JPH04209525A - 多層配線のコンタクト構造 - Google Patents
多層配線のコンタクト構造Info
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- JPH04209525A JPH04209525A JP40034890A JP40034890A JPH04209525A JP H04209525 A JPH04209525 A JP H04209525A JP 40034890 A JP40034890 A JP 40034890A JP 40034890 A JP40034890 A JP 40034890A JP H04209525 A JPH04209525 A JP H04209525A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002271 resection Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野]本発明は、多層配線のコンタクト
構造に関する。 [0002] 【従来の技術】従来から、多層配線のコンタクト構造の
一例として、図6の概略断面図で示すように構成された
2層配線におけるコンタクト構造が知られている。すな
わち、この図における符号1は表面に各種の半導体デバ
イス(図示していない)が作り込まれた半導体基板、2
は半導体基板1の表面上に形成されて下側に位置する金
属配線(以下、下側金属配線という)、3は下側金属配
線2を覆う絶縁膜であり、4は絶縁膜3を介して下側金
属配線2と直交するように形成されて上側に位置する金
属配線(以下、上側金属配線という)である。そして、
これらの下側及び上側金属配線2.4は、絶縁膜3を厚
み方向に貫通して形成されたコンタクトホール5を通じ
て互いのコンタクト部2a、4a同士が平面的に接触す
ることによって導通接続されている。 [0003]さらに、このようなコンタクト構造を形成
する際には、その形成途中状態を示す図7を参照して説
明する以下のような手順が一般的に採用されている。 [0004]すなわち、まず最初に、半導体基板1の表
面を覆って形成された金属配線層をパターニングするこ
とによって下側金属配線2を形成し、この下側金属配線
2を含む半導体基板1の表面を全面的に覆う絶縁膜3を
形成したのち、この絶縁膜3を全面的に覆うレジスト膜
6を形成する。そして、このレジスト膜6にコンタクト
ホール形成用開孔6aを形成したのち、このレジスト膜
6をマスクとするウェット(等方性)エツチングを行う
ことによって絶縁膜3のコンタクトホール5となるべき
部分、すなわち、コンタクトホール形成用開孔6a直下
に位置する部分の厚み方向に沿う上半部5aを、また、
ドライ(異方性)エツチングを行うことによって下半部
5bを除去することにより、絶縁膜3の表面から下側金
属配線2の表面にまで至る深さとされたコンタクト構造
5を形成する。 [0005]そののち、コンタクトホール5が形成され
た絶縁膜3の表面からレジスト膜6を除去し、かつ、こ
の絶縁膜3の表面を全面的に覆う金属配線層を形成した
のち、この金属配線層をパターニングすることによって
上側金属配線4を形成する。 [o o O6]その結果、図6で示したように、下側
金属配線2のコンタクト部2aにおける平坦な上側表面
と上側金属配線4のコンタクト部4aにおける下側表面
とが互いに平面的に接触することになり、これらのコン
タクト部2a、4a同士は絶縁膜3に形成されたコンタ
クトホール5を通じて導通接続されていることになる。 (0007]
構造に関する。 [0002] 【従来の技術】従来から、多層配線のコンタクト構造の
一例として、図6の概略断面図で示すように構成された
2層配線におけるコンタクト構造が知られている。すな
わち、この図における符号1は表面に各種の半導体デバ
イス(図示していない)が作り込まれた半導体基板、2
は半導体基板1の表面上に形成されて下側に位置する金
属配線(以下、下側金属配線という)、3は下側金属配
線2を覆う絶縁膜であり、4は絶縁膜3を介して下側金
属配線2と直交するように形成されて上側に位置する金
属配線(以下、上側金属配線という)である。そして、
これらの下側及び上側金属配線2.4は、絶縁膜3を厚
み方向に貫通して形成されたコンタクトホール5を通じ
て互いのコンタクト部2a、4a同士が平面的に接触す
ることによって導通接続されている。 [0003]さらに、このようなコンタクト構造を形成
する際には、その形成途中状態を示す図7を参照して説
明する以下のような手順が一般的に採用されている。 [0004]すなわち、まず最初に、半導体基板1の表
面を覆って形成された金属配線層をパターニングするこ
とによって下側金属配線2を形成し、この下側金属配線
2を含む半導体基板1の表面を全面的に覆う絶縁膜3を
形成したのち、この絶縁膜3を全面的に覆うレジスト膜
6を形成する。そして、このレジスト膜6にコンタクト
ホール形成用開孔6aを形成したのち、このレジスト膜
