JPH04186891A - 銅ポリイミド基板の製造方法 - Google Patents
銅ポリイミド基板の製造方法Info
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- JPH04186891A JPH04186891A JP31442190A JP31442190A JPH04186891A JP H04186891 A JPH04186891 A JP H04186891A JP 31442190 A JP31442190 A JP 31442190A JP 31442190 A JP31442190 A JP 31442190A JP H04186891 A JPH04186891 A JP H04186891A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は、はんだ付等の熱衝撃に充分附え得るような銅
めっき被膜を有する銅ポリイミド基板のそりの改善に関
する。
めっき被膜を有する銅ポリイミド基板のそりの改善に関
する。
［従来の技術］
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、また機械的、電
気的、化学的特性も他のプラスチック材料に比べて遜色
が無いのて、電気機器等の絶縁材料としてよく用いられ
る。
気的、化学的特性も他のプラスチック材料に比べて遜色
が無いのて、電気機器等の絶縁材料としてよく用いられ
る。
例えば、プリント配線板（ＰＷＢ）、フレキンプルプリ
ント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ホンティング（ＴＡＢ
）テープ等の電子部品はこのポリイミド樹脂に銅被膜を
設けた銅ポリイミド基板を加工して得られている。従来
このようなＰＷＢ、ＦＰＣ，ＴＡ’Ｂ用の素材となる銅
ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔とを
接着剤で貼合わせるラミネート方が採られていた。、し
力）しなからこのラミネート法によって得られテこ基板
では接着剤の耐薬品性が未だ充分てないため、銅被膜の
エツチング処理の際に接着剤にイオン吸着か起こり、形
成された回路間隔か特に狭い場合に絶縁不良を起こす恐
れかあった。この欠点を解消するため樹脂に直接金属層
を形成する方法力に採用されている。
ント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ホンティング（ＴＡＢ
）テープ等の電子部品はこのポリイミド樹脂に銅被膜を
設けた銅ポリイミド基板を加工して得られている。従来
このようなＰＷＢ、ＦＰＣ，ＴＡ’Ｂ用の素材となる銅
ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銅箔とを
接着剤で貼合わせるラミネート方が採られていた。、し
力）しなからこのラミネート法によって得られテこ基板
では接着剤の耐薬品性が未だ充分てないため、銅被膜の
エツチング処理の際に接着剤にイオン吸着か起こり、形
成された回路間隔か特に狭い場合に絶縁不良を起こす恐
れかあった。この欠点を解消するため樹脂に直接金属層
を形成する方法力に採用されている。
この方法はポリイミド樹脂の表面を工・ノチング処理に
より親水化し、次いでＰｄやＡｇ等で触媒付与し、その
後無電解めっき、要すれば引続き電解めっきを行なうも
のである。このようにして得られた基板は熱衝撃性が改
良され、十分実用に耐えるものとされていた。しかし、
近年の高密度化、高集積化によりＰＷＢやＦＰＣやＴＡ
Ｂテープの使用環境は大幅に変化し、従来よりはるかに
熱的に過酷な条件で使用されるようになってきた。この
結果、上記方法で得られた銅ポリイミド基板の耐熱衝撃
性でも不十分となり、更に高耐熱衝撃性の銅ポリイミド
基板が求められるようになってきた。本発明者らはこの
要求に答えるべく、ポリイミド樹脂表面に無電解めっき
を施し、要すれば引続き電気めっきを施した後に１２０
〜４２０℃の温度て該基板を熱処理を施す方法を特願平
１−９６９９５号公報に提案してきている。この方法は
、該無電解めっきの前処理として行われるポリイミド樹
脂の表面のエツチング処理により該表面に形成された耐
熱性、耐薬品性に劣る変質層を熱処理によって熱的、化
学的に安定な構造に改質し、それによりポリイミド樹脂
表面の銅被膜にはんだ付は等の熱衝撃に十分耐え得る耐
熱衝撃性を付与しようとするものである。
より親水化し、次いでＰｄやＡｇ等で触媒付与し、その
後無電解めっき、要すれば引続き電解めっきを行なうも
のである。このようにして得られた基板は熱衝撃性が改
良され、十分実用に耐えるものとされていた。しかし、
近年の高密度化、高集積化によりＰＷＢやＦＰＣやＴＡ
Ｂテープの使用環境は大幅に変化し、従来よりはるかに
熱的に過酷な条件で使用されるようになってきた。この
結果、上記方法で得られた銅ポリイミド基板の耐熱衝撃
性でも不十分となり、更に高耐熱衝撃性の銅ポリイミド
基板が求められるようになってきた。本発明者らはこの
要求に答えるべく、ポリイミド樹脂表面に無電解めっき
