JPH10214993A - エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード - Google Patents
エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオードInfo
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- JPH10214993A JPH10214993A JP1493697A JP1493697A JPH10214993A JP H10214993 A JPH10214993 A JP H10214993A JP 1493697 A JP1493697 A JP 1493697A JP 1493697 A JP1493697 A JP 1493697A JP H10214993 A JPH10214993 A JP H10214993A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来に比べ安定して高輝度の発光を得ることが
できるエピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに
発光ダイオード。 【解決手段】ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハ
のｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活
性層３との間の界面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面
の酸素濃度を１×１０17cm-3程度以下にすることによっ
て高輝度で高い歩留まりのエピタキシャルウエハを得る
ことができることが分かった。また、エピタキシャルウ
エハの層中のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３付近の酸素濃度
を１×１０17cm-3程度以下にするために、予め液相エピ
タキシャル成長に用いる原料であるアンドープＧａＡｓ
多結晶の酸素濃度を１×１０16cm-3程度以下のものを使
用することが好ましい。
できるエピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに
発光ダイオード。 【解決手段】ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハ
のｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活
性層３との間の界面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面
の酸素濃度を１×１０17cm-3程度以下にすることによっ
て高輝度で高い歩留まりのエピタキシャルウエハを得る
ことができることが分かった。また、エピタキシャルウ
エハの層中のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３付近の酸素濃度
を１×１０17cm-3程度以下にするために、予め液相エピ
タキシャル成長に用いる原料であるアンドープＧａＡｓ
多結晶の酸素濃度を１×１０16cm-3程度以下のものを使
用することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャルウ
エハおよびその製造方法並びに発光ダイオードに関し、
発光輝度の改善に関するものである。
エハおよびその製造方法並びに発光ダイオードに関し、
発光輝度の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、急速に赤色発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）などの使用が普及している。このＬＥＤとして、例
えば、ダブルヘテロ構造のものや、裏面反射構造のもの
などが開発されている。このようなＬＥＤは、高輝度化
が実現されたことによって屋内用のランプ、ディスプレ
イのみならず、屋外用のディスプレイなどにも使用され
るようになった。
Ｄ）などの使用が普及している。このＬＥＤとして、例
えば、ダブルヘテロ構造のものや、裏面反射構造のもの
などが開発されている。このようなＬＥＤは、高輝度化
が実現されたことによって屋内用のランプ、ディスプレ
イのみならず、屋外用のディスプレイなどにも使用され
るようになった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の背景上、さらなる高輝度化とコストダウンとが望まれ
ていることも事実である。そこで、エピタキシャル層膜
厚やキャリア濃度や成長温度などさまざまな検討が行わ
れているが、さらなる高輝度化のための大きな効果は得
られていない。
の背景上、さらなる高輝度化とコストダウンとが望まれ
ていることも事実である。そこで、エピタキシャル層膜
厚やキャリア濃度や成長温度などさまざまな検討が行わ
れているが、さらなる高輝度化のための大きな効果は得
られていない。
【０００４】そのため要求されている輝度仕様を満たす
ことが難しく、歩留まりの向上、コストダウンも困難な
状況にある。
ことが難しく、歩留まりの向上、コストダウンも困難な
状況にある。
【０００５】このようなことから、従来に比べ安定して
高輝度の発光を得ることができるエピタキシャルウエハ
およびその製造方法並びに発光ダイオードの実現が要請
されている。
高輝度の発光を得ることができるエピタキシャルウエハ
およびその製造方法並びに発光ダイオードの実現が要請
されている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、ｐ型
化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導体クラッド層
とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド
層とが順次液相エピタキシャル成長されたダブルヘテロ
構造のエピタキシャルウエハにおいて、以下の特徴的な
構成で上述の課題を解決する。
化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導体クラッド層
とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド
層とが順次液相エピタキシャル成長されたダブルヘテロ
構造のエピタキシャルウエハにおいて、以下の特徴的な
構成で上述の課題を解決する。
【０００７】すなわち、本発明は、ｐ型化合物半導体ク
ラッド層とｐ型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度
およびｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラ
ッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3
以下にした。
