JPH04221844A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法Info
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- JPH04221844A JPH04221844A JP40493290A JP40493290A JPH04221844A JP H04221844 A JPH04221844 A JP H04221844A JP 40493290 A JP40493290 A JP 40493290A JP 40493290 A JP40493290 A JP 40493290A JP H04221844 A JPH04221844 A JP H04221844A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームの製造方法に係り、特にリードフレームの表面に
めっき処理を施す方法に関する。
レームの製造方法に係り、特にリードフレームの表面に
めっき処理を施す方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用のリードフレームの製造は
、リードフレームの素材板をプレス打抜き加工又はエッ
チング加工等によってリードフレームのパターンを成形
する工程から行われる。この工程では、半導体素子を搭
載するステージ及びその周りのインナリード及びアウタ
ーリードが成形され、ワイヤボンディングに備えてステ
ージの上面及びインナリードの先端に適切な金属組成の
めっきが施される。
、リードフレームの素材板をプレス打抜き加工又はエッ
チング加工等によってリードフレームのパターンを成形
する工程から行われる。この工程では、半導体素子を搭
載するステージ及びその周りのインナリード及びアウタ
ーリードが成形され、ワイヤボンディングに備えてステ
ージの上面及びインナリードの先端に適切な金属組成の
めっきが施される。
【０００３】このようなめっき処理の一般的な方法は、
マスキングプレートとバックアッププレートによりリー
ドフレームの上下両面を機械的に挟持し、このリードフ
レームと両プレートとの当接面にシリコンゴム等の比較
的に耐蝕性及び密着性の良好な材料を用いてめっき不要
部分を覆い、更にマスキングプレートに予め開けためっ
きパターンの開口部を通して露出部分にめっき液を流し
込んで表面処理層を形成するというものである。
マスキングプレートとバックアッププレートによりリー
ドフレームの上下両面を機械的に挟持し、このリードフ
レームと両プレートとの当接面にシリコンゴム等の比較
的に耐蝕性及び密着性の良好な材料を用いてめっき不要
部分を覆い、更にマスキングプレートに予め開けためっ
きパターンの開口部を通して露出部分にめっき液を流し
込んで表面処理層を形成するというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、マスキング
プレートを繰り返して使用すると、マスキングプレート
がリードフレームに当接する面が劣化変形しやすい。こ
のため、マスキングプレートとリードフレームとの当接
面の密着性が損なわれ、密着が不十分な箇所からめっき
液が漏れてしまう。
プレートを繰り返して使用すると、マスキングプレート
がリードフレームに当接する面が劣化変形しやすい。こ
のため、マスキングプレートとリードフレームとの当接
面の密着性が損なわれ、密着が不十分な箇所からめっき
液が漏れてしまう。
【０００５】更に、マスキングプレートとバックアップ
プレートによってリードフレームの上下両面を機械的に
密着して保持するだけなので、リードフレームの側面は
被覆されないままとなる。このため、ステージ及びイン
ナリードの先端部の上面のめっきは良好に行えるが、ス
テージの周りの端面やインナリードの先端部の端面にも
めっきが入り込みやすい。
プレートによってリードフレームの上下両面を機械的に
密着して保持するだけなので、リードフレームの側面は
被覆されないままとなる。このため、ステージ及びイン
ナリードの先端部の上面のめっきは良好に行えるが、ス
テージの周りの端面やインナリードの先端部の端面にも
めっきが入り込みやすい。
【０００６】このように、めっき液がステージの周囲や
インナリードの先端の端面にまで入り込むと、ステージ
の周囲及びインナリードの先端にめっきが付着してしま
う。特に、近来の多ピン化に伴ってインナリードが極め
て細くなっていることから、このようなめっきの付着は
マイグレーションを発生させる結果となり、装置の信頼
度を大きく低下させる原因となる。
インナリードの先端の端面にまで入り込むと、ステージ
の周囲及びインナリードの先端にめっきが付着してしま
う。特に、近来の多ピン化に伴ってインナリードが極め
て細くなっていることから、このようなめっきの付着は
マイグレーションを発生させる結果となり、装置の信頼
度を大きく低下させる原因となる。
【０００７】本発明において解決すべき課題は、めっき
の不要な付着の発生を防いで精度の高い半導体装置用の
