JPH04230352A - 液晶用化合物及びその混合物 - Google Patents
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規な4−シアノ−3−
フルオロフェニルエステル、その製造方法、これらの化
合物を含有する液晶混合物及びその電気光学目的に対す
る使用に関する。
フルオロフェニルエステル、その製造方法、これらの化
合物を含有する液晶混合物及びその電気光学目的に対す
る使用に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶は、この物質の光学的特性が与えら
れた電圧に影響されるので、指示器具の誘電体として主
に用いられる。液晶に基づく電気光学的機器は当業者に
よく知られており、様々な効果に基づいている。そのよ
うな機器の例としては、動的散乱を有するセル、DAP
(斜交相の変形)セル、ゲスト/ホストセル、「ねじれ
ネマチック」構造を有するTNセル、STN(超ねじれ
ネマチック)セル、SBE(超複屈折効果)セル及びO
MI(光学モ−ド干渉)セルがある。最も普通の指示機
器はシャット−ヘルフリッヒ(Schadt−Helf
rich )効果に基づき、ねじれネマチック構造を有
する。
れた電圧に影響されるので、指示器具の誘電体として主
に用いられる。液晶に基づく電気光学的機器は当業者に
よく知られており、様々な効果に基づいている。そのよ
うな機器の例としては、動的散乱を有するセル、DAP
(斜交相の変形)セル、ゲスト/ホストセル、「ねじれ
ネマチック」構造を有するTNセル、STN(超ねじれ
ネマチック)セル、SBE(超複屈折効果)セル及びO
MI(光学モ−ド干渉)セルがある。最も普通の指示機
器はシャット−ヘルフリッヒ(Schadt−Helf
rich )効果に基づき、ねじれネマチック構造を有
する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】液晶は優れた化学及び
熱安定性を有し、磁場及び電磁放射線に対する安定性を
有していなければならない。さらに、液晶は粘度が低く
、セルの中での応答時間が短く、低いしきい値電位及び
高いコントラストを有しているべきである。それらは好
適なメソフェ−ズを有しており、例えば、前記したセル
のためのネマテイック及びコレステリックなメソフェ−
ズを有するべきである。導電性、誘電異方性及び光学異
方性のようなその他の特性は、セルのタイプにより異な
る要求を満たさなければならない。
熱安定性を有し、磁場及び電磁放射線に対する安定性を
有していなければならない。さらに、液晶は粘度が低く
、セルの中での応答時間が短く、低いしきい値電位及び
高いコントラストを有しているべきである。それらは好
適なメソフェ−ズを有しており、例えば、前記したセル
のためのネマテイック及びコレステリックなメソフェ−
ズを有するべきである。導電性、誘電異方性及び光学異
方性のようなその他の特性は、セルのタイプにより異な
る要求を満たさなければならない。
【0004】液晶は一般に混合物として用いられる、と
いうのは、個々の応用において要求される特性が、様々
の成分を混合することによって最適のものとなるためで
ある。それゆえ、成分が互いに良好な混和性を有するこ
とが重要である。
いうのは、個々の応用において要求される特性が、様々
の成分を混合することによって最適のものとなるためで
ある。それゆえ、成分が互いに良好な混和性を有するこ
とが重要である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式:
【化8
】 (式中、環Aはトランス−1,4−シクロヘキシレン、
1,4−フェニレン、ピリミジン−2,5−ジイル又は
トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表わ
し;nは0又は1を表わし;環Bは1,4−フェニレン
又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わし;そ
してR1 は3E−アルケニル又は飽和環上では1E−
アルケニルをも表わす)の化合物を提供するものである
。
】 (式中、環Aはトランス−1,4−シクロヘキシレン、
1,4−フェニレン、ピリミジン−2,5−ジイル又は
トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表わ
し;nは0又は1を表わし;環Bは1,4−フェニレン
又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わし;そ
してR1 は3E−アルケニル又は飽和環上では1E−
アルケニルをも表わす)の化合物を提供するものである
。
【0006】式Iの化合物は驚くべき広いメソフェ−ズ
領域及び比較的高い澄明点を有する液晶である。それら
は通常の液晶物質と良好な混和性を有する。さらに、そ
れらは高い正の誘電異方性及び比較的低いしきい値電位
を有している。本発明による化合物は、ネマチック及び
コレステリック混合物の成分として好適であり、その良
好な溶解性のせいで、比較的高濃度で用いられる。それ
らの高い誘電異方性を考慮すると、それらはメソフェ−
ズを制約することなく混合物のしきい値電位を低下させ
る。
領域及び比較的高い澄明点を有する液晶である。それら
は通常の液晶物質と良好な混和性を有する。さらに、そ
れらは高い正の誘電異方性及び比較的低いしきい値電位
を有している。本発明による化合物は、ネマチック及び
コレステリック混合物の成分として好適であり、その良
好な溶解性のせいで、比較的高濃度で用いられる。それ
らの高い誘電異方性を考慮すると、それらはメソフェ−
ズを制約することなく混合物のしきい値電位を低下させ
る。
【0007】式Iの化合物の特性は、環の数及び意味に
よって、ある程度まで変化させうる。例えば、芳香環は
高い光学異方性値、そして飽和環は低い光学異方性値を
示し、ピリミジン−2,5−ジイル及びトランス−1,
3−ジオキサン−2,5−ジイルのような環は誘電異方
性に影響する。さらに、式Iの化合物でn=1であるも
のは、その高い澄明点が特長である。
よって、ある程度まで変化させうる。例えば、芳香環は
高い光学異方性値、そして飽和環は低い光学異方性値を
示し、ピリミジン−2,5−ジイル及びトランス−1,
3−ジオキサン−2,5−ジイルのような環は誘電異方
性に影響する。さらに、式Iの化合物でn=1であるも
のは、その高い澄明点が特長である。
【0008】「ピリミジン−2,5−ジイル」という言
葉は、2−及び5−位置で置換されたピリミジン環を表
