JPH0472070A - 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 - Google Patents
銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法Info
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- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDACELMGHQGLSB-UHFFFAOYSA-M triethyl(octadecyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](CC)(CC)CC JDACELMGHQGLSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はポリイミド樹脂面の一部または全面に１５０℃
以上の長期に亘る高温処理に耐え、またはんだ付けなど
による熱衝撃にも充分に耐え得るような銅めっき被覆を
形成した銅ポリイミド基板およびこれを用いてプリント
配線板を製造する方法に関する。
以上の長期に亘る高温処理に耐え、またはんだ付けなど
による熱衝撃にも充分に耐え得るような銅めっき被覆を
形成した銅ポリイミド基板およびこれを用いてプリント
配線板を製造する方法に関する。
（従来の技術）
ポリイミド樹脂は優れた耐熱性を有し、また機械的、電
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色がないので、電気機器等の絶縁材料としてよく用い
られ、プリント配線板（ＰＷＢ ＞、フレキシブルプリ
ント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ
＞実装等、このポリイミド樹脂上に形成された銅被膜
にフォトエツチングを施して製造される。
気的および化学的特性も他のプラスチック材料に比べて
遜色がないので、電気機器等の絶縁材料としてよく用い
られ、プリント配線板（ＰＷＢ ＞、フレキシブルプリ
ント回路（ＦＰＣ）、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ
＞実装等、このポリイミド樹脂上に形成された銅被膜
にフォトエツチングを施して製造される。
従来このようなＰＷＢ 、ＦＰＣ、ＴＡＢ用の素材とな
る銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銀箔
とを接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた
。しかしながらこのラミネート法によって得られた基板
では銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処
理に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在
する接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸
着され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合
には絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよ
うな欠点を解消するためポリイミド樹脂表面に接着剤等
を介在させることなく直接的に金属層を形成させる方法
が検討されている。
る銅ポリイミド基板は一般的にはポリイミド樹脂と銀箔
とを接着剤で貼り合わせるラミネート法が採られていた
。しかしながらこのラミネート法によって得られた基板
では銅被膜のエツチング処理やフォトレジストの剥離処
理に際して基板の銅被膜とポリイミド樹脂の界面に存在
する接着剤層に塩素イオンや硫酸イオン等の不純物が吸
着され、該基板上に形成された回路間隔が特に狭い場合
には絶縁不良などの障害を起こす恐れがあった。このよ
うな欠点を解消するためポリイミド樹脂表面に接着剤等
を介在させることなく直接的に金属層を形成させる方法
が検討されている。
この方法としてはポリイミド樹脂表面にスパッタリング
、イオンブレーティング、蒸着等によって直接金属層を
被着させる方法、ポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸の溶液を金属膜上に塗布した後ポリアミドをイミド化
