JPH04189811A - シリコーン変性フェノール樹脂の合成法 - Google Patents
シリコーン変性フェノール樹脂の合成法Info
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- JPH04189811A JPH04189811A JP31949090A JP31949090A JPH04189811A JP H04189811 A JPH04189811 A JP H04189811A JP 31949090 A JP31949090 A JP 31949090A JP 31949090 A JP31949090 A JP 31949090A JP H04189811 A JPH04189811 A JP H04189811A
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Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はエポキシ樹脂をベース樹脂とする半導体素子封
止材の低応力化に有効なシリコーン可撓剤の一種である
シリコーン変性フェノール樹脂の合成法に関するもので
ある。また本発明により合成される樹脂は半導体素子封
止材のほか、成形材料、摩擦材料、レジスト材料等へも
応用可能である。
止材の低応力化に有効なシリコーン可撓剤の一種である
シリコーン変性フェノール樹脂の合成法に関するもので
ある。また本発明により合成される樹脂は半導体素子封
止材のほか、成形材料、摩擦材料、レジスト材料等へも
応用可能である。
[従来の技術]
近年、半導体素子の高集積度化はめざましく、これに伴
って素子の大型化が進み、また高密度実装の点からはパ
ッケージの小型薄型化が要求されている。これらの技術
動向はパッケージクラックなどの問題を引き起こし、現
在半導体素子封止材用の樹脂にはより一層の低応力化が
求められている。
って素子の大型化が進み、また高密度実装の点からはパ
ッケージの小型薄型化が要求されている。これらの技術
動向はパッケージクラックなどの問題を引き起こし、現
在半導体素子封止材用の樹脂にはより一層の低応力化が
求められている。
封止材の低応力化の手法には低膨張率化と低弾性率化の
二重があり、前者はシリカ等の充填剤を添加することに
より達成される。後者は可撓剤添加によるものが効果的
であるか、このときベース樹脂と可撓剤との相溶性が良
好であると耐熱性の低下を誘発し好ましくない。そこで
、PvC−ニトリルゴム系、ABS樹脂系のように海島
構造を構築することにより耐熱性を維持しつつ低弾性率
化を図ることが効果的であるとし、種々の樹脂を検討し
た結果、シリコーン樹脂が有効であることが見出された
。
二重があり、前者はシリカ等の充填剤を添加することに
より達成される。後者は可撓剤添加によるものが効果的
であるか、このときベース樹脂と可撓剤との相溶性が良
好であると耐熱性の低下を誘発し好ましくない。そこで
、PvC−ニトリルゴム系、ABS樹脂系のように海島
構造を構築することにより耐熱性を維持しつつ低弾性率
化を図ることが効果的であるとし、種々の樹脂を検討し
た結果、シリコーン樹脂が有効であることが見出された
。
シリコーン可撓剤としてはこれまでシリコーンオイルを
ベース樹脂に単独に添加する添加型可撓剤、シリコーン
ゴムをベース樹脂に分散させる固形微粒子型可撓剤、ま
た官能基含有シリコーン樹脂をベース樹脂とあらかじめ
反応させる樹脂変性型可撓剤などが開発されてきた。こ
れら開発過程で副生じた成形性なとの問題は順次解決さ
れ、低応力化も格段の進歩をとげた。
ベース樹脂に単独に添加する添加型可撓剤、シリコーン
ゴムをベース樹脂に分散させる固形微粒子型可撓剤、ま
た官能基含有シリコーン樹脂をベース樹脂とあらかじめ
反応させる樹脂変性型可撓剤などが開発されてきた。こ
れら開発過程で副生じた成形性なとの問題は順次解決さ
れ、低応力化も格段の進歩をとげた。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、今後16M以上の記憶容量を持つDRAMに対
応するためにはより一層の低応力化とともに成形性、耐
熱性、耐湿性、機械的強度等を満足する封止材を開発し
なければならない。
応するためにはより一層の低応力化とともに成形性、耐
熱性、耐湿性、機械的強度等を満足する封止材を開発し
なければならない。
現在主流となっている反応性官能基を持ったシリコーン
樹脂をベース樹脂と反応させる樹脂変性型可撓剤の中で
エポキシ基等の官能基を持ったシリコーン樹脂とフェノ
ール樹脂とを反応させて得られるシリコーン変性フェノ
ール樹脂では分子設計という観点で自由度が少ない。こ
のため分散性に優れ、安定した海島構造を構築すること
か難しく、その結果、機械的強度、耐熱性等の低下を引
き起こすことになる。また、5i−H基含有シリコーン
