電極コンタクトホール５を完成する。
）膜２Ｃ及びＳｉＯ，！！φ２ｄから成る多層酸化膜２
である。 まずネガ形感光性樹脂を用い、第２図（ａ）
に示すように、レジストパターン３を形成する。 次に
ＨＦ−ＮＨ，Ｆ系エツチング液によるウェットエツチン
グ方式により被食刻物−？−の）１択食刻を行う。 被
食刻物ｌが多層酸化膜の場合、１回のエツチング工程で
穴あけを行うとサイドニッチングが大きくなるので、第
１回目と第２回目の２回に分けてエツチングを施し、所
望の選択食刻を行っている。 即ら第２図（ｂ）に示す
ように、第１回目は多層酸化膜厚の約半分程度をエツチ
ング除去する。 次に第１回目とほぼ同様の方法により
第２回目の選択食刻を行う。 即ち第２図（Ｃ）に示す
ように、新しくレジストパターン４を形成し、第２図（
ｄ ’）に示すように多層酸化膜の残部をエツチング除
去し電極コンタクトホール５を完成する。
上記ＨＦ−Ｎ）−１，Ｆ系エツチング液によるウェット
エツチング方式では、被食刻物が多層酸化膜等の場合、
２回のパターン形成工程を必要とすることが問題である
。
エツチング方式では、被食刻物が多層酸化膜等の場合、
２回のパターン形成工程を必要とすることが問題である
。
第３図は、多層酸化膜、？−に反応性イオンエツチング
方式により、電極コンタクトホールを選択食刻する従来
の製造工程を示１断面図である。 まずポジ形感光性樹
脂を用い、第３図（ａ ）に示すようにレジストパター
ン６を形成する。 次に、例えばエツチングガスにフレ
オンと水素とを用い、反応性イオンエツチング方式によ
り、第３図（ｂ）に示すように電極コンタクトホールア
を形成する。
方式により、電極コンタクトホールを選択食刻する従来
の製造工程を示１断面図である。 まずポジ形感光性樹
脂を用い、第３図（ａ ）に示すようにレジストパター
ン６を形成する。 次に、例えばエツチングガスにフレ
オンと水素とを用い、反応性イオンエツチング方式によ
り、第３図（ｂ）に示すように電極コンタクトホールア
を形成する。
反応性イオンエツチング装置として徳田製作所の商品名
ＴＲＩ Ｅ−３０３を用いた場合、エツチング時間が５
時間／３０枚と長く、耐ドライエツチング性のポジ形感
光性樹脂が必要である。 又この方式では垂直に入射し
てくるイオンの衝撃により異方性エツチングが施される
ので電極コンタクトホール７の側壁は基板面にほぼ垂直
となる。
ＴＲＩ Ｅ−３０３を用いた場合、エツチング時間が５
時間／３０枚と長く、耐ドライエツチング性のポジ形感
光性樹脂が必要である。 又この方式では垂直に入射し
てくるイオンの衝撃により異方性エツチングが施される
ので電極コンタクトホール７の側壁は基板面にほぼ垂直
となる。
（発明が解決しようとする問題点）
半導体基板主面上に形成された被食刻物が、閏えば多１
１Ｑ化膜等の場合には、従来のウェットエツチング方式
では、サイドエツチングを抑１ｉ１１するため、パター
ン形成を２回に分けて行う必要がある。 これは工程日
数がかかり、又第１回目のパターン形成と第２回目のパ
ターン形成のずれが生じ、安定した選択食刻が行われな
いという問題点がある。
１Ｑ化膜等の場合には、従来のウェットエツチング方式
では、サイドエツチングを抑１ｉ１１するため、パター
ン形成を２回に分けて行う必要がある。 これは工程日
数がかかり、又第１回目のパターン形成と第２回目のパ
ターン形成のずれが生じ、安定した選択食刻が行われな
いという問題点がある。
又ウェットエツチング方式に代えて反応性イオンエツチ
ング方式を用いた場合には、サイドエツチングは僅少で
１回の工程により選択食刻は可能であるが、エツチング
時間が長くなる。 このため耐ドライエツチング性の良
いポジ形感光性樹脂が必要となり、ネガ形に比しプロセ
ス許容範囲が狭くなる。 又被食刻物に形成されたパタ
ーン側面は基板面にほぼ垂直で、被食刻物上に形成する
Ａ１配線に段切れの可能性がある。
ング方式を用いた場合には、サイドエツチングは僅少で