わす。「トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ル」という言葉は2−及び5−位置で置換された1,3
−ジオキサン環を表わし、その場合、置換基は互いにト
ランスである。上記の式Iの環Aとして存在するピリミ
ジン又は1,3−ジオキサン環は2−又は5−の位置、
好ましくは2−の位置で環Bと結合していてもよい。
葉は、2−及び5−位置で置換されたピリミジン環を表
わす。「トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ル」という言葉は2−及び5−位置で置換された1,3
−ジオキサン環を表わし、その場合、置換基は互いにト
ランスである。上記の式Iの環Aとして存在するピリミ
ジン又は1,3−ジオキサン環は2−又は5−の位置、
好ましくは2−の位置で環Bと結合していてもよい。
【0009】「飽和された環」という言葉は、トランス
−1,4−シクロヘキシレン及びトランス−1,3−ジ
オキサン−2,5−ジイルを表わす。
−1,4−シクロヘキシレン及びトランス−1,3−ジ
オキサン−2,5−ジイルを表わす。
【0010】「3E−アルケニル」という言葉は直鎖及
び分岐した基、例えば、3−ブテニル、3E−ペンテニ
ル、3E−ヘキセニル、3E−オクテニル及びそれらの
同類を含む。「1E−アルケニル」という言葉は直鎖及
び分岐した基、例えば、ビニル、1E−プロペニル、1
E−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニル、
1E−ヘプテニル、1E−オクテニル及びその同類を含
む。
び分岐した基、例えば、3−ブテニル、3E−ペンテニ
ル、3E−ヘキセニル、3E−オクテニル及びそれらの
同類を含む。「1E−アルケニル」という言葉は直鎖及
び分岐した基、例えば、ビニル、1E−プロペニル、1
E−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニル、
1E−ヘプテニル、1E−オクテニル及びその同類を含
む。
【0011】式Iは特に式Ia 、Ib 、Ic 、I
d 及びIe :
d 及びIe :
【化9】
【0012】
【化10】
【0013】
【化11】
【0014】
【化12】
【0015】
【化13】
【0016】(式中、R1 及び環Bは前記した意味を
有する)の化合物を包含する。
有する)の化合物を包含する。
【0017】好ましくは、式I及びIa −Ie 中の
環Bは1,4−フェニレンを表わす。
環Bは1,4−フェニレンを表わす。
【0018】好ましくは、上記した式Ia −Ie に
おいてR1 は最高12個の炭素原子を有し、特に好ま
しい残基R1 は7個までの炭素原子を有し、特に、5
個までの炭素原子を有する、例えば、3−ブテニル及び
3E−ペンテニル並びにその同類、又は、飽和環上では
、ビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−
ペンテニル及びその同類でもある。
おいてR1 は最高12個の炭素原子を有し、特に好ま
しい残基R1 は7個までの炭素原子を有し、特に、5
個までの炭素原子を有する、例えば、3−ブテニル及び
3E−ペンテニル並びにその同類、又は、飽和環上では
、ビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−
ペンテニル及びその同類でもある。
【0019】式Iの化合物は本発明により、一般式:
【
化14】 (式中、環A、環B、R1 及びnは上述した意味を有
する)の酸か、この酸の好適な誘導体を、4−シアノ−
3−フルオロフェノ−ルでエステル化して製造される。 式IIの酸又はその好適な誘導体、例えば酸ハライド、
酸エステル、無水物又はその同類のエステル化は、公知
の方法で実施される。好ましくは、一般式IIの酸を4
−シアノ−3−フルオロフェノ−ルと、N,N’−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド及び4−(ジメチルアミノ
)ピリジンの存在下で、公知の方法で、例えば、ヨ−ロ
ッパ特許公開第0122389号公報に記載の方法で、
反応させる。
化14】 (式中、環A、環B、R1 及びnは上述した意味を有
する)の酸か、この酸の好適な誘導体を、4−シアノ−
3−フルオロフェノ−ルでエステル化して製造される。 式IIの酸又はその好適な誘導体、例えば酸ハライド、
酸エステル、無水物又はその同類のエステル化は、公知
の方法で実施される。好ましくは、一般式IIの酸を4
−シアノ−3−フルオロフェノ−ルと、N,N’−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド及び4−(ジメチルアミノ
)ピリジンの存在下で、公知の方法で、例えば、ヨ−ロ
ッパ特許公開第0122389号公報に記載の方法で、
反応させる。
【0020】一般式IIの酸は公知であり、例えば、公
知のニトリルから加水分解によって製造される(ヨ−ロ
ッパ特許公開第0122389号公報及び第01679
12号)。
知のニトリルから加水分解によって製造される(ヨ−ロ
ッパ特許公開第0122389号公報及び第01679
12号)。
【0021】本発明は、また、少なくとも2個の成分を
有し、そのうち少なくとも1つの成分が式Iの化合物で
ある液晶混合物に関する。
有し、そのうち少なくとも1つの成分が式Iの化合物で
ある液晶混合物に関する。
【0022】比較的高いそれらの誘電異方性のせいで、
式Iの化合物は、本発明による液晶混合物中で、ネマチ
ック領域を制限することなくしきい値電位を低下させる
。本発明の式Iの化合物は特に、高い正の誘電異方性を
有するネマチック混合物に適しており、少なくとも1個
の成分が光学的に活性である限りでは、正の誘電異方性
を有するコレステリックな混合物にも好適である。それ
らはとりわけ、ねじれネマチック液晶構造を有するセル
における使用、特にSTNセルに好適である。
式Iの化合物は、本発明による液晶混合物中で、ネマチ
ック領域を制限することなくしきい値電位を低下させる
。本発明の式Iの化合物は特に、高い正の誘電異方性を
有するネマチック混合物に適しており、少なくとも1個
の成分が光学的に活性である限りでは、正の誘電異方性
を有するコレステリックな混合物にも好適である。それ
らはとりわけ、ねじれネマチック液晶構造を有するセル
における使用、特にSTNセルに好適である。
【0023】式Iの化合物の良好な溶解性を考慮し、か
つそれら相互の良好な混和性を考慮すると、本発明によ
る混合物中のそれらの含有量は比較的高い。一般にしか
し、式Iの化合物の1−50重量%、特に約5−30重
量%の含有量が好ましい。