樹脂と分子中にアリル基等の二重結合を持ったフェノー
ル樹脂とのヒドロシリル化反応により得られるシリコー
ン変性フェノール樹脂はその合成方法から生成樹脂中に
二重結合か残存することは避は難く、ガラス転移点の低
下以外の原因で耐熱性の低下を招くことになる。またシ
リコーン樹脂の重合度が200以上では二重結合含有フ
ェノール樹脂とのヒドロシリル化反応が完結し難い。
樹脂をベース樹脂と反応させる樹脂変性型可撓剤の中で
エポキシ基等の官能基を持ったシリコーン樹脂とフェノ
ール樹脂とを反応させて得られるシリコーン変性フェノ
ール樹脂では分子設計という観点で自由度が少ない。こ
のため分散性に優れ、安定した海島構造を構築すること
か難しく、その結果、機械的強度、耐熱性等の低下を引
き起こすことになる。また、5i−H基含有シリコーン
樹脂と分子中にアリル基等の二重結合を持ったフェノー
ル樹脂とのヒドロシリル化反応により得られるシリコー
ン変性フェノール樹脂はその合成方法から生成樹脂中に
二重結合か残存することは避は難く、ガラス転移点の低
下以外の原因で耐熱性の低下を招くことになる。またシ
リコーン樹脂の重合度が200以上では二重結合含有フ
ェノール樹脂とのヒドロシリル化反応が完結し難い。
本発明は前記問題点を解決すべくなされたもので、分子
中に二重結合を持たず、半導体素子封止剤の低応力化に
優れた効果を有し、耐熱性に優れ可撓剤となり得るブロ
ック(マルチブロック)共重合体、橋かけ共重合体なと
分子構造の明確なシリコーン変性フェノール樹脂を合成
する方法を提供することを目的とするものである。
中に二重結合を持たず、半導体素子封止剤の低応力化に
優れた効果を有し、耐熱性に優れ可撓剤となり得るブロ
ック(マルチブロック)共重合体、橋かけ共重合体なと
分子構造の明確なシリコーン変性フェノール樹脂を合成
する方法を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
すなわち、本発明は下記式[I]で示される両末端にフ
ェノール性水酸基を有するポリシロキサン(式中、R1
及びR2は置換若しくは非置換の炭素原子数1〜3の一
層アルキル基又はフェニル基、R3は炭素原子数2〜6
の置換又は非置換の二価アルキル基、R4は水素又は炭
素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシル基を示し
、nは0〜2゜Oの整数を示す。)と下記式[II]で
示されるフェノール化合物(式中、R5は水素又は炭素
原子数1〜4のアルキル基を示す。)とをホルムアルデ
ヒドにより、酸触媒の存在下で共付加縮合することを特
徴とするシリコーン変性フェノール樹脂の合成法を提供
するものである。
ェノール性水酸基を有するポリシロキサン(式中、R1
及びR2は置換若しくは非置換の炭素原子数1〜3の一
層アルキル基又はフェニル基、R3は炭素原子数2〜6
の置換又は非置換の二価アルキル基、R4は水素又は炭
素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシル基を示し
、nは0〜2゜Oの整数を示す。)と下記式[II]で
示されるフェノール化合物(式中、R5は水素又は炭素
原子数1〜4のアルキル基を示す。)とをホルムアルデ
ヒドにより、酸触媒の存在下で共付加縮合することを特
徴とするシリコーン変性フェノール樹脂の合成法を提供
するものである。
式[I]で示されるポリシロキサンは両末端に5i−H
基を持つポリシロキサンとアリル基等二重結合を持つフ
ェノール化合物を白金系触媒存在下で反応させて得られ
る。
基を持つポリシロキサンとアリル基等二重結合を持つフ
ェノール化合物を白金系触媒存在下で反応させて得られ
る。
R□及びR2はメチル基、2−フェニルプロピル基のも
のが好ましく用いられる。置換基としてはフエニル基、
フェノール性水酸基か挙げられる。
のが好ましく用いられる。置換基としてはフエニル基、
フェノール性水酸基か挙げられる。
R3はトリメチレン基のものが好ましく用いられる。置
換基としてはフェニル基が挙げられる。
換基としてはフェニル基が挙げられる。
R4は水素、メトキシル基のものが好ましく用いられる
。
。
R5は水素のものが好ましく用いられる。
上記反応において、両末端にフェノール性水酸基を有す
るポリシロキサンを合成する際の原料となる二重結合含
有フェノールとしては4−アリル−2−メトキシフェノ
ール(オイゲノール)、2−アリル−4−メチルフェノ
ール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル
フェノール、ビニルフェノール、スチリルフェノール等
ホルムアルデヒド活性点を少なくとも一点有するものが
使用可能である。
るポリシロキサンを合成する際の原料となる二重結合含
有フェノールとしては4−アリル−2−メトキシフェノ