１回の工程により選択食刻は可能であるが、エツチング
時間が長くなる。 このため耐ドライエツチング性の良
いポジ形感光性樹脂が必要となり、ネガ形に比しプロセ
ス許容範囲が狭くなる。 又被食刻物に形成されたパタ
ーン側面は基板面にほぼ垂直で、被食刻物上に形成する
Ａ１配線に段切れの可能性がある。
本発明は、上記の問題点を解決し、１回のパターン形成
工程で、所要エツチング時間も短く、プロセス許容範囲
の広いネガ形感光性樹脂を使用して、簡便にパターン形
成ができると共に、Ａ１配線の段切れを防止し、安定し
たパターン形成が可能な半導体装はの製造方法を提供す
ることを目的とする。
工程で、所要エツチング時間も短く、プロセス許容範囲
の広いネガ形感光性樹脂を使用して、簡便にパターン形
成ができると共に、Ａ１配線の段切れを防止し、安定し
たパターン形成が可能な半導体装はの製造方法を提供す
ることを目的とする。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段と作用）本発明による製
造方法は、半導体基板主面に被着又は酸化等により形成
された被食刻物を、ウェットエツチング方式と反応性イ
オンエツチング方式を組み合わせて選択食刻を行う方法
である。
造方法は、半導体基板主面に被着又は酸化等により形成
された被食刻物を、ウェットエツチング方式と反応性イ
オンエツチング方式を組み合わせて選択食刻を行う方法
である。
まずポジ形よりプロセス許容範囲の広いネガ形感光性樹
脂を用いて被食刻物上にレジストパターンを形成する。
脂を用いて被食刻物上にレジストパターンを形成する。
その後このパターンを保１７４Ｆ２とし、所定のエツ
チング液（例えば、被食刻物が多ｇＭ化税の場合には、
弗酸−弗化アンモニウム系のエツチング液）を使用して
等方性エツチングを施し、△１の段切れ防止、エツチン
グ時間の短縮及び適正なサイドエツチング等の条件を勘
案して、所定時間エツチングし、被食刻物の不必要部分
の一部を除去し、続いて前記レジストパターンをブロッ
ク映とし、反応性イオンエツチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉ ｏｎ Ｅ ｔｃｈｉｎｏ −ＲＩ Ｅ ）方式に
より異方性のエツチングを施し、被食刻物の不必要部分
の残部を除去する。
チング液（例えば、被食刻物が多ｇＭ化税の場合には、
弗酸−弗化アンモニウム系のエツチング液）を使用して
等方性エツチングを施し、△１の段切れ防止、エツチン
グ時間の短縮及び適正なサイドエツチング等の条件を勘
案して、所定時間エツチングし、被食刻物の不必要部分
の一部を除去し、続いて前記レジストパターンをブロッ
ク映とし、反応性イオンエツチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ
Ｉ ｏｎ Ｅ ｔｃｈｉｎｏ −ＲＩ Ｅ ）方式に
より異方性のエツチングを施し、被食刻物の不必要部分
の残部を除去する。
（実施例）
ＮＰＮ型ブレーナトランジスタの電極穴あけ工程を実施
例として、本発明の製造方法について第１図を前照して
以下説明する。
例として、本発明の製造方法について第１図を前照して
以下説明する。
第１図（ａ）において被食刻物２は、半導体基板１の主
面上に形成されたＢＳＧ （ボロンシリケ−トガラス）
膜２ａ、５ｉ０２膜２ｂ、ＰＳＧ（リンシリケートガラ
ス）膜２Ｃ及び５ｉ０２ｐＡ２ｄから成る多層酸化膜２
−である。 まず被食刻物の表面に、ネガ形の感光性樹
脂、例えば東京応化工業の商品名０ＭＲ８３、粘度６０
ｃｐを回転数４０００ｒ、ｐ、ｍの条件でスピンナによ
り塗布する。
面上に形成されたＢＳＧ （ボロンシリケ−トガラス）
膜２ａ、５ｉ０２膜２ｂ、ＰＳＧ（リンシリケートガラ
ス）膜２Ｃ及び５ｉ０２ｐＡ２ｄから成る多層酸化膜２
−である。 まず被食刻物の表面に、ネガ形の感光性樹
脂、例えば東京応化工業の商品名０ＭＲ８３、粘度６０
