JPH04229689A - 発光半導体ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
発光半導体ダイオード及びその製造方法Info
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- JPH04229689A JPH04229689A JP3146628A JP14662891A JPH04229689A JP H04229689 A JPH04229689 A JP H04229689A JP 3146628 A JP3146628 A JP 3146628A JP 14662891 A JP14662891 A JP 14662891A JP H04229689 A JPH04229689 A JP H04229689A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１導電形の半導体基
板の上に少なくとも、第１導電形の第１クラッド層と、
活性層と、第２導電形の第２クラッド層とをこの順序で
設けた半導体本体を具え、前記両クラッド層がリン化イ
ンジウム−アルミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ）
の半導体材料から成り、前記活性層が半導体材料とし
てのリン化インジウム−ガリウム（ＩｎＧａＰ） 又は
リン化インジウム−アルミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌ
ＧａＰ） から成り、これらの各半導体材料が２つの副
格子を有している混晶から成り、リン原子は一方の副格
子上に存在し、残りの元素の原子は他方の副格子上に存
在し、且つ前記基板と前記第１クラッド層との間に第１
導電形のバッファ層を設けた発光半導体ダイオードに関
するものである。本発明は、ヒ化ガリウム製の第１導電
形の半導体基板上に少なくともリン化インジウム−アル
ミニウム−ガリウム製の第１導電形の第１クラッド層と
、リン化インジウム−ガリウム製の活性層と、リン化イ
ンジウム−アルミニウム−ガリウム製の第２導電形の第
２クラッド層とをこの順序で設け、前記第１クラッド層
を設ける前にバッファ層を基板上に設けて発光半導体ダ
イオードを製造する方法にも関するものである。
板の上に少なくとも、第１導電形の第１クラッド層と、
活性層と、第２導電形の第２クラッド層とをこの順序で
設けた半導体本体を具え、前記両クラッド層がリン化イ
ンジウム−アルミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ）
の半導体材料から成り、前記活性層が半導体材料とし
てのリン化インジウム−ガリウム（ＩｎＧａＰ） 又は
リン化インジウム−アルミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌ
ＧａＰ） から成り、これらの各半導体材料が２つの副
格子を有している混晶から成り、リン原子は一方の副格
子上に存在し、残りの元素の原子は他方の副格子上に存
在し、且つ前記基板と前記第１クラッド層との間に第１
導電形のバッファ層を設けた発光半導体ダイオードに関
するものである。本発明は、ヒ化ガリウム製の第１導電
形の半導体基板上に少なくともリン化インジウム−アル
ミニウム−ガリウム製の第１導電形の第１クラッド層と
、リン化インジウム−ガリウム製の活性層と、リン化イ
ンジウム−アルミニウム−ガリウム製の第２導電形の第
２クラッド層とをこの順序で設け、前記第１クラッド層
を設ける前にバッファ層を基板上に設けて発光半導体ダ
イオードを製造する方法にも関するものである。
【０００２】斯種の発光半導体ダイオードは、特にその
発光する光の波長がスペクトルの可視領域内にある場合
に、ダイオードレーザとして設計すれば、特に情報を書
込むレーザプリンタの如き情報処理装置や、情報を読取
るコンパクトディスク（ビデオ）（ＣＤ（Ｖ））プレー
ヤ又はバーコードリーダや、情報を書込んだり、読取っ
たりするディジタル光学記録（ＤＯＲ）装置などに対す
る光源として好適である。斯種ダイオードのＬＥＤ形態
のものはオプトエレクトロニクス装置にも多数の用途が
ある。
発光する光の波長がスペクトルの可視領域内にある場合
に、ダイオードレーザとして設計すれば、特に情報を書
込むレーザプリンタの如き情報処理装置や、情報を読取
るコンパクトディスク（ビデオ）（ＣＤ（Ｖ））プレー
ヤ又はバーコードリーダや、情報を書込んだり、読取っ
たりするディジタル光学記録（ＤＯＲ）装置などに対す
る光源として好適である。斯種ダイオードのＬＥＤ形態
のものはオプトエレクトロニクス装置にも多数の用途が
ある。
【０００３】
【従来の技術】斯種発光半導体ダイオード及びその製造
方法については、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ
ｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， ｖｏｌ．Ｑ
Ｅ−２３， ｎｏ．６， １９８７年６月， 第７０４
頁にＫ． Ｋｏｂａｙａｓｈｉ外１名により発表され
た論文“ＡｌＧａＩｎＰ Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｖｉｓｉｂｌｅ−Ｌｉｇｈｔ Ｌ
ａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ＡｌＧａＩｎＰ
Ａｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ ＰｈａｓｅＥｐｉｔ
ａｘｙ ”から既知である。この論文には、ｎ形のＧａ
Ａｓ基板の上にＩｎＧａＰ の活性層をＩｎＡｌＧａＰ
の２つのクラッド層間に挟んで設ける発光半導体ダイ
オードが記載されている。これら各層の半導体材料は２
つの副格子を有している多元混晶から成り、一方の副格
子にはリン原子が存在し、他の元素の原子、この場合に
は活性層に対するＩｎ及びＧａ原子と、クラッド層に対
するＩｎ， Ａｌ及びＧａ原子が他方の副格子上に存在
する。基板と第１クラッド層との間にＧａＡｓのバッフ
ァ層がある。ここではレーザとして構成されるダイオー
ドの発光波長が約６７０ｎｍである（即ち、ホトルミネ
センスの波長は６６０ｎｍ であり、これは約１．８８
ｅＶのバンドギャップに相当する。）。
方法については、ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑ
ｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ， ｖｏｌ．Ｑ
Ｅ−２３， ｎｏ．６， １９８７年６月， 第７０４
頁にＫ． Ｋｏｂａｙａｓｈｉ外１名により発表され
た論文“ＡｌＧａＩｎＰ Ｄｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏ
ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｖｉｓｉｂｌｅ−Ｌｉｇｈｔ Ｌ
ａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ ｗｉｔｈ ＡｌＧａＩｎＰ
Ａｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ Ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ ＰｈａｓｅＥｐｉｔ
ａｘｙ ”から既知である。この論文には、ｎ形のＧａ
Ａｓ基板の上にＩｎＧａＰ の活性層をＩｎＡｌＧａＰ
の２つのクラッド層間に挟んで設ける発光半導体ダイ
オードが記載されている。これら各層の半導体材料は２
つの副格子を有している多元混晶から成り、一方の副格
子にはリン原子が存在し、他の元素の原子、この場合に
は活性層に対するＩｎ及びＧａ原子と、クラッド層に対
するＩｎ， Ａｌ及びＧａ原子が他方の副格子上に存在
する。基板と第１クラッド層との間にＧａＡｓのバッフ
ァ層がある。ここではレーザとして構成されるダイオー
ドの発光波長が約６７０ｎｍである（即ち、ホトルミネ
センスの波長は６６０ｎｍ であり、これは約１．８８
ｅＶのバンドギャップに相当する。）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の発光半導体ダイ
オードの欠点は、実験上確認される発光波長が、理論的
に予期した波長よりも高くなり、ＩｎＧａＰ の活性層
に対して予期される波長は約６５０ｎｍ であるが、実
際には約６７０ｎｍ 又はそれ以上となることが屡々み
られると云うことにある。同様な現象はＩｎＧａＡｌＰ
から成るクラッド層の場合にも生じ、この場合に実験
的に確められるバンドギャップの利得は理論的に予期さ
れるものよりも小さい。活性層とクラッド層との双方の
バンドギャップは、これらの層のアルミニウム含有量を