つそれら相互の良好な混和性を考慮すると、本発明によ
る混合物中のそれらの含有量は比較的高い。一般にしか
し、式Iの化合物の1−50重量%、特に約5−30重
量%の含有量が好ましい。
【0024】好ましい面としては、1つ又はそれ以上の
式Iの化合物に加えて、1つ又はそれ以上の、一般式:
式Iの化合物に加えて、1つ又はそれ以上の、一般式:
【化15】
(式中、環C、D及びEはそれぞれ独立して1,4−フ
ェニレン、もしくはトランス−1,4−シクロヘキシレ
ンを表わすか、又は環のうち1つがピリミジン−2,5
−ジイルを表わしてもおり;mは0又は1のいずれかで
あり;R2 はアルキル、アルコキシアルキル、3E−
アルケニル、4−アルケニルであるか、又はトランス−
1,4−シクロヘキシレン上ではまた1E−アルケニル
でもあり;そしてR3 はシアノ、アルキル、アルコキ
シ、アルコキシアルキル、3E−アルケニル、4−アル
ケニル、2E−アルケニルオキシ、3−アルケニルオキ
シ又は、トランス−1,4−シクロヘキシレン上ではま
た1E−アルケニルである)の化合物、及び、
ェニレン、もしくはトランス−1,4−シクロヘキシレ
ンを表わすか、又は環のうち1つがピリミジン−2,5
−ジイルを表わしてもおり;mは0又は1のいずれかで
あり;R2 はアルキル、アルコキシアルキル、3E−
アルケニル、4−アルケニルであるか、又はトランス−
1,4−シクロヘキシレン上ではまた1E−アルケニル
でもあり;そしてR3 はシアノ、アルキル、アルコキ
シ、アルコキシアルキル、3E−アルケニル、4−アル
ケニル、2E−アルケニルオキシ、3−アルケニルオキ
シ又は、トランス−1,4−シクロヘキシレン上ではま
た1E−アルケニルである)の化合物、及び、
【002
5】1つ又はそれ以上の、一般式:
5】1つ又はそれ以上の、一般式:
【化16】
(式中、環Fはトランス−1,4−シクロヘキシレン又
はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであ
り;R4 はアルキル、1E−アルケニル、3E−アル
ケニル、4−アルケニル又はアルケニルオキシを表わし
;X1 はフッ素又は塩素を表わし;X2 は水素又は
フッ素を表わす)の化合物を含有する混合物に関する。
はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであ
り;R4 はアルキル、1E−アルケニル、3E−アル
ケニル、4−アルケニル又はアルケニルオキシを表わし
;X1 はフッ素又は塩素を表わし;X2 は水素又は
フッ素を表わす)の化合物を含有する混合物に関する。
【0026】好ましくはこれらの液晶混合物は、1つ又
はそれ以上の式Iの化合物に加えて、1つ又はそれ以上
の一般式III の化合物の一定量を含有することがで
き、それは好ましくは20〜80%である。1つ又はそ
れ以上の式III の化合物の量は、40〜60%が特
に好ましい。液晶混合物は、1つ又はそれ以上の式Iの
化合物と1つ又はそれ以上の式III の化合物に加え
て、1つ又はそれ以上の一般式IVの化合物の一定量を
含有することができる。この量は、好ましくは5〜25
%、特に10〜20%である。
はそれ以上の式Iの化合物に加えて、1つ又はそれ以上
の一般式III の化合物の一定量を含有することがで
き、それは好ましくは20〜80%である。1つ又はそ
れ以上の式III の化合物の量は、40〜60%が特
に好ましい。液晶混合物は、1つ又はそれ以上の式Iの
化合物と1つ又はそれ以上の式III の化合物に加え
て、1つ又はそれ以上の一般式IVの化合物の一定量を
含有することができる。この量は、好ましくは5〜25
%、特に10〜20%である。
【0027】本発明による化合物との混合物としての使
用に優れて適している他の化合物は、一般式:
用に優れて適している他の化合物は、一般式:
【化17
】
】
【0028】
【化18】
【0029】
【化19】
【0030】
【化20】
【0031】
【化21】
【0032】
【化22】
【0033】
【化23】
【0034】
【化24】
【0035】
【化25】
【0036】
【化26】
【0037】
【化27】
【0038】
【化28】
【0039】
【化29】
【0040】
【化30】
【0041】
【化31】
【0042】(式中、nは0又は1の数を表わし;R5
及びR7 はそれぞれ独立して、アルキル、アルコキ
シアルキル、3E−アルケニル、4−アルケニル又は飽
和環上ではまた、1E−アルケニルをも表わし;R6
は、アルキル、3E−アルケニル、4−アルケニル又は
、シクロヘキサン環上ではまた1E−アルケニルをも表
わすか、又はベンゼン環上ではまたシアノ、イソチオシ
アナト、アルコキシ、2E−アルケニルオキシもしくは
3−アルケニルオキシをも表わし;環Gは1,4−フェ
ニレン又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ
し;R8 はアルキル、1E−アルケニル、3E−アル
ケニル又は4−アルケニルを表わし;Z1 及びZ2
はそれぞれ共有単結合又はエチレン表わし、2つの芳香
環は単結合によって結合されているにすぎない;R9
はシアノ、アルキル、1E−アルケニル、3E−アルケ
ニル、4−アルケニル、アルコキシ、2E−アルケニル
オキシ、3−アルケニルオキシ、アルコキシメチル又は
(2E−アルケニル)オキシメチルを表わし;環Iは1
,4−フェニレン、トランス−1,4−シクロヘキシレ
ン、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン2,5−ジ
イル又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ルを表わし;環Hはトランス−1,4−シクロヘキシレ
ン又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル
を表わし;R10はフッ素、塩素又はシアノを表わし;
R11はアルキル、1E−アルケニル、3E−アルケニ
ル又は4−アルケニルを表わし、R12はフッ素又は塩
素をあらわし;X2 は水素又はフッ素を表わし;そし
てX3 は水素、フッ素又は塩素を表わしている)
及びR7 はそれぞれ独立して、アルキル、アルコキ
シアルキル、3E−アルケニル、4−アルケニル又は飽
和環上ではまた、1E−アルケニルをも表わし;R6
は、アルキル、3E−アルケニル、4−アルケニル又は
、シクロヘキサン環上ではまた1E−アルケニルをも表
わすか、又はベンゼン環上ではまたシアノ、イソチオシ
アナト、アルコキシ、2E−アルケニルオキシもしくは
3−アルケニルオキシをも表わし;環Gは1,4−フェ
