JP3229883B2 - フルオロベンゾニトリル類 - Google Patents
フルオロベンゾニトリル類Info
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- JP3229883B2 JP3229883B2 JP50657093A JP50657093A JP3229883B2 JP 3229883 B2 JP3229883 B2 JP 3229883B2 JP 50657093 A JP50657093 A JP 50657093A JP 50657093 A JP50657093 A JP 50657093A JP 3229883 B2 JP3229883 B2 JP 3229883B2
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- alkenyl
- straight
- carbon atoms
- benzonitrile
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3402—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having oxygen as hetero atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D319/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D319/04—1,3-Dioxanes; Hydrogenated 1,3-dioxanes
- C07D319/06—1,3-Dioxanes; Hydrogenated 1,3-dioxanes not condensed with other rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K19/3402—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having oxygen as hetero atom
- C09K2019/3422—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having oxygen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered ring
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はフルオロシアノフェニル基を頭部に有する化
合物、それらの製造方法、かかる化合物を含有する液晶
混合物及びそれらの電気光学目的への使用に関する。
合物、それらの製造方法、かかる化合物を含有する液晶
混合物及びそれらの電気光学目的への使用に関する。
液晶は、その光学的性質が印加電圧によって影響され
うることから、主として表示装置の誘電体として用いら
れている。液晶に基づく電気光学的装置は当業者には良
く知られており、様々な効果に基づいている。もっとも
一般的な表示装置は、シャット−ヘルフリッヒ（Schadt
−Helfrich）効果を基本にするもので、ねじれネマチッ
ク構造を有するものである。このようなセルの例として
は、TNセル（「ねじれネマチック」）及びSTNセル
（「超ねじれネマチック」）がある。
うることから、主として表示装置の誘電体として用いら
れている。液晶に基づく電気光学的装置は当業者には良
く知られており、様々な効果に基づいている。もっとも
一般的な表示装置は、シャット−ヘルフリッヒ（Schadt
−Helfrich）効果を基本にするもので、ねじれネマチッ
ク構造を有するものである。このようなセルの例として
は、TNセル（「ねじれネマチック」）及びSTNセル
（「超ねじれネマチック」）がある。
かかるセルのための液晶材料は、優れた化学的及び熱
的安定性並びに電界及び電磁放射線に対する良好な安定
性を有しなければならない。更に、液晶材料は、粘度が
低く、かつセル中では応答時間が短く、低い閾値電位と
高いコントラストを有しているべきである。さらにま
た、通常の操作温度においては上述のセルのための好適
な中間相、例えばネマチックまたはコレステリックな中
間相を有すべきである。更に、誘電異方性はできるだけ
高いほうがよい。
的安定性並びに電界及び電磁放射線に対する良好な安定
性を有しなければならない。更に、液晶材料は、粘度が
低く、かつセル中では応答時間が短く、低い閾値電位と
高いコントラストを有しているべきである。さらにま
た、通常の操作温度においては上述のセルのための好適
な中間相、例えばネマチックまたはコレステリックな中
間相を有すべきである。更に、誘電異方性はできるだけ
高いほうがよい。
通常、液晶はいくつかの成分の混合物として用いられ
るので、各成分が互いに良好な混和性を有することが重
要である。
るので、各成分が互いに良好な混和性を有することが重
要である。
かかる化合物は本発明により今や得られるようになっ
た。
た。
本発明は、一般式： （式中、R1はビニル又は炭素原子３〜７個の直鎖アルケ
ニルを表す）で示される化合物を提供する。
ニルを表す）で示される化合物を提供する。
本発明の化合物は、広範なネマチック相と比較的高い
澄明点を有する液晶である。これらの化合物はおどろく
ほど高い誘電異方性を有し、回転粘度計による粘度も比
較的低いので、閾値電位は低く、応答時間も短い。
澄明点を有する液晶である。これらの化合物はおどろく
ほど高い誘電異方性を有し、回転粘度計による粘度も比
較的低いので、閾値電位は低く、応答時間も短い。
本発明の化合物は、例えばTNセルやSTNセルのような
ねじれネマチック構造を有する表示装置に好適に用いら