増やすことにより大きくすることができる。しかし、こ
の実現性、特に二次的半導体物質を含んでいるクラッド
層に対する実現性は制限される。その理由は、アルミニ
ウムを漸次添加してもバンドギャップは少ししか大きく
ならず、クラッド層のドーピングが一層困難となるから
である。活性層については、ドーピングの困難性を薄ら
ぐことができるが、製造が一層困難となる。結晶方位が
異なる（ｍｉｓｏｒｉｅｎｔｅｄ） 基板、例えば（３
１１） 又は（５１１） 基板を用いると、実験上のバ
ンドギャップ、従って発光波長が理論上の期待値に（非
常に）近付くことを実験的に確めた。しかし、このよう
に結晶方位の異なる基板を用いることは費用が嵩み、し
かも共振空胴を長手方向に選定するのを制約すると云う
欠点がある。
オードの欠点は、実験上確認される発光波長が、理論的
に予期した波長よりも高くなり、ＩｎＧａＰ の活性層
に対して予期される波長は約６５０ｎｍ であるが、実
際には約６７０ｎｍ 又はそれ以上となることが屡々み
られると云うことにある。同様な現象はＩｎＧａＡｌＰ
から成るクラッド層の場合にも生じ、この場合に実験
的に確められるバンドギャップの利得は理論的に予期さ
れるものよりも小さい。活性層とクラッド層との双方の
バンドギャップは、これらの層のアルミニウム含有量を
増やすことにより大きくすることができる。しかし、こ
の実現性、特に二次的半導体物質を含んでいるクラッド
層に対する実現性は制限される。その理由は、アルミニ
ウムを漸次添加してもバンドギャップは少ししか大きく
ならず、クラッド層のドーピングが一層困難となるから
である。活性層については、ドーピングの困難性を薄ら
ぐことができるが、製造が一層困難となる。結晶方位が
異なる（ｍｉｓｏｒｉｅｎｔｅｄ） 基板、例えば（３
１１） 又は（５１１） 基板を用いると、実験上のバ
ンドギャップ、従って発光波長が理論上の期待値に（非
常に）近付くことを実験的に確めた。しかし、このよう
に結晶方位の異なる基板を用いることは費用が嵩み、し
かも共振空胴を長手方向に選定するのを制約すると云う
欠点がある。
【０００５】本発明の目的は特に前述した欠点を有さな
いか、又はかなりの程度にまで低減させて、最低の可能
発光波長をクラッド層の最高の可能バンドギャップと組
合わせる発光半導体ダイオード、特に半導体ダイオード
レーザを提供することにある。本発明の他の目的は、約
６５０ｎｍ の波長（ホトルミネセンスでの波長は約６
４０ｎｍ） に相当する約１．９４ｅＶに等しいバンド
ギャップを有するＩｎＧａＰ から成る活性層を有して
いるダイオードレーザ用の発光半導体ダイオードを実現
することにある。特に本発明の目的は、ヘリウム−ネオ
ンガスレーザの波長に正確に一致する６３３ｎｍ の波
長で発光するような発光半導体ダイオードを実現するこ
とにある。本発明の他の目的は、斯種の発光半導体ダイ
オードを製造する簡単な方法を提供することにある。
いか、又はかなりの程度にまで低減させて、最低の可能
発光波長をクラッド層の最高の可能バンドギャップと組
合わせる発光半導体ダイオード、特に半導体ダイオード
レーザを提供することにある。本発明の他の目的は、約
６５０ｎｍ の波長（ホトルミネセンスでの波長は約６
４０ｎｍ） に相当する約１．９４ｅＶに等しいバンド
ギャップを有するＩｎＧａＰ から成る活性層を有して
いるダイオードレーザ用の発光半導体ダイオードを実現
することにある。特に本発明の目的は、ヘリウム−ネオ
ンガスレーザの波長に正確に一致する６３３ｎｍ の波
長で発光するような発光半導体ダイオードを実現するこ
とにある。本発明の他の目的は、斯種の発光半導体ダイ
オードを製造する簡単な方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、冒頭にて述べ
た種類の発光半導体ダイオードにおいて、バッファ層が
ヒ化アルミニウム−ガリウム（ＡｌＧａＡｓ）から成り
、このバッファ層のアルミニウム含有量が活性層のバン
ドギャップに属する最小値を有することを特徴とする。 バンドギャップを理論的な期待値に実現できないのは、
クラッド層及び活性層の混晶におけるＩＩＩ 族元素の
原子が結晶の（副）格子）に規則的に存在するからであ
る。種々の物質の混晶には斯様な規則化が生じ、ここで
用いている物質に対する規則化は１／２ （１１１）
Ａ面にて起り、これは所謂ＣｕＰｔ構造の規則化に似て
いる。基板の結晶方位以外に、成長温度の如き成長条件
も斯かる規則化が起るか、否かに影響を及ぼすことを確
めた。特に、成長温度が比較的高いと、規則化が殆ど又
は全く起らないため、形成された層のバンドギャップが
最大となる。しかし、従来のバッファ層を用いる場合に
は、高温で製造したＩｎＧａＰ 又はＩｎＡｌＧａＰ
半導体層の結晶構造が悪くなり、発光半導体ダイオード
の品質を極めて損ねている。アルミニウムの含有量が活
性層のバンドギャップに属する最小値よりも高いか、又
はそれに等しいＡｌＧａＡｓでバッファ層を構成すると
、ＩｎＧａＰ 又はＩｎＡｌＧａＰ 層を通常の成長温
度よりも高くすることができ、従って他方の副格子にリ
ン以外の残りの元素の原子がより一層不規則的に分布し
、それにも拘らず形態学及び結晶構造が極めて優れてい
る半導体層が得られると云う驚くべきことが確められた
。斯くして得られる半導体層は、残りの元素の原子が他
方の副格子にかなりランダムに分布することに相当する
バンドギャップを有する。このことは、ここで用いる半
導体物質に対し、例えばＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ
は高度に規則化した構造のものでは約１．８５ｅＶのバ
ンドギャップを有し、又ほぼ完全に不規則化した分布で
、約６８０ 〜６５０ｎｍ の発光波長に相当する構造
のものでは約１．９４ｅＶのバンドギャップを有するこ
とを意味する。Ｉｎ０．５０Ａｌ０．１０Ｇａ０．２５
の場合には、例えば（ほぼ完全な不規則化の場合）バン
ドギャップは約２．０５ｅＶであり、Ｉｎ０．５０Ａｌ
０．３０Ｇａ０．２０の場合のバンドギャップは２．３
ｅＶ であり、これらの値は同じ物質の規則的に分布さ
れた構造のものに対するバンドギャップ値よりも高い値
である。バンドギャップが約１．８８ｅＶのＩｎＧａＰ
活性層の場合には、例えばバッファ層のアルミニウム
最小含有量を約６原子％とする。バンドギャップが約１
．９２ｅＶのＩｎＧａＰ 活性層の場合には、バッファ
層のアルミニウム最小含有量を約９原子％とする。Ａｌ
ＧａＡｓバッファ層のアルミニウム含有量の上限は見つ
からなかったが、純粋なＡｌＡｓは多少吸湿性であり、
形成すべき劈開面を空気に曝らす場合に問題が生ずるか
ら、上記アルミニウムの含有量は１００ 原子％以下に
選定するのが好適である。良好な導電度を維持するため
に、アルミニウムの含有量は抵抗値を相対的にかなり低
くし得る程度にまで減らすこともできる。バッファ層の
厚さに対する下限値は確められなかったが、バッファ層
の厚さを６Åとし、そのアルミニウム含有量を２０％と
すると極めて満足のゆく結果が得られた。厚さが０．１
〜１μｍ の範囲のバッファ層でも良好な結果が得ら
れた。なお、“Ｅｌｅｃｔｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
”（１９９０年４月２６日， ｖｏｌ．２６， ｎｏ．
９， 第６１４ 頁） に発表された論文“Ｆａｂｒｉ
ｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｈａｒａｃ
ｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｆｉｒｓｔ ｏｒｄｅｒ
ＤＦＢ ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ｌａｓｅｒ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｔ ６３９ｎｍ ”に記載され
ている装置では、ＤＨ（ダブルヘテロ）構造と基板との
間にＡｌＧａＡｓ層があることに留意すべきである。し
かし、これに記載されているものはｐｎ接合がないから
、発光ダイオードに関するものでなく、又この論文には
アルミニウムの含有量を特定化することについて全く記
載されておらず、示唆すらされていない。 さらに、ＩｎＧａＰ の発光波長が特定化され、即ちル
ミネセンス波長が ６７０ｎｍ（即ちバンドギャップが
１．８５ｅＶに相当する）としてあることからして、Ｉ
ｎＧａＰ は他方の副格子の上に残りの元素の原子が極
めて強力に規則的に分布していることは明らかである（
これによりダイオードレーザとして設計したものでは、
発光波長が約６８０ｎｍ となる）。本発明による発光
半導体ダイオードでは、使用する基板を（ほぼ完全な結
晶方位の）（００１） 基板とすることができ、これは
上述したような重要な利点を奏するものである。基板と