リードフレームの製造を可能とすることにある。
の不要な付着の発生を防いで精度の高い半導体装置用の
リードフレームの製造を可能とすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、ステージ、イ
ンナリード及びアウターリードのパターンを成形したリ
ードフレームに対して下地めっきを施し、更に前記ステ
ージ及びインナリードにワイヤボンディング等のための
表面メッキ層を形成するリードフレームの製造方法であ
って、前記下地めっき層の全面をレジスト膜で被覆する
工程と、該レジスト膜をめっき領域に合わせて露光剥離
させて前記下地めっき層を露出させる工程と、前記露出
された下地めっき層に表面めっき層を施す工程と、この
表面めっき層の処理後に前記レジスト膜を剥離除去する
工程とによって前記表面めっき層を形成することを特徴
とする。
ンナリード及びアウターリードのパターンを成形したリ
ードフレームに対して下地めっきを施し、更に前記ステ
ージ及びインナリードにワイヤボンディング等のための
表面メッキ層を形成するリードフレームの製造方法であ
って、前記下地めっき層の全面をレジスト膜で被覆する
工程と、該レジスト膜をめっき領域に合わせて露光剥離
させて前記下地めっき層を露出させる工程と、前記露出
された下地めっき層に表面めっき層を施す工程と、この
表面めっき層の処理後に前記レジスト膜を剥離除去する
工程とによって前記表面めっき層を形成することを特徴
とする。
【０００９】
【作用】レジスト膜が予め下地めっき層の全面を被覆し
、表面めっき層を施す部分のみのレジスト膜を露光，現
像して下地めっき層を露出させるので、レジスト膜は表
面めっき層を必要としない部分を隠したままとなる。 このため、表面めっきはめっきを必要とする領域のみに
施され、ステージの周囲の端面やインナリード先端の端
面にめっき液が付着することがなくなる。
、表面めっき層を施す部分のみのレジスト膜を露光，現
像して下地めっき層を露出させるので、レジスト膜は表
面めっき層を必要としない部分を隠したままとなる。 このため、表面めっきはめっきを必要とする領域のみに
施され、ステージの周囲の端面やインナリード先端の端
面にめっき液が付着することがなくなる。
【００１０】
【実施例】図１から図６は本発明の製造方法を工程順に
示すものであり、これに従って説明する。
示すものであり、これに従って説明する。
【００１１】図１はリードフレームをプレス加工又はエ
ッチング加工によってリードフレームのパターンを成形
した後の縦断面図である。図において、リードフレーム
１には、半導体素子を搭載するステージ２が中央に形成
され、その周りには多数のインナリード３が打ち抜かれ
ている。そして、これらのインナリード３の周りにはタ
イバー４を介して多数のアウターリード５が形成されて
いる。このようなパターンは、従来のリードフレームと
全く同様である。
ッチング加工によってリードフレームのパターンを成形
した後の縦断面図である。図において、リードフレーム
１には、半導体素子を搭載するステージ２が中央に形成
され、その周りには多数のインナリード３が打ち抜かれ
ている。そして、これらのインナリード３の周りにはタ
イバー４を介して多数のアウターリード５が形成されて
いる。このようなパターンは、従来のリードフレームと
全く同様である。
【００１２】図１に示した成形後のリードフレーム１に
対して、図２に示すようにその全面にＮｉ又はＮｉ合金
の下地めっき層６が施される。この工程は、リードフレ
ーム１をめっき液の中に浸漬して一様な厚さの下地めっ
き層６を形成させることによって行う。
対して、図２に示すようにその全面にＮｉ又はＮｉ合金
の下地めっき層６が施される。この工程は、リードフレ
ーム１をめっき液の中に浸漬して一様な厚さの下地めっ
き層６を形成させることによって行う。
【００１３】下地めっき層６を形成した後には、図３に
示すように更にこの下地めっき層６の全面にレジスト膜
７を塗布する処理を施す。このレジスト膜７はポリビニ
ルアルコール系感光性樹脂（ＰＶＡ），熱可塑性のシー
ルピール又は紫外線硬化型のＵＶインク等を素材とする
液体にリードフレーム１を浸漬することによって一様に
塗布されて形成されるもので、半導体装置用のリードフ
レームの製造には一般的に採用されているものである。
示すように更にこの下地めっき層６の全面にレジスト膜
７を塗布する処理を施す。このレジスト膜７はポリビニ
ルアルコール系感光性樹脂（ＰＶＡ），熱可塑性のシー
ルピール又は紫外線硬化型のＵＶインク等を素材とする
液体にリードフレーム１を浸漬することによって一様に
塗布されて形成されるもので、半導体装置用のリードフ
レームの製造には一般的に採用されているものである。
【００１４】レジスト膜７を形成したリードフレーム１
に対して、図４に示すように、フォトマスクプレート８
が上に被せられ、めっき領域に合わせた露光用の開口８
ａ，８ｂによって、ステージ２部分及びインナリード３
の先端部のめっき領域が露光される。そして、この露光
部分を現像するとレジスト膜７が剥離され、ステージ２
