JP3804135B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子機器に用いられるセラミックコンデンサ、特に卑金属からなる内部電極を有する積層セラミックコンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
BaTiO3を主成分とする従来の誘電体セラミック材料を積層セラミックコンデンサに用いた場合、中性または還元性の低酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化を起こすという問題があった。従って、内部電極としては、誘電体セラミック材料の焼結する温度下でも溶融することなく、かつ誘電体セラミック材料を半導体化させない高酸素分圧下で焼成しても酸化することのない、例えばパラジウム、白金等の貴金属を用いる必要があり、製造される積層セラミックコンデンサの低コスト化の大きな妨げとなっていた。
【0003】
そこで、上述の問題を解決するために、例えばニッケル等の安価な卑金属を内部電極として使用することが望まれていた。しかし、このような卑金属を内部電極材料として使用し、従来の条件下で焼成すると、電極材料が酸化されてしまい、電極としての機能を果たさなくなる。そのため、このような卑金属を内部電極として使用するためには、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気で焼成しても誘電体セラミックが半導体化せず、優れた誘電特性を有する誘電体セラミック材料が必要である。
【0004】
この条件を満たす材料として、例えば特開昭62−256422号公報のBaTiO3−CaZrO3−MnO−MgO系の組成、特開昭63−103861号公報に開示されているBaTiO3−MnO−MgO−希土類酸化物系組成、特公昭61−14610号公報に開示されているBaTiO3−(Mg,Zn,Sr,Ca)O−Li2O−SiO2−MO(MO:BaO,SrO,CaO)系組成、あるいは特開平3−263708号公報に開示されている(Ba,Ca,Sr,Mg,Ce)(Ti,Zr)O3系等の組成が提案されてきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような卑金属の内部電極を有する積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層の厚みが薄くて多層積みになると、焼成時の内部電極と誘電体セラミック層との収縮の差や熱膨張率の差によって、内部電極と誘電体セラミック層との界面に残留応力が生じ、この影響により耐熱衝撃性が悪くなるという問題があった。また、高温・高湿下における信頼性(いわゆる耐湿負荷特性)についても、誘電体セラミック層の厚みが薄くて多層積みになると、同様に悪くなるという問題があった。
【0006】
このような問題を解決するために、特公平7−56850号公報にはアルミノシリケート層によってNi内部電極と素体とが接合された積層セラミックコンデンサが開示されている。しかし、この積層セラミックコンデンサは、耐熱衝撃性を考慮したものではなかった。
【0007】
一方、特開平3−133114号公報に開示されている内部電極の周囲に誘電体セラミック層とは異なる組成の酸化物層を形成した積層セラミックコンデンサは、高温負荷試験における信頼性の向上を目的として、低酸素濃度で試料を焼成した後に熱処理を行うものである。しかし、この積層セラミックコンデンサは、耐熱衝撃性や耐湿負荷試験特性に対しては効果がなかった。
【0008】
それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミックコンデンサの誘電体の内部電極を改良することにより、耐熱衝撃性と耐湿負荷特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、複数の誘電体セラミック層と、それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミックはチタン酸バリウムを主成分とするものであり、前記内部電極はニッケルあるいはニッケル合金からなる卑金属で構成されており、かつ、前記内部電極には、Ba 3 MgSi 2 O 8 が、前記卑金属量に対して0.1〜10wt%含有されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサである。
【0010】
【0011】
【0012】
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、この発明を実施例に基づき、さらに具体的に説明するが、この発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。この発明の一実施例である積層セラミックコンデンサについて説明する。図1は一実施例の積層セラミックコンデンサの概略断面図、図2は一実施例の内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平面図、図3は一実施例のセラミック積層体の分解斜視図を示す。この発明にかかる積層セラミックコンデンサ1は、図1に示すように、内部電極4を介在して複数枚の誘電体セラミック層2a,2bを積層して得られたセラミック積層体3の両端面に外部電極5およびニッケル、銅などのメッキ第1層6、はんだ、錫などのメッキ第2層7が形成された直方体形状のチップタイプである。
【0014】
次に、この発明にかかる積層セラミックコンデンサ1の製造方法について、製造工程順に説明する。まず、セラミック積層体3を形成する。このセラミック積層体3は次のようにして製造される。図2に示すように、チタン酸バリウムからなる材料粉末をスラリー化してシート状とした誘電体セラミック層2(グリーンシート)を用意し、その一面にニッケルあるいはニッケル合金を主成分とする卑金属からなる内部電極4を形成する。
【0015】
次に、内部電極4を有する誘電体セラミック層2bは必要枚数積層され、図3に示す如く、内部電極4を有しない誘電体セラミック層2aにて挟んで圧着し、積層体とする。その後、この積層された誘電体セラミック層2a,2b,・・・,2b,2aを還元性雰囲気中、所定の温度にて焼成し、セラミック積層体3が形成される。次に、セラミック積層体3の両端面に、内部電極4と接続するように、二つの外部電極5を形成する。
【0016】