ニレン又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ
し;R8 はアルキル、1E−アルケニル、3E−アル
ケニル又は4−アルケニルを表わし;Z1 及びZ2
はそれぞれ共有単結合又はエチレン表わし、2つの芳香
環は単結合によって結合されているにすぎない;R9
はシアノ、アルキル、1E−アルケニル、3E−アルケ
ニル、4−アルケニル、アルコキシ、2E−アルケニル
オキシ、3−アルケニルオキシ、アルコキシメチル又は
(2E−アルケニル)オキシメチルを表わし;環Iは1
,4−フェニレン、トランス−1,4−シクロヘキシレ
ン、ピリジン−2,5−ジイル、ピリミジン2,5−ジ
イル又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ルを表わし;環Hはトランス−1,4−シクロヘキシレ
ン又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル
を表わし;R10はフッ素、塩素又はシアノを表わし;
R11はアルキル、1E−アルケニル、3E−アルケニ
ル又は4−アルケニルを表わし、R12はフッ素又は塩
素をあらわし;X2 は水素又はフッ素を表わし;そし
てX3 は水素、フッ素又は塩素を表わしている)
【0043】「飽和環」という言葉はトランス−1,4
−シクロヘキシレン及びトランス−1,3−ジオキサン
−2,5−ジイルを包含する。残基R5からR9 まで
とR11とはそれぞ好ましくは最高で12個の炭素原子
を有する。一般に直鎖が好ましい。
−シクロヘキシレン及びトランス−1,3−ジオキサン
−2,5−ジイルを包含する。残基R5からR9 まで
とR11とはそれぞ好ましくは最高で12個の炭素原子
を有する。一般に直鎖が好ましい。
【0044】式Iの化合物及びそれらの化合物を含有す
る液晶混合物の製造方法は下記の実施例に詳細に説明し
た。Cは結晶質相、Nはネマチック相を表わし、Iは等
方性相、V10は10%伝導のための電圧、ton及び
toff はそれぞれ、スイッチ入れ及びスイッチ切り
時間、Δn は光学的異方性を表わす。電気光学的特性
はほかに記載のないかぎり、22℃で測定した。
る液晶混合物の製造方法は下記の実施例に詳細に説明し
た。Cは結晶質相、Nはネマチック相を表わし、Iは等
方性相、V10は10%伝導のための電圧、ton及び
toff はそれぞれ、スイッチ入れ及びスイッチ切り
時間、Δn は光学的異方性を表わす。電気光学的特性
はほかに記載のないかぎり、22℃で測定した。
【0045】
【実施例】実施例1
2.68g の4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]安息香酸、1.8g の4−シア
ノ−3−フルオロフェノ−ル及び187mgの4−(ジ
メチルアミノ)ピリジンを25ml塩化メチレンに懸濁
させた液を0℃に冷却し、撹拌しつつ3.17g のN
,N’−ジ(シクロヘキシル)カルボジイミドで処理し
た。0℃で5分間及び室温で3時間撹拌の後、懸濁液を
濾過し、濾液を濃縮した。残渣を50g の塩基性酸化
アルミニウム上で塩化メチレンでクロマトグラフィ−精
製し、それに続いてヘキサン/酢酸エチルによる結晶化
により、2.67g の4−シアノ−3−フルオロフェ
ニル4−[トランス−4−(1E−プロペニル)シクロ
ヘキシル]安息香酸が無色の結晶として生成した;m.
p.(C−N)117.5℃、cl.p. (N−1)
233.1℃
ル)シクロヘキシル]安息香酸、1.8g の4−シア
ノ−3−フルオロフェノ−ル及び187mgの4−(ジ
メチルアミノ)ピリジンを25ml塩化メチレンに懸濁
させた液を0℃に冷却し、撹拌しつつ3.17g のN
,N’−ジ(シクロヘキシル)カルボジイミドで処理し
た。0℃で5分間及び室温で3時間撹拌の後、懸濁液を
濾過し、濾液を濃縮した。残渣を50g の塩基性酸化
アルミニウム上で塩化メチレンでクロマトグラフィ−精
製し、それに続いてヘキサン/酢酸エチルによる結晶化
により、2.67g の4−シアノ−3−フルオロフェ
ニル4−[トランス−4−(1E−プロペニル)シクロ
ヘキシル]安息香酸が無色の結晶として生成した;m.
p.(C−N)117.5℃、cl.p. (N−1)
233.1℃
【0046】同様の方法で次のものが製造
される。 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3−ブテニル
)ベンゾエ−ト、m.p.(C−I)68.6℃、
cl.p. (N−I)37℃、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3E−ペンテ
ニル)ベンゾエ−ト、m.p.(C−I)64.8℃、
cl.p. (N−I)54.7℃、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[4’−(3−
ブテニル)ビフェニル]カルボキシレ−ト、4−シアノ
−3−フルオロフェニル4−[4’−(3E−ペンテニ
ル)ビフェニル]カルボキシレ−ト、4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−[トランス−4−(3−ブテニル
)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フ
ルオロフェニル4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−4
−ビニルシクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−
3−フルオロフェニル4−[トランス−4−(3−ブテ
ニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3
−フルオロフェニル4−[トランス−4−(3E−ペン
テニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−ビニル−(1,3−ジオキサン−2−イル)ベンゾエ
−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(3−ブテニル)−(1,3−ジオキサン−2−イル
)]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(3E−ペンテニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(1E−プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)ベンゾエ−ト、m.p.(C−N)122.