ール(オイゲノール)、2−アリル−4−メチルフェノ
ール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル
フェノール、ビニルフェノール、スチリルフェノール等
ホルムアルデヒド活性点を少なくとも一点有するものが
使用可能である。
また共縮合の際原料となるフェノール化合物としてはフ
ェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレ
ゾール、キシレノール等が、ホルムアルデヒドとしては
パラホルムアルデヒド、ホルマリン、ホルムアルデヒド
ガス等がよい。F/P(ホルムアルデヒド/フェノール
比)は両末端にフェノール性水酸基を有するポリシロキ
サンの末端の芳香環から成長するフェノール樹脂がノボ
ラックとなるよう0.5〜0.9、好ましくはO16〜
0.75とすることが好ましい。(ポリシロキサンの両
末端フェノールも計算に入れる。)触媒はノボラック合
成であるので酸触媒を使用するが、両末端にフェノール
性水酸基を有するポリシロキサンの分解が起こらないよ
うにシュウ酸、p−トルエンスルホン酸等比較的弱い酸
を用いるのが好ましい。触媒濃度はフェノールに対し0
. 7重量%前後とするのがよい。また、反応温度は1
00℃前後が好ましい。
ェノール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレ
ゾール、キシレノール等が、ホルムアルデヒドとしては
パラホルムアルデヒド、ホルマリン、ホルムアルデヒド
ガス等がよい。F/P(ホルムアルデヒド/フェノール
比)は両末端にフェノール性水酸基を有するポリシロキ
サンの末端の芳香環から成長するフェノール樹脂がノボ
ラックとなるよう0.5〜0.9、好ましくはO16〜
0.75とすることが好ましい。(ポリシロキサンの両
末端フェノールも計算に入れる。)触媒はノボラック合
成であるので酸触媒を使用するが、両末端にフェノール
性水酸基を有するポリシロキサンの分解が起こらないよ
うにシュウ酸、p−トルエンスルホン酸等比較的弱い酸
を用いるのが好ましい。触媒濃度はフェノールに対し0
. 7重量%前後とするのがよい。また、反応温度は1
00℃前後が好ましい。
両末端にフェノール性水酸基を有するポリシロキサンを
合成する際、二重結合含有フェノール化合物として一官
能性のもの(オルト又はバラの二置換フェノール)を用
いた場合、付加縮合反応は未置換のオルト又はパラ位の
一点から成長するので得られるシリコーン変性フェノー
ル樹脂はフェノール樹脂−シリコーン樹脂ブロック共重
合体(下記式■)となる。これに対し、二官能性のもの
(オルト又はパラの一置換フエノール)を用いた場合、
付加縮合反応はオルト又はパラ位の二点から成長するの
で得られるシリコーン変性フェノール樹脂はフェノール
樹脂−シリコーン樹脂橋かけ共重合体(下記式■)とな
る。(もちろんブロック共重合体となる可能性もある。
合成する際、二重結合含有フェノール化合物として一官
能性のもの(オルト又はバラの二置換フェノール)を用
いた場合、付加縮合反応は未置換のオルト又はパラ位の
一点から成長するので得られるシリコーン変性フェノー
ル樹脂はフェノール樹脂−シリコーン樹脂ブロック共重
合体(下記式■)となる。これに対し、二官能性のもの
(オルト又はパラの一置換フエノール)を用いた場合、
付加縮合反応はオルト又はパラ位の二点から成長するの
で得られるシリコーン変性フェノール樹脂はフェノール
樹脂−シリコーン樹脂橋かけ共重合体(下記式■)とな
る。(もちろんブロック共重合体となる可能性もある。
)
S:シリコーン
本発明の合成法は両末端にフェノール性水酸基を有スる
ポリシロキサンという高分子量上ツマ−とフェノール化
合物という低分子量モノマーを共縮合させる方法であり
、いわゆるマクロモノマー法と呼ばれる合成法の一種で
あると考える。ここでマクロモノマー中のシリコーン樹
脂重合度の低いもの(約10以下)については付加縮合
反応はバルク系で進行するが、重合度の高いものについ
てはシリコーン樹脂かフェノール樹脂と非相溶であるた
め、重合中に両者が分離して不均一系となり反応が進行
しにくくなる。そこでシリコーン樹脂重合度の高いもの
についてはメチルイソブチルケトン(M■BK)、シク
ロヘキサノール等シリコーン樹脂、フェノール樹脂とも
に良溶媒となる溶剤を用い溶液系で重合を行うことか好
ましい。
ポリシロキサンという高分子量上ツマ−とフェノール化
合物という低分子量モノマーを共縮合させる方法であり
、いわゆるマクロモノマー法と呼ばれる合成法の一種で
あると考える。ここでマクロモノマー中のシリコーン樹
脂重合度の低いもの(約10以下)については付加縮合
反応はバルク系で進行するが、重合度の高いものについ
てはシリコーン樹脂かフェノール樹脂と非相溶であるた
め、重合中に両者が分離して不均一系となり反応が進行