してはヒ化ガリウム製のものを用いるのが好ましいが、
例えばシリコン基板のような他の基板を用いることもで
きる。
た種類の発光半導体ダイオードにおいて、バッファ層が
ヒ化アルミニウム−ガリウム（ＡｌＧａＡｓ）から成り
、このバッファ層のアルミニウム含有量が活性層のバン
ドギャップに属する最小値を有することを特徴とする。 バンドギャップを理論的な期待値に実現できないのは、
クラッド層及び活性層の混晶におけるＩＩＩ 族元素の
原子が結晶の（副）格子）に規則的に存在するからであ
る。種々の物質の混晶には斯様な規則化が生じ、ここで
用いている物質に対する規則化は１／２ （１１１）
Ａ面にて起り、これは所謂ＣｕＰｔ構造の規則化に似て
いる。基板の結晶方位以外に、成長温度の如き成長条件
も斯かる規則化が起るか、否かに影響を及ぼすことを確
めた。特に、成長温度が比較的高いと、規則化が殆ど又
は全く起らないため、形成された層のバンドギャップが
最大となる。しかし、従来のバッファ層を用いる場合に
は、高温で製造したＩｎＧａＰ 又はＩｎＡｌＧａＰ
半導体層の結晶構造が悪くなり、発光半導体ダイオード
の品質を極めて損ねている。アルミニウムの含有量が活
性層のバンドギャップに属する最小値よりも高いか、又
はそれに等しいＡｌＧａＡｓでバッファ層を構成すると
、ＩｎＧａＰ 又はＩｎＡｌＧａＰ 層を通常の成長温
度よりも高くすることができ、従って他方の副格子にリ
ン以外の残りの元素の原子がより一層不規則的に分布し
、それにも拘らず形態学及び結晶構造が極めて優れてい
る半導体層が得られると云う驚くべきことが確められた
。斯くして得られる半導体層は、残りの元素の原子が他
方の副格子にかなりランダムに分布することに相当する
バンドギャップを有する。このことは、ここで用いる半
導体物質に対し、例えばＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ
は高度に規則化した構造のものでは約１．８５ｅＶのバ
ンドギャップを有し、又ほぼ完全に不規則化した分布で
、約６８０ 〜６５０ｎｍ の発光波長に相当する構造
のものでは約１．９４ｅＶのバンドギャップを有するこ
とを意味する。Ｉｎ０．５０Ａｌ０．１０Ｇａ０．２５
の場合には、例えば（ほぼ完全な不規則化の場合）バン
ドギャップは約２．０５ｅＶであり、Ｉｎ０．５０Ａｌ
０．３０Ｇａ０．２０の場合のバンドギャップは２．３
ｅＶ であり、これらの値は同じ物質の規則的に分布さ
れた構造のものに対するバンドギャップ値よりも高い値
である。バンドギャップが約１．８８ｅＶのＩｎＧａＰ
活性層の場合には、例えばバッファ層のアルミニウム
最小含有量を約６原子％とする。バンドギャップが約１
．９２ｅＶのＩｎＧａＰ 活性層の場合には、バッファ
層のアルミニウム最小含有量を約９原子％とする。Ａｌ
ＧａＡｓバッファ層のアルミニウム含有量の上限は見つ
からなかったが、純粋なＡｌＡｓは多少吸湿性であり、
形成すべき劈開面を空気に曝らす場合に問題が生ずるか
ら、上記アルミニウムの含有量は１００ 原子％以下に
選定するのが好適である。良好な導電度を維持するため
に、アルミニウムの含有量は抵抗値を相対的にかなり低
くし得る程度にまで減らすこともできる。バッファ層の
厚さに対する下限値は確められなかったが、バッファ層
の厚さを６Åとし、そのアルミニウム含有量を２０％と
すると極めて満足のゆく結果が得られた。厚さが０．１
〜１μｍ の範囲のバッファ層でも良好な結果が得ら
れた。なお、“Ｅｌｅｃｔｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
”（１９９０年４月２６日， ｖｏｌ．２６， ｎｏ．
９， 第６１４ 頁） に発表された論文“Ｆａｂｒｉ
ｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｃｈａｒａｃ
ｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｆｉｒｓｔ ｏｒｄｅｒ
ＤＦＢ ＩｎＧａＰ／ＡｌＧａＩｎＰ ｌａｓｅｒ ｓ
ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｔ ６３９ｎｍ ”に記載され
ている装置では、ＤＨ（ダブルヘテロ）構造と基板との
間にＡｌＧａＡｓ層があることに留意すべきである。し
かし、これに記載されているものはｐｎ接合がないから
、発光ダイオードに関するものでなく、又この論文には
アルミニウムの含有量を特定化することについて全く記
載されておらず、示唆すらされていない。 さらに、ＩｎＧａＰ の発光波長が特定化され、即ちル
ミネセンス波長が ６７０ｎｍ（即ちバンドギャップが
１．８５ｅＶに相当する）としてあることからして、Ｉ
ｎＧａＰ は他方の副格子の上に残りの元素の原子が極
めて強力に規則的に分布していることは明らかである（
これによりダイオードレーザとして設計したものでは、
発光波長が約６８０ｎｍ となる）。本発明による発光
半導体ダイオードでは、使用する基板を（ほぼ完全な結
晶方位の）（００１） 基板とすることができ、これは
上述したような重要な利点を奏するものである。基板と
してはヒ化ガリウム製のものを用いるのが好ましいが、
例えばシリコン基板のような他の基板を用いることもで
きる。
【０００７】本発明の好適例では、前記基板をヒ化ガリ
ウムで構成し、該基板の下側に導電層を設け、前記上側
の第２クラッド層の上に、リン化インジウム−ガリウム
又はヒ化アルミニウムガリウムの第２導電形の中間層と
、ヒ化ガリウムの第２導電形の接点層とをこの順序で設
け、且つ前記半導体本体の表面に隣接してメサ状のスト
ライプを設け、該ストライプが少なくとも前記接点層か
ら成り、該接点層及び半導体本体の表面に他の導電層を
被着し、前記メサ状ストライプ以外で、このストライプ
を超えて延在する前記他の導電層が、この導電層の下側
に位置する層とでバリヤを構成する接合を形成するよう
にする。このようにすれば、電流がメサ状ストライプの
下側に位置する活性領域内に極めて有効に限定されるた
めに、始動電流を低くすることができる。さらに、この
例のようにすれば、発光半導体ダイオードの構造が簡単
となり、それを製造するのも極めて簡単となる（マスク
工程なしで他方の導電層を設けることができるからであ
る。）。発光波長をできるだけ低くするためには、Ｉｎ
ＧａＰ のウェル層とＩｎＡｌＧａＰ のバリヤ層とを
有する多重量子ウェル構造から成る活性層を用いるのが
好適である。 本発明による発光半導体ダイオードでは、波長を実質上
高めるのに極めて薄い層は不要であり、厚さが約４〜６
ｎｍのウェル及びバリヤ層は既に十分薄く、これらの層
は製造するのも比較的容易である。斯くして、本発明に
よる発光半導体ダイオードとしてはＨｅ−Ｎｅガスレー
ザの波長に等しい６３３ｎｍ の発光波長のものを製造
し、活性層を厚さが約４ｎｍのバリヤ層によって分離さ
せた厚さが約５ｎｍの８つのＩｎＧａＰ ウェル層で形
成した。クラッド層は、分離閉込め層に対しては２５原
子％のアルミニウムを含有し、且つクラッド層に対して
は３５原子％のアルミニウムを含有する所謂ＳＣＨ（分
離閉込めヘテロ）（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏ） 構造に形成した。
ウムで構成し、該基板の下側に導電層を設け、前記上側
の第２クラッド層の上に、リン化インジウム−ガリウム
又はヒ化アルミニウムガリウムの第２導電形の中間層と
、ヒ化ガリウムの第２導電形の接点層とをこの順序で設
け、且つ前記半導体本体の表面に隣接してメサ状のスト
ライプを設け、該ストライプが少なくとも前記接点層か
ら成り、該接点層及び半導体本体の表面に他の導電層を
被着し、前記メサ状ストライプ以外で、このストライプ
を超えて延在する前記他の導電層が、この導電層の下側
に位置する層とでバリヤを構成する接合を形成するよう
にする。このようにすれば、電流がメサ状ストライプの
下側に位置する活性領域内に極めて有効に限定されるた
めに、始動電流を低くすることができる。さらに、この
例のようにすれば、発光半導体ダイオードの構造が簡単
となり、それを製造するのも極めて簡単となる（マスク
工程なしで他方の導電層を設けることができるからであ
る。）。発光波長をできるだけ低くするためには、Ｉｎ
ＧａＰ のウェル層とＩｎＡｌＧａＰ のバリヤ層とを
有する多重量子ウェル構造から成る活性層を用いるのが
好適である。 本発明による発光半導体ダイオードでは、波長を実質上
高めるのに極めて薄い層は不要であり、厚さが約４〜６
ｎｍのウェル及びバリヤ層は既に十分薄く、これらの層
は製造するのも比較的容易である。斯くして、本発明に
よる発光半導体ダイオードとしてはＨｅ−Ｎｅガスレー
ザの波長に等しい６３３ｎｍ の発光波長のものを製造
し、活性層を厚さが約４ｎｍのバリヤ層によって分離さ
せた厚さが約５ｎｍの８つのＩｎＧａＰ ウェル層で形
