JPH04206613A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
一般に、積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラ
ミックグリーンシートに電極ペーストを印刷し、積層す
る積層工程と、所望の形状に切断する切断工程と、電極
およびセラミツクスを焼成させる焼成工程とからなる。
ミックグリーンシートに電極ペーストを印刷し、積層す
る積層工程と、所望の形状に切断する切断工程と、電極
およびセラミツクスを焼成させる焼成工程とからなる。
ところで、誘電体セラミック材料としては、従来、Ｂａ
Ｔ ｉ Ｏｓ系層電体材料が多く用いられてきたが、
この誘電体材料は、１２００℃〜１３５０℃の高温で焼
成する必要がある。従って、電極およびセラミックスを
焼成して一体化するためには、内部電極を、上記の高温
で溶融・酸化することのない貴金属、例えばパラジウム
またはその合金等で形成しなければならなかった。しか
しながら、これらの貴金属は、極めて高価であり、従っ
て、これを用いた積層セラミックコンデンサも高価なも
のとなってしまうという問題があった。この問題は、静
電容量の大きなコンデンサにあっては、それに伴って内
部電極量が大きくなるため、特に顕著である。
Ｔ ｉ Ｏｓ系層電体材料が多く用いられてきたが、
この誘電体材料は、１２００℃〜１３５０℃の高温で焼
成する必要がある。従って、電極およびセラミックスを
焼成して一体化するためには、内部電極を、上記の高温
で溶融・酸化することのない貴金属、例えばパラジウム
またはその合金等で形成しなければならなかった。しか
しながら、これらの貴金属は、極めて高価であり、従っ
て、これを用いた積層セラミックコンデンサも高価なも
のとなってしまうという問題があった。この問題は、静
電容量の大きなコンデンサにあっては、それに伴って内
部電極量が大きくなるため、特に顕著である。
そこで、近年、この問題を解決するため、安価な卑金属
、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ等を、内部電極きして用いる研究
が盛んになされている。
、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ等を、内部電極きして用いる研究
が盛んになされている。
しかしながら、卑金属は酸化し易いので、内部電極とし
て卑金属を用いた場合には、焼成を、中性あるいは還元
性雰囲気中で行わなければならない。ところが、上記従
来用いられていたＢａＴ ｉ０３系誘電体材料は、還元
性の低酸素分圧下で焼成すると、容易に還元されてしま
い、絶縁抵抗が低下し、所望の誘電体特性が得られなく
なるという問題を有していた。
て卑金属を用いた場合には、焼成を、中性あるいは還元
性雰囲気中で行わなければならない。ところが、上記従
来用いられていたＢａＴ ｉ０３系誘電体材料は、還元
性の低酸素分圧下で焼成すると、容易に還元されてしま
い、絶縁抵抗が低下し、所望の誘電体特性が得られなく
なるという問題を有していた。
そこで、卑金属を内部電極として用いるために、種々の
耐還元性誘電体セラミック材料が開発されこれらの材料
を用い、還元性の低酸素分圧下で焼成してコンデンサを
製造する場合には、誘電体にどうしても酸素欠陥が生じ
るので、この酸素欠陥を補うため、２次焼成を行わなけ
ればならない。
耐還元性誘電体セラミック材料が開発されこれらの材料
を用い、還元性の低酸素分圧下で焼成してコンデンサを
製造する場合には、誘電体にどうしても酸素欠陥が生じ
るので、この酸素欠陥を補うため、２次焼成を行わなけ
ればならない。
この２次焼成は、従来、大気中で行われていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このように、誘電体の酸素欠陥の補填の
ための２次焼成を大気中で行うと、焼成温度が高いとき
には、酸素欠陥の補填は有効に行われるが、内部電極が
酸化してしまうきいう問題があり、一方、焼成温度が低
い場合には、酸素欠陥が十分に補填できないという問題
がある。
ための２次焼成を大気中で行うと、焼成温度が高いとき
には、酸素欠陥の補填は有効に行われるが、内部電極が
酸化してしまうきいう問題があり、一方、焼成温度が低
い場合には、酸素欠陥が十分に補填できないという問題
がある。
そこで、本発明は、卑金属で形成した内部電極を酸化さ
せることなく、中性または還元性雰囲気中の焼成による
酸素欠陥を十分に補填することのできる積層セラミック
コンデンサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
せることなく、中性または還元性雰囲気中の焼成による
酸素欠陥を十分に補填することのできる積層セラミック
コンデンサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
（課題を解決するための手段）
本発明による積層セラミックコンデンサの′製造方法は
、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミッ
ク材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲
気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理する
ことを特徴とするものである。
、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミッ
ク材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲
気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理する
ことを特徴とするものである。
上記弱酸化性雰囲気は、例えば、Ｈ２Ｏを含んだ不活性
ガスで構成すればよい。この不活性ガスとしては、Ｎ２
、 Ｈｅ、 Ｎ ｅ、 Ａ ｒ’ガス等が挙げられる
。
ガスで構成すればよい。この不活性ガスとしては、Ｎ２
、 Ｈｅ、 Ｎ ｅ、 Ａ ｒ’ガス等が挙げられる
。
弱酸化性雰囲気中での上記熱処理は、６００℃〜１１０
０℃の範囲の温度条件下で行えばよい。
０℃の範囲の温度条件下で行えばよい。
なお、外部電極は、例えば、中性または還元性雰囲気中
での焼成前に、卑金属の外部電極材料を付与し、その後
焼成を行って形成することができる。
での焼成前に、卑金属の外部電極材料を付与し、その後
焼成を行って形成することができる。
弱酸化性雰囲気中での熱処理の後に、大気中で更に熱処
理を行ってもよい。この大気中での上記熱処理は、４０
０℃〜８００℃の範囲の温度条件下で行うことが望まし
い。
理を行ってもよい。この大気中での上記熱処理は、４０
０℃〜８００℃の範囲の温度条件下で行うことが望まし
い。
（作用）
本発明においては、誘電体の酸素欠陥補填のための熱処
理を弱酸化性雰囲気中で行うようにしたので、処理温度
を高くすることができ、その結果、内部電極の酸化を防
止しつつ、上記酸素欠陥の補填を十分かつ効率良くよく
行うことができ、従って、得られたコンデンサの信頼性
が高いものとなる。
理を弱酸化性雰囲気中で行うようにしたので、処理温度
を高くすることができ、その結果、内部電極の酸化を防
止しつつ、上記酸素欠陥の補填を十分かつ効率良くよく
行うことができ、従って、得られたコンデンサの信頼性
が高いものとなる。
（実施例）
以下、本発明の好ましい実施例による積層セラミックコ
ンデンサの製造方法について詳細に説明する。
ンデンサの製造方法について詳細に説明する。
積層セラミックコンデンサの製造方法の具体例を説明す