6℃、cl.p. (N−I)242.5℃4−シアノ
−3−フルオロフェニル4−[5−(3−ブテニル)−
2−ピリミジル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フル
オロフェニル4−[5−(3E−ペンテニル)−2−ピ
リミジル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フルオロフ
ェニルトランス−4−ビニルシクロヘキサンカルボキシ
レ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(1
E−プロペニル)シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4
−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(3−
ブテニル)シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シア
ノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(3E−ペン
テニル)−シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シア
ノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−ビニルビシ
クロヘキシルカルボキシレ−ト、4−シアノ−3−フル
オロフェニルトランス−4’−(1E−プロペニル)ビ
シクロヘキシルカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−(
3−ブテニル)ビシクロヘキシルカルボキシレ−ト、4
−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−(3
E−ペンテニル)ビシクロヘキシルカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[4
−(3−ブテニル)フェニル]シクロヘキサンカルボキ
シレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[4
−(3E−ペンテニル)フェニル]シクロヘキサンカル
ボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−ビニル−2−(1,3−ジオキサン−2−
イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シアノ
−3−フルオロフェニルトランス−4−[トランス−5
−(1E−プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−(3−ブテニル)−2−(1,3−ジオキ
サン−2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、
4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−(3E−ペンテニル)−2−(1,3−ジ
オキサン−2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−
ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[5−(1E−
プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−2−イル)
]ベンゾエ−ト、m.p.(C−N)122.6℃、c
l.p. (N−I)186℃, 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[5
−(3−ブテニル)−2−ピリミジニル]シクロヘキサ
ンカルボキシレ−ト 及び 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[5
−(3E−ペンテニル)−2−ピリミジニル]シクロヘ
キサンカルボキシレ−ト
される。 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3−ブテニル
)ベンゾエ−ト、m.p.(C−I)68.6℃、
cl.p. (N−I)37℃、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3E−ペンテ
ニル)ベンゾエ−ト、m.p.(C−I)64.8℃、
cl.p. (N−I)54.7℃、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[4’−(3−
ブテニル)ビフェニル]カルボキシレ−ト、4−シアノ
−3−フルオロフェニル4−[4’−(3E−ペンテニ
ル)ビフェニル]カルボキシレ−ト、4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−[トランス−4−(3−ブテニル
)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フ
ルオロフェニル4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−4
−ビニルシクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−
3−フルオロフェニル4−[トランス−4−(3−ブテ
ニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3
−フルオロフェニル4−[トランス−4−(3E−ペン
テニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−ビニル−(1,3−ジオキサン−2−イル)ベンゾエ
−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(3−ブテニル)−(1,3−ジオキサン−2−イル
)]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(3E−ペンテニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)]ベンゾエ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[トランス−5
−(1E−プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)ベンゾエ−ト、m.p.(C−N)122.
6℃、cl.p. (N−I)242.5℃4−シアノ
−3−フルオロフェニル4−[5−(3−ブテニル)−
2−ピリミジル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フル
オロフェニル4−[5−(3E−ペンテニル)−2−ピ
リミジル]ベンゾエ−ト、4−シアノ−3−フルオロフ
ェニルトランス−4−ビニルシクロヘキサンカルボキシ
レ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(1
E−プロペニル)シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4
−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(3−
ブテニル)シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シア
ノ−3−フルオロフェニルトランス−4−(3E−ペン
テニル)−シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シア
ノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−ビニルビシ
クロヘキシルカルボキシレ−ト、4−シアノ−3−フル
オロフェニルトランス−4’−(1E−プロペニル)ビ
シクロヘキシルカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−(
3−ブテニル)ビシクロヘキシルカルボキシレ−ト、4
−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4’−(3
E−ペンテニル)ビシクロヘキシルカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[4
−(3−ブテニル)フェニル]シクロヘキサンカルボキ
シレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[4
−(3E−ペンテニル)フェニル]シクロヘキサンカル
ボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−ビニル−2−(1,3−ジオキサン−2−
イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、4−シアノ
−3−フルオロフェニルトランス−4−[トランス−5
−(1E−プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−
2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−(3−ブテニル)−2−(1,3−ジオキ
サン−2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−ト、
4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[ト
ランス−5−(3E−ペンテニル)−2−(1,3−ジ
オキサン−2−イル)]シクロヘキサンカルボキシレ−
ト、 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−[5−(1E−
プロペニル)−2−(1,3−ジオキサン−2−イル)
]ベンゾエ−ト、m.p.(C−N)122.6℃、c
l.p. (N−I)186℃, 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[5
−(3−ブテニル)−2−ピリミジニル]シクロヘキサ
ンカルボキシレ−ト 及び 4−シアノ−3−フルオロフェニルトランス−4−[5
−(3E−ペンテニル)−2−ピリミジニル]シクロヘ
キサンカルボキシレ−ト
【0047】出発物質としての4−[トランス−4−(
1E−プロペニル)シクロヘキシル]安息香酸は、次の
ようにして製造される。
1E−プロペニル)シクロヘキシル]安息香酸は、次の
ようにして製造される。
【0048】2.5g の4−[トランス−4−(1E
−プロペニル)シクロヘキシル]ベンゾニトリルと6.
22g の水酸化カリウムとの50mlジエチレングリ
コ−ル中の混合物を、180℃で2.5時間撹拌し、冷
却して氷水/塩化メチレン中に加え、25%塩酸でに酸
性にした。塩化メチレンで生成物を抽出し、有機相を繰
り返し洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した後、有機
相を蒸発させ、2.68gの4−[トランス−4−(1
E−プロペニル)シクロヘキシル]安息香酸を無色の固
体として得た。
−プロペニル)シクロヘキシル]ベンゾニトリルと6.