また、外部電極5は、材料となる金属粉末から構成される導電ペーストを、焼成により得られたセラミック積層体3に塗布して、焼き付けることで形成されるが、焼成前のセラミック積層体3に導電ペーストを塗布して、セラミック積層体3の焼成と同時に外部電極5を形成してもよい。この後、外部電極5上にニッケル、銅などのメッキを施し、メッキ第1層6を形成する。最後に、このメッキ第1層6の上にはんだ、錫などのメッキ第2層7を形成し、チップ型の積層セラミックコンデンサ1が製造される。
【0017】
以下では、より詳細な実施例および参考例について説明する。
(参考例)まず、出発原料として種々の純度のTiCl4とBa(NO3)2とを準備して秤量した後、蓚酸により蓚酸チタニルバリウム(BaTiO(C2O4)・4H2O)として沈澱させ、沈澱物を得た。この沈澱物を1000℃以上の温度で加熱分解させて、Ba/Tiモル比1.0のチタン酸バリウム(BaTiO3)を合成した。
【0018】
次に、チタン酸バリウムのBa/Tiモル比を調整するためのBaCO3と、純度99%以上のY2O3,Dy2O3,MnCO3,NiO,Co2O3,MgOを準備した。これらの原料粉末を97.0{BaO}1.010・TiO2+0.7Y2O3+0.3Dy2O3+0.6MnO+0.7NiO+0.7CoO(モル比)に対して、MgOとLi2O−(TiO2・SiO2)−Al2O3を主成分とするガラス粉末を、それぞれ1.2モル%および1.5wt%添加した後、ポリビニルブチラール系バインダーおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調製した。しかる後、セラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み11μmの矩形のグリーンシートを得た。
【0019】
次に、Niを主体とする導電ペーストに、BaCO3,MgO,SiO2粉末を、それぞれ1.3wt%、0.3wt%、0.4wt%添加してから混合した。上記セラミックグリーンシート上に、上記のBaCO3,MgO,SiO2粉末を添加したNiを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【0020】
導電ペースト層を形成したセラミックグリーンシートを、導電ペーストを引き出した側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。得られた積層体を、N2雰囲気中にて350℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、H2−N2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において焼成し、セラミック焼結体を得た。なお、焼成は1300℃で2時間保持し、昇温速度と冷却速度はともに200℃/hとした。
【0021】
焼成後、焼結体の両端面に銀ペーストを塗布し、N2雰囲気中において600℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続した外部電極を形成した。この後、外部電極上にNiメッキ被膜を形成し、この被膜の上に半田メッキ被膜を形成した。
【0022】
上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅:1.6mm、長さ:3.2mm、厚さ:1.2mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは6μmで、有効誘電体セラミック層の総数は150層であった。
【0023】
耐熱衝撃試験については、各試料を50個ずつ、325℃に設定した半田槽に2〜3秒浸漬することにより行った。この試料を樹脂で固めた後に研磨し、顕微鏡でクラックの有無を検査した。また、耐湿負荷試験として、各試料を72個ずつ、2気圧(相対湿度100%)、温度121℃にて直流電流を16V印加した場合において、250時間経過するまでに絶縁抵抗値(R)が106Ω以下になった試料を不良と判定した。
【0024】
その結果、Niを主体とする導電ペーストに、BaCO3,MgO,SiO2粉末を添加して作製した試料については、耐熱衝撃試験と耐湿負荷試験を行っても、全く不良は発生しなかった。一方、比較のためにBaCO3,MgO,SiO2粉末を添加しなかった導電ペーストを用いた試料については、耐熱衝撃試験で3/50個、耐湿負荷試験で5/72個の不良が発生した。
【0025】
ここで、BaCO3,MgO,SiO2粉末の添加量の限定理由について説明する。添加したBaCO3,MgO,SiO2粉末の総量が0.1wt%未満の場合には、耐熱衝撃試験と耐湿負荷試験において不良が発生するからである。一方、添加したBaCO3,MgO,SiO2粉末の総量が10wt%を越える場合には、静電容量の低下や等価直列抵抗の増大といった問題が発生するからである。
【0026】
(実施例)まず、出発原料として種々の純度のTiCl4とBa(NO3)2とを準備して秤量した後、蓚酸により蓚酸チタニルバリウム(BaTiO(C2O4)・4H2O)として沈澱させ、この沈澱物を1000℃以上の温度で加熱分解させてBa/Tiモル比1.0のチタン酸バリウム(BaTiO3)を合成した。
【0027】
次に、純度99%以上のHo2O3,Co2O3,BaCO3,MnCO3,MgO,SiO2を準備した。これらの原料粉末を96.5BaTiO3+1.5Ho2O3+2.0Co2O3(モル比)となるように配合し、配合した粉末100モルに対して、BaOを0.5モル、MnOを1.5モル、MgOを2.0モル、SiO2を2.0モル添加した後、ポリビニルブチラール系バインダーおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調製した。しかる後、セラミックスラリーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み11μmの矩形のグリーンシートを得た。
【0028】
次に、Niを主体とする導電ペーストに、Ba3MgSi2O8粉末を1.0wt%添加してから混合した。上記セラミックグリーンシート上に、上記のBa3MgSi2O8粉末を添加したNiを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【0029】
導電ペースト層を形成したセラミックグリーンシートを、導電ペーストを引き出した側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。この積層体を、N2雰囲気中にて350℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、H2−N2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において焼成し、セラミック焼結体を得た。なお、焼成は1300℃で2時間保持し、昇温速度と冷却速度はともに200℃/hとした。