しにくくなる。そこでシリコーン樹脂重合度の高いもの
についてはメチルイソブチルケトン(M■BK)、シク
ロヘキサノール等シリコーン樹脂、フェノール樹脂とも
に良溶媒となる溶剤を用い溶液系で重合を行うことか好
ましい。
このとき溶液濃度は20重量%前後とし、ホルムアルデ
ヒドが蒸発逸散しないように沸点還流をさけるのが好ま
しい。また、シリコーン樹脂分子中にフェニル基なとの
改質基を導入することによりフェノール樹脂との相溶性
を増加させ、ある程度の大きさの重合度を持つシリコー
ンマクロモノマーについてもバルク重合による合成を可
能とすることができる。このとき改質基の濃度は一分子
中25重量%前後とするのが好ましい。
ヒドが蒸発逸散しないように沸点還流をさけるのが好ま
しい。また、シリコーン樹脂分子中にフェニル基なとの
改質基を導入することによりフェノール樹脂との相溶性
を増加させ、ある程度の大きさの重合度を持つシリコー
ンマクロモノマーについてもバルク重合による合成を可
能とすることができる。このとき改質基の濃度は一分子
中25重量%前後とするのが好ましい。
[実施例コ
参考例1 両末端にフェノール性水酸基を有するポリシ
ロキサン(両末端フェノール性水酸基ポリシロキサン)
の合成 攪拌装置、冷却管を備えた300m1の四つロフラスコ
に4−アリル−2−メトキシフェノール(オイゲノール
)30g (2,24X10−’モル)、トルエン90
m1を加え、80℃に加熱した。これに白金濃度2重量
%の塩化白金酸6水和物の2−エチルヘキサノール溶液
0.02m1を添加した。
ロキサン(両末端フェノール性水酸基ポリシロキサン)
の合成 攪拌装置、冷却管を備えた300m1の四つロフラスコ
に4−アリル−2−メトキシフェノール(オイゲノール
)30g (2,24X10−’モル)、トルエン90
m1を加え、80℃に加熱した。これに白金濃度2重量
%の塩化白金酸6水和物の2−エチルヘキサノール溶液
0.02m1を添加した。
1、 1. 3. 3−テトラメチルジシロキサン15
゜2g (1,13xlO−”モル)をトルエン45m
1に溶解し、これを200m1の分液ロートに加え、先
の溶液に1時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液
の温度を110℃に昇温し沸点還流を続けた。反応完結
の確認はIRスペクトル測定を行い、2180cm−’
付近に現れる5i−H基伸縮振動の吸収の消失を確認す
ることにより行った。反応終了後トルエンを減圧除去し
目的生成物を得た。
゜2g (1,13xlO−”モル)をトルエン45m
1に溶解し、これを200m1の分液ロートに加え、先
の溶液に1時間かけて滴下した。滴下終了後、反応溶液
の温度を110℃に昇温し沸点還流を続けた。反応完結
の確認はIRスペクトル測定を行い、2180cm−’
付近に現れる5i−H基伸縮振動の吸収の消失を確認す
ることにより行った。反応終了後トルエンを減圧除去し
目的生成物を得た。
シリコーン樹脂重合度10〜200のものについては両
末端5i−H基ポリシロキサンをオクタメチルシクロテ
トラシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルシシロ
キサンを出発原料として公知の技術である平衡化重合に
より別途合成し、前記と同様にヒドロシリル化反応を行
い合成した。
末端5i−H基ポリシロキサンをオクタメチルシクロテ
トラシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルシシロ
キサンを出発原料として公知の技術である平衡化重合に
より別途合成し、前記と同様にヒドロシリル化反応を行
い合成した。
このようにして得られた両末端フェノール性水酸基ポリ
シロキサンの末端フェノールは一官能性である。
シロキサンの末端フェノールは一官能性である。
また、オイゲノールに換え2−アリルフェノールを用い
て同様にして合成を行った。得られる両末端フェノール
性水酸基ポリシロキサンの末端フェノールは二官能性で
ある。
て同様にして合成を行った。得られる両末端フェノール
性水酸基ポリシロキサンの末端フェノールは二官能性で
ある。
合成した両末端フェノール性水酸基ポリシロキサンはい
ずれも褐色透明の粘稠液体であった。
ずれも褐色透明の粘稠液体であった。
参考例2(シリコーン変性フェノール樹脂の合成I バ
ルク法) 攪拌装置、冷却管を備えた100m1の四つロフラスコ
に参考例1で合成した重合度2の両末端フェノール性水
酸基ポリシロキサン(末端フェノール−官能性)Log
(2,16xlO−2モル)、フェノール20.3g
(2,16X10−’モル)、バラホルムアルデヒド
(86%) 6. 3g (1゜81X10−’モル)
を加え50°Cに加熱した後、シュウ酸0.24gを添
加した。その後反応温度を80〜100°Cに昇温し、
8時間反応を行った。