のめっき領域部の上面及びインナリード３の先端のめっ
き領域部の上面の下地めっき層６が露出する。
に対して、図４に示すように、フォトマスクプレート８
が上に被せられ、めっき領域に合わせた露光用の開口８
ａ，８ｂによって、ステージ２部分及びインナリード３
の先端部のめっき領域が露光される。そして、この露光
部分を現像するとレジスト膜７が剥離され、ステージ２
のめっき領域部の上面及びインナリード３の先端のめっ
き領域部の上面の下地めっき層６が露出する。
【００１５】以上により、めっき処理すべき部分のみの
下地めっき層６が露出し、その他の部分の全面はレジス
ト膜７によって被覆されたままとなる。そして、この状
態でリードフレーム１をＰｄ又はＰｄ合金のめっき液の
中に浸漬させると、図５のように表面めっき層９が形成
される。この表面めっき層９を施すときには、ステージ
２及びインナリード３のそれぞれの端面部分がレジスト
膜７によって被覆されているので、表面めっき層９のた
めのめっき液がこの端面部分に入り込んでも、端面にめ
っきが付着することがない。
下地めっき層６が露出し、その他の部分の全面はレジス
ト膜７によって被覆されたままとなる。そして、この状
態でリードフレーム１をＰｄ又はＰｄ合金のめっき液の
中に浸漬させると、図５のように表面めっき層９が形成
される。この表面めっき層９を施すときには、ステージ
２及びインナリード３のそれぞれの端面部分がレジスト
膜７によって被覆されているので、表面めっき層９のた
めのめっき液がこの端面部分に入り込んでも、端面にめ
っきが付着することがない。
【００１６】表面めっき層９の形成が終わると、次の工
程ではレジスト膜７の剥離除去が行われる。この除去処
理は、たとえば水酸化ナトリウム水溶液等の液層にリー
ドフレーム１を浸漬してレジスト膜７を溶解することに
よって行う。この処理によって、図６に示すように表面
めっき層９が所定の位置に形成されたリードフレーム１
のめっき処理が完了する。
程ではレジスト膜７の剥離除去が行われる。この除去処
理は、たとえば水酸化ナトリウム水溶液等の液層にリー
ドフレーム１を浸漬してレジスト膜７を溶解することに
よって行う。この処理によって、図６に示すように表面
めっき層９が所定の位置に形成されたリードフレーム１
のめっき処理が完了する。
【００１７】以上のように、リードフレーム１の必要と
する面を除いてレジスト膜７によって被覆して表面めっ
き層９を形成するので、めっき液がステージ２の周りの
端面やインナリード３の先端の端面に入り込んでもめっ
きが付着することはない。このため、端面にめっき層の
付着が生じることがなく、多ピン化傾向にある非常に細
いインナリード３のめっきが高い精度で行える。
する面を除いてレジスト膜７によって被覆して表面めっ
き層９を形成するので、めっき液がステージ２の周りの
端面やインナリード３の先端の端面に入り込んでもめっ
きが付着することはない。このため、端面にめっき層の
付着が生じることがなく、多ピン化傾向にある非常に細
いインナリード３のめっきが高い精度で行える。
【００１８】なお、実施例ではステージ２の上面及びイ
ンナリード３の先端部の上面のみに表面メッキ層９を形
成するものを説明したが、これ以外の場所にも表面メッ
キ層９を施すことも無論可能である。この場合では、フ
ォトマスクプレート８の開口を変えることによって、レ
ジスト膜７に形成されるフォトレジストパターンを変更
すればよい。また、表面めっき層９は１層のみでなく、
異なった金属による多層のめっきを施すこともできるほ
か、インナリード３の先端に施すめっきと異なった種類
のものをアウターリード５に施すこともできる。表面め
っき層９はＡｕやＡｇであってもよい。
ンナリード３の先端部の上面のみに表面メッキ層９を形
成するものを説明したが、これ以外の場所にも表面メッ
キ層９を施すことも無論可能である。この場合では、フ
ォトマスクプレート８の開口を変えることによって、レ
ジスト膜７に形成されるフォトレジストパターンを変更
すればよい。また、表面めっき層９は１層のみでなく、
異なった金属による多層のめっきを施すこともできるほ
か、インナリード３の先端に施すめっきと異なった種類
のものをアウターリード５に施すこともできる。表面め
っき層９はＡｕやＡｇであってもよい。
【００１９】更に、実施例では浸漬めっきについて説明
したが、電気めっき法であってもよい。
したが、電気めっき法であってもよい。
【００２０】
【発明の効果】本発明では、レジスト膜によって下地め
っき層の全体を被覆し、必要とする領域のみの下地めっ
き層を露出させて表面めっき層を施すので、表面めっき
層のめっき液がめっき不要部分に入り込むことがない。 このため、ステージの周りの端面やインナリード先端の
端面に表面めっき層の付着が発生することがなく、高い
精度のめっき処理が可能となる。
っき層の全体を被覆し、必要とする領域のみの下地めっ
き層を露出させて表面めっき層を施すので、表面めっき
層のめっき液がめっき不要部分に入り込むことがない。 このため、ステージの周りの端面やインナリード先端の