6をマスクとするウェット(等方性)エツチングを行う
ことによって絶縁膜3のコンタクトホール5となるべき
部分、すなわち、コンタクトホール形成用開孔6a直下
に位置する部分の厚み方向に沿う上半部5aを、また、
ドライ(異方性)エツチングを行うことによって下半部
5bを除去することにより、絶縁膜3の表面から下側金
属配線2の表面にまで至る深さとされたコンタクト構造
5を形成する。 [0005]そののち、コンタクトホール5が形成され
た絶縁膜3の表面からレジスト膜6を除去し、かつ、こ
の絶縁膜3の表面を全面的に覆う金属配線層を形成した
のち、この金属配線層をパターニングすることによって
上側金属配線4を形成する。 [o o O6]その結果、図6で示したように、下側
金属配線2のコンタクト部2aにおける平坦な上側表面
と上側金属配線4のコンタクト部4aにおける下側表面
とが互いに平面的に接触することになり、これらのコン
タクト部2a、4a同士は絶縁膜3に形成されたコンタ
クトホール5を通じて導通接続されていることになる。 (0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
多層配線のコンタクト構造においては、絶縁膜3に形成
されたコンタクトホール5を通じて導通接続される複数
の金属配線2,4それぞれのコンタクト部2a、4a同
士の互いに接触するコンタクト面積が広くなり、このコ
ンタクト面積と逆比例の関係にあるコンタクト抵抗が小
さくなることが望ましい。 [0008]Lかしながら、前記従来構成とされたコン
タクト構造においては、下側及び上側金属配線2,4の
コンタクト部2a、4a同士が平面的に接触しており、
これらのコンタクト面積がコンタクトホール5の底面積
の広さによって一義的に定まるばかりか、この底面積の
広さが金属配線2のコンタクト部2aにおける上側表面
幅によって制限されることになるため、コンタクト面積
を大きく広げることができず、コンタクト抵抗の大幅な
低減を図ることはできないという不都合が生じることに
なっていた。 [0009]さらにまた、この従来例構造においては、
コンタクトホール5を形成する際のドライエツチングが
終了する間近の時点では下側金属配線2のコンタクト部
2aの上側表面までもがエツチングされることになるか
ら、このエツチングに伴って発生した金属粒子がレジス
ト膜6のコンタクトホール形成用開孔6aの周囲に付着
してレジストとの重合反応を起こしてしまう。その結果
、図7で示すように、このレジスト膜6のコンタクトホ
ール形成用開孔6aの周囲にはレジストと金属粒子とが
重合してなる変質領域7が形成されることになり、この
変質領域7はレジスト膜6の除去によっても除去されず
にそのまま残存してしまう場合がある。 [00101そして、このような変質領域7が残存して
いると、上側金属配線4となる金属配線層を良好な状態
で形成することができず、上側金属配線4の形成に支障
を来すという不都合が生じることにもなっていた。 [0011]本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、導通接続される金属配線のコンタ
クト部同士のコンタクト面積を広げることが可能であり
、コンタクト抵抗の大幅な低減を図ることができる多層
配線のコンタクト構造を提供することを目的としている
。 [0012]
多層配線のコンタクト構造においては、絶縁膜3に形成
されたコンタクトホール5を通じて導通接続される複数
の金属配線2,4それぞれのコンタクト部2a、4a同
士の互いに接触するコンタクト面積が広くなり、このコ
ンタクト面積と逆比例の関係にあるコンタクト抵抗が小
さくなることが望ましい。 [0008]Lかしながら、前記従来構成とされたコン
タクト構造においては、下側及び上側金属配線2,4の
コンタクト部2a、4a同士が平面的に接触しており、
これらのコンタクト面積がコンタクトホール5の底面積
の広さによって一義的に定まるばかりか、この底面積の
広さが金属配線2のコンタクト部2aにおける上側表面
幅によって制限されることになるため、コンタクト面積
を大きく広げることができず、コンタクト抵抗の大幅な
低減を図ることはできないという不都合が生じることに
なっていた。 [0009]さらにまた、この従来例構造においては、
コンタクトホール5を形成する際のドライエツチングが
終了する間近の時点では下側金属配線2のコンタクト部
2aの上側表面までもがエツチングされることになるか
ら、このエツチングに伴って発生した金属粒子がレジス
ト膜6のコンタクトホール形成用開孔6aの周囲に付着
してレジストとの重合反応を起こしてしまう。その結果
、図7で示すように、このレジスト膜6のコンタクトホ
ール形成用開孔6aの周囲にはレジストと金属粒子とが
重合してなる変質領域7が形成されることになり、この
変質領域7はレジスト膜6の除去によっても除去されず
にそのまま残存してしまう場合がある。 [00101そして、このような変質領域7が残存して
いると、上側金属配線4となる金属配線層を良好な状態