ルク法) 攪拌装置、冷却管を備えた100m1の四つロフラスコ
に参考例1で合成した重合度2の両末端フェノール性水
酸基ポリシロキサン(末端フェノール−官能性)Log
(2,16xlO−2モル)、フェノール20.3g
(2,16X10−’モル)、バラホルムアルデヒド
(86%) 6. 3g (1゜81X10−’モル)
を加え50°Cに加熱した後、シュウ酸0.24gを添
加した。その後反応温度を80〜100°Cに昇温し、
8時間反応を行った。
反応終了後、100〜150°C/ 100mmHgの
条件で4時間減圧し、未反応フェノールを除去した。
条件で4時間減圧し、未反応フェノールを除去した。
末端フェノールニ官能性の両末端フェノール性水酸基ポ
リシロキサンについても同様にして合成した。
リシロキサンについても同様にして合成した。
合成したシリコーン変性フェノール樹脂はいずれも褐色
透明固体で軟化点は90〜100℃であった。
透明固体で軟化点は90〜100℃であった。
参考例3(シリコーン変性フェノール樹脂の合成■ 溶
液法) 攪拌装置、冷却管を備えた300m1の四つロフラスコ
に重合度20の両末端フェノール性水酸基ポリシロキサ
ン(末端フェノール−官能性)20g (1,25xl
o−2モル)、フェノール11゜8g (1,25X1
0−”モル)、パラホルムアルデヒド(86%)3.7
g (1,05X10−’モル)、MIBK160ml
を加え、50℃に加熱しシュウ酸0.14gを加えた。
液法) 攪拌装置、冷却管を備えた300m1の四つロフラスコ
に重合度20の両末端フェノール性水酸基ポリシロキサ
ン(末端フェノール−官能性)20g (1,25xl
o−2モル)、フェノール11゜8g (1,25X1
0−”モル)、パラホルムアルデヒド(86%)3.7
g (1,05X10−’モル)、MIBK160ml
を加え、50℃に加熱しシュウ酸0.14gを加えた。
その後、反応温度を80°C〜100℃に昇温し反応を
続けた。12時間反応を行った後、MIBKを減圧除去
し、更に100−1500C/ 100mmHgの条件
で4時間減圧し、未反応フェノールを除去した。
続けた。12時間反応を行った後、MIBKを減圧除去
し、更に100−1500C/ 100mmHgの条件
で4時間減圧し、未反応フェノールを除去した。
末端フェノールニ官能性の両末端フェノール性水酸基ポ
リシロキサンについても同様にして合成した。
リシロキサンについても同様にして合成した。
合成したシリコーン変性フェノール樹脂はいずれも弾力
性のある褐色透明固体で軟化点は80〜90℃であった
。下記にシリコーン変性フェノール樹脂の構造を示す。
性のある褐色透明固体で軟化点は80〜90℃であった
。下記にシリコーン変性フェノール樹脂の構造を示す。
H3C−5i−CH3
H3C−5i−CH3
参考例4(シリコーン変性フェノール樹脂の合成■ 改
質基導入法) 攪拌装置、冷却管を備えた21の四つロフラスコにα−
メチルスチレン98. 3g (8,32X10−’モ
ル)、トルエン400m1を加え80℃に加熱した。こ
れに塩化白金酸(参考例1参照)0.06m1を添加し
た。
質基導入法) 攪拌装置、冷却管を備えた21の四つロフラスコにα−
メチルスチレン98. 3g (8,32X10−’モ
ル)、トルエン400m1を加え80℃に加熱した。こ
れに塩化白金酸(参考例1参照)0.06m1を添加し
た。
1、 3. 5. 7−チトラメチルシクロテトラシロ
キサン50 g (2,08X 10−’モル)をトル
エン400m1に溶解し、これを500m1の分液コー
トに加え、先の溶液に1時間かけて滴下した。a下終了
後、反応溶液の温度を11000に昇温し沸点還流を続
けた。反応終了の確認はIRスペクトル測定により行っ
た。反応終了後トルエンを減圧除去し、目的生成物を得
た。
キサン50 g (2,08X 10−’モル)をトル
エン400m1に溶解し、これを500m1の分液コー
トに加え、先の溶液に1時間かけて滴下した。a下終了
後、反応溶液の温度を11000に昇温し沸点還流を続
けた。反応終了の確認はIRスペクトル測定により行っ
た。反応終了後トルエンを減圧除去し、目的生成物を得
た。
得られたフェニル基含有シロキサン環状モノマーは褐色
透明液体であった。
透明液体であった。
攪拌装置、冷却管を備えた300m1の四つロフラスコ
に上記のようにして合成したフェニル基含有シロキサン
環状モノマー78. 5g (1゜10XIO−”モル
)とオクタメチルシクロテトラシロキサン51.4g
(3,28xlO’モル)、1,1,3.3−テトラメ
チルジシロキサン20.4g (1,52X10 ’モ
ル)及び活性白土16.7gを加え、80℃で5時間反
応させた後、触媒を濾別した。その後100℃/10〜
20mmHgの条件でストリッピングを行い、残存環状
モノマーを除去した。
に上記のようにして合成したフェニル基含有シロキサン