成した。クラッド層は、分離閉込め層に対しては２５原
子％のアルミニウムを含有し、且つクラッド層に対して
は３５原子％のアルミニウムを含有する所謂ＳＣＨ（分
離閉込めヘテロ）（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅ
ｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏ） 構造に形成した。
【０００８】本発明による発光半導体ダイオードの製造
方法は、前記バッファ層用に選定する半導体材料を、ア
ルミニウムの含有量が前記活性層のバンドギャップに属
する最小値に少なくとも等しいヒ化アルミニウム−ガリ
ウムとし、成長温度を７００ ℃以上に選定することを
特徴とする。このようにすれば、リン以外の元素の原子
が副格子に積極的に不規則に分布するため、所望な特性
を有するダイオードが得られる。比較的高温で処理され
ることにより、形態学上良好で、結晶構造が良く、しか
も界面が良好な如き優れた特性を有する半導体構造が得
られる。成長温度は少なくとも７３０ ℃に選定するの
が好適であり、成長法としてＭＯＶＢＥを用いる場合に
は、約７６０ ℃の温度で最良の結果が得られる。バッ
ファ層に対する約６原子％の最小アルミニウム含有値は
約７３０ ℃の成長温度に属する。７６０ ℃での最小
アルミニウム含有量は約９原子％である。この方法では
基板として（００１） 基板を選定するのが好適であり
、半導体層を形成するＩＩＩ 族元素の量とＶ族元素の
量との比は約１００ 〜４００ 内の値とする。これら
のＶ／ＩＩＩ 族元素比は、形成する半導体層の混晶中
の副格子への原子分布を最大限に不規則とするのに好適
なことを確めた。
方法は、前記バッファ層用に選定する半導体材料を、ア
ルミニウムの含有量が前記活性層のバンドギャップに属
する最小値に少なくとも等しいヒ化アルミニウム−ガリ
ウムとし、成長温度を７００ ℃以上に選定することを
特徴とする。このようにすれば、リン以外の元素の原子
が副格子に積極的に不規則に分布するため、所望な特性
を有するダイオードが得られる。比較的高温で処理され
ることにより、形態学上良好で、結晶構造が良く、しか
も界面が良好な如き優れた特性を有する半導体構造が得
られる。成長温度は少なくとも７３０ ℃に選定するの
が好適であり、成長法としてＭＯＶＢＥを用いる場合に
は、約７６０ ℃の温度で最良の結果が得られる。バッ
ファ層に対する約６原子％の最小アルミニウム含有値は
約７３０ ℃の成長温度に属する。７６０ ℃での最小
アルミニウム含有量は約９原子％である。この方法では
基板として（００１） 基板を選定するのが好適であり
、半導体層を形成するＩＩＩ 族元素の量とＶ族元素の
量との比は約１００ 〜４００ 内の値とする。これら
のＶ／ＩＩＩ 族元素比は、形成する半導体層の混晶中
の副格子への原子分布を最大限に不規則とするのに好適
なことを確めた。
【０００９】
【実施例】以下図面を参照して本発明を実施例につき説
明するに、各図は概略的に示したものであり、実寸図示
したものでなく、特に判り易くするために厚さ方向の寸
法を誇張して示してある。種々の例における対応する部
分には同じ参照番号を付して示してあり、同じ導電形の
半導体領域には同一方向のハッチを付して示してある。
明するに、各図は概略的に示したものであり、実寸図示
したものでなく、特に判り易くするために厚さ方向の寸
法を誇張して示してある。種々の例における対応する部
分には同じ参照番号を付して示してあり、同じ導電形の
半導体領域には同一方向のハッチを付して示してある。
【００１０】図１は本発明による発光半導体ダイオード
の第１実施例の断面図を示す。この半導体ダイオードは
接続導体８を設けた基板領域１を有している半導体本体
を具えており、基板領域１を第１導電形、この場合には
ｎ導電形とし、しかもこの基板領域を本例では単結晶の
ヒ化ガリウムで構成する。斯かる基板１の上に、特にｎ
−ＩｎＡｌＧａＰ の第１クラッド層２と、ＩｎＧａＰ
の活性層３と、ｐ−ＩｎＡｌＧａＰ の第２クラッド層
４とを具えている半導体層構体を設ける。これらの多元
混晶におけるリン原子は一方の副格子の上にあり、又残
りの元素の原子は他方の副格子の上にある。本発明によ
れば、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）のバ
ッファ層１１を基板領域１と第１クラッド層２との間に
設け、このバッファ層のアルミニウム含有量が少なくと
もＩｎＧａＰ の活性層３のバンドギャップに属する最
小値を有するようにする。この場合に、（肉厚の）Ｉｎ
ＧａＰ 層のバンドギャップは約１．９２ｅＶであり、
バッファ層の最小アルミニウム含有量は約９原子％であ
る。本例では、約２０原子％のアルミニウムを含有して
いるバッファ層を用いる。このようにすれば、バッファ
層１１の上に設ける複数の層の特性を、ダイオードを満
足に作動させるのに要求される特性とすることができる
と共に、それらの層を比較的高い成長温度で設けること
ができ、従って特にこれらの層の結晶形態を優れたもの
とし、結晶特性を良好なものとすることができ、このよ
うなことは、特に二重結晶測定におけるライン幅が短く
なり、しかもルミネンスのピークが強力且つ、狭くなる
ような優れた光学的特性が得られることから明らかであ
る。バッファ層１１の上に半導体層を設ける期間中、比
較的高温にするために、他方の副格子上へのＩＩＩ 族
元素の分布特性ができるだけ不規則となり、従ってＩｎ
ＧａＰ の活性層のバンドギャップ（Ｉｎ及びＧａ原子
の分布）が比較的大きく、例えば１．９２ｅＶとなるた
め、波長が比較的低くなる。これと同じようなことがＩ
ｎＡｌＧａＰ のクラッド層２及び４についても云え、
例えば３５原子％のアルミニウムを含有しているこれら
のクラッド層のバンドギャップは約２．３ｅＶ となる
ため、得られるダイオードの始動電流は温度依存性が低
いものとなる。本例では、クラッド層２及び４を、Ｉｎ
０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐから成る０．８ μ
ｍ の厚さのサブ層２′及び４′と、Ｉｎ０．５Ａｌ０
．２５Ｇａ０．２５Ｐから成る２５ｎｍの厚さのサブ層
２″及び４″（所謂分離閉込め層）とで構成し、活性層
３を、７枚の４ｎｍ厚のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０
．２５Ｐ層により相対的に分離させた８枚の５ｎｍ厚の
ＩｎＧａＰ 層を有している多重量子ウェル構体で構成
する。このようにし、しかも量子ウェル層の厚さを比較
的大きくするにも拘らず、本発明による発光ダイオード
の発光波長は特に低くなり、本例では６３３ｎｍ とな
り、これは同じ波長で発光するヘリウム−ネオンガスレ
ーザにとって代わる魅力的なものである。ヘリウム−ネ
オンガスレーザはダイオードレーザよりも遥かに高価で
、がん丈に作られ、エネルギー消費量も多い。量子ウェ
ル層を比較的厚くすることにより、上述したように原子
の分布が不規則的となり、これに付随してバンドギャッ
プが比較的大きくなる。ＡｌＧａＡｓから成るバッファ
層は本例では２０原子％のアルミニウムを含有している
。このバッファ層の厚さを本例では０．１ μｍ とし
た。第２クラッド層４の上には、反対導電形、本例では
ｐ導電形で、リン化インジウム−ガリウム製の中間層５
と、同じく反対導電形のｐ形で、ヒ化ガリウム製の接点
層６とをメサ状ストライプ１２を形成するように設ける
。このメサ状ストライプの上に導電層７を設ける。この
導電層は、この層の下側に位置するメサ状ストライプ１
２以外の所における中間層５とでバリヤ（障壁）を設定
する接合を形成する。従って、導電層７及び８を電流回
路に接続する場合に、所定電圧以下ではメサ状ストライ
プ１２の隣の半導体本体内の領域１３及び１４を経て電
流が殆ど、又は全く流れなくなる。半導体本体内にはス
トライプ状の領域１３があり、この領域の一部がメサ状
ストライプ１２を形成する。領域１３内にあるｐｎ接合
は順方向バイアス電流が十分高い場合に電磁放射を放出
する。導電層７は接点層６と電気的に良好に接触するた
め、領域１３は電流に対する優先通路となる。本例では
、発光半導体ダイオードを特に利得導波形のダイオード
レーザとして構成する。このことは、光が十分高い電流
強度でコヒーレントに放射することを意味する。 ダイオードレーザ構成からして、メサ状ストライプ１２
は図面の平面内にある２つの平行なミラー面により長手
方向に対して垂直方向に画成される。ミラー面は半導体
本体を形成する結晶の固有の劈開面と一致する。これに
より、ストライプ状領域１３内の活性層３には発生され
る光に対する共振空胴が形成される。本例のダイオード
レーザは容易に製造することができ、しかも発光波長を
極めて短くすることができるが、始動電流の温度依存性
も小さいため、最大作動温度を高くすることができる。 本例における種々の半導体層に対しては次のような組成