22g の水酸化カリウムとの50mlジエチレングリ
コ−ル中の混合物を、180℃で2.5時間撹拌し、冷
却して氷水/塩化メチレン中に加え、25%塩酸でに酸
性にした。塩化メチレンで生成物を抽出し、有機相を繰
り返し洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥した後、有機
相を蒸発させ、2.68gの4−[トランス−4−(1
E−プロペニル)シクロヘキシル]安息香酸を無色の固
体として得た。
【0049】実施例2
化合物の性質を、4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)ベンゾニトリルとの二成分混合物を製造し、
そのしきい値電圧及びTNセル(低バイアスチルト)中
での応答時間を8μm のプレ−ト分離率で測定した。 実施電圧としてはしきい値電圧の2.5倍の価のV10
を選択した。純粋4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)ベンゾニトリルに相当するデ−タは、cl.
p. (N−I)54.6℃、V10=1.62V、t
on=30ms、toff =42ms、Δn =0.
120であった。
ヘキシル)ベンゾニトリルとの二成分混合物を製造し、
そのしきい値電圧及びTNセル(低バイアスチルト)中
での応答時間を8μm のプレ−ト分離率で測定した。 実施電圧としてはしきい値電圧の2.5倍の価のV10
を選択した。純粋4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシル)ベンゾニトリルに相当するデ−タは、cl.
p. (N−I)54.6℃、V10=1.62V、t
on=30ms、toff =42ms、Δn =0.
120であった。
【0050】混合物A
90重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)−シクロヘキシル]ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)64.2℃、V10=1.46
V,ton=31ms、toff =49ms
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)−シクロヘキシル]ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)64.2℃、V10=1.46
V,ton=31ms、toff =49ms
【0051】混合物 B
80重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−[トランス−4−(1E−プロペ
ニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)76.9℃、V10=1.45
V、ton=41ms、toff =60ms
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−[トランス−4−(1E−プロペ
ニル)シクロヘキシル]ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)76.9℃、V10=1.45
V、ton=41ms、toff =60ms
【0052】混合物C
90重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル(3−ブテニル)ベンゾエ−トcl.
p. (N−I)50.8℃、V10=1.24V、t
on=35ms、toff =47ms、Δn =0.
127
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル(3−ブテニル)ベンゾエ−トcl.
p. (N−I)50.8℃、V10=1.24V、t
on=35ms、toff =47ms、Δn =0.
127
【0053】混合物D
80重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル(3−ブテニル)ベンゾエ−トcl.
p.(N−I)47.3℃、V10=0.05V、to
n=33ms、toff =55ms、Δn =0.1
29
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル(3−ブテニル)ベンゾエ−トcl.
p.(N−I)47.3℃、V10=0.05V、to
n=33ms、toff =55ms、Δn =0.1
29
【0054】混合物E
90重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−
ト cl.p. (N−I)53.2℃、V10=1.29
V、ton=31ms、toff =48ms、Δn
=0.126
シル)ベンゾニトリル、10重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−
ト cl.p. (N−I)53.2℃、V10=1.29
V、ton=31ms、toff =48ms、Δn
=0.126
【0055】混合物F
80重量%の4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−
ト cl.p. (N−I)51.9℃、V10=1.15
V、ton=42ms、toff =52ms、Δn
=0.132
シル)ベンゾニトリル、20重量%の4−シアノ−3−
フルオロフェニル4−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−
ト cl.p. (N−I)51.9℃、V10=1.15
V、ton=42ms、toff =52ms、Δn
=0.132
【0056】実施例3
本発明による化合物の使用を次の混合物において例示し
た。 基本混合物1 6.5%の4−(5−ブチル−2−ピリミジニル)ベン
ゾニトリル、 7%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ブチ
ルシクロヘキシル)ピリミジン、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ピリミジン、 2%の 2−(トランス−4−シアノシクロヘキ
シル)−5−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)
ピリミジン、 3%の 4−シアノ−4’−[トランス−4−(
1E−プロペニル)シクロヘキシル]ビフェニル、13
%の トランス−4−ビニル−トランス−4’−ペン
チルビシクロヘキシル 13%の トランス−4−(1E−プロペニル)−ト
ランス−4’メトキシメチルビシクロヘキシル、4%の
トランス−4−(3E−ペンテニル)−トラン
ス−4’−エトキシビシクロヘキシル、5%の
トランス−4−(3E−ペンテニル)−トランス−4’
−メトキシビシクロヘキシル、5%の トランス
−(1E−プロペニル)−4’−(p−トリル)ビシク
ロヘキシル、 8%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]フェニル−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキサンカルボキシレ−ト、 4%の 5−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−2−[4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)フェニル]ピリミジン、 4%の 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−
(3−ブテニルオキシル)ベンゾエ−ト、 3%の トランス−4−ビニル−トランス−4’
−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3%の
トランス−4−(1E−プロペニル)−トラン
ス−4’−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル
、 3%の トランス−4−(3−ブテニル)−トラ
ンス−4’−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシ
ル、5%の 2−[トランス−4−(4−フルオ
ロフェニル)シクロヘキシル]−5−(1E−プロペニ
ル)−1,3−ジオキサン、 5%の トランス−4−(3,4−ジフルオロフ
ェニル)−トランス−4’−(1E−プロペニル)ビシ
クロヘキシル
