JPH03177415A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH03177415A JPH03177415A JP31618889A JP31618889A JPH03177415A JP H03177415 A JPH03177415 A JP H03177415A JP 31618889 A JP31618889 A JP 31618889A JP 31618889 A JP31618889 A JP 31618889A JP H03177415 A JPH03177415 A JP H03177415A
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスタ、IC及びLSIなどのいわゆ
る半導体素子類をトランスファー底形等により封止する
ために使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関す
る。
る半導体素子類をトランスファー底形等により封止する
ために使用する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関す
る。
エポキシ樹脂組成物は、他の熱硬化性樹脂組成物と比べ
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となっている
。
電気特性、耐湿性、機械特性、接着性等のバランスが最
も優れているため、現在半導体封止の主流となっている
。
一方、半導体の技術動向については、素子の大型化、パ
ッケージの小型薄肉化に伴い、素子上のパッシベーショ
ンクラック、アルく配線変形、パンケージクラ・ンク等
の不良が顕著になっている。
ッケージの小型薄肉化に伴い、素子上のパッシベーショ
ンクラック、アルく配線変形、パンケージクラ・ンク等
の不良が顕著になっている。
これに対し、組tc物の面ではシリコーン可撓剤を添加
し低応力化を図ることで対処している。しかし、成形品
表面にシリコーンがしみ出すため、金型汚れ性やマーキ
ング性などの低下を引き起こす。
し低応力化を図ることで対処している。しかし、成形品
表面にシリコーンがしみ出すため、金型汚れ性やマーキ
ング性などの低下を引き起こす。
マーキング性を改良するには、−船釣なジメチルポリシ
ロキサンのメチル基の一部を、より活性な他の有機基に
置き換える手法が、また金型汚れ性を解決するには、官
能基を有するポリシロキサンを組成物中のベース樹脂(
エポキシ樹脂、硬化剤等)と反応させ、共重合体として
用いる手法が有効である。しかし、マーキング性と金型
汚れ性の両立を図るためこれら手法を併用した場合、マ
ーキング性は良好であるが、金型汚れ性は依然不十分で
ある。
ロキサンのメチル基の一部を、より活性な他の有機基に
置き換える手法が、また金型汚れ性を解決するには、官
能基を有するポリシロキサンを組成物中のベース樹脂(
エポキシ樹脂、硬化剤等)と反応させ、共重合体として
用いる手法が有効である。しかし、マーキング性と金型
汚れ性の両立を図るためこれら手法を併用した場合、マ
ーキング性は良好であるが、金型汚れ性は依然不十分で
ある。
本発明は上記観点からなされたものであり、金型汚れ性
及びマーキング性に優れた低応力の半導体封止用エポキ
シ樹脂m酸物を得ようとするものである。
及びマーキング性に優れた低応力の半導体封止用エポキ
シ樹脂m酸物を得ようとするものである。
本発明者らは上記問題点を解決すべく鋭意検討を行った
結果、エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及びカルボキシル
基含有オルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂とを反応
させてなる共重合体からなる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用い、更に上記カルボキシル基含有オルガノポ
リシロキサンとして、重合度20以下のジメチルポリシ
ロキサンと、特定な官能基を有するオルガノポリシロキ
サンとを併用したものを用いることにより上記問題点を
解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
結果、エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤及びカルボキシル
基含有オルガノポリシロキサンとエポキシ樹脂とを反応
させてなる共重合体からなる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を用い、更に上記カルボキシル基含有オルガノポ
リシロキサンとして、重合度20以下のジメチルポリシ
ロキサンと、特定な官能基を有するオルガノポリシロキ
サンとを併用したものを用いることにより上記問題点を
解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は
(A)エポキシ樹脂、
(B)硬化剤、
(C)充填剤及び