環状モノマー78. 5g (1゜10XIO−”モル
)とオクタメチルシクロテトラシロキサン51.4g
(3,28xlO’モル)、1,1,3.3−テトラメ
チルジシロキサン20.4g (1,52X10 ’モ
ル)及び活性白土16.7gを加え、80℃で5時間反
応させた後、触媒を濾別した。その後100℃/10〜
20mmHgの条件でストリッピングを行い、残存環状
モノマーを除去した。
寿られたフェニル基含有両末端5i−H基ポリシロキサ
ンは重合度20で褐色透明粘稠液体であった。
ンは重合度20で褐色透明粘稠液体であった。
CH(CH3)
(aSbは1〜200の整数でa+b=nである。)
上記のようにして合成したフェニル基含有両末端5i−
H基ポリシロキサンをもとに参考例1と同様にして両末
端フェノール性水酸基ポリシロキサンを合成し、続いて
参考例2と同様にしてバルク法にてシリコーン変性フェ
ノール樹脂を合成した。
H基ポリシロキサンをもとに参考例1と同様にして両末
端フェノール性水酸基ポリシロキサンを合成し、続いて
参考例2と同様にしてバルク法にてシリコーン変性フェ
ノール樹脂を合成した。
得られたシリコーン変性フェノール樹脂は弾力性のある
褐色透明固体で軟化点は80〜90℃であった。
褐色透明固体で軟化点は80〜90℃であった。
[発明の効果]
本発明により合成したシリコーン変性フェノール樹脂は
ブロック共重合体、あるいは橋かけ共重合体という明確
な分子構造を有し、しかも分子中に二重結合を持たす、
半導体素子封止用の樹脂の低応力化に優れた効果を有し
、耐熱性に優れた可撓剤となる。
ブロック共重合体、あるいは橋かけ共重合体という明確
な分子構造を有し、しかも分子中に二重結合を持たす、
半導体素子封止用の樹脂の低応力化に優れた効果を有し
、耐熱性に優れた可撓剤となる。
代理人 弁理士 廣瀬 章2−5.
1七の・−
一7.−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記式[ I ]で示される両末端にフェノール性水
酸基を有するポリシロキサン(式中、R_1及びR_2
は置換若しくは非置換の炭素原子数1〜3の一価アルキ
ル基又はフェニル基、R_3は炭素原子数2〜6の置換
又は非置換の二価アルキレン基、R_4は水素又は炭素
原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシル基を示し、
nは0〜200の整数を示す。)と下記式 [II]で示されるフェノール化合物(式中、R_5は水
素又は炭素原子数1〜4のアルキル基を示す。)とをホ
ルムアルデヒドにより、酸触媒の存在下で共付加縮合さ
せることを特徴とするシリコーン変性フェノール樹脂の
合成法。 ▲数式、化学式、表等があります▼[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼[II]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31949090A JPH04189811A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | シリコーン変性フェノール樹脂の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31949090A JPH04189811A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | シリコーン変性フェノール樹脂の合成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04189811A true JPH04189811A (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=18110795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31949090A Pending JPH04189811A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | シリコーン変性フェノール樹脂の合成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04189811A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997019977A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-05 | Blagden Chemicals Limited | Phenolic resins |