ラッド層とｐ型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度
およびｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラ
ッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3
以下にした。
【０００８】このように、活性層付近の酸素濃度を調節
することによって、発光出力を調節することができ、酸
素濃度が高くなると発光出力が低下し、酸素濃度が低く
なるにしたがって発光出力が高くなる。酸素濃度を１×
１０17cm-3以下にすることで、従来に比べおよそ３０％
程度発光輝度を上昇させることができるようになる。な
お、上記化合物半導体としては、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＩｎＰなどである。また、上述の構成からｐ型
化合物半導体基板を除去した裏面反射構造のエピタキシ
ャルウエハにも同様に適用することができる。
することによって、発光出力を調節することができ、酸
素濃度が高くなると発光出力が低下し、酸素濃度が低く
なるにしたがって発光出力が高くなる。酸素濃度を１×
１０17cm-3以下にすることで、従来に比べおよそ３０％
程度発光輝度を上昇させることができるようになる。な
お、上記化合物半導体としては、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＩｎＰなどである。また、上述の構成からｐ型
化合物半導体基板を除去した裏面反射構造のエピタキシ
ャルウエハにも同様に適用することができる。
【０００９】また、上述の発明のダブルヘテロ構造のエ
ピタキシャルウエハは、次のような方法で製造すること
ができる。
ピタキシャルウエハは、次のような方法で製造すること
ができる。
【００１０】すなわち、酸素濃度が１×１０16cm-3以下
のアンドープ化合物半導体多結晶を使用し、液相エピタ
キシャル法によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型
化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ
型化合物半導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル
成長させ、且つ、上記ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ
型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度および上記ｐ
型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層と
の界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3以下に形
成する。これによって、発光輝度の性能の高いエピタキ
シャルウエハを製造することができる。
のアンドープ化合物半導体多結晶を使用し、液相エピタ
キシャル法によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型
化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ
型化合物半導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル
成長させ、且つ、上記ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ
型化合物半導体活性層との界面の酸素濃度および上記ｐ
型化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層と
の界面の酸素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3以下に形
成する。これによって、発光輝度の性能の高いエピタキ
シャルウエハを製造することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の好適な実施の形態を
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００１２】本実施の形態においては、ダブルヘテロ構
造のエピタキシャルウエハおよび裏面反射構造のエピタ
キシャルウエハにおいて、従来より輝度を３０％程度上
昇させ高輝度をなし得るように構成する。
造のエピタキシャルウエハおよび裏面反射構造のエピタ
キシャルウエハにおいて、従来より輝度を３０％程度上
昇させ高輝度をなし得るように構成する。
【００１３】図１は、本実施の形態のダブルヘテロ構造
のエピタキシャルウエハの断面図である。この図１にお
いて、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハは、ｐ
型ＧａＡｓ基板１の上にｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
が形成され、このｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２の上に
ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３が形成され、このＰ型ＧａＡ
ｌＡｓ活性層３の上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４が
形成されている。
のエピタキシャルウエハの断面図である。この図１にお
いて、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウエハは、ｐ
型ＧａＡｓ基板１の上にｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２
が形成され、このｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２の上に
ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３が形成され、このＰ型ＧａＡ
ｌＡｓ活性層３の上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４が
形成されている。
【００１４】図２は、上述のダブルヘテロ構造のエピタ
キシャルウエハのｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３付近の酸素
濃度分布を示す図である。この分布の測定では、二次イ
オン質量分析法（ＳＩＭＳ：ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏ
ｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によってエ
ピタキシャル層の深さ方向に測定した。この二次イオン
質量分析法は、数ｋＶから２０ｋＶの範囲のエネルギー
を持つ一次イオンで試料表面の微少点を衝撃し、表面物
質とスパッタイオン化し、質量分析器で分析するもので
ある。
キシャルウエハのｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３付近の酸素
濃度分布を示す図である。この分布の測定では、二次イ
オン質量分析法（ＳＩＭＳ：ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｉｏ
ｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によってエ
ピタキシャル層の深さ方向に測定した。この二次イオン
質量分析法は、数ｋＶから２０ｋＶの範囲のエネルギー
を持つ一次イオンで試料表面の微少点を衝撃し、表面物
質とスパッタイオン化し、質量分析器で分析するもので
ある。
【００１５】この測定の結果、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との界面には、１×
１０18cm-3程度の酸素濃度のピークがあり、また、ｎ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３
との界面にも２×１０17cm-3程度の酸素濃度のピークが
あることが分かった。
ド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との界面には、１×
１０18cm-3程度の酸素濃度のピークがあり、また、ｎ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３
との界面にも２×１０17cm-3程度の酸素濃度のピークが
あることが分かった。
【００１６】このダブルヘテロ構造のエピタキシャルウ
エハのｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ活性層３との間の界面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の
界面の酸素濃度を１×１０17cm-3程度以下にすることに
よって高輝度で高い歩留まりのエピタキシャルウエハを
得ることができることが分かった。
エハのｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ活性層３との間の界面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層４とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の
界面の酸素濃度を１×１０17cm-3程度以下にすることに
よって高輝度で高い歩留まりのエピタキシャルウエハを
得ることができることが分かった。
【００１７】また、エピタキシャルウエハの層中の酸素
濃度を１×１０17cm-3程度以下にするために、予め液相
エピタキシャル成長に用いる原料であるアンドープＧａ
Ａｓ多結晶の酸素濃度を１×１０16cm-3程度以下のもの
を使用することが好ましいことが分かった。また、雰囲
気ガスである水素ガスの流量を増量させることも好まし
い。
濃度を１×１０17cm-3程度以下にするために、予め液相
エピタキシャル成長に用いる原料であるアンドープＧａ
Ａｓ多結晶の酸素濃度を１×１０16cm-3程度以下のもの
を使用することが好ましいことが分かった。また、雰囲
気ガスである水素ガスの流量を増量させることも好まし
い。
【００１８】
【実施例】次に、具体的な実施例を説明する。先ず、波
長６６０nmのダブルヘテロ構造のＬＥＤを製造するため
に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ
活性層３との間の界面の酸素濃度を種々に変えてエピタ
キシャルウエハを作成した場合の具体的な実施例につい
て説明する。
長６６０nmのダブルヘテロ構造のＬＥＤを製造するため
に、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ
活性層３との間の界面の酸素濃度を種々に変えてエピタ
キシャルウエハを作成した場合の具体的な実施例につい
て説明する。
【００１９】液相エピタキシャル炉にｐ型ＧａＡｓ基板
と各層の原料をセットしたグラファイト製のボートを入
れる。この各層の原料とは、たとえば、第１に、Ｇａ、
ＧａＡｓ多結晶、Ａｌ、Ｚｎをセットするｐ型クラッド
層用原料である。さらに、第２に、Ｇａ、ＧａＡｓ多結
晶、Ａｌ、Ｚｎをセットするｐ型活性層用原料である。
さらに、第３に、Ｇａ、ＧａＡｓ多結晶、Ａｌ、Ｔｅを
セットするｎ型クラッド層用原料である。
と各層の原料をセットしたグラファイト製のボートを入
れる。この各層の原料とは、たとえば、第１に、Ｇａ、
ＧａＡｓ多結晶、Ａｌ、Ｚｎをセットするｐ型クラッド
層用原料である。さらに、第２に、Ｇａ、ＧａＡｓ多結
晶、Ａｌ、Ｚｎをセットするｐ型活性層用原料である。
さらに、第３に、Ｇａ、ＧａＡｓ多結晶、Ａｌ、Ｔｅを
セットするｎ型クラッド層用原料である。
【００２０】次に、水素ガス雰囲気中で９５０℃に昇温
する。次に、炉の温度を１．０℃／min の一定冷却速度
で低下させて、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２を２５μ
ｍ成長させ、その上にｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３を１μ
ｍ成長させ、その上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４を
４０μｍで順次ｐ型ＧａＡｓ基板１の上に成長させた。
する。次に、炉の温度を１．０℃／min の一定冷却速度
で低下させて、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２を２５μ
ｍ成長させ、その上にｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３を１μ
ｍ成長させ、その上にｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４を
４０μｍで順次ｐ型ＧａＡｓ基板１の上に成長させた。
【００２１】これらの方法で、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッ
ド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面の酸素
濃度が、それぞれ１×１０18cm-3、８×１０17cm-3、６
×１０17cm-3、４×１０17cm-3、２×１０17cm-3、１×
１０17cm-3、８×１０16cm-3のエピタキシャルウエハ７
枚（７ロット）を成長させた。
ド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面の酸素
濃度が、それぞれ１×１０18cm-3、８×１０17cm-3、６
×１０17cm-3、４×１０17cm-3、２×１０17cm-3、１×
１０17cm-3、８×１０16cm-3のエピタキシャルウエハ７
枚（７ロット）を成長させた。
【００２２】前記酸素濃度は、炉内に流す水素流量と酸
素濃度の異なるＧａＡｓ多結晶を使用することで調節し