ｃｐを回転数４０００ｒ、ｐ、ｍの条件でスピンナによ
り塗布する。
次に通常の光露光方式例えばキャノン製の商品名ＰＬＡ
−５０１ＦＡを用いて感光性樹脂のレジストパターン１
３を形成する。
−５０１ＦＡを用いて感光性樹脂のレジストパターン１
３を形成する。
次に第２図（ｂ）に承りように、レジストパターン１３
を保護膜としてＨＦ−ＮＨ，Ｆ系のエツチング液を用い
て被食刻物、？−を約半分程度エツチング除去する。
このウェット方式の等方性エツチングにより開口部の側
面はテーパー構造となり、Ａ１配線の段切れ防止に有効
である。
を保護膜としてＨＦ−ＮＨ，Ｆ系のエツチング液を用い
て被食刻物、？−を約半分程度エツチング除去する。
このウェット方式の等方性エツチングにより開口部の側
面はテーパー構造となり、Ａ１配線の段切れ防止に有効
である。
次に第２図（Ｃ）に示すように、レジストパターン１３
をブロック膜とし、ＣＦ、＋Ｈ２系ガスを用いる反応性
イオンエツチャー例えば徳山製作所の商品名ＴＲＩＥ−
３０３を用いて、被食刻物、？−の不必要部分の残部を
エツチング除去する。
をブロック膜とし、ＣＦ、＋Ｈ２系ガスを用いる反応性
イオンエツチャー例えば徳山製作所の商品名ＴＲＩＥ−
３０３を用いて、被食刻物、？−の不必要部分の残部を
エツチング除去する。
次に第２図（（１）に示すように、感光性物質はプラズ
マアッシャ一方式又は強酸、有機溶剤を用いて除去し、
電極コンタクトホール１５が得られる。
マアッシャ一方式又は強酸、有機溶剤を用いて除去し、
電極コンタクトホール１５が得られる。
従来のＨＦ−ＮＨ，Ｆ系のエツチング液を用いた多層酸
化膜の選択食刻の場合、Ｐ Ｅ Ｐ （Ｐｈｏｔ。
化膜の選択食刻の場合、Ｐ Ｅ Ｐ （Ｐｈｏｔ。
Ｅ ｎ ｇｒａｖｉｎｇ Ｐ ｒｏｃｅｓｓ）が １
回ではサイドエツチングが激しく、２回に分けて行って
いるが、前記実施例では１回でよい。 又従来の反応性
イオンエツチングのみを用いた場合に比べ、エツチング
時間が約１／３に減少する。 反応性イオンエツチング
時間の短縮により、ポジ形感光性樹脂よりも耐ドライエ
ツチング性に劣るが、プロセス許容範囲の広いネガ形感
光性樹脂を用いることが可能となった。 これ等により
、本発明の方法は従来の方法に比べより簡便にパターン
形成が可能となった。
回ではサイドエツチングが激しく、２回に分けて行って
いるが、前記実施例では１回でよい。 又従来の反応性
イオンエツチングのみを用いた場合に比べ、エツチング
時間が約１／３に減少する。 反応性イオンエツチング
時間の短縮により、ポジ形感光性樹脂よりも耐ドライエ
ツチング性に劣るが、プロセス許容範囲の広いネガ形感
光性樹脂を用いることが可能となった。 これ等により
、本発明の方法は従来の方法に比べより簡便にパターン
形成が可能となった。
多層酸化膜の電極コンタクトホールの上部の断面はテー
パー構造となり、Ａ１段切れに対し反応性イオンエツチ
ングのみによる場合に比べ有利となる。
パー構造となり、Ａ１段切れに対し反応性イオンエツチ
ングのみによる場合に比べ有利となる。
又従来のＨＦ−ＮＨ，Ｆ系エツチング液を用いた方式に
比べＰＥＰが１回となるため、１回目と２回目の合わせ
ずれがなくなり、安定したパターン形成が可能となる。
比べＰＥＰが１回となるため、１回目と２回目の合わせ
ずれがなくなり、安定したパターン形成が可能となる。
［発明の効果］
本発明の半導体装置の製造方法においては、ポジ形に比
しプロセス許容範囲の広いネガ形感光性樹脂を使用し被
食刻物表面にレジストパターンを形成後、ウェット方式
による等方性エツチングに引き続いて反応性イオンエツ
チング方式による異方性エツチングを施し選択食刻を行
うので、従来のウェット方式のみによる場合に比しパタ
ーン形成工程は１回で済み、１回目と２回目のパターン
の合わせずれの問題もなくなる。 又従来の反応性イオ
ンエツチング方式のみの場合に比べ、エツチング時間も