れる。これらの化合物は、その相互間及び公知の液晶材
料との混和性が良好であるために、比較的高濃度で用い
ることができる。これらの化合物はネマチック及びコレ
ステリックな混合物の成分として特に好適である。
ねじれネマチック構造を有する表示装置に好適に用いら
れる。これらの化合物は、その相互間及び公知の液晶材
料との混和性が良好であるために、比較的高濃度で用い
ることができる。これらの化合物はネマチック及びコレ
ステリックな混合物の成分として特に好適である。
炭素原子３〜７個の直鎖アルケニル基の例は1E−プロ
ペニル、1E−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニ
ル、1E−ヘプテニル、３−ブテニル、3E−ペンテニル、
3E−ヘキセニル、3E−ヘプテニル、４−ペンテニル、４
−ヘキセニル、４−ヘプテニル、５−ヘキセニル、５−
ヘプテニル、６−ヘプテニルなどである。R1基は、好ま
しくはビニル又は炭素原子３〜５個の直鎖アルケニル
基、特にビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−
ペンテニル、３−ブテニル、3E−ペンテニルである。
ペニル、1E−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニ
ル、1E−ヘプテニル、３−ブテニル、3E−ペンテニル、
3E−ヘキセニル、3E−ヘプテニル、４−ペンテニル、４
−ヘキセニル、４−ヘプテニル、５−ヘキセニル、５−
ヘプテニル、６−ヘプテニルなどである。R1基は、好ま
しくはビニル又は炭素原子３〜５個の直鎖アルケニル
基、特にビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−
ペンテニル、３−ブテニル、3E−ペンテニルである。
一般式Ｉの化合物は、例えば本発明により、次式： （式中、Ｒは低級アルキルを表す）で示されるエノール
エーテルと、次式： （式中、R1は上述の意味を有する）で示される1,3−ジ
オールとを不活性有機溶媒中、水及び酸触媒の存在下に
加熱しながら反応させることによって得ることができ
る。
エーテルと、次式： （式中、R1は上述の意味を有する）で示される1,3−ジ
オールとを不活性有機溶媒中、水及び酸触媒の存在下に
加熱しながら反応させることによって得ることができ
る。
ここで、「低級アルキル」には炭素原子１〜５個のア
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル等、特にメチル、エチル、プロピルが含ま
れる。
ルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル等、特にメチル、エチル、プロピルが含ま
れる。
本発明の範囲における有機溶媒としては、例えば、ト
ルエン、キシレン等のような芳香族炭化水素類やクロロ
ホルム、ジクロロエチレン等のような塩素化炭化水素類
が考えられる。加熱は、溶媒の還流温度よりも数度（摂
氏）低い温度で数分行ってから、還流温度で行うのが便
宜上好ましい。酸触媒としては、強プロトン酸、例え
ば、H2SO4、ｐ−トルエンスルホン酸、アンバーライト1
5等が考えられる。
ルエン、キシレン等のような芳香族炭化水素類やクロロ
ホルム、ジクロロエチレン等のような塩素化炭化水素類
が考えられる。加熱は、溶媒の還流温度よりも数度（摂
氏）低い温度で数分行ってから、還流温度で行うのが便
宜上好ましい。酸触媒としては、強プロトン酸、例え
ば、H2SO4、ｐ−トルエンスルホン酸、アンバーライト1
5等が考えられる。
式IIのエノールエーテルは、適当な方法で、例えば１
当量以下の水と触媒量の酸と共に式IIIの1,3−ジオール
と、例えば、トルエン中、アルコールと水を留去しなが
ら反応させる。このようにして、エノールエーテルから
中間体として得られたアルデヒドを単離せずに直接アセ
タール化する。
当量以下の水と触媒量の酸と共に式IIIの1,3−ジオール
と、例えば、トルエン中、アルコールと水を留去しなが
ら反応させる。このようにして、エノールエーテルから
中間体として得られたアルデヒドを単離せずに直接アセ
タール化する。
式Ｉの化合物は、それらの混合物及び／又は他の液晶
成分、例えばシッフ塩基、アゾベンゼン、アゾキシベン
ゼン、安息酸フェニル、シクロヘキサンカルボン酸フェ
ニル、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシル、ビフ
ェニル、フェニルシクロヘキサン、シクロヘキシルシク
ロヘキサン、フェニルピリミジン、シクロヘキシルピリ
ミジン、フェニルジオキサン、２−シクロヘキシル−１
−フェニルエタン、ターフェニル、シクロヘキシルビフ
ェニル、シクロヘキシルフェニルピリミジン等の群から
選ばれる物質との混合物として用いられる。このような
物質は当業者に知られているものであり、さらにこれら
の多くは市販されている。
成分、例えばシッフ塩基、アゾベンゼン、アゾキシベン
ゼン、安息酸フェニル、シクロヘキサンカルボン酸フェ
ニル、シクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシル、ビフ
ェニル、フェニルシクロヘキサン、シクロヘキシルシク
ロヘキサン、フェニルピリミジン、シクロヘキシルピリ
ミジン、フェニルジオキサン、２−シクロヘキシル−１
−フェニルエタン、ターフェニル、シクロヘキシルビフ
ェニル、シクロヘキシルフェニルピリミジン等の群から
選ばれる物質との混合物として用いられる。このような
物質は当業者に知られているものであり、さらにこれら
の多くは市販されている。
本発明の液晶混合物は、少なくとも２種の成分を含有
し、そのうちの少なくともひとつは式Ｉの化合物であ
る。第２の成分、及び場合によりそれ以上の成分は、式
