JPH04195333A - 多重変換読み出し回路 - Google Patents

多重変換読み出し回路

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Publication number
JPH04195333A
JPH04195333A JP32775890A JP32775890A JPH04195333A JP H04195333 A JPH04195333 A JP H04195333A JP 32775890 A JP32775890 A JP 32775890A JP 32775890 A JP32775890 A JP 32775890A JP H04195333 A JPH04195333 A JP H04195333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
read
ram
write
outputs
Prior art date
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Pending
Application number
JP32775890A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiro Sugimoto
杉元 敏朗
Yasuto Suzuki
鈴木 保人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
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Publication of JPH04195333A publication Critical patent/JPH04195333A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕       ゛本発明は、多重
変換読み出し回路に関−し、特に入力され外−つのデー
タをシングルバッ゛ファメモリにより速度変換し、複数
回同じ人力データを〈従来、この種の多重変換読み出し
回路は、読み出しと書き込みを非同期で行うことができ
るエラスティックストアメモリを並列に接続し、一方の
メモリが読み出しを行っている間に他方のメモリに書き
込みを行い、次の段階で書き込みを行ったメモリが読み
出しを行う、いわゆる読み書きを交互に行うダブルバッ
ファ方式により多重読み出しを行っていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の多重変換読み出し回路では、2個のエラ
ティックスドアメモリを必要とするので、それぞれの書
き込み制御、読み出し制御、書き込み禁止、読み出し禁
止等の制御パルスを独立で作成しなければならずハード
ウェアの規模が大きくなる欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の多重変換読み出し回路は、RAMに書き込まれ
た一つの入力データを複数回読み出す多重変換読み出し
回路において、一つのRAMと、前記−つのRAMに速
度変換されたマルチフレームの先頭のフレームにより入
力データの書き込みおよび入力データに含まれる制御情
報の読み出しを行う第1の手段と、前記第1の手段で書
き込まれた入力データを前記マルチフレームの先頭の次
に続く複数のフレームにより所要の多重読み出しを行う
第2の手段とを有する。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
本実施例を説明する信号フォーマット図である。スタテ
ィックRAM1は入力データ101を後述するRAMア
ドレス信号106により指定されたアドレスに書き込み
、以降、必要とする複数回数高速読み出しを行い、多重
変換出力データ102を読み出す。アドレスセレクタ2
はイネーブルデコーダ3から書き込みおよび読み出しの
周期のタイミング信号に合わせて、後述するバイナリア
ドレスカウンタ4から書き込み用アドレス103と読み
出し用アドレス105とを受信し、RAMアドレス10
6として出力する。バイナリアドレスカウンタ4は前述
の書き込みアドレス信号103読み出しアドレス信号1
05の図におけるADRnである計数信号を出力すると
ともにスタティックRAM1がち読み出し回数(本実施
例では設計条件から偶数の2−個とする)を指定する図
におけるADRmである多重用アドレス104を出力す
る。
次に本実施例の動作を第2図の信号フォーマット図によ
り説明する。第2図(a)は多重変換出力データ102
に対応するマルチフレーム(図のMF)信号を表し、“
0″フレームの主として入力データ書き込み部と、“1
”〜“2−”フレ′−ムの読み出し専用フレームからな
る。第2図(b)はMFの先頭の“0”フレームの内容
を示し、入力データ書き込み部を有するフレーム0とフ
レーム1〜2′″/2の入力データ読み出しフレームか
らなる。ここでフレーム1〜2 s/mの読み出し用ア
ドレスビットはバイナリアドレスカウンタ4のADRn
における上位n / 2〜nのビットを使用する。第2
図(C)は第2図(b)のフレーム0の内容を示してい
る。すなわち、入力データに相当する0〜2n/2の書
き込み部の信号と入力デーラダ°0″′の読み出し部か
らなり、この書き込み部の信号の書き込み用アドレスビ
ットはバイナリアドレスカウンタ4のADRnにおける
下位O〜n / nのビットを使用する。第2図(d)
はライトイネーブル信号107を表し、“L°ルベルの
期間はアドレスセレクタ2に書き込み許可を与え、” 
H”レベルの期間はアドレスセレクタ2に読み出し許可
を与える。第2図(e)は入力データのクロックにより
バイナリアドレスカウンタ4の計数基準を与えるクロッ
クである。このようにバイナリアドレスカウンタ4によ
り多重読み出しの数により高速の書き込み読み出しアド
レス信号を出力するとともに、−度書き込みされた情報
をくり返し読み出すことにより、1つのRAMから複数
回読み出す多重変換読み出し回路が実現できる。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明はエラスティックストアのダブ
ルバッファ方式をスタティックメモリのシングルバッフ
ァ方式としバイナリアドレスカウンタ、イネーブルデコ
ーダ、アドレスセレクタを設けることにより、メモリお
よび多重読み出し回路をより簡単に構成できるので、ハ
ードウェアの規模を縮小できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本実
施例の動作を説明する信号フォーマット図である。 1・・・スタティックRAM、2・・・アドレスセレク
タ、3・・・イネーブルデコーダ、4・・・バイナリア
ドレスカウンタ、101・・・入力データ、102・・
・多重変換出力データ、103・・・書き込み用アドレ
ス、104・・・多重用アドレス、105・・・読み出
し用アドレス、106・・・RAMアドレス、107・
・・データ入力イネーブル。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、RAMに書き込まれた一つの入力データを複数回読
    み出す多重変換読み出し回路において、一つのRAMと
    、前記一つのRAMに速度変換されたマルチフレームの
    先頭のフレームにより入力データの書き込みおよび入力
    データに含まれる制御情報の読み出しを行う第1の手段
    と、前記第1の手段で書き込まれた入力データを前記マ
    ルチフレームの先頭の次に続く複数のフレームにより所
    要の多重読み出しを行う第2の手段とを有することを特
    徴とする多重変換読み出し回路。 2、前記第1および第2の手段を動作させるために書き
    込み信号としてn(nは整数)ビットの下位ビットであ
    る0からn/2ビットを出力し、読み出し信号としてn
    ビットの上位ビットであるn/2+1からnビットを出
    力し、かつ、前記第2の手段の所要の多重読み出し信号
    を出力するバイナリアドレスカウンタと、このバイナリ
    アドレスカウンタ信号を入力し書き込みおよび読み出し
    許可を与えるイネーブル信号を出力するイネーブルデコ
    ーダと、前記バイナリアドレスカウンタおよびイネーブ
    ルデコーダの信号を入力しRAMへの書き込み読み出し
    のアドレスを選択するアドレスセレクタとを有すること
    を特徴とする請求項1記載の多重変換読み出し回路。
JP32775890A 1990-11-27 1990-11-27 多重変換読み出し回路 Pending JPH04195333A (ja)

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JPH04195333A true JPH04195333A (ja) 1992-07-15

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ID=18202663

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JP32775890A Pending JPH04195333A (ja) 1990-11-27 1990-11-27 多重変換読み出し回路

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