で形成することができず、上側金属配線4の形成に支障
を来すという不都合が生じることにもなっていた。 [0011]本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、導通接続される金属配線のコンタ
クト部同士のコンタクト面積を広げることが可能であり
、コンタクト抵抗の大幅な低減を図ることができる多層
配線のコンタクト構造を提供することを目的としている
。 [0012]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる多層配線
のコンタクト構造は、このような目的を達成するために
、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて互いに
導通接続されるコンタクト部を備えた複数の金属配線の
うち、下側金属配線のコンタクト部内にはその厚み方向
に沿って掘り込み形成された凹部もしくは切り欠き形成
された切除部を設ける一方、この凹部もしくは切除部の
内部には上側金属配線のコンタクト部を配置したことを
特徴とするものである。 [0013]
のコンタクト構造は、このような目的を達成するために
、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて互いに
導通接続されるコンタクト部を備えた複数の金属配線の
うち、下側金属配線のコンタクト部内にはその厚み方向
に沿って掘り込み形成された凹部もしくは切り欠き形成
された切除部を設ける一方、この凹部もしくは切除部の
内部には上側金属配線のコンタクト部を配置したことを
特徴とするものである。 [0013]
【作用】上記構成によれば、下側金属配線のコンタク1
〜部内に凹部もしくは切除部を設ける一方、その内部に
上側金属配線のコンタクト部を配置しているので、下側
金属配線のコンタクト部の有する全体的な表面積、すな
わち、上側金属配線のコンタクト部と接触するコンタク
ト面積が広がることになり、このコンタクト面積が下側
金属配線のコンタクト部における上側表面幅によって制
限されることがなくなる。 [0014]また、この下側金属配線のコンタクト部に
は予め凹部もしくは切除部が設けられているので、絶縁
膜のコンタクトホールを形成する際のドライエツチング
によって下側金属配線のコンタクト部の上側表面までも
がエツチングされることはなくなり、このエツチングに
伴う金属粒子の発生は抑制されることになる。 [0015]
〜部内に凹部もしくは切除部を設ける一方、その内部に
上側金属配線のコンタクト部を配置しているので、下側
金属配線のコンタクト部の有する全体的な表面積、すな
わち、上側金属配線のコンタクト部と接触するコンタク
ト面積が広がることになり、このコンタクト面積が下側
金属配線のコンタクト部における上側表面幅によって制
限されることがなくなる。 [0014]また、この下側金属配線のコンタクト部に
は予め凹部もしくは切除部が設けられているので、絶縁
膜のコンタクトホールを形成する際のドライエツチング
によって下側金属配線のコンタクト部の上側表面までも
がエツチングされることはなくなり、このエツチングに
伴う金属粒子の発生は抑制されることになる。 [0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 [00161図1は多層配線のコンタクト構造の一例と
しての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略断面
図であり、図2はその概略平面図である。なお、本実施
例にかかるコンタクト構造の全体的な構成については従
来例と基本的に異ならないので、図1及び図2において
図6及び図7と互いに同一もしくは相当する部品、部分
には同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略する。 [0017]本実施例にかかる多層配線のコンタクト構
造は、半導体基板1を覆う絶縁膜3に形成されたコンタ
クトホール5を通じて互いに導通接続されるコンタクト
部2a、4aを備えた下側及び上側の金属配線2,4を
備えたものであり、コンタクトホール5直下に位置する
下側金属配線2のコンタクト部りa内にはその厚み方向
に沿って掘り込み形成されることによって半導体基板1
の表面まで貫通した凹部10が設けられている。なお、
この四部10が必ずしも半導体基板1の表面まで到達し
ている必要はないが、図示したように、半導体基板1の
表面まで到達していることが好ましい。そして、この上
下側金属配線2のコンタクト部2aに設けられた凹部1
0の内部には、上側金属配線4のコンタクト部4aが入
り込んだ状態で配置されている。 [0018]ところで、本実施例においては、下側金属
配線2のコンタクト部りa内に掘り込み形成された凹部
10を設けるものとしているが、例えば、図3の変形例
で示すように、このコンタクト部2aの一部を部分的に
切り欠き形成したうえて迂回させることによって凹部1