Ｉのさらなる化合物であるか又はその他の液晶成分であ
る。式Ｉの化合物はネマチック混合物、又は少なくとも
一方の成分が光学的に活性である限り、コレステリック
混合物としても特に好適である。
し、そのうちの少なくともひとつは式Ｉの化合物であ
る。第２の成分、及び場合によりそれ以上の成分は、式
Ｉのさらなる化合物であるか又はその他の液晶成分であ
る。式Ｉの化合物はネマチック混合物、又は少なくとも
一方の成分が光学的に活性である限り、コレステリック
混合物としても特に好適である。
式Ｉの化合物は、その良好な溶解性とその相互間の良
好な混和性により、本発明の混合物中に比較的多量に存
在させることができる。しかし、式Ｉの化合物の含量
は、通常約１〜50重量％、特に約３〜20重量％が好まし
い。
好な混和性により、本発明の混合物中に比較的多量に存
在させることができる。しかし、式Ｉの化合物の含量
は、通常約１〜50重量％、特に約３〜20重量％が好まし
い。
本発明の混合物は、好ましくは、１以上の式Ｉの化合
物の他に、次式の化合物群より選ばれる１以上の化合物
を含有する。
物の他に、次式の化合物群より選ばれる１以上の化合物
を含有する。
上記式中、 R2及びR5はアルキル、アルコキシアルキル、3E−アル
ケニルもしくは４−アルケニル又は飽和環上では1E−ア
ルケニルを表し； ｎは０又は１を表し； 環A1は1,4−フェニレン、ピリジン−2,5−ジイル、ピ
リミジン−2,5−ジイル、トランス−1,4−シクロヘキシ
レン又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表
し； R3はシアノ、イソチオシアナト、フッ素、アルキル、
3E−アルケニル、４−アルケニル、アルコキシ、2E−ア
ルケニルオキシ、３−アルケニルオキシ又は１−アルキ
ニルを表し； 環Ｂは1,4−フェニレン又はトランス−1,4−シクロヘ
キシレンを表し； R4はアルキル、3E−アルケニルもしくは４−アルケニ
ル又はトランス−1,4−シクロヘキシレン上では1E−ア
ルケニル、又は1,4−フェニレン上ではシアノ、イソチ
オシアナト、アルコキシ、2E−アルケニルオキシもしく
は３−アルケニルオキシを表し； R6はアルキル、1E−アルケニル、3E−アルケニル又は
４−アルケニルを表し； R7はシアノ、アルキル、1E−アルケニル、3E−アルケ
ニル、４−アルケニル、アルコキシ、2E−アルケニルオ
キシ、３−アルケニルオキシ、アルコキシメチル又は
（2E−アルケニル）オキシメチルを表し； Z1およびZ2は共有単結合又は−CH2CH2−を表し、２個
の芳香環は常に共有単結合によって結合されている； R8は水素、フッ素又は塩素を表し； R9はシアノ、フッ素又は塩素を表し； R10はフッ素又は水素を表し； R11はフッ素又は塩素を表す。
ケニルもしくは４−アルケニル又は飽和環上では1E−ア
ルケニルを表し； ｎは０又は１を表し； 環A1は1,4−フェニレン、ピリジン−2,5−ジイル、ピ
リミジン−2,5−ジイル、トランス−1,4−シクロヘキシ
レン又はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルを表
し； R3はシアノ、イソチオシアナト、フッ素、アルキル、
3E−アルケニル、４−アルケニル、アルコキシ、2E−ア
ルケニルオキシ、３−アルケニルオキシ又は１−アルキ
ニルを表し； 環Ｂは1,4−フェニレン又はトランス−1,4−シクロヘ
キシレンを表し； R4はアルキル、3E−アルケニルもしくは４−アルケニ
ル又はトランス−1,4−シクロヘキシレン上では1E−ア
ルケニル、又は1,4−フェニレン上ではシアノ、イソチ
オシアナト、アルコキシ、2E−アルケニルオキシもしく
は３−アルケニルオキシを表し； R6はアルキル、1E−アルケニル、3E−アルケニル又は
４−アルケニルを表し； R7はシアノ、アルキル、1E−アルケニル、3E−アルケ
ニル、４−アルケニル、アルコキシ、2E−アルケニルオ
キシ、３−アルケニルオキシ、アルコキシメチル又は
（2E−アルケニル）オキシメチルを表し； Z1およびZ2は共有単結合又は−CH2CH2−を表し、２個
の芳香環は常に共有単結合によって結合されている； R8は水素、フッ素又は塩素を表し； R9はシアノ、フッ素又は塩素を表し； R10はフッ素又は水素を表し； R11はフッ素又は塩素を表す。
上述の「飽和環」なる用語はトランス−1,4−シクロ
ヘキシレン及びトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ルを含む。R2〜R7の残基は、それぞれ好ましくは１〜12
個の炭素原子を、特に１〜７個の炭素原子有する。直鎖
の残基が一般に好ましい。ここで「アルキル」なる用語
は、好ましくは１〜12個の炭素原子を、特に１〜７個の
炭素原子を有する直鎖の残基を意味し、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル及
びヘプチルが挙げられる。
ヘキシレン及びトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイ
ルを含む。R2〜R7の残基は、それぞれ好ましくは１〜12
個の炭素原子を、特に１〜７個の炭素原子有する。直鎖
の残基が一般に好ましい。ここで「アルキル」なる用語
は、好ましくは１〜12個の炭素原子を、特に１〜７個の
炭素原子を有する直鎖の残基を意味し、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル及
びヘプチルが挙げられる。
ここで「アルキルオキシアルキル」なる用語は、好ま
しくは直鎖の残基、例えばメトキシメチル、エトキシメ
チル、プロピルオキシメチル、ブチルオキシメチル等を
意味する。
しくは直鎖の残基、例えばメトキシメチル、エトキシメ