た。そして、成長させたエピタキシャルウエハに電極を
形式し、樹脂モールドを行ってＬＥＤを製造した。
素濃度の異なるＧａＡｓ多結晶を使用することで調節し
た。そして、成長させたエピタキシャルウエハに電極を
形式し、樹脂モールドを行ってＬＥＤを製造した。
【００２３】図３は、上述によって製造したＬＥＤの発
光出力と酸素濃度との関係を示す特性図である。この順
方向電流Ｉｆを２０ｍＡとして測定した。この図３にお
いて、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ活性層３との間の界面の酸素濃度が、減少するにした
がって発光出力が上昇し１×１０17cm-3以下になると、
発光出力はほぼ一定になった。
光出力と酸素濃度との関係を示す特性図である。この順
方向電流Ｉｆを２０ｍＡとして測定した。この図３にお
いて、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ活性層３との間の界面の酸素濃度が、減少するにした
がって発光出力が上昇し１×１０17cm-3以下になると、
発光出力はほぼ一定になった。
【００２４】酸素濃度が１×１０18cm-3のＬＥＤに比べ
ると、３０％発光出力が高くなった。界面の酸素濃度を
１×１０17cm-3以下にするには、含有酸素濃度が１×１
０16cm-3以下であるＧａＡｓ多結晶を使用する必要があ
る。
ると、３０％発光出力が高くなった。界面の酸素濃度を
１×１０17cm-3以下にするには、含有酸素濃度が１×１
０16cm-3以下であるＧａＡｓ多結晶を使用する必要があ
る。
【００２５】図４は、上述で製造したＬＥＤの界面の酸
素濃度が１×１０17cm-3以下のＬＥＤのＳＩＭＳ分析結
果を示す図である。この図４において、ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界
面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４とｐ
型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面の酸素濃度も１×
１０17cm-3程度以下であった。
素濃度が１×１０17cm-3以下のＬＥＤのＳＩＭＳ分析結
果を示す図である。この図４において、ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓクラッド層２とｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界
面の酸素濃度およびｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４とｐ
型ＧａＡｌＡｓ活性層３との間の界面の酸素濃度も１×
１０17cm-3程度以下であった。
【００２６】これによって、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層３
付近の酸素濃度によって発光出力を調節できるようにな
ったため、従来のＬＥＤよりも発光出力が３０％程度高
いＬＥＤを高い歩留まりで製造することができるように
なった。
付近の酸素濃度によって発光出力を調節できるようにな
ったため、従来のＬＥＤよりも発光出力が３０％程度高
いＬＥＤを高い歩留まりで製造することができるように
なった。
【００２７】図５は、図１のエピタキシャルウエハから
ｐ型ＧａＡｓ基板１を除去した裏面反射構造のエピタキ
シャルウエハの断面図である。このエピタキシャルウエ
ハによるＬＥＤに対しても同様に約３０％程度高い輝度
を実現することができた。
ｐ型ＧａＡｓ基板１を除去した裏面反射構造のエピタキ
シャルウエハの断面図である。このエピタキシャルウエ
ハによるＬＥＤに対しても同様に約３０％程度高い輝度
を実現することができた。
【００２８】以上の実施例においては、界面の酸素濃度
を低減させるために、含有酸素濃度の低いＧａＡｓ多結
晶を使用した例を示した。しかしながら、上述の界面の
酸素濃度を上昇させる原因としては、種々考えられる。
たとえば、雰囲気ガスの純度が低い場合や、グライファ
イト治具の精製が不十分だった場合や、原材料・ドーパ
ントが酸化されてしまった場合などがある。これらの原
因を改善することで、界面の酸素濃度を改善させること
ができる。
を低減させるために、含有酸素濃度の低いＧａＡｓ多結
晶を使用した例を示した。しかしながら、上述の界面の
酸素濃度を上昇させる原因としては、種々考えられる。
たとえば、雰囲気ガスの純度が低い場合や、グライファ
イト治具の精製が不十分だった場合や、原材料・ドーパ
ントが酸化されてしまった場合などがある。これらの原
因を改善することで、界面の酸素濃度を改善させること
ができる。
【００２９】また、上述の実施例では、化合物半導体と
して、ＧａＡｌＡｓを例に説明したが、他に、ＧａＡ
ｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰなどを使用することもできる。
して、ＧａＡｌＡｓを例に説明したが、他に、ＧａＡ
ｓ、ＧａＰ、ＧａＩｎＰなどを使用することもできる。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、ダブルヘテ
ロ構造および裏面反射構造のエピタキシャルウエハにお
いて、ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体
活性層との界面の酸素濃度およびｐ型化合物半導体活性
層とｎ型化合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を
それぞれ１×１０17cm-3以下にすることで、従来に比べ
発光輝度を３０％程度上昇させることができるようにな
った。
ロ構造および裏面反射構造のエピタキシャルウエハにお
いて、ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体
活性層との界面の酸素濃度およびｐ型化合物半導体活性
層とｎ型化合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を
それぞれ１×１０17cm-3以下にすることで、従来に比べ
発光輝度を３０％程度上昇させることができるようにな
った。
【図１】本発明の実施の形態のダブルヘテロ構造のエピ
タキシャルウエハの断面図である。
タキシャルウエハの断面図である。
【図２】従来例のダブルヘテロ構造のエピタキシャルウ
エハの活性層付近の酸素濃度の分布を示す図である。
エハの活性層付近の酸素濃度の分布を示す図である。
【図３】本実施の形態のダブルヘテロ構造のエピタキシ
ャルウエハのｐ型クラッド層とｐ型活性層との間の界面
の酸素濃度と発光出力との関係を示す図である。
ャルウエハのｐ型クラッド層とｐ型活性層との間の界面
の酸素濃度と発光出力との関係を示す図である。
【図４】本実施の形態のダブルヘテロ構造のエピタキシ
ャルウエハの活性層付近の酸素濃度の分布を示す図であ
る。
ャルウエハの活性層付近の酸素濃度の分布を示す図であ
る。
【図５】本実施の形態の裏面反射構造のエピタキシャル
ウエハの断面図である。