る前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデ
ンサの内部並びに外部の卑金属電極の材料、および耐還
元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑
金属電極の材料としては、特開昭５９−１１４７０３号
公報等に開示された材料等を用いることができ、また、
上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６
０−２０８５０号公報等に開示された材料を用いること
ができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材
料のこれ以上の説明は省略する。
る前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデ
ンサの内部並びに外部の卑金属電極の材料、および耐還
元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑
金属電極の材料としては、特開昭５９−１１４７０３号
公報等に開示された材料等を用いることができ、また、
上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭６
０−２０８５０号公報等に開示された材料を用いること
ができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材
料のこれ以上の説明は省略する。
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の
具体例について説明する。
具体例について説明する。
実」１億」−
上記耐還元性誘電体セラミック材料を用いて、通常の方
法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に
、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定の
パターンで内部電極材料を付与し、これを所定枚数積層
して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さ
らに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外
部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰
囲気中での９００℃の熱処理でバインダを飛ばし、その
後、９８．５容量％のＮ２と１．５容量％のＮ２の雰囲
気中で、１２００℃で２時間焼成を行い、試料コンデン
サを作成した。
法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に
、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定の
パターンで内部電極材料を付与し、これを所定枚数積層
して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さ
らに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外
部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰
囲気中での９００℃の熱処理でバインダを飛ばし、その
後、９８．５容量％のＮ２と１．５容量％のＮ２の雰囲
気中で、１２００℃で２時間焼成を行い、試料コンデン
サを作成した。
ついで、上記試料コンデンサを、第１表に示す酸素濃度
の弱酸化性雰囲気中において、第１表に示す処理温度、
処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点１０
〜３０℃の８２０を含んだＮ２とした。
の弱酸化性雰囲気中において、第１表に示す処理温度、
処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点１０
〜３０℃の８２０を含んだＮ２とした。
このように、熱処理を行って得た試料コンデンサについ
て、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧ＩＶでの静電容量Ｃ
ａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、および上記試
料コンデンサ１０ロツトについて、直流電圧を順次昇圧
しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が１ｍＡに達
したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、
Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を、第１
表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気
中で、２次焼成温度６００℃、焼成時間０゜５時間で焼
成し、それを比較例として、上記出回様にして、静電容
量Ｃａｐ （ｎＦ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）、昇圧
破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した
。その結果を第１表に示した。
て、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧ＩＶでの静電容量Ｃ
ａｐ（ｎＦ）、誘電損失ｔａｎＤ（％）、および上記試
料コンデンサ１０ロツトについて、直流電圧を順次昇圧
しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が１ｍＡに達
したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、
Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した。その結果を、第１
表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気
中で、２次焼成温度６００℃、焼成時間０゜５時間で焼
成し、それを比較例として、上記出回様にして、静電容
量Ｃａｐ （ｎＦ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）、昇圧
破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平均値（Ｖ）を測定した
。その結果を第１表に示した。
この第１表から分かるように、本実施例のコンデ′
Ｘンサは、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Ｃａ
ｐ （ｎＦ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であ
ったが、昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平均値（Ｖ
）は２０Ｖ以上高かった。
ｐ （ｎＦ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であ
ったが、昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平均値（Ｖ
）は２０Ｖ以上高かった。
Ｌｉ上１
上記実施例１と同様にして、試料コンデンサを得、これ
を第２表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、
