JPH04206531A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はバイポーラ型半導体装置の製造方法に係り、特
にパワートランジスタとして使用するツェナーダイオー
ドを有する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術
に関するものである。

〔従来の技術〕

一般にバイポーラ型の半導体装置のうち、パワートラン
ジスタとして使用するものはサージ電圧の発生によりト
ランジスタが破壊されることがあるが、このようなトラ
ンジスタの破壊を防止するためにトランジスタに付随し
てツェナーダイオードを有する構造のものが使用される
。

ツェナーダイオードを有するトランジスタを製造する方
法としては、ツェナーダイオードを形成工程としてベー
ス領域形成前にベースと同導電型で高濃度の領域を形成
し、コレクタ部と接合させツェナーダイオードとするの
が一般的である。

このような公知技術を示したものとして特開昭５４−１
５４２８１号がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし上記したような方法においては、ツェナーダイオ
ードを形成するためにベースと同導電型でかつ濃度の異
なる領域を形成するために半導体基板上に酸化膜を形成
し、ツェナーダイオードを形成する部分の酸化膜を除去
し、不純物のデポジションを行い熱処理により拡散し、
ツェナーダイオードのための濃度の異なる領域を形成し
た後、さらに全面の酸化膜を形成し、再度ベース部分の
酸化膜を除去し・＼−ス拡散を行わなければならないた
めに工程が多くなってしまうという問題かあった。

本発明の目的は前記問題を解決し工数が少なくてツェナ
ーダイオードを有するバイポーラ型半導体装置を製造す
ることのできる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの手段
について説明すれば下記のとおりである。

すなわち第１導電型であるＮ−型の半導体基板上に厚い
酸化膜と薄い酸化膜を形成した後部分的にエツチングを
行い薄い酸化膜を形成し、前記Ｎ−型の半導体基板に第
２導電型であるＰ型の不純物を導入し、厚い酸化膜と薄
い酸化膜の下部に濃度の異なったＰ型の領域をそれぞれ
形成し、前記形成したＰ型の領域のうち濃度の高い領域
の所望の位置にＮ型の不純物を導入しＮ型の領域を形成
するものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、従来の方法に比較してツェナー
ダイオードのための拡散工程を７くイボーラトランジス
タのへ−ヌ領域形成時に同時に形成することができるた
め工数が大幅に低減する。

〔実施例〕

第１図は発明の製造方法による半導体装置の断面図、第
２図〜第４図は本発明の実施例である半導体装置の製造
方法を示した断面図、第５図は本発明のツェナーを有す
るトランジスタの等価回路を示した図である。

本実施例における製造方法の対象となる半導体装置はツ
ェナーダイオードを有するバイポーラトランジスタであ
る。

、第１図に示したように本実施例の対象となる半導体装
置は、第１導電型であるＮ−型半導体基板１の下面にコ
レクタとなる第１導電型のＮ＋型層が形成されている。

コレクタ形成面とは反対の面には第２導電型のＰ型ベー
ス領域４が形成され、ベース領域４に接するようにＰ−
型領域５がＮ型半導体基板１とツェナーダイオードを形
成している。このベース領域４の表面にはＮ型のエミッ
タ電極６が形成されている。そしてコレクタ領域６およ
びＰ−型領域５上には、それぞれＡＬからなるベース電
極９およびエミッタ電極１０が形成されている。

以下、製造方法について説明する。

まず、Ｎ−型の半導体基板１の裏面にトナーとなるリン
を不純物として拡散しＮ＋型層２を形成した半導体基板
の表面を酸化し酸化膜３を形成する。（第２図参照） 次に前記酸化膜２をパターンニングしベース領域となる
部分の酸化膜を除去し、窓開部７を形成する。そしてツ
ェナーダイオードを形成する部分の酸化膜３ａはその他
の部分に比較し薄くなるようにエツチングを行う。

次に前記酸化膜上からアクセプタとなるボロンを不純物
としてデポジションし、熱処理によって拡散しＰ型ベー
ス領域４を形成する。この際、薄い酸化膜３ａが形成さ
れた部分においては池の部分と比較して低濃度のＰ−型
領域５が形成される。

この時、この部分に形成されるツェナーダイオードの耐
圧をベース、コレクタ間の耐圧以下とするように制御す
ることにより、ベース、コレクタ間の接合破壊を防止す
る構造とする。このツェナーダイオードの耐圧設定は酸
化膜厚を制御する二とにより、所望の耐圧を得ることが
できる。（第３図参照） 次に半導体基板全面を酸化し、その後エミッタとなる部
分の酸化膜を除去し窓開部を形成する。

この窓開部からドナーをデポジションし熱処理により拡
散を行いＮ型エミッタ領域６を形成する。

（第４図参照） この後、エミッタおよびベース領域上にＡ１からなる電
極を形成する。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を説明すれば下記のとおりである。

すなわちベース領域形成時にツエナーダイオートとなる
へき部分に薄い酸化膜を形成しておく二とによりベース
形成時に同時にツェナーダイオードを形成することがで
きるので工数を大幅に低減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は発明の製造方法を適用した半導体装置の断面図
、 第２図〜第４図は本発明の実施例である半導体装置の製
造方法を示した断面図、 第５図は本発明のツェナーを有するトランジスタの等価
回路を示した図である。 １・半導体基板、２・・コレクタ領域、３　酸化膜、４
・ベース領域、５・・ツェナー領域、６　エミッタ領域
、７，８・・窓開部、９・・ベース電極、１０・エミッ
タ電極。 第　　１　　図 第２図 ／３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第１導電型の半導体基板上に比較的厚い酸化膜と比
   較的薄い酸化膜を形成する工程と、前記第１導電型の半
   導体基板に第２導電型の不純物を導入し、濃度の異なっ
   た第２導電型の領域を形成する工程と、前記形成した第
   ２導電型の領域のうち濃度の高い領域の所望の位置に第
   １導電型の不純物を導入し第１導電型の領域を形成する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。