物、ドーピングレベル及び厚さのものを用いた。
の第１実施例の断面図を示す。この半導体ダイオードは
接続導体８を設けた基板領域１を有している半導体本体
を具えており、基板領域１を第１導電形、この場合には
ｎ導電形とし、しかもこの基板領域を本例では単結晶の
ヒ化ガリウムで構成する。斯かる基板１の上に、特にｎ
−ＩｎＡｌＧａＰ の第１クラッド層２と、ＩｎＧａＰ
の活性層３と、ｐ−ＩｎＡｌＧａＰ の第２クラッド層
４とを具えている半導体層構体を設ける。これらの多元
混晶におけるリン原子は一方の副格子の上にあり、又残
りの元素の原子は他方の副格子の上にある。本発明によ
れば、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）のバ
ッファ層１１を基板領域１と第１クラッド層２との間に
設け、このバッファ層のアルミニウム含有量が少なくと
もＩｎＧａＰ の活性層３のバンドギャップに属する最
小値を有するようにする。この場合に、（肉厚の）Ｉｎ
ＧａＰ 層のバンドギャップは約１．９２ｅＶであり、
バッファ層の最小アルミニウム含有量は約９原子％であ
る。本例では、約２０原子％のアルミニウムを含有して
いるバッファ層を用いる。このようにすれば、バッファ
層１１の上に設ける複数の層の特性を、ダイオードを満
足に作動させるのに要求される特性とすることができる
と共に、それらの層を比較的高い成長温度で設けること
ができ、従って特にこれらの層の結晶形態を優れたもの
とし、結晶特性を良好なものとすることができ、このよ
うなことは、特に二重結晶測定におけるライン幅が短く
なり、しかもルミネンスのピークが強力且つ、狭くなる
ような優れた光学的特性が得られることから明らかであ
る。バッファ層１１の上に半導体層を設ける期間中、比
較的高温にするために、他方の副格子上へのＩＩＩ 族
元素の分布特性ができるだけ不規則となり、従ってＩｎ
ＧａＰ の活性層のバンドギャップ（Ｉｎ及びＧａ原子
の分布）が比較的大きく、例えば１．９２ｅＶとなるた
め、波長が比較的低くなる。これと同じようなことがＩ
ｎＡｌＧａＰ のクラッド層２及び４についても云え、
例えば３５原子％のアルミニウムを含有しているこれら
のクラッド層のバンドギャップは約２．３ｅＶ となる
ため、得られるダイオードの始動電流は温度依存性が低
いものとなる。本例では、クラッド層２及び４を、Ｉｎ
０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐから成る０．８ μ
ｍ の厚さのサブ層２′及び４′と、Ｉｎ０．５Ａｌ０
．２５Ｇａ０．２５Ｐから成る２５ｎｍの厚さのサブ層
２″及び４″（所謂分離閉込め層）とで構成し、活性層
３を、７枚の４ｎｍ厚のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０
．２５Ｐ層により相対的に分離させた８枚の５ｎｍ厚の
ＩｎＧａＰ 層を有している多重量子ウェル構体で構成
する。このようにし、しかも量子ウェル層の厚さを比較
的大きくするにも拘らず、本発明による発光ダイオード
の発光波長は特に低くなり、本例では６３３ｎｍ とな
り、これは同じ波長で発光するヘリウム−ネオンガスレ
ーザにとって代わる魅力的なものである。ヘリウム−ネ
オンガスレーザはダイオードレーザよりも遥かに高価で
、がん丈に作られ、エネルギー消費量も多い。量子ウェ
ル層を比較的厚くすることにより、上述したように原子
の分布が不規則的となり、これに付随してバンドギャッ
プが比較的大きくなる。ＡｌＧａＡｓから成るバッファ
層は本例では２０原子％のアルミニウムを含有している
。このバッファ層の厚さを本例では０．１ μｍ とし
た。第２クラッド層４の上には、反対導電形、本例では
ｐ導電形で、リン化インジウム−ガリウム製の中間層５
と、同じく反対導電形のｐ形で、ヒ化ガリウム製の接点
層６とをメサ状ストライプ１２を形成するように設ける
。このメサ状ストライプの上に導電層７を設ける。この
導電層は、この層の下側に位置するメサ状ストライプ１
２以外の所における中間層５とでバリヤ（障壁）を設定
する接合を形成する。従って、導電層７及び８を電流回
路に接続する場合に、所定電圧以下ではメサ状ストライ
プ１２の隣の半導体本体内の領域１３及び１４を経て電
流が殆ど、又は全く流れなくなる。半導体本体内にはス
トライプ状の領域１３があり、この領域の一部がメサ状
ストライプ１２を形成する。領域１３内にあるｐｎ接合
は順方向バイアス電流が十分高い場合に電磁放射を放出
する。導電層７は接点層６と電気的に良好に接触するた
め、領域１３は電流に対する優先通路となる。本例では
、発光半導体ダイオードを特に利得導波形のダイオード
レーザとして構成する。このことは、光が十分高い電流
強度でコヒーレントに放射することを意味する。 ダイオードレーザ構成からして、メサ状ストライプ１２
は図面の平面内にある２つの平行なミラー面により長手
方向に対して垂直方向に画成される。ミラー面は半導体
本体を形成する結晶の固有の劈開面と一致する。これに
より、ストライプ状領域１３内の活性層３には発生され
る光に対する共振空胴が形成される。本例のダイオード
レーザは容易に製造することができ、しかも発光波長を
極めて短くすることができるが、始動電流の温度依存性
も小さいため、最大作動温度を高くすることができる。 本例における種々の半導体層に対しては次のような組成
物、ドーピングレベル及び厚さのものを用いた。
【００１１】
半 導 体 層 導電形
ドーピング濃度 厚さ バンドギャップ
（原子／ｃｍ３） （μｍ）１
ＧａＡｓ （基板） Ｎ
２×１０１８ ３５０
１．４１１ Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ
Ｎ ２×１０１８
０．１ １．７２′ Ｉｎ０．
５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ Ｎ
２×１０１８ ０．８ ２
．３２″ Ｉｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐ
Ｎ ２×１０１８ ０．
０２５ ２．１５ ３ Ｉｎ０．５Ｇ
ａ０．５Ｐ （８ｘ）：５ｎｍ ＋ Ｉｎ０．５Ａｌ０
．２５Ｇａ０．２５Ｐ （７ｘ） ４ｎｍ４″ Ｉｎ
０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐ Ｐ
４×１０１７ ０．０２５
２．１５ ４′ Ｉｎ０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．
１５Ｐ Ｐ ４×１０１７
０．８ ２．３５ Ｉｎ０．
５Ｇａ０．５Ｐ Ｐ
１×１０１８ ０．１ １
．９６ ＧａＡｓ
Ｐ ２×１０１８ ０
．５ １．４
ドーピング濃度 厚さ バンドギャップ
（原子／ｃｍ３） （μｍ）１
ＧａＡｓ （基板） Ｎ
２×１０１８ ３５０
１．４１１ Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ
Ｎ ２×１０１８
０．１ １．７２′ Ｉｎ０．
５Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｐ Ｎ
２×１０１８ ０．８ ２
．３２″ Ｉｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐ
Ｎ ２×１０１８ ０．
０２５ ２．１５ ３ Ｉｎ０．５Ｇ
ａ０．５Ｐ （８ｘ）：５ｎｍ ＋ Ｉｎ０．５Ａｌ０
．２５Ｇａ０．２５Ｐ （７ｘ） ４ｎｍ４″ Ｉｎ
０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐ Ｐ
４×１０１７ ０．０２５
２．１５ ４′ Ｉｎ０．５Ａｌ０．３５Ｇａ０．
１５Ｐ Ｐ ４×１０１７
０．８ ２．３５ Ｉｎ０．
５Ｇａ０．５Ｐ Ｐ
１×１０１８ ０．１ １
．９６ ＧａＡｓ
Ｐ ２×１０１８ ０
．５ １．４
【００１２】メサ状ストラ
イプ１２の幅は約７μｍ とした。本例の基板１におけ
る導電層８の厚さは約１０００Åとした。又、導電層７
は厚さがそれぞれ約１０００Å， 約５００ Å及び２
５００Åのプラチナ， タンタリウム及び金層とした。
イプ１２の幅は約７μｍ とした。本例の基板１におけ
る導電層８の厚さは約１０００Åとした。又、導電層７
は厚さがそれぞれ約１０００Å， 約５００ Å及び２
５００Åのプラチナ， タンタリウム及び金層とした。
【００１３】上述したような発光半導体ダイオードは本
発明に従って次のようにして製造される（図２及び図３
参照）。出発材料は、ドーピング濃度を２×１０１８原
子／ｃｍ３ とし、且つ例えば３５０ μｍ の厚さと
したｎ形の単結晶ヒ化ガリウム製の（００１） 基板１
とする。（００１） 方位の表面を研磨し、且つエッチ
ングした後に、この表面に例えばＯＭＶＰＥ（Ｏｒｇａ