チル、プロピルオキシメチル、ブチルオキシメチル等を
意味する。
ここで「アルキルオキシ」なる用語は、好ましくは直
鎖の残基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキ
シ、ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、
ヘプチルオキシ等を意味する。
鎖の残基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキ
シ、ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、
ヘプチルオキシ等を意味する。
ここで「1E−アルケニル」なる用語は、好ましくは、
１位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、ビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−ペ
ンテニル、1E−ヘキセニル、1E−ヘプテニル等を意味す
る。
１位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、ビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−ペ
ンテニル、1E−ヘキセニル、1E−ヘプテニル等を意味す
る。
ここで「3E−アルケニル」なる用語は、好ましくは、
３位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、３−ブテニル、3E−ペテニル、3E−ヘキセニル、
3E−ヘプテニル等を意味する。
３位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、３−ブテニル、3E−ペテニル、3E−ヘキセニル、
3E−ヘプテニル等を意味する。
ここで「４−アルケニル」なる用語は、好ましくは、
４位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、４−ペンテニル、４−ヘキセニル、４−ヘプテニ
ル等を意味する。
４位に二重結合が位置している直鎖アルケニル残基、例
えば、４−ペンテニル、４−ヘキセニル、４−ヘプテニ
ル等を意味する。
ここで「2E−又は3Z−アルケニルオキシ」なる用語
は、好ましくは、２位又は３位に二重結合が位置してい
る直鎖アルケニルオキシ残基を意味し、かつＥ又はＺは
好適な配位を示し、アリルオキシ、2E−ブテニルオキ
シ、2E−ペンテニルオキシ、2E−ヘキセニルオキシ、2E
−ヘプテニルオキシ、３−ブテニルオキシ、3Z−ペンテ
ニルオキシ、3Z−ヘキセニルオキシ、3Z−ヘプテニルオ
キシ、４−ペンテニルオキシ、５−ヘキセニルオキシ、
６−ヘプテニルオキシ等が例示される。
は、好ましくは、２位又は３位に二重結合が位置してい
る直鎖アルケニルオキシ残基を意味し、かつＥ又はＺは
好適な配位を示し、アリルオキシ、2E−ブテニルオキ
シ、2E−ペンテニルオキシ、2E−ヘキセニルオキシ、2E
−ヘプテニルオキシ、３−ブテニルオキシ、3Z−ペンテ
ニルオキシ、3Z−ヘキセニルオキシ、3Z−ヘプテニルオ
キシ、４−ペンテニルオキシ、５−ヘキセニルオキシ、
６−ヘプテニルオキシ等が例示される。
ここで「１−アルキニル」なる用語は、好ましくは、
１位に三重結合が位置している直鎖アルキニル残基、例
えば、エチニル、１−プロピニル、１−ブチニル、１−
ペンチニル等を意味する。
１位に三重結合が位置している直鎖アルキニル残基、例
えば、エチニル、１−プロピニル、１−ブチニル、１−
ペンチニル等を意味する。
液晶混合物及び電気光学的装置の製造はそれ自体公知
の方法で実施される。
の方法で実施される。
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明する。実
施例において、Ｃは結晶相を、Ｎはネマチック相を、そ
してＩは等方性相を示す。V10は10％透過のための電圧
を示す。ton及びtoffはそれぞれスイッチオン（通電）
時間とスイッチオフ（非通電）時間を示示す。Δｎは光
学的異方性を示す。
施例において、Ｃは結晶相を、Ｎはネマチック相を、そ
してＩは等方性相を示す。V10は10％透過のための電圧
を示す。ton及びtoffはそれぞれスイッチオン（通電）
時間とスイッチオフ（非通電）時間を示示す。Δｎは光
学的異方性を示す。
実施例１ ２−フルオロ−４−［４−（メトキシメチリデン）シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル（米国特許第4,784,471
号）0.98g、２−（1E−ペンテニル）−1,3−プロパンジ
オール0.70g、トルエン45ml、水2ml及び10％硫酸10滴の
混合物を約85℃で75分間撹拌し、その後１時間加熱沸騰
させて湿溶媒を留去させ代わりに新たなトルエンを加え
た。反応混合物をトルエチルアミン12滴で処理し、冷却
後、水15mlで三回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、
過し濃縮した。残渣（1.86g）を、シリカゲル50g上で
ヘキサン／酢酸エチル（容量比9:1）を用いるクロマト
グラフィーに付し、それぞれヘキサン8mlで２回再結晶
して純粋な２−フルオロ−４−［トランス−４−［トラ
ンス５−（1E−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−
イル］シクロヘキシル］ベンゾニトリル0.65gを得た。
m.p.（融点）：（Ｃ−Ｎ）91.2℃、cl.p.（澄明点）：
（Ｎ−Ｉ）192.5℃。
クロヘキシル］ベンゾニトリル（米国特許第4,784,471