EP0821711A1 (en) * | 1995-04-21 | 1998-02-04 | Ameron International Corporation | Phenolic resin compositions with improved impact resistance |
EP2842984A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer compound, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and production method thereof, layered product, patterning process, and substrate |
EP2957955A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, photo-curable dry film and method for producing same, layered product, patterning process, and substrate |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31949090A patent/JPH04189811A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0821711A1 (en) * | 1995-04-21 | 1998-02-04 | Ameron International Corporation | Phenolic resin compositions with improved impact resistance |
EP0821711A4 (en) * | 1995-04-21 | 1998-08-12 | Ameron Int Corp | PHENOLIC RESIN COMPOSITION WITH IMPROVED IMPACT RESISTANCE |
WO1997019977A1 (en) * | 1995-11-29 | 1997-06-05 | Blagden Chemicals Limited | Phenolic resins |
US5864000A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-26 | Blagden Chemicals Limited | Phenolic resins |
EP2842984A1 (en) * | 2013-08-26 | 2015-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer compound, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and production method thereof, layered product, patterning process, and substrate |
JP2015042702A (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅型ネガ型レジスト材料、光硬化性ドライフィルム及びその製造方法、積層体、パターン形成方法、及び基板 |
US9400428B2 (en) | 2013-08-26 | 2016-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer compound, chemically amplified negative resist composition, photo-curable dry film and production method thereof, layered product, patterning process, and substrate |
EP2957955A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, photo-curable dry film and method for producing same, layered product, patterning process, and substrate |
US9557645B2 (en) | 2014-06-18 | 2017-01-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, photo-curable dry film and method for producing same, layered product, patterning process, and substrate |
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