ｎｏ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｖａｐｏｕｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法により気相から０．５ μｍ の
厚さのｎ導電形のバッファ層１１を成長させる。本発明
によれば、この層をヒ化アルミニウム−ガリウムとし、
この層におけるアルミニウム含有量が活性層のバンドギ
ャップに属する少なくとも最小値を有し、しかもこの層
１１の成長温度が少なくとも約７００ ℃となるように
選定する。成長温度を約７６０ ℃に選定する場合には
、バッファ層のアルミニウム含有量を少なくとも約９原
子％に選定する必要がある。 本例ではアルミニウム含有量を約２０原子％に選定する
。 次いで層１１の上に約７６０ ℃の同じく比較的高温度
で半導体層を設ける。このようにすれば、温度を切換え
る必要がないため、製造方法が簡単となり、しかも２つ
の隣接する半導体層間の界面の品質も良くなると云う利
点がある。この後者の利点は、連続半導体層のＩＩＩ
族の元素が副格子上にできるだけ不規則に分配されるた
め、これらの層のバンドギャップが最大となると云うこ
とにある。 バッファ層１１のドーピング濃度を本例では約２×１０
１８原子／ｃｍ３ に選定する。Ｖ／ＩＩＩ 族元素比
が１００ 〜４００ の範囲内にある場合に、次のよう
な各半導体層を順次この順序で設ける。即ち、ドーピン
グ濃度が２×１０１８原子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ
０．３５Ｇａ０．５Ｐ のｎ形の厚さ０．８ μｍ の
層２′、ドーピング濃度が約２×１０１８原子／ｃｍ３
のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐのｎ形の厚
さ２５ｎｍの層２″、厚さが５ｎｍのＩｎ０．４９Ｇａ
０．５１Ｐ の８つの層３′と厚さが４ｎｍのＩｎ０．
５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐの７つの層３″とを交互
に重ねた活性層３、ドーピング濃度が約４×１０１７原
子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．５Ｐ
のｐ形の厚さ２５μｍ の層４″、ドーピング濃度が約
４×１０１７原子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ０．３５
Ｇａ０．５Ｐ のｐ形の厚さ０．８ μｍ の層４′、
ドーピング濃度が１×１０１８原子／ｃｍ３ のＩｎ０
．４９Ｇａ０．５１Ｐ のｐ形の厚さ０．０８μｍ の
層５及びドーピング濃度が約１×１０１８原子／ｃｍ３
のｐ形ＧａＡｓの厚さ０．５ μｍ の層６を順次バ
ッファ層１１の上に設ける。頂部層６の上に厚さが１μ
ｍ のマスク層１０、例えばストライプ状のホトレジス
スト製のマスク層を設ける。 このマスク層の長手方向軸線は図２の図面の平面に対し
て直角の方向であり、従って図２は得られる発光半導体
ダイオードの長手方向に対して垂直方向の断面図を示し
ている。その後、図２の半導体層構体にメサ形のストラ
イプ１２をエッチングして形成する（図３）。これはＮ
Ｈ３， Ｈ２Ｏ２ 及びＨ２Ｏ を２：１：５０の比率
で含有しているエッチング液によりＧａＡｓ接点層６を
常温で約０．７ μｍ ／分のエッチング速度でエッチ
ングして形成する。接点層６の下のＩｎ０．５０Ｇａ０
．５０Ｐ の中間層５はエッチング処理中エッチングス
トッパ層として作用する。マスク１０を除去し、斯くし
て得られた半導体構体を洗浄した後に、基板１に例えば
スパッタリングにより導電層８を設ける。この導電層は
金−ゲルマニウム−ニッケル層とし、これを約１０００
Åの厚さに設ける（図１参照）。最後に、半導体構体の
上側面に例えば同じ方法で、例えばプラチナ， タンタ
ル及び金の層をそれぞれ約１０００， 約５００ 及び
約２５００Åの厚さで被着して導電層７を形成する。切
断後、個々の発光半導体ダイオード、この場合には利得
導波形のダイオードレーザを最終仕上げする。なお、さ
らに詳細な説明は本願人の出願に係る特開平
号公報にもされている。上述したように成長
温度を比較的高く、本例のように約７６０ ℃とするこ
との利点を図４及び図５により説明する。
発明に従って次のようにして製造される（図２及び図３
参照）。出発材料は、ドーピング濃度を２×１０１８原
子／ｃｍ３ とし、且つ例えば３５０ μｍ の厚さと
したｎ形の単結晶ヒ化ガリウム製の（００１） 基板１
とする。（００１） 方位の表面を研磨し、且つエッチ
ングした後に、この表面に例えばＯＭＶＰＥ（Ｏｒｇａ
ｎｏ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｖａｐｏｕｒ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法により気相から０．５ μｍ の
厚さのｎ導電形のバッファ層１１を成長させる。本発明
によれば、この層をヒ化アルミニウム−ガリウムとし、
この層におけるアルミニウム含有量が活性層のバンドギ
ャップに属する少なくとも最小値を有し、しかもこの層
１１の成長温度が少なくとも約７００ ℃となるように
選定する。成長温度を約７６０ ℃に選定する場合には
、バッファ層のアルミニウム含有量を少なくとも約９原
子％に選定する必要がある。 本例ではアルミニウム含有量を約２０原子％に選定する
。 次いで層１１の上に約７６０ ℃の同じく比較的高温度
で半導体層を設ける。このようにすれば、温度を切換え
る必要がないため、製造方法が簡単となり、しかも２つ
の隣接する半導体層間の界面の品質も良くなると云う利
点がある。この後者の利点は、連続半導体層のＩＩＩ
族の元素が副格子上にできるだけ不規則に分配されるた
め、これらの層のバンドギャップが最大となると云うこ
とにある。 バッファ層１１のドーピング濃度を本例では約２×１０
１８原子／ｃｍ３ に選定する。Ｖ／ＩＩＩ 族元素比
が１００ 〜４００ の範囲内にある場合に、次のよう
な各半導体層を順次この順序で設ける。即ち、ドーピン
グ濃度が２×１０１８原子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ
０．３５Ｇａ０．５Ｐ のｎ形の厚さ０．８ μｍ の
層２′、ドーピング濃度が約２×１０１８原子／ｃｍ３
のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐのｎ形の厚
さ２５ｎｍの層２″、厚さが５ｎｍのＩｎ０．４９Ｇａ
０．５１Ｐ の８つの層３′と厚さが４ｎｍのＩｎ０．
５Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｐの７つの層３″とを交互
に重ねた活性層３、ドーピング濃度が約４×１０１７原
子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ０．２５Ｇａ０．５Ｐ
のｐ形の厚さ２５μｍ の層４″、ドーピング濃度が約
４×１０１７原子／ｃｍ３ のＩｎ０．５Ａｌ０．３５
Ｇａ０．５Ｐ のｐ形の厚さ０．８ μｍ の層４′、
ドーピング濃度が１×１０１８原子／ｃｍ３ のＩｎ０
．４９Ｇａ０．５１Ｐ のｐ形の厚さ０．０８μｍ の
層５及びドーピング濃度が約１×１０１８原子／ｃｍ３
のｐ形ＧａＡｓの厚さ０．５ μｍ の層６を順次バ
ッファ層１１の上に設ける。頂部層６の上に厚さが１μ
ｍ のマスク層１０、例えばストライプ状のホトレジス
スト製のマスク層を設ける。 このマスク層の長手方向軸線は図２の図面の平面に対し
て直角の方向であり、従って図２は得られる発光半導体
ダイオードの長手方向に対して垂直方向の断面図を示し
ている。その後、図２の半導体層構体にメサ形のストラ
イプ１２をエッチングして形成する（図３）。これはＮ
Ｈ３， Ｈ２Ｏ２ 及びＨ２Ｏ を２：１：５０の比率
で含有しているエッチング液によりＧａＡｓ接点層６を
常温で約０．７ μｍ ／分のエッチング速度でエッチ
ングして形成する。接点層６の下のＩｎ０．５０Ｇａ０
．５０Ｐ の中間層５はエッチング処理中エッチングス
トッパ層として作用する。マスク１０を除去し、斯くし
て得られた半導体構体を洗浄した後に、基板１に例えば
スパッタリングにより導電層８を設ける。この導電層は
金−ゲルマニウム−ニッケル層とし、これを約１０００
Åの厚さに設ける（図１参照）。最後に、半導体構体の
上側面に例えば同じ方法で、例えばプラチナ， タンタ
ル及び金の層をそれぞれ約１０００， 約５００ 及び
約２５００Åの厚さで被着して導電層７を形成する。切
断後、個々の発光半導体ダイオード、この場合には利得
導波形のダイオードレーザを最終仕上げする。なお、さ
らに詳細な説明は本願人の出願に係る特開平
号公報にもされている。上述したように成長
温度を比較的高く、本例のように約７６０ ℃とするこ