号）0.98g、２−（1E−ペンテニル）−1,3−プロパンジ
オール0.70g、トルエン45ml、水2ml及び10％硫酸10滴の
混合物を約85℃で75分間撹拌し、その後１時間加熱沸騰
させて湿溶媒を留去させ代わりに新たなトルエンを加え
た。反応混合物をトルエチルアミン12滴で処理し、冷却
後、水15mlで三回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、
過し濃縮した。残渣（1.86g）を、シリカゲル50g上で
ヘキサン／酢酸エチル（容量比9:1）を用いるクロマト
グラフィーに付し、それぞれヘキサン8mlで２回再結晶
して純粋な２−フルオロ−４−［トランス−４−［トラ
ンス５−（1E−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−
イル］シクロヘキシル］ベンゾニトリル0.65gを得た。
m.p.（融点）：（Ｃ−Ｎ）91.2℃、cl.p.（澄明点）：
（Ｎ−Ｉ）192.5℃。
同様の方法で次の化合物を製造した。
２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
ビニル−1,3−ジオキサン−２−イル］シクロヘキシ
ル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）95.3
℃、cl.p.（Ｎ−Ｉ）208.5℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ブテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シク
ロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）96.9℃、
cl.p.（Ｎ−Ｉ）198℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（３−ブテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シク
ロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）88.6℃、
cl.p.（Ｎ−Ｉ）152℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（４−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）54.6
℃、cl.p.（Ｎ−Ｉ）128℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（4Z−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（4Z−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（５−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（５−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル。
ビニル−1,3−ジオキサン−２−イル］シクロヘキシ
ル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）95.3
℃、cl.p.（Ｎ−Ｉ）208.5℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ブテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シク
ロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）96.9℃、
cl.p.（Ｎ−Ｉ）198℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（1E−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（３−ブテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シク
ロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）88.6℃、
cl.p.（Ｎ−Ｉ）152℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（3E−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（４−ペンテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル、m.p.（Ｃ−Ｎ）54.6
℃、cl.p.（Ｎ−Ｉ）128℃； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（4Z−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（4Z−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（５−ヘキセニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル； ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５−
（５−ヘプテニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］シ
クロヘキシル］ベンゾニトリル。
実施例２ 式Ｉの化合物の混合物の特性を調べるために、４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニト
リルとの二成分混合物（BM）を調製した。閾値電位及び
応答時間はプレート分離８μｍを有するTNセル（低バイ
アスチルト）中、22℃で測定した；閾値電位（V10）の
2.5倍の数値を動作電圧として選択した。４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリルに対
応するデータは次のとおりであった。
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニト
リルとの二成分混合物（BM）を調製した。閾値電位及び
応答時間はプレート分離８μｍを有するTNセル（低バイ
アスチルト）中、22℃で測定した；閾値電位（V10）の
2.5倍の数値を動作電圧として選択した。４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリルに対
応するデータは次のとおりであった。
cl.p.（Ｎ−Ｉ）＝54.6℃、V10＝1.62V、ton＝22ms、
toff42ms、Δｎ＝0.120。
toff42ms、Δｎ＝0.120。
BM−１ ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベン
ゾニトリル 90重量％ ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５
−（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］
シクロヘキシル］ベンゾニトリル 10重量％ cl.p.（Ｎ−Ｉ）61.3℃、V10＝1.56V、ton＝28ms、t
off＝50ms、Δｎ＝0.125。
ゾニトリル 90重量％ ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５
−（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］
シクロヘキシル］ベンゾニトリル 10重量％ cl.p.（Ｎ−Ｉ）61.3℃、V10＝1.56V、ton＝28ms、t
off＝50ms、Δｎ＝0.125。
BM−２ ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベン
ゾニトリル 80重量％ ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５
−（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］
シクロヘキシル］ベンゾニトリル 20重量％ cl.p.（Ｎ−Ｉ）69.2℃、V10＝1.50V、ton＝33ms、t
off＝60ms、Δｎ＝0.129。
ゾニトリル 80重量％ ２−フルオロ−４−［トランス−４−［トランス−５
−（1E−プロペニル）−1,3−ジオキサン−２−イル］
シクロヘキシル］ベンゾニトリル 20重量％ cl.p.（Ｎ−Ｉ）69.2℃、V10＝1.50V、ton＝33ms、t
off＝60ms、Δｎ＝0.129。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルカック，テオドール スイス国、ツエーハー−4147 エッシ ュ、ビルケンヴェク １ (72)発明者 シャット，マルチン スイス国、ツエーハー−4411 ゼルティ スベルク、リースターレルストラッセ 77 (72)発明者 高津 晴義 東京都小平市仲町500−14 (72)発明者 フィリゲル，アロイス スイス国、ツエーハー−4055 バーゼ ル、イム・エッチンゲルホフ ５ (56)参考文献 特開 昭61−56137（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−503678（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−501272（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 319/06 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (7)
- 【請求項１】一般式： （式中、R1はビニル又は３〜７個の炭素原子を有する直
鎖アルケニルを表す）で示される化合物。 - 【請求項２】R1がビニル又は３〜５個の炭素原子を有す
る直鎖アルケニルを表す請求項１記載の化合物。 - 【請求項３】R1がビニル、３〜５個の炭素原子を有する
直鎖1E−アルケニル又は3E−アルケニルを表す請求項１
又は２記載の化合物。 - 【請求項４】少なくとも２つの成分を有する液晶混合物
であって、少なくとも一つの成分が一般式： （式中、R1はビニル又は３〜７個の炭素原子を有する直
鎖アルケニルを表す）で示される化合物である、液晶混
合物。 - 【請求項５】一般式Ｉの化合物の含有量が１〜50重量
％、好ましくは３〜20重量％である請求項４記載の液晶
混合物。 - 【請求項６】一般式： （式中、R1はビニル又は３〜７個の炭素原子を有する直
鎖アルケニルを表す）で示される化合物を製造する方法
であって、 次式： （式中、Ｒは低級アルキルを表す）で示されるエノール
エーテルと 次式： （式中、R1は上述の意味を有する）で示される1,3−ジ
オールとを不活性有機溶媒中、水及び酸触媒の存在下に
加熱しながら反応させることを特徴とする方法。 - 【請求項７】請求項１に定義した式Ｉの化合物を含有す
る液晶混合物。
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| CH2899/91-2 | 1991-10-01 | ||