0に代わる切除部11を設ける構成であってもよい。 [0019]また、図4で示すように、このコンタクト
部2aを完全に切断することにより、切り欠き形成され
た切除部12とすることも可能である。そして、これら
の場合におけるコンタクト構造の概略断面については、
その図示を省略しているが、図2と同様になることはい
うまでもない。 [00201そこで、上記構成によれば、凹部11もし
くは切除部11.12を設けることによって下側金属配
線のコンタクト部の有する全体的な表面積、すなわち、
上側金属配線のコンタクト部と接触するコンタクト面積
が広がることになる。そして、このコンタクト面積が、
下側金属配線2のコンタクト部2aにおける上側表面幅
によって制限されることもなくなる。 [00211つぎに、上記構成とされたコンタクト構造
の形成手順を、その形成途中状態を示す図5を参照して
説明する。 [0022]まず、半導体基板1の表面を全面的に覆う
酸化シリコンからなる絶縁膜3a(図1における絶縁膜
3の下半部に対応する)を形成し、かつ、この絶縁膜3
aを全面的に覆うレジスト膜13を形成したのち、この
レジスト膜13をパターニングすることによって図5で
示すような形状とされたコンタクトホール形成用開孔1
3aを形成する。つぎに、このレジスト膜13をマスク
とするウェットエツチング及びドライエツチングを行う
ことによって絶縁膜3aにコンタクトホール14を形成
し、このレジスト膜13を除去したうえで絶縁膜3aの
表面上にAl−3i−Cu系合金からなる金属配線層を
形成したのち、この金属配線層をドライエツチングによ
ってパターニングするとともに、コンタクトホール14
内に残っていた絶縁膜3bを除去すると、コンタクト部
りa内に凹部10が設けられた下側金属配線2が形成さ
れる。 [0023]そして、これ以降におけるコンタクト構造
の形成手順については、図7を参照して説明した従来例
と同様であるから詳しい説明を省略するが、本実施例に
あっては下側金属配線2のコンタクト部2aに予め凹部
10が設けられているために、絶縁膜3のコンタクトホ
ール5を形成する際のドライエツチングによってコンタ
クト部2aの上側表面がエツチングされることはなく、
このエツチングに伴う金属粒子の発生が抑制されること
になる結果、レジストと金属粒子とが重合してなる変質
領域7がレジスト膜6のコンタクトホール形成用開孔6
aの周囲に形成されることもなくなる。 [0024]さらに、このコンタクト構造形成の最終工
程では、コンタクトホール5が形成された絶縁膜3の表
面からレジスト膜6を除去し、かつ、この絶縁膜3の表
面を全面的に覆う金属配線層を形成したのち、この金属
配線層をパターニングすることによって上側金属配線4
を形成する。すると、この上側金属配線4のコンタクト
部4aは、図1で示したように、下側金属配線2のコン
タクト部りa内に設けられた凹部10の内部に配置され
ることになり、これらのコンタクト部2a、4a同士は
互いに接触して導通接続されていることになる。 (0025]
する。 [00161図1は多層配線のコンタクト構造の一例と
しての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略断面
図であり、図2はその概略平面図である。なお、本実施
例にかかるコンタクト構造の全体的な構成については従
来例と基本的に異ならないので、図1及び図2において
図6及び図7と互いに同一もしくは相当する部品、部分
には同一符号を付し、ここでの詳しい説明は省略する。 [0017]本実施例にかかる多層配線のコンタクト構
造は、半導体基板1を覆う絶縁膜3に形成されたコンタ
クトホール5を通じて互いに導通接続されるコンタクト
部2a、4aを備えた下側及び上側の金属配線2,4を
備えたものであり、コンタクトホール5直下に位置する
下側金属配線2のコンタクト部りa内にはその厚み方向
に沿って掘り込み形成されることによって半導体基板1
の表面まで貫通した凹部10が設けられている。なお、
この四部10が必ずしも半導体基板1の表面まで到達し
ている必要はないが、図示したように、半導体基板1の
表面まで到達していることが好ましい。そして、この上
下側金属配線2のコンタクト部2aに設けられた凹部1
0の内部には、上側金属配線4のコンタクト部4aが入
り込んだ状態で配置されている。 [0018]ところで、本実施例においては、下側金属
配線2のコンタクト部りa内に掘り込み形成された凹部
10を設けるものとしているが、例えば、図3の変形例
で示すように、このコンタクト部2aの一部を部分的に
切り欠き形成したうえて迂回させることによって凹部1
0に代わる切除部11を設ける構成であってもよい。 [0019]また、図4で示すように、このコンタクト
部2aを完全に切断することにより、切り欠き形成され
た切除部12とすることも可能である。そして、これら
の場合におけるコンタクト構造の概略断面については、
その図示を省略しているが、図2と同様になることはい
うまでもない。 [00201そこで、上記構成によれば、凹部11もし
くは切除部11.12を設けることによって下側金属配
