JPH04206613A - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
るものである。
ミックグリーンシートに電極ペーストを印刷し、積層す
る積層工程と、所望の形状に切断する切断工程と、電極
およびセラミツクスを焼成させる焼成工程とからなる。
T i Os系層電体材料が多く用いられてきたが、
この誘電体材料は、1200℃〜1350℃の高温で焼
成する必要がある。従って、電極およびセラミックスを
焼成して一体化するためには、内部電極を、上記の高温
で溶融・酸化することのない貴金属、例えばパラジウム
またはその合金等で形成しなければならなかった。しか
しながら、これらの貴金属は、極めて高価であり、従っ
て、これを用いた積層セラミックコンデンサも高価なも
のとなってしまうという問題があった。この問題は、静
電容量の大きなコンデンサにあっては、それに伴って内
部電極量が大きくなるため、特に顕著である。
、例えば、Ni、Cu等を、内部電極きして用いる研究
が盛んになされている。
て卑金属を用いた場合には、焼成を、中性あるいは還元
性雰囲気中で行わなければならない。ところが、上記従
来用いられていたBaT i03系誘電体材料は、還元
性の低酸素分圧下で焼成すると、容易に還元されてしま
い、絶縁抵抗が低下し、所望の誘電体特性が得られなく
なるという問題を有していた。
耐還元性誘電体セラミック材料が開発されこれらの材料
を用い、還元性の低酸素分圧下で焼成してコンデンサを
製造する場合には、誘電体にどうしても酸素欠陥が生じ
るので、この酸素欠陥を補うため、2次焼成を行わなけ
ればならない。
ための2次焼成を大気中で行うと、焼成温度が高いとき
には、酸素欠陥の補填は有効に行われるが、内部電極が
酸化してしまうきいう問題があり、一方、焼成温度が低
い場合には、酸素欠陥が十分に補填できないという問題
がある。
せることなく、中性または還元性雰囲気中の焼成による
酸素欠陥を十分に補填することのできる積層セラミック
コンデンサの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
、卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラミッ
ク材料とを層状に構成し、これを中性または還元性雰囲
気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理する
ことを特徴とするものである。
ガスで構成すればよい。この不活性ガスとしては、N2
、 He、 N e、 A r’ガス等が挙げられる
。
0℃の範囲の温度条件下で行えばよい。
での焼成前に、卑金属の外部電極材料を付与し、その後
焼成を行って形成することができる。
理を行ってもよい。この大気中での上記熱処理は、40
0℃〜800℃の範囲の温度条件下で行うことが望まし
い。
理を弱酸化性雰囲気中で行うようにしたので、処理温度
を高くすることができ、その結果、内部電極の酸化を防
止しつつ、上記酸素欠陥の補填を十分かつ効率良くよく
行うことができ、従って、得られたコンデンサの信頼性
が高いものとなる。
ンデンサの製造方法について詳細に説明する。
る前に、先ず、本発明方法に用いることのできるコンデ
ンサの内部並びに外部の卑金属電極の材料、および耐還
元性誘電体セラミック材料について説明すると、上記卑
金属電極の材料としては、特開昭59−114703号
公報等に開示された材料等を用いることができ、また、
上記耐還元性誘電体セラミック材料としては、特公昭6
0−20850号公報等に開示された材料を用いること
ができる。本発明は、材料自体の発明では無いので、材
料のこれ以上の説明は省略する。
具体例について説明する。
法でセラミックグリーンシートを作成し、その表面上に
、上記卑金属材料を用いて、通常の方法により、所定の
パターンで内部電極材料を付与し、これを所定枚数積層
して、熱圧着した後に、複数の積層チップに分割し、さ
らに、前記積層チップの両端面に、それぞれ卑金属の外
部電極材料を通常の方法により付与し、続いて、空気雰
囲気中での900℃の熱処理でバインダを飛ばし、その
後、98.5容量%のN2と1.5容量%のN2の雰囲
気中で、1200℃で2時間焼成を行い、試料コンデン
サを作成した。
の弱酸化性雰囲気中において、第1表に示す処理温度、
処理時間で、熱処理を行った。上記雰囲気は、露点10
〜30℃の820を含んだN2とした。
て、測定周波数1kHz、測定電圧IVでの静電容量C
ap(nF)、誘電損失tanD(%)、および上記試
料コンデンサ10ロツトについて、直流電圧を順次昇圧
しながら印加し、試料の電極間の漏れ電流が1mAに達