端面に表面めっき層の付着が発生することがなく、高い
精度のめっき処理が可能となる。
【図１】リードフレームを打抜き成形等によって成形し
たときの縦断面図である。
たときの縦断面図である。
【図２】リードフレームの表面に下地めっき層を施した
ときの縦断面図である。
ときの縦断面図である。
【図３】下地めっき層の全面にレジスト膜を塗布したと
きの縦断面図である。
きの縦断面図である。
【図４】表面めっき位置に合わせてレジスト膜を露光除
去したときの縦断面図である。
去したときの縦断面図である。
【図５】表面めっき層を施す工程の縦断面図である。
【図６】表面めっきが施され且つレジスト膜が除去され
た最終製品の縦断面図である。
た最終製品の縦断面図である。
１ リードフレーム
２ ステージ
３ インナリード
４ タイバー
５ アウターリード
６ 下地めっき層
７ レジスト膜
８ フォトマスクプレート
９ 表面めっき層
Claims (1)
- 【請求項１】 ステージ、インナリード及びアウター
リードのパターンを成形したリードフレームに対して下
地めっきを施し、更に前記ステージ及びインナリードに
ワイヤボンディング等のための表面メッキ層を形成する
リードフレームの製造方法であって、前記下地めっき層
の全面をレジスト膜で被覆する工程と、該レジスト膜を
めっき領域に合わせて露光剥離させて前記下地めっき層
を露出させる工程と、前記露出された下地めっき層に表
面めっき層を施す工程と、この表面めっき層の処理後に
前記レジスト膜を剥離除去する工程とによって前記表面
めっき層を形成することを特徴とする半導体装置用リー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404932A JP2525513B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2404932A JP2525513B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221844A true JPH04221844A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2525513B2 JP2525513B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=18514574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2404932A Expired - Lifetime JP2525513B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 半導体装置用リ―ドフレ―ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525513B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101876723B1 (ko) | 2018-01-11 | 2018-08-09 | 주식회사 통일포켓케이스 | 휴대용 스프레이 분사구조 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270596A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 錫含有銅合金基材の銀メツキ方法 |
| JPS6437047A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH01261852A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Fuji Plant Kogyo Kk | リードフレームへの部分メッキ方法 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2404932A patent/JP2525513B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6270596A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-01 | Toshiba Corp | 錫含有銅合金基材の銀メツキ方法 |
| JPS6437047A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPH01261852A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Fuji Plant Kogyo Kk | リードフレームへの部分メッキ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2525513B2 (ja) | 1996-08-21 |
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