第２表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。
を第２表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、
第２表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。
上記雰囲気は、露点１０〜３０℃のＨ２Ｏを含んだＮ２
とした。本実施例においては、この熱処理の後、酸化性
雰囲気中において、第２表に示す処理温度、処理時間で
更に試料コンデンサを熱処理した。この試料コンデンサ
についても、上記実施例１と同様にして、測定周波数１
ｋＨｚ、測定電圧ＩＶでの静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘
電損失ｔａｎＤ（％）、および上記試料コンデンサ１０
ロツトについて、昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平
均値（Ｖ）を測定した。
とした。本実施例においては、この熱処理の後、酸化性
雰囲気中において、第２表に示す処理温度、処理時間で
更に試料コンデンサを熱処理した。この試料コンデンサ
についても、上記実施例１と同様にして、測定周波数１
ｋＨｚ、測定電圧ＩＶでの静電容量Ｃａｐ（ｎＦ）、誘
電損失ｔａｎＤ（％）、および上記試料コンデンサ１０
ロツトについて、昇圧破壊性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ）の最低平
均値（Ｖ）を測定した。
その結果を、第２表に示す。
この第２表から分かるように、本実施例のコンデンサは
、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Ｃａｐ （ｎ
Ｆ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であったが、昇
圧破壊性能（Ｂ、 Ｄ、 Ｖ）の最低平均値（Ｖ）は６
０Ｖ以上高かった。
、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Ｃａｐ （ｎ
Ｆ） 、誘電損失ｔａｎＤ（％）は同等であったが、昇
圧破壊性能（Ｂ、 Ｄ、 Ｖ）の最低平均値（Ｖ）は６
０Ｖ以上高かった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、電極を酸化させ
ることなく、還元性の低酸素分圧下で焼成して作製した
コンデンサの誘電体の酸素欠陥を有効に補い、昇圧破壊
性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ’）の高いコンデンサを得ることがで
きる。
ることなく、還元性の低酸素分圧下で焼成して作製した
コンデンサの誘電体の酸素欠陥を有効に補い、昇圧破壊
性能（Ｂ、Ｄ、Ｖ’）の高いコンデンサを得ることがで
きる。
外３名
Claims (6)
- （１）卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラ
ミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性
雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理
することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造
方法。 - （２）前記弱酸化性雰囲気が、Ｈ＿２Ｏを含んだ不活性
ガスからなることを特徴とする講求項第１項記載の積層
セラミックコンデンサの製造方法。 - （３）弱酸化性雰囲気中での前記熱処理が、６００℃〜
１１００℃の範囲の温度条件下で行われることを特徴と
する講求項第１項または第２項記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。 - （４）中性または還元性雰囲気中での焼成前に、卑金属
の外部電極材料を付与し、その後焼成を行うようにした
ことを特徴とする請求項第１項乃至第３項のいずれか１
項記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - （５）弱酸化性雰囲気中での熱処理の後に、大気中で更
に熱処理を行うことを特徴とする請求項第１項乃至第４
項のいずれか１項記載の積層セラミックコンデンサの製
造方法。 - （６）大気中での前記熱処理が、４００℃〜８００℃の
範囲の温度条件下で行われることを特徴とする請求項第
５項記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33360990A JP2852809B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33360990A JP2852809B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206613A true JPH04206613A (ja) | 1992-07-28 |
| JP2852809B2 JP2852809B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=18267965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33360990A Expired - Fee Related JP2852809B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2852809B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039282A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | コンデンサ用薄膜誘電体およびその製造方法 |
| WO2007148484A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| US7495883B2 (en) | 2005-07-26 | 2009-02-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33360990A patent/JP2852809B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039282A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | コンデンサ用薄膜誘電体およびその製造方法 |
| JP4522774B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2010-08-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | コンデンサ用薄膜誘電体およびその製造方法 |
| US7495883B2 (en) | 2005-07-26 | 2009-02-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
| WO2007148484A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2852809B2 (ja) | 1999-02-03 |
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