したときの印加電圧の値、即ち昇圧破壊性能(B、D、
V)の最低平均値(V)を測定した。その結果を、第1
表に示す。また、上記と同様の試料コンデンサを、大気
中で、2次焼成温度600℃、焼成時間0゜5時間で焼
成し、それを比較例として、上記出回様にして、静電容
量Cap (nF) 、誘電損失tanD(%)、昇圧
破壊性能(B、D、V)の最低平均値(V)を測定した
。その結果を第1表に示した。
p (nF) 、誘電損失tanD(%)は同等であ
ったが、昇圧破壊性能(B、D、V)の最低平均値(V
)は20V以上高かった。
を第2表に示す酸素濃度の弱酸化性雰囲気中において、
第2表に示す処理温度、処理時間で、熱処理を行った。
とした。本実施例においては、この熱処理の後、酸化性
雰囲気中において、第2表に示す処理温度、処理時間で
更に試料コンデンサを熱処理した。この試料コンデンサ
についても、上記実施例1と同様にして、測定周波数1
kHz、測定電圧IVでの静電容量Cap(nF)、誘
電損失tanD(%)、および上記試料コンデンサ10
ロツトについて、昇圧破壊性能(B、D、V)の最低平
均値(V)を測定した。
、比較例のコンデンサと比べて、静電容量Cap (n
F) 、誘電損失tanD(%)は同等であったが、昇
圧破壊性能(B、 D、 V)の最低平均値(V)は6
0V以上高かった。
ることなく、還元性の低酸素分圧下で焼成して作製した
コンデンサの誘電体の酸素欠陥を有効に補い、昇圧破壊
性能(B、D、V’)の高いコンデンサを得ることがで
きる。
Claims (6)
- (1)卑金属の内部電極材料と、耐還元性の誘電体セラ
ミック材料とを層状に構成し、これを中性または還元性
雰囲気中で焼成し、その後、弱酸化性雰囲気中で熱処理
することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造
方法。 - (2)前記弱酸化性雰囲気が、H_2Oを含んだ不活性
ガスからなることを特徴とする講求項第1項記載の積層
セラミックコンデンサの製造方法。 - (3)弱酸化性雰囲気中での前記熱処理が、600℃〜
1100℃の範囲の温度条件下で行われることを特徴と
する講求項第1項または第2項記載の積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。 - (4)中性または還元性雰囲気中での焼成前に、卑金属
の外部電極材料を付与し、その後焼成を行うようにした
ことを特徴とする請求項第1項乃至第3項のいずれか1
項記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - (5)弱酸化性雰囲気中での熱処理の後に、大気中で更
に熱処理を行うことを特徴とする請求項第1項乃至第4
項のいずれか1項記載の積層セラミックコンデンサの製
造方法。 - (6)大気中での前記熱処理が、400℃〜800℃の
範囲の温度条件下で行われることを特徴とする請求項第
5項記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005039282A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | コンデンサ用薄膜誘電体およびその製造方法 |
WO2007148484A1 (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US7495883B2 (en) | 2005-07-26 | 2009-02-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
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1990
- 1990-11-30 JP JP33360990A patent/JP2852809B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4522774B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2010-08-11 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | コンデンサ用薄膜誘電体およびその製造方法 |
US7495883B2 (en) | 2005-07-26 | 2009-02-24 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same |
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