ウエハの断面図である。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｐ型ＧａＡｌＡｓ ３ ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層 ４ ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
Claims (6)
- 【請求項１】ｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物
半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合
物半導体クラッド層とが順次形成されているダブルヘテ
ロ構造のエピタキシャルウエハにおいて、上記ｐ型化合
物半導体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層との界面
の酸素濃度および上記ｐ型化合物半導体活性層とｎ型化
合物半導体クラッド層との界面の酸素濃度を、それぞれ
１×１０17cm-3以下にしたことを特徴とするエピタキシ
ャルウエハ。 - 【請求項２】ｐ型化合物半導体クラッド層の上に、ｐ型
化合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層とが
順次形成されている裏面反射構造のエピタキシャルウエ
ハにおいて、上記ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化
合物半導体活性層との界面の酸素濃度および上記ｐ型化
合物半導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層と界面
の酸素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3以下にしたこと
を特徴とするエピタキシャルウエハ。 - 【請求項３】上記化合物半導体が、ＧａＡｌＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＧａＩｎＰなどのいずれかであることを特徴とする
請求項１または２記載のエピタキシャルウエハ。 - 【請求項４】酸素濃度が１×１０16cm-3以下のアンドー
プ化合物半導体多結晶を使用し、液相エピタキシャル法
によってｐ型化合物半導体基板の上に、ｐ型化合物半導
体クラッド層とｐ型化合物半導体活性層とｎ型化合物半
導体クラッド層とを順次液相エピタキシャル成長させ、
且つ、上記ｐ型化合物半導体クラッド層とｐ型化合物半
導体活性層との界面の酸素濃度および上記ｐ型化合物半
導体活性層とｎ型化合物半導体クラッド層との界面の酸
素濃度を、それぞれ１×１０17cm-3以下に形成すること
を特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。 - 【請求項５】請求項４記載のエピタキシャルウエハの製
造方法において、液相エピタキシャル成長後、上記ｐ型
化合物半導体基板を除去し、裏面反射構造のエピタキシ
ャルウエハを形成することを特徴とするエピタキシャル
ウエハの製造方法。 - 【請求項６】請求項２記載のエピタキシャルウエハを用
いた発光ダイオードであって、このエピタキシャルウエ
ハの上記ｐ型化合物半導体クラッド層の表面にアノード
電極を設け、上記ｎ型化合物半導体クラッド層の表面に
カソード電極を設けたことを特徴とする発光ダイオー
ド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493697A JPH10214993A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード |
| US08/991,013 US5965908A (en) | 1997-01-29 | 1997-12-15 | Epitaxial wafer and manufacturing method thereof as well as light-emitting diode with enhanced luminance |
| TW086118922A TW364215B (en) | 1997-01-29 | 1997-12-15 | Epitaxial wafer and manufacturing method thereof as well as light-emitting diode with enhanced luminance |
| CNB981042945A CN1147008C (zh) | 1997-01-29 | 1998-01-22 | 外延晶片及其制造方法以及使用该外延晶片的发光器件 |
| KR1019980002301A KR100343849B1 (ko) | 1997-01-29 | 1998-01-26 | 에피택시얼웨이퍼및이의제조방법과휘도가증가된발광다이오드 |
| US09/391,403 US6413791B1 (en) | 1997-01-29 | 1999-09-08 | Epitaxial wafer and manufacturing method thereof as well as light-emitting diode with enhanced luminance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493697A JPH10214993A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214993A true JPH10214993A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11874863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1493697A Pending JPH10214993A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | エピタキシャルウエハおよびその製造方法並びに発光ダイオード |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5965908A (ja) |
| JP (1) | JPH10214993A (ja) |
| KR (1) | KR100343849B1 (ja) |
| CN (1) | CN1147008C (ja) |
| TW (1) | TW364215B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017738A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Showa Denko Kk | 発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および該エピタキシャルウェハを用いた発光素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10039945B4 (de) * | 2000-08-16 | 2006-07-13 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleiteranordnung aus GaAIAs mit Doppelheterostruktur und entsprechende Halbleiteranordnung |