線のコンタクト部の有する全体的な表面積、すなわち、
上側金属配線のコンタクト部と接触するコンタクト面積
が広がることになる。そして、このコンタクト面積が、
下側金属配線2のコンタクト部2aにおける上側表面幅
によって制限されることもなくなる。 [00211つぎに、上記構成とされたコンタクト構造
の形成手順を、その形成途中状態を示す図5を参照して
説明する。 [0022]まず、半導体基板1の表面を全面的に覆う
酸化シリコンからなる絶縁膜3a(図1における絶縁膜
3の下半部に対応する)を形成し、かつ、この絶縁膜3
aを全面的に覆うレジスト膜13を形成したのち、この
レジスト膜13をパターニングすることによって図5で
示すような形状とされたコンタクトホール形成用開孔1
3aを形成する。つぎに、このレジスト膜13をマスク
とするウェットエツチング及びドライエツチングを行う
ことによって絶縁膜3aにコンタクトホール14を形成
し、このレジスト膜13を除去したうえで絶縁膜3aの
表面上にAl−3i−Cu系合金からなる金属配線層を
形成したのち、この金属配線層をドライエツチングによ
ってパターニングするとともに、コンタクトホール14
内に残っていた絶縁膜3bを除去すると、コンタクト部
りa内に凹部10が設けられた下側金属配線2が形成さ
れる。 [0023]そして、これ以降におけるコンタクト構造
の形成手順については、図7を参照して説明した従来例
と同様であるから詳しい説明を省略するが、本実施例に
あっては下側金属配線2のコンタクト部2aに予め凹部
10が設けられているために、絶縁膜3のコンタクトホ
ール5を形成する際のドライエツチングによってコンタ
クト部2aの上側表面がエツチングされることはなく、
このエツチングに伴う金属粒子の発生が抑制されること
になる結果、レジストと金属粒子とが重合してなる変質
領域7がレジスト膜6のコンタクトホール形成用開孔6
aの周囲に形成されることもなくなる。 [0024]さらに、このコンタクト構造形成の最終工
程では、コンタクトホール5が形成された絶縁膜3の表
面からレジスト膜6を除去し、かつ、この絶縁膜3の表
面を全面的に覆う金属配線層を形成したのち、この金属
配線層をパターニングすることによって上側金属配線4
を形成する。すると、この上側金属配線4のコンタクト
部4aは、図1で示したように、下側金属配線2のコン
タクト部りa内に設けられた凹部10の内部に配置され
ることになり、これらのコンタクト部2a、4a同士は
互いに接触して導通接続されていることになる。 (0025]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
下側金属配線のコンタクト部内に凹部もしくは切除部を
設け、かつ、その内部に上側金属配線のコンタクト部を
配置しているので、下側及び上側金属配線の互いに接触
して導通接続されるコンタクト部同士のコンタクト面積
が広がることになる結果、コンタクト抵抗の大幅な低減
を図ることができるという優れた効果が得られる。 [0026]また、この下側金属配線のコンタクト部に
は予め凹部もしくは切除部が設けられているので、絶縁
膜のコンタクトホールを形成する際のドライエツチング
によって下側金属配線のコンタクト部の上側表面がエツ
チングされることはなく、このエツチングに伴う金属粒
子の発生が抑制されることになる。そのため、レジスト
と金属粒子とが重合してなる変質領域が形成されること
もなくなり、この変質領域の存在に伴う不都合が生じる
こともなくなる。
下側金属配線のコンタクト部内に凹部もしくは切除部を
設け、かつ、その内部に上側金属配線のコンタクト部を
配置しているので、下側及び上側金属配線の互いに接触
して導通接続されるコンタクト部同士のコンタクト面積
が広がることになる結果、コンタクト抵抗の大幅な低減
を図ることができるという優れた効果が得られる。 [0026]また、この下側金属配線のコンタクト部に
は予め凹部もしくは切除部が設けられているので、絶縁
膜のコンタクトホールを形成する際のドライエツチング
によって下側金属配線のコンタクト部の上側表面がエツ
チングされることはなく、このエツチングに伴う金属粒
子の発生が抑制されることになる。そのため、レジスト
と金属粒子とが重合してなる変質領域が形成されること
もなくなり、この変質領域の存在に伴う不都合が生じる
こともなくなる。
【図1】本発明にかかる多層配線のコンタクト構造の一
例としての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略
断面図である。
例としての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略
断面図である。
【図2】本発明にかかる2層配線のコンタクト構造を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図3】本発明にかかる2層配線のコンタクト構造の変
形例を示す概略平面図である。
形例を示す概略平面図である。