を施し、要すれば引続き電気めっきを施した後に１２０
〜４２０℃の温度て該基板を熱処理を施す方法を特願平
１−９６９９５号公報に提案してきている。この方法は
、該無電解めっきの前処理として行われるポリイミド樹
脂の表面のエツチング処理により該表面に形成された耐
熱性、耐薬品性に劣る変質層を熱処理によって熱的、化
学的に安定な構造に改質し、それによりポリイミド樹脂
表面の銅被膜にはんだ付は等の熱衝撃に十分耐え得る耐
熱衝撃性を付与しようとするものである。
［発明か解決しようとする課題］
前記特願平１−９６９９５号公報に開示された方法によ
ってポリイミド樹脂上にはんだ付は等の熱衝撃に充分耐
え得るような銅めっき被膜を形成した銅ポリイミド基板
を得ることが可能となり、該銅ポリイミド基板を用いて
接着剤を介さないＰＷＢ、ＦＰＣ，ＴＡＢを得ることが
可能となる。しかし、該方法によって得られた銅ポリイ
ミド基板は、そりを有し、そのため該銅ポリイミド基板
を用いてＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走行型装置で製造した
場合、該基板上のレジスト塗布厚不均一や基板搬送時の
蛇行等が生じ、不良品か多発し、歩留まりや生産性の低
下等の問題が発生する。
ってポリイミド樹脂上にはんだ付は等の熱衝撃に充分耐
え得るような銅めっき被膜を形成した銅ポリイミド基板
を得ることが可能となり、該銅ポリイミド基板を用いて
接着剤を介さないＰＷＢ、ＦＰＣ，ＴＡＢを得ることが
可能となる。しかし、該方法によって得られた銅ポリイ
ミド基板は、そりを有し、そのため該銅ポリイミド基板
を用いてＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走行型装置で製造した
場合、該基板上のレジスト塗布厚不均一や基板搬送時の
蛇行等が生じ、不良品か多発し、歩留まりや生産性の低
下等の問題が発生する。
本発明の目的は、ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっ
きを施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを
施した後、該基板に１２０℃以上の熱処理を施すことに
よって得られる銅ポリイミド基板においてそりのない銅
ポリイミド基板を提供することにある。
きを施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを
施した後、該基板に１２０℃以上の熱処理を施すことに
よって得られる銅ポリイミド基板においてそりのない銅
ポリイミド基板を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者はポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施
し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを施した
後、該基板に１２０’Ｃ以上の熱処理を施すことによっ
て得られる銅ポリイミド基板において該基板にそりが発
生する原因について種々研究した結果、該基板のそりは
基板を熱処理する際に発生すること、ある種のポリイミ
ド樹脂を用いた場合は基板に該熱処理を施してもそりの
程度が軽減されることなどを見いだし、これらの知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを施した
後、該基板に１２０’Ｃ以上の熱処理を施すことによっ
て得られる銅ポリイミド基板において該基板にそりが発
生する原因について種々研究した結果、該基板のそりは
基板を熱処理する際に発生すること、ある種のポリイミ
ド樹脂を用いた場合は基板に該熱処理を施してもそりの
程度が軽減されることなどを見いだし、これらの知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
即ち、上記の問題を解決するための本発明の方法は、ポ
リイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施し、必要に応
じてこれに引続き銅の電解めっきを施した後、該基板に
１２０℃以上の熱処理を施すことによって銅ポリイミド
基板を得る方法において、ポリイミド樹脂として熱膨張
係数が１２０’Ｃ以上の温度範囲におイテ１．５ Ｘ
１０−’ 〜２、０× １０−ＳｏＣ−１の範囲のもの
を用いるものである。
リイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施し、必要に応
じてこれに引続き銅の電解めっきを施した後、該基板に
１２０℃以上の熱処理を施すことによって銅ポリイミド
基板を得る方法において、ポリイミド樹脂として熱膨張
係数が１２０’Ｃ以上の温度範囲におイテ１．５ Ｘ
１０−’ 〜２、０× １０−ＳｏＣ−１の範囲のもの
を用いるものである。
［作用］
本発明者は、銅ポリイミド基板のそりをＪＩＳＣ−６４
８１法によって評価して基板そり率を求め、該基板そり