| DE102005035722B9 (de) * | 2005-07-29 | 2021-11-18 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP4962840B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2012-06-27 | 信越半導体株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| GB2565054A (en) | 2017-07-28 | 2019-02-06 | Comptek Solutions Oy | Heterostructure semiconductor device and manufacturing method |
| GB2565056A (en) | 2017-07-28 | 2019-02-06 | Comptek Solutions Oy | Semiconductor device and method of manufacture |
| GB2565055A (en) * | 2017-07-28 | 2019-02-06 | Comptek Solutions Oy | Semiconductor device and manufacturing method |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3958263A (en) * | 1973-11-12 | 1976-05-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Stress reduction in algaas-algaasp multilayer structures |
| US4122407A (en) * | 1976-04-06 | 1978-10-24 | International Business Machines Corporation | Heterostructure junction light emitting or responding or modulating devices |
| US5185288A (en) * | 1988-08-26 | 1993-02-09 | Hewlett-Packard Company | Epitaxial growth method |
| JPH0712094B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1995-02-08 | 信越半導体株式会社 | 発光半導体素子用エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| EP0458409B1 (en) * | 1990-05-23 | 2002-02-20 | Uniphase Opto Holdings, Inc. | Radiation-emitting semiconductor device and method of manufacturing same |
| JPH07335981A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子，レーザアンプ，及び増幅機能を有する波長可変フィルタ |
| JP3553147B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2004-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体層の製造方法 |
| JPH098344A (ja) * | 1995-06-14 | 1997-01-10 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP3135109B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2001-02-13 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| DE69942263D1 (de) * | 1998-05-22 | 2010-06-02 | Shinetsu Handotai Kk | Einkristalline epitaktische Siliciumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP1493697A patent/JPH10214993A/ja active Pending
- 1997-12-15 US US08/991,013 patent/US5965908A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-15 TW TW086118922A patent/TW364215B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-22 CN CNB981042945A patent/CN1147008C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-26 KR KR1019980002301A patent/KR100343849B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-09-08 US US09/391,403 patent/US6413791B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2003017738A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Showa Denko Kk | 発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および該エピタキシャルウェハを用いた発光素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1193820A (zh) | 1998-09-23 |
| TW364215B (en) | 1999-07-11 |
| KR100343849B1 (ko) | 2002-09-17 |
| US5965908A (en) | 1999-10-12 |
| CN1147008C (zh) | 2004-04-21 |
| US6413791B1 (en) | 2002-07-02 |
| KR19980070852A (ko) | 1998-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030401 |