(D)カルボキシル基含有オルガノポリシロキサンとエ
ポキシ樹脂とを反応させてなる重合体からなる半導体封
止用エポキシ樹脂組成物において、上記カルボキシル基
含有オルガノポリシロキサンが、重合度20以下のジメ
チルポリシロキサンと、一般式(1)で表されるオルガ
ノポリシロキサンとからなることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
ポキシ樹脂とを反応させてなる重合体からなる半導体封
止用エポキシ樹脂組成物において、上記カルボキシル基
含有オルガノポリシロキサンが、重合度20以下のジメ
チルポリシロキサンと、一般式(1)で表されるオルガ
ノポリシロキサンとからなることを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を提供するものである。
(式中のXはカルボキシル基を表し、Rはメチル基以外
のアルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表し、a
、b、cはいずれも1以上の整数を表す。) 以下に本発明の詳細な説明する。
のアルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表し、a
、b、cはいずれも1以上の整数を表す。) 以下に本発明の詳細な説明する。
まず、(D)成分中に含まれるジメチルポリシロキサン
の重合度は20以下のものが用いられる。
の重合度は20以下のものが用いられる。
重合度が20を超えると金型汚れが悪くなる。また一般
式(1)で表されるオルガノポリシロキサンの重合度は
、300以下が好ましく、300を超えると流動性及び
金型汚れ性の点で劣る。カルボキシル基濃度は、1分子
中に2個以上が良く、1個では金型汚れ性の点で十分と
はいえない。
式(1)で表されるオルガノポリシロキサンの重合度は
、300以下が好ましく、300を超えると流動性及び
金型汚れ性の点で劣る。カルボキシル基濃度は、1分子
中に2個以上が良く、1個では金型汚れ性の点で十分と
はいえない。
更に、ジメチルポリシロキサンと上記一般式(1)で表
されるオルガノポリシロキサンとの混合比は、オルガノ
基の数でr/ (r十m)=O,1〜0.3が好適であ
り、0.1以下ではマーキング性が不十分であり、0.
3以上では金型汚れ性に劣る(ここでrはHの数、mは
メチル基の数を表す。)カルボキシル基含有オルガノポ
リシロキサンとエポキシ樹脂とを反応させてなる共重合
体は、触媒下で単純な加熱により得られる。また、合成
に際しては、反応性の点で溶媒を用いることが好ましく
、具体的にはトルエン、MIBK、ジオキサンなどが挙
げられる。
されるオルガノポリシロキサンとの混合比は、オルガノ
基の数でr/ (r十m)=O,1〜0.3が好適であ
り、0.1以下ではマーキング性が不十分であり、0.
3以上では金型汚れ性に劣る(ここでrはHの数、mは
メチル基の数を表す。)カルボキシル基含有オルガノポ
リシロキサンとエポキシ樹脂とを反応させてなる共重合
体は、触媒下で単純な加熱により得られる。また、合成
に際しては、反応性の点で溶媒を用いることが好ましく
、具体的にはトルエン、MIBK、ジオキサンなどが挙
げられる。
ポリシロキサンと反応させるエポキシ樹脂としては、フ
ェノール、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルム
アルデヒドなどを酸性触媒下で縮合させて得られる樹脂
を原料として、エピクロルヒドリンでグリシジルエーテ
ル化するなどしてエポキシ化したもので、エポキシ当量
が170〜300、好適には180〜200のものが硬
化性の点で優れている。ポリシロキサンとエポキシ樹脂
の配合比は、オルガノポリシロキサン中のカルボキシル
基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との当量比でカルボキ
シル基/エポキシ基<0.2が良く、0.2以上ではゲ
ル化の恐れがある。
ェノール、クレゾール、ビスフェノールAなどとホルム
アルデヒドなどを酸性触媒下で縮合させて得られる樹脂
を原料として、エピクロルヒドリンでグリシジルエーテ
ル化するなどしてエポキシ化したもので、エポキシ当量
が170〜300、好適には180〜200のものが硬
化性の点で優れている。ポリシロキサンとエポキシ樹脂
の配合比は、オルガノポリシロキサン中のカルボキシル
基とエポキシ樹脂中のエポキシ基との当量比でカルボキ
シル基/エポキシ基<0.2が良く、0.2以上ではゲ
ル化の恐れがある。
共重合体を台底する際の触媒としては、−船釣には、イ
ミダゾール類、1.8−ジアザビシクロ(5,4,O)
ウンデセン−7(DBU)、ベンジルジメチルアミンな
どのアミン系が知られているが、トリフェニルホスフィ
ンなどの3級のリン系化合物がMi或物の流動性の点で
最も良好である。
ミダゾール類、1.8−ジアザビシクロ(5,4,O)
ウンデセン−7(DBU)、ベンジルジメチルアミンな
どのアミン系が知られているが、トリフェニルホスフィ