【図4】本発明にかかる2層配線のコンタクト構造の変
形例を示す概略平面図である。
形例を示す概略平面図である。
【図5】本発明にかかる2層配線のコンタクト構造の形
成途中状態を示す工程断面図である。
成途中状態を示す工程断面図である。
【図6】従来例にかかる多層配線のコンタクト構造の一
例としての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略
断面図である。
例としての2層配線におけるコンタクト構造を示す概略
断面図である。
【図7】従来例にかかる2層配線のコンタクト構造の形
成途中状態を示す工程断面図である。
成途中状態を示す工程断面図である。
1・ 半導体基板
2・ 下側金属配線
2a ・コンタクト部
3・ 絶縁膜
4・ 上側金属配線
4a ・コンタクト部
5・ コンタクトホール
10 ・凹部
11 ・切除部
12 ・切除部
【図3】
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通
じて互いに導通接続されるコンタクト部を備えた複数の
金属配線からなる多層配線のコンタクト構造であって、
下側に位置する金属配線のコンタクト部内にはその厚み
方向に沿って掘り込み形成された凹部もしくは切り欠き
形成された切除部を設ける一方、この凹部もしくは切除
部の内部には上側に位置する金属配線のコンタクト部を
配置したことを特徴とする多層配線のコンタクト構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40034890A JPH04209525A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 多層配線のコンタクト構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP40034890A JPH04209525A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 多層配線のコンタクト構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04209525A true JPH04209525A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP40034890A Pending JPH04209525A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 多層配線のコンタクト構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04209525A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5909631A (en) * | 1994-10-12 | 1999-06-01 | Micron Technology, Inc. | Method of making ohmic contact between a thin film polysilicon layer and a subsequently provided conductive layer and integrated circuitry |
KR100596898B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 콘택 형성방법 |
-
1990
- 1990-12-04 JP JP40034890A patent/JPH04209525A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5909631A (en) * | 1994-10-12 | 1999-06-01 | Micron Technology, Inc. | Method of making ohmic contact between a thin film polysilicon layer and a subsequently provided conductive layer and integrated circuitry |
US5930662A (en) * | 1994-10-12 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method of making ohmic contact between a thin film polysilicon layer and a subsequently provided conductive layer and integrated circuitry |
KR100596898B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속배선 콘택 형성방법 |
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