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| CH2339/92-4 | 1992-07-23 |
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|---|---|---|---|---|
| JP7143405B2 (ja) | 2017-12-05 | 2022-09-28 | シェフラー テクノロジーズ アー・ゲー ウント コー． カー・ゲー | 電気絶縁転がり軸受 |
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| US5800734A (en) * | 1995-04-04 | 1998-09-01 | Rolic Ag | 1-fluorocyclohexene-difluorophenyl derivatives |
| US8513287B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-08-20 | Eisai R&D Management Co., Ltd. | Heterocyclic ring and phosphonoxymethyl group substituted pyridine derivatives and antifungal agent containing same |
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|---|---|---|---|---|
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| DE3504866A1 (de) * | 1985-02-13 | 1986-08-14 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fluorbenzolderivate |
| DE3515633A1 (de) * | 1985-05-02 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Benzonitrile |
| DE3887084D1 (de) * | 1987-11-06 | 1994-02-24 | Hoffmann La Roche | Halogenierte Benzolderivate. |
| EP0438574B1 (de) * | 1989-08-12 | 1995-01-25 | MERCK PATENT GmbH | 2,5-disubstituierte heterocyclen und flüssigkristallines medium |
| KR920701195A (ko) * | 1989-12-08 | 1992-08-11 | 위르겐 호이만·라인하르트 슈틀러 | 페닐디옥산 |
| DE59010243D1 (de) * | 1989-12-19 | 1996-05-02 | Hoffmann La Roche | Halophenyl-substituierte Dioxane |
| WO1991016321A1 (de) * | 1990-04-26 | 1991-10-31 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | 1,3-dioxanderivate und flüssigkristallines medium |
-
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- 1992-09-15 WO PCT/EP1992/002112 patent/WO1993007136A1/en active IP Right Grant
- 1992-09-15 KR KR1019930701631A patent/KR100315333B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-09-15 JP JP50657093A patent/JP3229883B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-15 EP EP92919287A patent/EP0559859B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-15 DE DE69230397T patent/DE69230397T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-17 US US08/261,625 patent/US5447658A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7143405B2 (ja) | 2017-12-05 | 2022-09-28 | シェフラー テクノロジーズ アー・ゲー ウント コー． カー・ゲー | 電気絶縁転がり軸受 |
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| WO1993007136A1 (en) | 1993-04-15 |
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| EP0559859B1 (en) | 1999-12-08 |
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| DE69230397T2 (de) | 2000-06-08 |
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