短縮され、Ａ１配線の段切れも防止される。 これらに
より簡便且つ安定した選択食刻が可能となる。
しプロセス許容範囲の広いネガ形感光性樹脂を使用し被
食刻物表面にレジストパターンを形成後、ウェット方式
による等方性エツチングに引き続いて反応性イオンエツ
チング方式による異方性エツチングを施し選択食刻を行
うので、従来のウェット方式のみによる場合に比しパタ
ーン形成工程は１回で済み、１回目と２回目のパターン
の合わせずれの問題もなくなる。 又従来の反応性イオ
ンエツチング方式のみの場合に比べ、エツチング時間も
短縮され、Ａ１配線の段切れも防止される。 これらに
より簡便且つ安定した選択食刻が可能となる。
第１図は本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図、
第２図は従来のウェットエツチング方式による半導体装
置の製造工程を示す断面図、第３図は従来の反応性イエ
ンエッチング方式による半導体装置の製造工程を示す断
面図である。 １・・・半導体基板、 、？−・・・被食刻物（多層酸
化膜）、 ３．４．１３・・・レジストパターン（ネガ
形感光性樹脂）、６・・・レジストパターン（ポジ形感
光性樹脂）。
第２図は従来のウェットエツチング方式による半導体装
置の製造工程を示す断面図、第３図は従来の反応性イエ
ンエッチング方式による半導体装置の製造工程を示す断
面図である。 １・・・半導体基板、 、？−・・・被食刻物（多層酸
化膜）、 ３．４．１３・・・レジストパターン（ネガ
形感光性樹脂）、６・・・レジストパターン（ポジ形感
光性樹脂）。
Claims (1)
- １ 半導体基板の主面上に形成された被食刻物を選択食
刻する半導体装置の製造方法において、ネガ形感光性樹
脂を用いて前記被食刻物上にレジストパターンを形成す
る工程と、所定のエッチング液を使用して被食刻物の不
必要部分の一部を除去した後、続いて反応性イオンエッ
チング方式により被食刻物の不必要部分の残部を除去す
る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20124686A JPS6358836A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20124686A JPS6358836A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358836A true JPS6358836A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16437758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20124686A Pending JPS6358836A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133941A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02142122A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20124686A patent/JPS6358836A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02133941A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Seiko Instr Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02142122A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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