率と該基板を用いてＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走行型製造
装置で製造した場合の前記問題点との相関を調査した。
８１法によって評価して基板そり率を求め、該基板そり
率と該基板を用いてＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走行型製造
装置で製造した場合の前記問題点との相関を調査した。
その結果、該基板そり率か４以下であれば該基板を用い
てＦＰＣＳＴＡＢ等を連続走行型製造装置で製造しても
前記問題点は発生しないことが判明した。
てＦＰＣＳＴＡＢ等を連続走行型製造装置で製造しても
前記問題点は発生しないことが判明した。
ところで、一般に熱膨張係数の異なる２種類の基体から
なる複合材に熱処理を施した場合、各基体の寸法変化率
が異なるため基体界面に応力か生じ該基体が薄膜状であ
れば該応力のために複合材にそりが発生することは知ら
れているものの、本発明の対象である銅ポリイミド基板
の製造において、どの程度の熱膨張係数の範囲のポリイ
ミド基板を用いれば良いかと言うことについて示唆する
何ものも開示されていない。
なる複合材に熱処理を施した場合、各基体の寸法変化率
が異なるため基体界面に応力か生じ該基体が薄膜状であ
れば該応力のために複合材にそりが発生することは知ら
れているものの、本発明の対象である銅ポリイミド基板
の製造において、どの程度の熱膨張係数の範囲のポリイ
ミド基板を用いれば良いかと言うことについて示唆する
何ものも開示されていない。
本発明者は種々の熱膨張係数のポリイミド樹脂を用いて
該基板のそり率とポリイミド樹脂の熱膨張係数との関係
を求めた。その結果、本発明において用いるポリイミド
樹脂の熱膨張係数を１２０℃以上の温度範囲において１
．５ Ｘ １０−５〜２０×１０−″”ｃ−’の範囲
とすれば得られる銅ポリイミド基板のそり率を４以内に
することができることを見出した。以下、実施例を用い
て本発明をさらに説明する。
該基板のそり率とポリイミド樹脂の熱膨張係数との関係
を求めた。その結果、本発明において用いるポリイミド
樹脂の熱膨張係数を１２０℃以上の温度範囲において１
．５ Ｘ １０−５〜２０×１０−″”ｃ−’の範囲
とすれば得られる銅ポリイミド基板のそり率を４以内に
することができることを見出した。以下、実施例を用い
て本発明をさらに説明する。
［実施例］
熱膨張係数が１２０℃において２．ＩＸ １０−’、
２、０× １０−’ 、１．７Ｘ １０−’ 、１
．５Ｘ １０−’ 、１．４Ｘ １０−’各ＯＣ−ｌ
の、厚さ５０μｍ、幅５０８ ｍｍ、長さ５０ ｍのポ
リイミドフィルムの片面を５０重量％の抱水ヒドラジン
を含有する水溶液に２５℃で１分間浸漬し、水洗後奥野
製薬社製０ＰＣ−８０牛ヤタリストＭを使用して２５℃
で５分間の触媒付与を施し、充分に水洗した後、奥野製
薬社製０ＰＣ−５５５アクセレーターを使用して２５℃
で７分間の促進処理を行った。以上の前処理を行った後
以下に示す条件で無電解銅めっきを行った。
２、０× １０−’ 、１．７Ｘ １０−’ 、１
．５Ｘ １０−’ 、１．４Ｘ １０−’各ＯＣ−ｌ
の、厚さ５０μｍ、幅５０８ ｍｍ、長さ５０ ｍのポ
リイミドフィルムの片面を５０重量％の抱水ヒドラジン
を含有する水溶液に２５℃で１分間浸漬し、水洗後奥野
製薬社製０ＰＣ−８０牛ヤタリストＭを使用して２５℃
で５分間の触媒付与を施し、充分に水洗した後、奥野製
薬社製０ＰＣ−５５５アクセレーターを使用して２５℃
で７分間の促進処理を行った。以上の前処理を行った後
以下に示す条件で無電解銅めっきを行った。
（浴組成）
ＣｕＳＯ４・５）１２０ ・１０ ｇ／］ＥＤＴ
Ａ・２Ｎａ ・３０ ｇ／１３７％ＨＣＨＯ５
ｍｌ／Ｉ ＰＥＧＲ１０００・ ０．５ｇ／］２．２−ヒ゛
ピリジ゛ル ： １０ ｍｇ／
ｌ（めっき条件） 温度 ６５℃ 攪はん ： 空気攪はん 時 間 １０ 分ｐＨ１
２，５ 得られた無電解銅めっき被膜の厚みはそれぞれ０．３μ
ｍであった。
Ａ・２Ｎａ ・３０ ｇ／１３７％ＨＣＨＯ５
ｍｌ／Ｉ ＰＥＧＲ１０００・ ０．５ｇ／］２．２−ヒ゛
ピリジ゛ル ： １０ ｍｇ／
ｌ（めっき条件） 温度 ６５℃ 攪はん ： 空気攪はん 時 間 １０ 分ｐＨ１
２，５ 得られた無電解銅めっき被膜の厚みはそれぞれ０．３μ
ｍであった。
その後、それぞれの基板を真空加熱炉に静置して真空度
１０−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／ｍｉｎで
昇温し、４００℃で１時間熱処理を施した。
１０−’ ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／ｍｉｎで
昇温し、４００℃で１時間熱処理を施した。
得られた各銅ポリイミド基板の反り率をＪＩＳＣ−６４
８１に従い求めた。得られた結果を第１表に示した。
８１に従い求めた。得られた結果を第１表に示した。
第１表
第１表より１２０℃における熱膨張係数が１５Ｘ １０
−５〜２．０×ＩＯ’−’°ｃ −１のポリイミド樹脂