た。 基本混合物1 6.5%の4−(5−ブチル−2−ピリミジニル)ベン
ゾニトリル、 7%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ブチ
ルシクロヘキシル)ピリミジン、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ピリミジン、 2%の 2−(トランス−4−シアノシクロヘキ
シル)−5−(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)
ピリミジン、 3%の 4−シアノ−4’−[トランス−4−(
1E−プロペニル)シクロヘキシル]ビフェニル、13
%の トランス−4−ビニル−トランス−4’−ペン
チルビシクロヘキシル 13%の トランス−4−(1E−プロペニル)−ト
ランス−4’メトキシメチルビシクロヘキシル、4%の
トランス−4−(3E−ペンテニル)−トラン
ス−4’−エトキシビシクロヘキシル、5%の
トランス−4−(3E−ペンテニル)−トランス−4’
−メトキシビシクロヘキシル、5%の トランス
−(1E−プロペニル)−4’−(p−トリル)ビシク
ロヘキシル、 8%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]フェニル−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキサンカルボキシレ−ト、 4%の 5−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−2−[4−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)フェニル]ピリミジン、 4%の 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−
(3−ブテニルオキシル)ベンゾエ−ト、 3%の トランス−4−ビニル−トランス−4’
−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3%の
トランス−4−(1E−プロペニル)−トラン
ス−4’−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル
、 3%の トランス−4−(3−ブテニル)−トラ
ンス−4’−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシ
ル、5%の 2−[トランス−4−(4−フルオ
ロフェニル)シクロヘキシル]−5−(1E−プロペニ
ル)−1,3−ジオキサン、 5%の トランス−4−(3,4−ジフルオロフ
ェニル)−トランス−4’−(1E−プロペニル)ビシ
クロヘキシル
【0057】基本混合物2
2%の 4−(5−ブチル−2−ピリミジニル)
ベンゾニトリル、 8%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 6%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5%の 4−[トランス−4−(1E−ブテニル
)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5%の トランス−4−ビニル−トランス−4’
−シアノビシクロヘキシル、 6.9%のトランス−4−(1E−プロペニル)−トラ
ンス−4’−シアノビシクロヘキシル、3%の
2−シアノ−5−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)ピリミジン、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ピリミジン、 6.4%の(p−シアノフェニル)−4−[2−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−エチル]シクロ
ヘキシルカルボキシレ−ト、 11%の トランス−4−(3E−ペンテニル)−ト
ランス−4’−エトキシビシクロヘキシル、11.7%
のトランス−4−ビニル−トランス−4’−ペンチルビ
シクロヘキシル、 8%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]フェニル(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキサンカルボキシレ−ト、 3.9%のトランス−4−ビニル−4’−(4−フルオ
ロフェニル)ビシクロヘキシル、 3.9%のトランス−4−(1E−プロペニル)−4’
−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.4
%のp−フルオロ−フェニル4−[トランス−4−(3
E−ブテニル)シクロヘキシル]シクロヘキサノエ−ト
、 6.8%のトランス−4−(3,4−ジフルオロフェニ
ル)−トランス−4’(1E−プロペニル)ビシクロヘ
キシル、 6%の 2−[トランス−4−(4−フルオロフ
ェニル)シクロヘキシル]−5−(1E−プロペニル)
ジオキソラン
ベンゾニトリル、 8%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 6%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5%の 4−[トランス−4−(1E−ブテニル
)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5%の トランス−4−ビニル−トランス−4’
−シアノビシクロヘキシル、 6.9%のトランス−4−(1E−プロペニル)−トラ
ンス−4’−シアノビシクロヘキシル、3%の
2−シアノ−5−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)ピリミジン、 3%の 2−シアノ−5−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)ピリミジン、 6.4%の(p−シアノフェニル)−4−[2−(トラ
ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−エチル]シクロ
ヘキシルカルボキシレ−ト、 11%の トランス−4−(3E−ペンテニル)−ト
ランス−4’−エトキシビシクロヘキシル、11.7%
のトランス−4−ビニル−トランス−4’−ペンチルビ
シクロヘキシル、 8%の 4−[トランス−4−(3E−ペンテニ
ル)シクロヘキシル]フェニル(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキサンカルボキシレ−ト、 3.9%のトランス−4−ビニル−4’−(4−フルオ
ロフェニル)ビシクロヘキシル、 3.9%のトランス−4−(1E−プロペニル)−4’
−(4−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.4
%のp−フルオロ−フェニル4−[トランス−4−(3
E−ブテニル)シクロヘキシル]シクロヘキサノエ−ト
、 6.8%のトランス−4−(3,4−ジフルオロフェニ
ル)−トランス−4’(1E−プロペニル)ビシクロヘ
キシル、 6%の 2−[トランス−4−(4−フルオロフ
ェニル)シクロヘキシル]−5−(1E−プロペニル)
ジオキソラン
【0058】基本混合物3
10%の 4−(5−ブチル−2−ピリミジニル)ベ
ンゾニトリル、 6%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5.5%の4−シアノ−4’−[トランス−4−(1E
−プロペニル)シクロヘキシル]ビフェニル、4.5%
の4−シアノ−4’−[トランス−4−(3E−ペンテ
ニル)シクロヘキシル]ビフェニル、13%の トラ
ンス−4−ビニル−トランス−4’−ペンチルビシクロ
ヘキシル、 13%の トランス−4−(1E−プロペニル)−ト
ランス−4’−メトキシメチルビシクロヘキシル、13
%の トランス−4−(3E−ペンテニル)−トラン
ス−4’−エトキシビシクロヘキシル、5%の
トランス−(1E−プロペニル)−トランス−4’−(
4−トリル)ビシクロヘキシル、4%の 4−[
トランス−4−(3E−ペンテニル)シクロヘキシル]
−4’−プロピルビフェニル、4%の 5−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−[4−(
トランス−4−プロピルシクロヘキシル)フェニル]ピ