ンなどの3級のリン系化合物がMi或物の流動性の点で
最も良好である。
次に半導体封止用組成物におけるエポキシ樹脂としては
、通常用いられている先に述べた共重合体を台底する際
にも用いられた各種エポキシ樹脂が用いられる。硬化剤
としては、ノボラック型フェノール系樹脂が好適であり
、具体的にはフェノール、クレゾール、ビスフェノール
Aなどとホルムアルデヒドなどを、酸性触媒下で縮合さ
せて得られる樹脂が用いられる。エポキシ樹脂と硬化剤
との配合比は、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1
個当たりフェノール性水酸基が0.5〜2.0個、好ま
しくは0.8〜1.2個となるような割合とする。
、通常用いられている先に述べた共重合体を台底する際
にも用いられた各種エポキシ樹脂が用いられる。硬化剤
としては、ノボラック型フェノール系樹脂が好適であり
、具体的にはフェノール、クレゾール、ビスフェノール
Aなどとホルムアルデヒドなどを、酸性触媒下で縮合さ
せて得られる樹脂が用いられる。エポキシ樹脂と硬化剤
との配合比は、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基1
個当たりフェノール性水酸基が0.5〜2.0個、好ま
しくは0.8〜1.2個となるような割合とする。
組成物中の共重合体の添加量は、総エポキシ樹脂100
重量部に対し、共重合体中のポリシロキサン量が5〜3
0重量部が好ましく、5部以下では低応力化の効果が小
さく、30部以上では金型汚れ性及び流動性の点で劣る
。
重量部に対し、共重合体中のポリシロキサン量が5〜3
0重量部が好ましく、5部以下では低応力化の効果が小
さく、30部以上では金型汚れ性及び流動性の点で劣る
。
本発明に用いる充填剤としては、シリカ、ガラス、ケイ
ソウ土、タルク、マイカ、アスベスト、アルミナなどを
用いることができるが、シリカ、アルミナ、ガラスが電
気特性の点で優れている。
ソウ土、タルク、マイカ、アスベスト、アルミナなどを
用いることができるが、シリカ、アルミナ、ガラスが電
気特性の点で優れている。
充填剤の使用量は、全樹脂100重量部に対し、好まし
くは100〜500重量部、更に好ましくは100〜1
50重量部であり、100重量部未満では耐湿性に劣り
、また500重量部を超えると流動性が失われる。
くは100〜500重量部、更に好ましくは100〜1
50重量部であり、100重量部未満では耐湿性に劣り
、また500重量部を超えると流動性が失われる。
組成物には必要に応じてエポキシ樹脂と硬化剤との反応
を促進するために硬化促進剤を配合してもよい。具体的
には、トリブチルアミン、1.8−ジアザビシクロ(5
,4,0)ウンデセン−7のようなアミン類、トリフェ
ニルホスフィンのような有機リン化合物、2−フェニル
イミダゾールのようなイミダゾール類が挙げられる。
を促進するために硬化促進剤を配合してもよい。具体的
には、トリブチルアミン、1.8−ジアザビシクロ(5
,4,0)ウンデセン−7のようなアミン類、トリフェ
ニルホスフィンのような有機リン化合物、2−フェニル
イミダゾールのようなイミダゾール類が挙げられる。
組成物には必要に応じて離型剤、着色剤、難燃剤、難燃
助剤、カップリング剤などを使用することもできる。特
にカップリング剤は充填剤の効果を有効に発揮させるた
めに重要であり、例えば、T−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキ
シル)−エチルトリメトキシシランなどがある。
助剤、カップリング剤などを使用することもできる。特
にカップリング剤は充填剤の効果を有効に発揮させるた
めに重要であり、例えば、T−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキ
シル)−エチルトリメトキシシランなどがある。
エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法で製造できる。得ら
れたエポキシ樹脂組成物は、トランスファー底形、注型
などの方法により底形する。
硬化促進剤、充填剤、カップリング剤などをミキシング
ロールで加熱しながら混練する方法で製造できる。得ら
れたエポキシ樹脂組成物は、トランスファー底形、注型
などの方法により底形する。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1〜4、比較例1〜3
実施例を示す前に共重合体の製造方法、物性の測定方法
などを以下に示す。
などを以下に示す。
(1)共重合体の製造方法
第1表に示す配合でカルボキシル基含有オルガノポリシ
ロキサンとエポキシ樹脂をトルエンに溶解し、更に触媒
を加えた後トルエンの沸点で加熱攪拌した。反応終了後
、常圧及び減圧下でトルエンを除去しいずれも固形の共
重合体を得た。
ロキサンとエポキシ樹脂をトルエンに溶解し、更に触媒
を加えた後トルエンの沸点で加熱攪拌した。反応終了後
、常圧及び減圧下でトルエンを除去しいずれも固形の共
重合体を得た。
(2)エポキシ樹脂組成物の製造方法
