JPH04199541A - モード切替回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は外部入力端子に電気的に接続するヒユーズ素
子を電気的に溶断し、内部制御電位を変化させる電気ヒ
ユーズを備えたモード切替回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は従来のモード切替回路の回路図て、図において
、（＋１は外部入力バンド、（２）は外部人カバノド（
１）に接続し内部回路に電位を伝達するノード、（３）
はノード（２）と接地（以下、ＶＳＳと呼ぶ）を両端子
とする抵抗素子である。

次に動作について説明する。

通常状態において、外部入力バッド（１）はホンディン
グされず、モード制御用ノート（２）は抵抗（３）によ
りＶＳＳに固定され、通常モードとして動作する。

次にモードを切替える場合は、入力パッド（１）を電源
電圧（以下、Ｖ　ｃｃと呼ぶ）にボンディングすること
により、モード制御用ノード（２）を高レベルに、固定
する。

〔発明か解決しようとする課題〕

従来のモード切替回路は以上のように構成されていたの
で、モードの切替えはプロセス工程中に決定しなければ
ならず、メモリ装置かプロセス的に完了してからのモー
ドの変更は不能であるなとの問題点かあった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、プロセスの完了時においても外部入力端子や
ＶＣＣ端子に電位を与えることにより、モード切替えか
可能であるモード切替回路を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るモード切替回路は、外部入力端子に接続
するトランジスタと、Ｖ　ｃｃとＶ　３５０間に接続す
る電気ヒユーズを設けて、必要に応してモード切替えを
可能としたものである。

〔作用〕

この発明におけるモード切替回路は、外部入力端子や、
ｖｃｃ端子に電位を与えることにより、電気ヒユーズを
溶断しモード切替えを行う。

〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図において、（４）は外部入力バット（１）に接続
する外部入力端子、（５）は外部入カバノド（１）にノ
ース端子を接続し、ドレイン端子とゲート端子を電気的
に接続するＮチャネル型トランジスタ、（６）は一端を
ＶＣＣに接続する電気ヒユーズ、（７）は電気ヒユーズ
（６）とトランジスタ（５）のゲート端子を両端とする
抵抗素子、（８）はトランジスタ（５）のゲート端子と
Ｖ　ＳＳ端子を両端とし、抵抗素子（７）よりも大きな
抵抗値を持つ抵抗素子、（９）はトランジスタ（５）の
ゲート端子に接続し、内部回路に電位を伝達するノード
である。

次に動作について説明する。

通常モードにおいては電気ヒユーズ（６）は導通状態で
あり、ノート（９）の電位は抵抗（７）と（８）の抵抗
分割比により決定される。ここでは抵抗（８）の抵抗値
は抵抗（７）の抵抗値よりも大きな値としであるため、
ノート（９）の電位は高レベルとなる。トランジスタ（
５）は入力端子（４）かＶ５５レヘルても導通状態とな
らないように、しきい値（以下、Ｖｌｈと呼ぶ）を十分
高く設定するか、または複数個のトランジスタを直列に
接続し、実効的にＶ　ｌ　ｈを高くすることによって、
しゃ断状態とすることかできる。

モードを切替える場合、Ｖｃｃと外部入力端子（４）の
間に十分な電位を与え、電気ヒユーズ（６）を溶断する
。この時、外部入力端子（４）は負の電位でもよ（、ま
たＶ　ｓｓはフローティングとすることによって、Ｖｃ
ｃとＶＳＳの間の接合耐圧等を問題にすることなく、電
気ヒユーズ（６）を溶断するために十分な電位をＶｃｃ
に印加することができる。こうして電気ヒユーズ（６）
を溶断することにより、ノード（９）の電位は抵抗素子
（８）によりｙ　ｓｓレベルとすることか可能となり、
これにより、モード切替えを行うことができる。

また、外部入力端子（４）に信号か入力された場合、ト
ランジスタ（５）により、この信号はしゃ断されノート
（９）への影響はない。

なお、上記実施例ではトランジスタ（５）をＮチャネル
型トランジスタで構成する場合を述べたか、Ｐチャネル
型トランジスタでもよく、またヒユーズはＶｃｃに接続
するものについて示したか、Ｖ　ｓｓに接続するもので
あってもよく同様の効果かある。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、外部入力端子とＶ。ま
たはＶＳＳ端子への電圧の印加により、内部電気ヒユー
ズを溶断てきるように構成したので、プロセス完了後の
メモリ装置でも外部からの作業でモードを切替えること
か可能なモード切替回路か得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例であるモード切替回路の回
路図、第２図は従来のモード切替回路の回路図である。 図において、＋１）は外部入力バット、（４）は外部入
力端子、（５）はＮチャネル型トランジスタ、（６）は
電気ヒユーズ、（７１，（８）は抵抗素子、（９）は内
部ノートを示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外部入力端子と、この外部入力端子を一端とし、ゲート
   端子とドレイン端子を接続した少なくとも１つの直列に
   接続したトランジスタと、前記ゲート端子またはドレイ
   ン端子と電源電圧または接地との間に直接に配置される
   電気的なヒューズ素子と、このヒューズ素子と少なくと
   も一端を共有し、電源電圧と接地との間に直列に配置さ
   れる抵抗素子を有する半導体装置において、前記電源電
   圧と外部入力端子との間、または接地と外部入力端子と
   の間に電源電圧以上の電位差を与え、前記ヒューズ素子
   を溶断せしめ、前記ゲート端子またはドレイン端子の電
   位を変化させることを特徴とするモード切替回路。