との利点を図４及び図５により説明する。
【００１４】図４は約０．１ μｍ の厚さのＩｎＡｌ
ＧａＰ の活性層３におけるアルミニウムの含有量が９
原子％で、ＡｌＧａＡｓバッファ層が約２５原子％のア
ルミニウムを含有し、ＩｎＡｌＧａＰ のクラッド層２
及び４のアルミニウム含有量が約３５原子％で、７００
℃の成長温度で製造された発光半導体ダイオードの電
流（Ｉ）に対する光出力（Ｐ）をプロットした特性図で
あり、曲線４１， ４２及び４３はそれぞれ２０℃，
４０℃及び５０℃の作動温度でのＰ−Ｉ特性を示してい
る。図５も図４の発光半導体ダイオードと同一構成の本
発明による発光ダイオードの電流（Ｉ）対光出力（Ｐ）
特性を示したものであり、この図５の場合のダイオード
は活性層３のアルミニウム含有量を０原子％とし、成長
温度を７６０ ℃とする点が図４の場合のダイオードと
は相違しているだけである。図５の曲線５１， ５２，
５３， ５４及び５５はそれぞれ２０℃， ４０℃，
６０℃， ８０℃及び９０℃の作動温度でのＰ−Ｉ特
性を示している。発光波長は図４及び図５のダイオード
の場合にも約６５０ｎｍであった。図５の特性を図４の
ものと比較するに、図５の方が遥かに優れている。即ち
、２０℃における（曲線５１及び４１）始動電流はほぼ
等しいが、始動電流は温度が高くなるにつれ、図５の場
合よりも図４の場合の方がずっと急激に大きくなる。図
４では５０℃になる前の温度で始動電流が１２０ｍＡ
になる（曲線４３）が、図５では９０℃でもまだ始動電
流は１２０ｍＡ にならない（曲線５５）。従って、図
５の発光半導体ダイオードの最大作動温度は、図４のダ
イオードとほぼ同じ波長、即ち約６５０ｎｍ で、図４
の最大作動温度よりも遥かに高くなる。この比較により
、アルミニウムの含有量が少なくとも約９原子％のＡｌ
ＧａＡｓから成るバッファ層を設けることにより、成長
温度を７６０ ℃に高めることができ、これにより得ら
れる好都合な結果は、特に発光波長を比較的低く、ここ
ではＩｎＧａＰ から成る活性層に対し約６５０ｎｍ
とすることができると云う点にあり、これは約６４０ｎ
ｍ （Ｅｇ＝１．９４ｅＶ）のホトルミネセンス波長に
相当する。活性層にアルミニウムを加え、又成長温度を
通常の値に保っても、発光波長を同等に下げることには
ならないことも明らかである。６５０ｎｍ のレーザ波
長はこの方法で活性層のアルミニウム含有量を９原子％
としても達成されるが、斯種ダイオードのＰ−Ｉ特性は
かなり悪化する。バッファ層に含まれるアルミニウムが
、このバッファ層の上に成長させた半導体層の結晶品質
に及ぼす影響を図６に示す。
ＧａＰ の活性層３におけるアルミニウムの含有量が９
原子％で、ＡｌＧａＡｓバッファ層が約２５原子％のア
ルミニウムを含有し、ＩｎＡｌＧａＰ のクラッド層２
及び４のアルミニウム含有量が約３５原子％で、７００
℃の成長温度で製造された発光半導体ダイオードの電
流（Ｉ）に対する光出力（Ｐ）をプロットした特性図で
あり、曲線４１， ４２及び４３はそれぞれ２０℃，
４０℃及び５０℃の作動温度でのＰ−Ｉ特性を示してい
る。図５も図４の発光半導体ダイオードと同一構成の本
発明による発光ダイオードの電流（Ｉ）対光出力（Ｐ）
特性を示したものであり、この図５の場合のダイオード
は活性層３のアルミニウム含有量を０原子％とし、成長
温度を７６０ ℃とする点が図４の場合のダイオードと
は相違しているだけである。図５の曲線５１， ５２，
５３， ５４及び５５はそれぞれ２０℃， ４０℃，
６０℃， ８０℃及び９０℃の作動温度でのＰ−Ｉ特
性を示している。発光波長は図４及び図５のダイオード
の場合にも約６５０ｎｍであった。図５の特性を図４の
ものと比較するに、図５の方が遥かに優れている。即ち
、２０℃における（曲線５１及び４１）始動電流はほぼ
等しいが、始動電流は温度が高くなるにつれ、図５の場
合よりも図４の場合の方がずっと急激に大きくなる。図
４では５０℃になる前の温度で始動電流が１２０ｍＡ
になる（曲線４３）が、図５では９０℃でもまだ始動電
流は１２０ｍＡ にならない（曲線５５）。従って、図
５の発光半導体ダイオードの最大作動温度は、図４のダ
イオードとほぼ同じ波長、即ち約６５０ｎｍ で、図４
の最大作動温度よりも遥かに高くなる。この比較により
、アルミニウムの含有量が少なくとも約９原子％のＡｌ
ＧａＡｓから成るバッファ層を設けることにより、成長
温度を７６０ ℃に高めることができ、これにより得ら
れる好都合な結果は、特に発光波長を比較的低く、ここ
ではＩｎＧａＰ から成る活性層に対し約６５０ｎｍ
とすることができると云う点にあり、これは約６４０ｎ
ｍ （Ｅｇ＝１．９４ｅＶ）のホトルミネセンス波長に
相当する。活性層にアルミニウムを加え、又成長温度を
通常の値に保っても、発光波長を同等に下げることには
ならないことも明らかである。６５０ｎｍ のレーザ波
長はこの方法で活性層のアルミニウム含有量を９原子％
としても達成されるが、斯種ダイオードのＰ−Ｉ特性は
かなり悪化する。バッファ層に含まれるアルミニウムが
、このバッファ層の上に成長させた半導体層の結晶品質
に及ぼす影響を図６に示す。
【００１５】図６はヒ化アルミニウム−ガリウムから成
るバッファ層の上にリン化インジウム−ガリウムを成長
させて形成した半導体層の二重結晶測定での００４ 反
射の半値幅Δωを、基板として（００１） ＧａＡｓ基
板を用いて、バッファ層のアルミニウム含有量ｘの関数
として示したものである。成長温度は７６０ ℃とした
。破線曲線６１はアークセック（ａｒｃ ｓｅｃ） で
の半値幅Δφをバッファ層のアルミニウム含有量（原子
％）の関数として展開したものであり、この図６に示さ
れるように、ＩｎＧａＰ から成る斯種の半導体層の結
晶品質は、バッファ層のアルミニウム含有量が約８〜９
原子％に上昇すると極めて著しく改善される。図６の結
果と同様な結果は、約７３０ ℃の成長温度に対しても
確められ、バッファ層のアルミニウム含有量が０〜５．
６ 原子％の場合に無限に広い反射が観測され、又アル
ミニウムの含有量を６．５ 原子％又はそれ以上とする
場合には狭い反射が観測された。このことは、斯かる成
長温度によりＩｎＧａＰ のバンドギャップが約１．８
８ｅＶとなり、このバッファ層の最小アルミニウム含有
量は約６原子％であることを意味する。前述したように
、実用的な理由からして、バッファ層のアルミニウム含
有量は１００ 原子％以下とするのが好適である。
るバッファ層の上にリン化インジウム−ガリウムを成長
させて形成した半導体層の二重結晶測定での００４ 反
射の半値幅Δωを、基板として（００１） ＧａＡｓ基
板を用いて、バッファ層のアルミニウム含有量ｘの関数
として示したものである。成長温度は７６０ ℃とした
。破線曲線６１はアークセック（ａｒｃ ｓｅｃ） で
の半値幅Δφをバッファ層のアルミニウム含有量（原子
％）の関数として展開したものであり、この図６に示さ
れるように、ＩｎＧａＰ から成る斯種の半導体層の結
晶品質は、バッファ層のアルミニウム含有量が約８〜９
原子％に上昇すると極めて著しく改善される。図６の結
果と同様な結果は、約７３０ ℃の成長温度に対しても
確められ、バッファ層のアルミニウム含有量が０〜５．
６ 原子％の場合に無限に広い反射が観測され、又アル
ミニウムの含有量を６．５ 原子％又はそれ以上とする
場合には狭い反射が観測された。このことは、斯かる成
長温度によりＩｎＧａＰ のバンドギャップが約１．８
８ｅＶとなり、このバッファ層の最小アルミニウム含有
量は約６原子％であることを意味する。前述したように
、実用的な理由からして、バッファ層のアルミニウム含
有量は１００ 原子％以下とするのが好適である。
【００１６】本発明は上述した例のみに限定されるもの
でなく、幾多の変更を加え得ること勿論である。従って
、前述した以外の組成の半導体材料を用いることもでき
、ＩｎＡｌＧａＰ から成る活性層を有している発光半
導体ダイオードを用いることもできる。各半導体層の導
電形を総入れ換えすることもできる。最大成長温度に関
する限り、約７６０ ℃以外の７９０ ℃でもさらに不
規則な原子分布が確められたが、７９０ ℃では半導体
層の形態学上の問題が生じた。なお、この際のバッファ
層のアルミニウム含有量は約２５原子％とした。残りの
成長条件を最適とし、７６０ ℃よりも高い成長温度で
のバッファ層の最小アルミニウム含有量を正確に決める
ことは、本発明による方法を使用し得る最大成長温度の
示度を与えることになる。
でなく、幾多の変更を加え得ること勿論である。従って
、前述した以外の組成の半導体材料を用いることもでき
、ＩｎＡｌＧａＰ から成る活性層を有している発光半
導体ダイオードを用いることもできる。各半導体層の導
電形を総入れ換えすることもできる。最大成長温度に関
する限り、約７６０ ℃以外の７９０ ℃でもさらに不
規則な原子分布が確められたが、７９０ ℃では半導体
層の形態学上の問題が生じた。なお、この際のバッファ
層のアルミニウム含有量は約２５原子％とした。残りの