【0030】
焼成後、焼結体の両端面に銀ペーストを塗布し、N2雰囲気中において600℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続した外部電極を形成した。この後、外部電極上にNiメッキ被膜を形成し、この被膜の上に半田メッキ被膜を形成した。
【0031】
上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅:1.6mm、長さ:3.2mm、厚さ:1.2mmであり、内部電極間に介在される誘電体セラミック層の厚みは6μmで、有効誘電体セラミック層の総数は150層であった。
【0032】
耐熱衝撃試験については、各試料を50個ずつ、325℃に設定した半田槽にピンセットではさんだ試料を2〜3秒浸漬することにより行った。この試料を樹脂で固めた後に研磨し、顕微鏡でクラックの有無を検査した。また、耐湿負荷試験については、各試料を72個ずつ、2気圧(相対湿度100%)、温度121℃にて直流電圧を16V印加した条件で行い、250時間経過するまでに絶縁抵抗(R)が106Ω以下になった試料を故障品と判定した。
【0033】
その結果、Niを主体とする導電ペーストに、Ba3MgSi2O8粉末を添加して作製した試料については、耐熱衝撃試験と耐湿負荷試験を行っても、全く不良は発生しなかった。一方、比較のためにBa3MgSi2O8粉末を添加しなかった導電ペーストを用いた試料については、耐熱衝撃試験で3/50個、耐湿負荷試験で5/72個の不良が発生した。
【0034】
ここで、この発明の積層セラミックコンデンサに用いる内部電極に添加するBa3MgSi2O8粉末の添加量の限定理由について説明する。添加したBa3MgSi2O8粉末の総量が0.1wt%未満の場合には、耐熱衝撃試験と耐湿負荷試験において不良が発生するからである。一方、添加したBa3MgSi2O8粉末の総量が10wt%を越える場合には、静電容量の低下や等価直列抵抗の増大といった問題が発生するからである。
【0035】
【発明の効果】
この発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミックにチタン酸バリウムを主成分とするものを用い、内部電極にニッケルあるいはニッケル合金を主成分とする卑金属を用い、前記内部電極がBa 3 MgSi 2 O 8 を含むことで、従来のものに比べて耐熱衝撃性と耐湿負荷特性に優れたものである。
【0036】
また、この発明の積層セラミックコンデンサは、還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化しない誘電体セラミック材料から構成されているので、電極材料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用いることができ、1300℃以下と比較的低温で焼成可能であり、積層セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができる。
【0037】
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例である積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図2】この発明の一実施例である内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平面図である。
【図3】この発明の一実施例であるセラミック積層体の分解斜視図である。
【符号の説明】
1 積層セラミックコンデンサ
2 誘電体セラミック層
2a 内部電極を有しない誘電体セラミック層
2b 内部電極を有する誘電体セラミック層
3 セラミック積層体
4 内部電極
5 外部電極
6 メッキ第1層
7 メッキ第2層
Claims (1)
- 複数の誘電体セラミック層と、
それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、
露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けられた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体セラミックはチタン酸バリウムを主成分とするものであり、
前記内部電極はニッケルあるいはニッケル合金からなる卑金属で構成されており、かつ、前記内部電極には、Ba 3 MgSi 2 O 8 が、前記卑金属量に対して0.1〜10wt%含有されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
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---|---|---|---|
JP33359896A JP3804135B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP33359896A JP3804135B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 積層セラミックコンデンサ |
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JPH10172860A JPH10172860A (ja) | 1998-06-26 |
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Family
ID=18267840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP33359896A Expired - Lifetime JP3804135B2 (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3804135B2 (ja) |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP33359896A patent/JP3804135B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH10172860A (ja) | 1998-06-26 |
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