を用いた銅ポリイミド基板でＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走
行型製造装置で製造すれば、レジスト塗布厚不均一や基
板搬送時の蛇行等が起こらず、歩留まり、生産性の向上
が期待できることを示す。
−５〜２．０×ＩＯ’−’°ｃ −１のポリイミド樹脂
を用いた銅ポリイミド基板でＦＰＣ，ＴＡＢ等を連続走
行型製造装置で製造すれば、レジスト塗布厚不均一や基
板搬送時の蛇行等が起こらず、歩留まり、生産性の向上
が期待できることを示す。
［発明の効果コ
本発明によれば、ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっ
きを施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを
施した後、該基板に１２０’Ｃ以上の熱処理を施すこと
によって得られる銅ポリイミド基板において、該ポリイ
ミド樹脂の熱膨張係数か１２０℃以上の温度範囲におい
て１．５ Ｘ １０−Ｓ〜２、０× １０−’°ｃ
−１の範囲のものを使用することにより、該銅ポリイ
ミド基板を用いてＦＰＣ。
きを施し、必要に応じてこれに引続き銅の電解めっきを
施した後、該基板に１２０’Ｃ以上の熱処理を施すこと
によって得られる銅ポリイミド基板において、該ポリイ
ミド樹脂の熱膨張係数か１２０℃以上の温度範囲におい
て１．５ Ｘ １０−Ｓ〜２、０× １０−’°ｃ
−１の範囲のものを使用することにより、該銅ポリイ
ミド基板を用いてＦＰＣ。
ＴＡＢ等を連続走行型製造装置で製造した場合、レジス
ト塗布厚不均一、基板搬送時の蛇行等が起こらず、歩留
まり、生産性の向上が期待できる。
ト塗布厚不均一、基板搬送時の蛇行等が起こらず、歩留
まり、生産性の向上が期待できる。
特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (1)
- ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施し、必要
に応じてこれに引続き銅の電解めっきを施した後、該基
板に１２０℃以上の熱処理を施すことによって銅ポリイ
ミド基板を得る方法において、ポリイミド樹脂として熱
膨張係数が１２０℃以上の温度範囲において１．５×１
０＾−＾５〜２．０×１０＾−＾５℃＾−＾１の範囲の
ものを用いるものである。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314421A JP2574535B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2314421A JP2574535B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186891A true JPH04186891A (ja) | 1992-07-03 |
| JP2574535B2 JP2574535B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=18053148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2314421A Expired - Fee Related JP2574535B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 銅ポリイミド基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574535B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054357A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブルプリント配線板用積層体及びその製造方法 |
| US7060349B2 (en) | 2002-09-24 | 2006-06-13 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Resin composition, process for producing the same and electrophotographic fixing member |
| WO2006114901A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | 薄膜積層ポリイミドフィルム及びフレキシブルプリント配線板 |
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Citations (3)
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-
1990
- 1990-11-21 JP JP2314421A patent/JP2574535B2/ja not_active Expired - Fee Related
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