第2表に示す組成物を配合し、10インチのミキシング
ロールにて前ロール22rpm、後ロール18rpmの
条件で常法に従い10分間混練した。得られたシート状
組成物を粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
ロールにて前ロール22rpm、後ロール18rpmの
条件で常法に従い10分間混練した。得られたシート状
組成物を粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。
(3)スパイラルフロー(SF)
EMMI規格に準じた金型を用いて175℃、6、86
M P aの条件で測定した。
M P aの条件で測定した。
(4)ゲルタイム(GT)
JSR製キュラストメータを用い、試料3g1温度18
0″Cで測定し、トルク曲線の立ち上がりまでの時間を
ゲルタイムとした。
0″Cで測定し、トルク曲線の立ち上がりまでの時間を
ゲルタイムとした。
(5)金型汚れ性
試料55gを100φX 3 mm tの円板に成形し
表面を目視で観察し、しみ出しの有無を判定した。
表面を目視で観察し、しみ出しの有無を判定した。
(6)マーキング性
マーキング性の指標として成形品の臨界表面張力(T、
)がよく対応する(rcが大きいほどマーキング性は良
好)。そこで、J I S−に−6768に準じて成形
品のTcを測定し、マーキング性の指標とした。
)がよく対応する(rcが大きいほどマーキング性は良
好)。そこで、J I S−に−6768に準じて成形
品のTcを測定し、マーキング性の指標とした。
第2表により、実施例1〜4は比較例1〜3と比較し金
型汚れ性、マーキング性いずれも良好である。
型汚れ性、マーキング性いずれも良好である。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体を封止する
場合、低応力で、金型汚れ性に優れ、マーキング性も良
好なことから、その工業的価値は大きい。
場合、低応力で、金型汚れ性に優れ、マーキング性も良
好なことから、その工業的価値は大きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)エポキシ樹脂、 (B)硬化剤、 (C)充填剤及び (D)カルボキシル基含有オルガノポリシロキサンとエ
ポキシ樹脂とを反応させてなる 重合体 からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、上
記カルボキシル基含有オルガノポリシロキサンが、重合
度20以下のジメチルポリシロキサンと、一般式(1)
で表されるオルガノポリシロキサンとからなることを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中のXはカルボキシル基を表し、Rはメチル基以外
のアルキル基、フェニル基又はアラルキル基を表し、a
、b、cはいずれも1以上の整数を表す。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31618889A JPH03177415A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31618889A JPH03177415A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03177415A true JPH03177415A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18074278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31618889A Pending JPH03177415A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03177415A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04103615A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | エポキシ樹脂組成物およびそれによつて封止された半導体装置 |
JP2005314565A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31618889A patent/JPH03177415A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04103615A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | エポキシ樹脂組成物およびそれによつて封止された半導体装置 |
JP2005314565A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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