成長条件を最適とし、７６０ ℃よりも高い成長温度で
のバッファ層の最小アルミニウム含有量を正確に決める
ことは、本発明による方法を使用し得る最大成長温度の
示度を与えることになる。
【００１７】本発明による発光半導体ダイオードは用途
に応じて、ＬＥＤ又はレーザタイプのものとすることが
できる。レーザタイプのものとしては、利得導波機構及
び屈折率導波機構のいずれでも用いることができる。最
後に、実施例で用いた半導体層を形成する方法はＭＯＶ
ＰＥ技法以外の方法を用いることもできることに留意す
べきである。従って、ＭＯＶＰＥ以外に、ＭＯＭＢＥ（
金属有機分子ビームエピタキシ）、ＭＢＥ（分子ビーム
エピタキシ）又はＶＰＥ（気相エピタキシ）を用いるこ
とができる。
に応じて、ＬＥＤ又はレーザタイプのものとすることが
できる。レーザタイプのものとしては、利得導波機構及
び屈折率導波機構のいずれでも用いることができる。最
後に、実施例で用いた半導体層を形成する方法はＭＯＶ
ＰＥ技法以外の方法を用いることもできることに留意す
べきである。従って、ＭＯＶＰＥ以外に、ＭＯＭＢＥ（
金属有機分子ビームエピタキシ）、ＭＢＥ（分子ビーム
エピタキシ）又はＶＰＥ（気相エピタキシ）を用いるこ
とができる。
【図１】本発明による発光半導体ダイオードの一例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の発光半導体ダイオードの一製造工程段に
おける断面図である。
おける断面図である。
【図３】図１の発光半導体ダイオードの他の製造工程段
における断面図である。
における断面図である。
【図４】活性層のアルミニウムを９原子％とし、且つ７
００ ℃の成長温度にて製造した本発明による発光半導
体ダイオードの電流値に対する光出力特性を示す図であ
る。
００ ℃の成長温度にて製造した本発明による発光半導
体ダイオードの電流値に対する光出力特性を示す図であ
る。
【図５】活性層のアルミニウムを０原子％とし、７６０
℃の成長温度で製造した本発明による発光半導体ダイ
オードの電流値に対する光出力特性を示す図である。
℃の成長温度で製造した本発明による発光半導体ダイ
オードの電流値に対する光出力特性を示す図である。
【図６】ヒ化アルミニウムガリウムから成るバッファ層
の上に７６０ ℃の温度で成長させたリン化インジウム
−アルミニウム−ガリウムから成る半導体層の二重結晶
測定での００４ 反射の半値幅をバッファ層のアルミニ
ウム含有量の関数として示す特性図である。
の上に７６０ ℃の温度で成長させたリン化インジウム
−アルミニウム−ガリウムから成る半導体層の二重結晶
測定での００４ 反射の半値幅をバッファ層のアルミニ
ウム含有量の関数として示す特性図である。
１ 基板
２ 第１クラッド層
３ 活性層
４ 第２クラッド層
５ 中間層
６ 接点層
７ 導電層
８ 接続導体
１０ マスク層
１１ バッファ層
１２ メサ状ストライプ
１３ ストライプ状領域
Claims (14)
- 【請求項１】 第１導電形の半導体基板の上に少なく
とも、第１導電形の第１クラッド層と、活性層と、第２
導電形の第２クラッド層とをこの順序で設けた半導体本
体を具え、前記両クラッド層がリン化インジウム−アル
ミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ） の半導体材料
から成り、前記活性層が半導体材料としてのリン化イン
ジウム−ガリウム（ＩｎＧａＰ） 又はリン化インジウ
ム−アルミニウム−ガリウム（ＩｎＡｌＧａＰ） から
成り、これらの各半導体材料が２つの副格子を有してい
る混晶から成り、リン原子は一方の副格子上に存在し、
残りの元素の原子は他方の副格子上に存在し、且つ前記
基板と前記第１クラッド層との間に第１導電形のバッフ
ァ層を設けた発光半導体ダイオードにおいて、前記バッ
ファ層がヒ化アルミニウム−ガリウム（ＡｌＧａＡｓ）
から成り、このバッファ層のアルミニウム含有量が活性
層のバンドギャップに属する最小値を有することを特徴
とする発光半導体ダイオード。 - 【請求項２】 前記バッファ層の最小アルミニウム含
有量を約６原子％とし、且つＩｎ０．４９Ｇａ０．５１
Ｐ 活性層のバンドギャップを約１．８８ｅＶとしたこ
とを特徴とする請求項１の発光半導体ダイオード。 - 【請求項３】 前記バッファ層の最小アルミニウム含
有量を約９原子％とし、且つＩｎ０．４９Ｇａ０．５１
Ｐ 活性層のバンドギャップを約１．９２ｅＶとしたこ
とを特徴とする請求項１の発光半導体ダイオード。 - 【請求項４】 前記バッファ層の厚さを少なくとも前
記半導体層の内の単一層の厚さとしたことを特徴とする
請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光半導体ダイオ
ード。 - 【請求項５】 前記バッファ層の厚さを約０．１ 〜
１μｍ としたことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か一項に記載の発光半導体ダイオード。 - 【請求項６】 前記基板をヒ化アルミニウムガリウム
とし、該基板の結晶方位を（００１） 方位としたこと
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光
半導体ダイオード。 - 【請求項７】 前記基板をヒ化ガリウムで構成し、該
基板の下側に導電層を設け、前記上側の第２クラッド層
の上に、リン化インジウム−ガリウム又はヒ化アルミニ
ウム−ガリウムの第２導電形の中間層と、ヒ化ガリウム
の第２導電形の接点層とをこの順序で設け、且つ前記半
導体本体の表面に隣接してメサ状のストライプを設け、
該ストライプが少なくとも前記接点層から成り、該接点
層及び半導体本体の表面に他の導電層を被着し、前記メ
サ状ストライプ以外で、このストライプを超えて延在す
る前記他の導電層が、この導電層の下側に位置する層と
でバリヤを構成する接合を形成するようにしたことを特
徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光半導
体ダイオード。 - 【請求項８】 前記活性層を、リン化インジウム−ガ
リウムのウェル層とリン化インジウム−アルミニウム−
ガリウムのバリヤ層とで多重ウェル構造に構成したこと
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光
半導体ダイオード。 - 【請求項９】 前記リン化インジウム−ガリウムのウ
ェル層の厚さを約４〜６ｎｍとしたことを特徴とする請
求項８の発光半導体ダイオード。 - 【請求項１０】 前記活性層を厚さが約４ｎｍのバリ
ヤ層により分離させた厚さが約５ｎｍの８つのウェル層
で構成し、前記各クラッド層が前記活性層に隣接してい
るサブ層を具え、これらのサブ層のアルミニウム含有量
を約０．２５とし、残りのサブ層のアルミニウム含有量
を約０．３５としたことを特徴とする請求項８の発光半
導体ダイオード。 - 【請求項１１】 ヒ化ガリウム製の第１導電形の半導
体基板上に少なくともリン化インジウム−アルミニウム
−ガリウム製の第１導電形の第１クラッド層と、リン化
インジウム−ガリウム製の活性層と、リン化インジウム
−アルミニウム−ガリウム製の第２導電形の第２クラッ
ド層とをこの順序で設け、前記第１クラッド層を設ける
前にバッファ層を基板上に設けて発光半導体ダイオード
を製造するに当り、前記バッファ層用に選定する半導体
材料を、アルミニウムの含有量が前記活性層のバンドギ
ャップに属する最小値に少なくとも等しいヒ化アルミニ
ウム−ガリウムとし、成長温度を７００ ℃以上に選定
することを特徴とする発光半導体ダイオードの製造方法
。 - 【請求項１２】 成長温度を少なくとも７３０ ℃と
し、且つバッファ層のアルミニウム含有量を少なくとも
約６原子％としたことを特徴とする請求項１０の発光半
導体ダイオードの製造方法。 - 【請求項１３】 成長温度を少なくとも７６０ ℃と
し、且つバッファ層のアルミニウム含有量を少なくとも
約９原子％としたことを特徴とする請求項１１又は１２
の発光半導体ダイオードの製造方法。 - 【請求項１４】 前記基板に半導体層を設ける技法を
ＭＯＶＰＥ法とし、基板を（００１） 基板とし、成長
温度を約７６０ ℃とし、且つＶ／ＩＩＩ 族の元素比
を約１００ 〜４００ の範囲内の値とすることを特徴
とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の発光半
導体ダイオードの製造方法。
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| NL9001193A NL9001193A (nl) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
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