して基板を得る方法およびポリイミド樹脂表面に無電解
めっき法によって金属めっき層を形成する方法などが知
られている。
、イオンブレーティング、蒸着等によって直接金属層を
被着させる方法、ポリイミドの前駆体であるポリアミド
酸の溶液を金属膜上に塗布した後ポリアミドをイミド化
して基板を得る方法およびポリイミド樹脂表面に無電解
めっき法によって金属めっき層を形成する方法などが知
られている。
（発明か解決しようとする課題）
これらの方法のうちポリイミド樹脂表面にスパッタリン
グ、イオンブレーティング、蒸着等により直接金属層を
被着させる方法では、ポリイミド樹脂表面に被着した銅
被膜中に残留応力が発生するために、さらに基板に熱処
理を施した場合にポリイミド樹脂と銅被膜層との界面に
応力が集中して銅被膜の密着性が著しく低下し、ときに
は被膜剥離を起こすこともあって問題があった。
グ、イオンブレーティング、蒸着等により直接金属層を
被着させる方法では、ポリイミド樹脂表面に被着した銅
被膜中に残留応力が発生するために、さらに基板に熱処
理を施した場合にポリイミド樹脂と銅被膜層との界面に
応力が集中して銅被膜の密着性が著しく低下し、ときに
は被膜剥離を起こすこともあって問題があった。
また、従来しばしば金属被膜層の密着性を高めるなめに
スパッタリング、イオンブレーティング、蒸着等により
銅被膜を被着させたポリイミド樹脂を加熱することが行
なわれているが、この場合において銅がポリイミド樹脂
内に拡散して酸化銅の粒子となって析出し、基板の電気
的特性および機械的特性を著しく損なうといった問題も
発生する。
スパッタリング、イオンブレーティング、蒸着等により
銅被膜を被着させたポリイミド樹脂を加熱することが行
なわれているが、この場合において銅がポリイミド樹脂
内に拡散して酸化銅の粒子となって析出し、基板の電気
的特性および機械的特性を著しく損なうといった問題も
発生する。
これらの問題を解決するためにポリイミド樹脂と銅被膜
との間にクロムまたはニッケル等による中間層を形成さ
せて３層構造としてこれに熱処理を加えることにより、
界面に集中する応力をこの中間層において吸収して銅被
膜の密着性の低下や剥離を防止するとともにポリイミド
樹脂中への銅の拡散による酸化鋼の析出を防止する方法
も提案されている。しかしながら、この方法によって得
られた基板を用いてサブトラクティブ法などによってパ
ターニングを行ない回路を形成させた場合、ポリイミド
樹脂上に形成する金属層には銅の他にクロムやニッケル
等の金属が含有されているので、銅を除去するために調
合された標準的なエツチング液で処理したときにクロム
やニッケル等の他金属が除去されずに残留し、満足な回
路の形成が行ない得ない。
との間にクロムまたはニッケル等による中間層を形成さ
せて３層構造としてこれに熱処理を加えることにより、
界面に集中する応力をこの中間層において吸収して銅被
膜の密着性の低下や剥離を防止するとともにポリイミド
樹脂中への銅の拡散による酸化鋼の析出を防止する方法
も提案されている。しかしながら、この方法によって得
られた基板を用いてサブトラクティブ法などによってパ
ターニングを行ない回路を形成させた場合、ポリイミド
樹脂上に形成する金属層には銅の他にクロムやニッケル
等の金属が含有されているので、銅を除去するために調
合された標準的なエツチング液で処理したときにクロム
やニッケル等の他金属が除去されずに残留し、満足な回
路の形成が行ない得ない。
また、金属層にクロム、ニッケル等が含有されると純銅
で形成された場合に比べて電気伝導性が劣り、このよう
な基板を電子材料部品として使用するときは著しく信頼
性が低下する。またさらにこのような方法によっても、
得られた基板をもとにＴＡＢを製造した場合に金属層の
密着強度はたかだか最高で４４！ｂ、／ｉｎ、であり、
従来からＴＡＢやプリント配線板が求められている密着
強度である６ｊ）ｂ、／ｉｎ、には及ばない。
で形成された場合に比べて電気伝導性が劣り、このよう
な基板を電子材料部品として使用するときは著しく信頼
性が低下する。またさらにこのような方法によっても、
得られた基板をもとにＴＡＢを製造した場合に金属層の
密着強度はたかだか最高で４４！ｂ、／ｉｎ、であり、
従来からＴＡＢやプリント配線板が求められている密着
強度である６ｊ）ｂ、／ｉｎ、には及ばない。