リミジン、 7%の 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−
(3−ブテニル)ベンゾエ−ト、 3.5%のトランス−4−ビニル−トランス−4’−(
p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.5%の
トランス−4−(3−ブテニル)−トランス−4’−(
p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.0%の
トランス−4−(1E−プロペニル)−トランス−4’
−(p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、 5%の トランス−4−(3,4−ジフルオロフ
ェニル)−トランス−4’−(1E−プロペニル)−ビ
シクロヘキシル
ンゾニトリル、 6%の 4−[トランス−4−(1E−プロペニ
ル)シクロヘキシル]ベンゾニトリル、 5.5%の4−シアノ−4’−[トランス−4−(1E
−プロペニル)シクロヘキシル]ビフェニル、4.5%
の4−シアノ−4’−[トランス−4−(3E−ペンテ
ニル)シクロヘキシル]ビフェニル、13%の トラ
ンス−4−ビニル−トランス−4’−ペンチルビシクロ
ヘキシル、 13%の トランス−4−(1E−プロペニル)−ト
ランス−4’−メトキシメチルビシクロヘキシル、13
%の トランス−4−(3E−ペンテニル)−トラン
ス−4’−エトキシビシクロヘキシル、5%の
トランス−(1E−プロペニル)−トランス−4’−(
4−トリル)ビシクロヘキシル、4%の 4−[
トランス−4−(3E−ペンテニル)シクロヘキシル]
−4’−プロピルビフェニル、4%の 5−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−[4−(
トランス−4−プロピルシクロヘキシル)フェニル]ピ
リミジン、 7%の 4−シアノ−3−フルオロフェニル4−
(3−ブテニル)ベンゾエ−ト、 3.5%のトランス−4−ビニル−トランス−4’−(
p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.5%の
トランス−4−(3−ブテニル)−トランス−4’−(
p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、3.0%の
トランス−4−(1E−プロペニル)−トランス−4’
−(p−フルオロフェニル)ビシクロヘキシル、 5%の トランス−4−(3,4−ジフルオロフ
ェニル)−トランス−4’−(1E−プロペニル)−ビ
シクロヘキシル
【0059】混合物例A
74.63%の 基本混合物1
15.170%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4
−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−ト 10.2%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(
3−ブテニル)ベンゾエ−ト cl.p.(N−I)84℃、V10=1.3V、to
n=30.3ms、toff =53ms、Δn =0
.131
−(3E−ペンテニル)ベンゾエ−ト 10.2%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(
3−ブテニル)ベンゾエ−ト cl.p.(N−I)84℃、V10=1.3V、to
n=30.3ms、toff =53ms、Δn =0
.131
【0060】混合物例B
74.91%の基本混合物2
15.1%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(
3E−ペンテニル)ベンゾエ−ト、 9.99%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(
3−ブテニル)ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)82℃、V10=1.32V、
ton=35.5ms、toffo=54.2ms、Δ
n =0.125
3E−ペンテニル)ベンゾエ−ト、 9.99%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(
3−ブテニル)ベンゾエ−ト cl.p. (N−I)82℃、V10=1.32V、
ton=35.5ms、toffo=54.2ms、Δ
n =0.125
【0061】混合物例C
80%の基本混合物3
12%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3E
−ペンテニル)ベンゾエ−ト 8%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3−ブ
テニル)ベンゾエ−ト
−ペンテニル)ベンゾエ−ト 8%の4−シアノ−3−フルオロフェニル4−(3−ブ
テニル)ベンゾエ−ト
Claims (9)
- 【請求項1】一般式 : 【化1】 (式中、環Aはトランス−1,4−シクロヘキシレン、
1,4−フェニレン、ピリミジン−2,5−ジイル又は
トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表わ
し;nは0又は1を表わし;環Bは1,4−フェニレン
又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わし;そ
してR1 は3E−アルケニル又は飽和環上ではまた1
E−アルケニルをも表わす)の化合物。 - 【請求項2】R1 が最高12個、好ましくは最高7個
の炭素原子を有する、請求項1の化合物。 - 【請求項3】式: 【化2】 【化3】 【化4】 (式中、Bは1,4−フェニレンを表わす)を有する請
求項1又は2の化合物。 - 【請求項4】少なくとも2つの成分を有し、そのうち少
なくとも1つが請求項1に定義される一般式Iの化合物
である、液晶混合物。 - 【請求項5】一般式Iの化合物の含有量が1〜50重量
%、好ましくは5〜30重量%である、請求項5の液晶
混合物。 - 【請求項6】少なくとも一般式Iの化合物の1つ、一般
式III: 【化5】 (式中、環C、D及びEはそれぞれ独立して1,4−フ
ェニレンもしくはトランス−1,4−シクロヘキシレン
を表わすか、又は、環のうち1つがピリミジン−2,5
−ジイルをも表わし;mは0又は1であり;R2 はア
ルキル、アルコキシアルキル、3E−アルケニル、4−
アルケニル又は、トランス−1,4−シクロヘキシレン
上ではまた1E−アルケニルを表わし;そしてR3 は
シアノ、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、
3E−アルケニル、4−アルケニル、2E−アルケニル
オキシ、3−アルケニルオキシ、又はトランス−1,4
−シクロヘキシレン上ではまた1E−アルケニルを表わ
す)の化合物の1つ又はそれ以上、及び一般式IV【化
6】 (式中、環Fはトランス−1,4−シクロヘキシレン又
はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表
わし;R4 はアルキル、1E−アルケニル、3E−ア
ルケニル、4−アルケニル又はアルケニルオキシを表わ
し;X1 はフッ素又は塩素を表わし;そしてX2 は
水素又はフッ素を表わす)の化合物の1つ又はそれ以上
を含有する、請求項4又は5の液晶混合物。 - 【請求項7】20〜80重量%、好ましくは40〜60
重量%の一般式IIIの化合物及び、5〜25重量%、
好ましくは10〜20重量%の一般式IVの化合物を含
有する、請求項6の液晶混合物。 - 【請求項8】一般式: 【化7】 (式中、R1 、A、B及びnが請求項1に定義した意
味を有する)の酸又はその好適な誘導体を4−シアノ−
3−フルオロフェノ−ルでエステル化することからなる
、請求項1に定義した式Iの化合物の製造方法。 - 【請求項9】請求項1に定義した式Iの化合物の、電気
光学的用途への使用。
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JPH11228520A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-08-24 | Dainippon Ink & Chem Inc | フッ素置換4−(3−アルケニル)安息香酸とそのフェニルエステル誘導体及びそれを含有する液晶組成物 |
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