また、基板形成法のうち金属膜上にポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸溶液を塗布した後これをポリイミド
化することによって接着剤層を介さないで銅ポリイミド
基板を得る方法は米国特許第３６８２９６０号、第４１
４８９６９号および第４４９６７９４号等に開示されて
いるが、これらの方法によって得られな銅ポリイミド基
板は、ポリアミド酸がポリイミド化する際に脱水縮合反
応を伴うために基板の樹脂部分が著しく収縮して基板の
平滑性をなもつことがきわめて困難であり、また寸法安
定性に欠けるという問題がある。
であるポリアミド酸溶液を塗布した後これをポリイミド
化することによって接着剤層を介さないで銅ポリイミド
基板を得る方法は米国特許第３６８２９６０号、第４１
４８９６９号および第４４９６７９４号等に開示されて
いるが、これらの方法によって得られな銅ポリイミド基
板は、ポリアミド酸がポリイミド化する際に脱水縮合反
応を伴うために基板の樹脂部分が著しく収縮して基板の
平滑性をなもつことがきわめて困難であり、また寸法安
定性に欠けるという問題がある。
さらにまなこの方法によって得られた基板のポリイミド
樹脂部は通常フィルム状で供給されるポリイミド樹脂に
比べて著しく機械的強度が低い。
樹脂部は通常フィルム状で供給されるポリイミド樹脂に
比べて著しく機械的強度が低い。
これは上記方法にて得られるポリイミド樹脂の化学構造
が従来フィルム状で供給されるポリイミド樹脂の化学構
造と異なっており、金属層との接着性は改善されるもの
の伸び率等の機械的特性が劣るためである。またこのよ
うに銅膜上にポリアミド酸を塗布した場合に銅の一部が
アミド基と反応を起し樹脂部に拡散するために基板の電
気的特性も低下し、電子材料としての信頼性も十分でな
いという問題点もあった。
が従来フィルム状で供給されるポリイミド樹脂の化学構
造と異なっており、金属層との接着性は改善されるもの
の伸び率等の機械的特性が劣るためである。またこのよ
うに銅膜上にポリアミド酸を塗布した場合に銅の一部が
アミド基と反応を起し樹脂部に拡散するために基板の電
気的特性も低下し、電子材料としての信頼性も十分でな
いという問題点もあった。
また、銅ポリイミド基板を得るための第３の方法はポリ
イミド樹脂表面に無電解めっきによって金属被覆を施す
方法である。この方法は通常ポリイミド樹脂表面にエツ
チング処理を施してこれに親水性を付与して、触媒とし
てパラジウム等を吸着させた後無電解めっきを施すもの
である。
イミド樹脂表面に無電解めっきによって金属被覆を施す
方法である。この方法は通常ポリイミド樹脂表面にエツ
チング処理を施してこれに親水性を付与して、触媒とし
てパラジウム等を吸着させた後無電解めっきを施すもの
である。
米国特許第３７６７５３８号はこうした無電解めっきに
よる金属被覆を施した基板の製造法について述べられて
いる。この方法の特徴はポリイミド樹脂表面を硫酸と塩
酸の溶液により、もしくは砂等の微粒子を表面に機械的
に衝突させることによってエツチングし、必要な場合に
はさらに水酸化ナトリウムによるエツチングも加えてこ
れを加熱して水分を除去して、さらにこれをコロイド状
パラジツム浴に浸漬することによって触媒活性化処理を
する。しかる後ポリイミド樹脂表面に水蒸気透過性の連
続した銀めっき層を無電解めっきにより形成し、さらに
基板を水分除去のため１５０℃に加熱した後銀被膜上に
銅の電解めっきを施して銅ポリイミド基板を得るもので
ある。
よる金属被覆を施した基板の製造法について述べられて
いる。この方法の特徴はポリイミド樹脂表面を硫酸と塩
酸の溶液により、もしくは砂等の微粒子を表面に機械的
に衝突させることによってエツチングし、必要な場合に
はさらに水酸化ナトリウムによるエツチングも加えてこ
れを加熱して水分を除去して、さらにこれをコロイド状
パラジツム浴に浸漬することによって触媒活性化処理を
する。しかる後ポリイミド樹脂表面に水蒸気透過性の連
続した銀めっき層を無電解めっきにより形成し、さらに
基板を水分除去のため１５０℃に加熱した後銀被膜上に
銅の電解めっきを施して銅ポリイミド基板を得るもので
ある。
しかしこの方法によって製造された基板の金属層の密着
強度の値について同等報告されていないし、さらに上記
方法ではポリイミド樹脂表面に直接銀被膜が形成されて
いるために、得られた基板を用いて製造されたＴＡＢテ
ープ等を電子部品として使用する場合、高温多湿の状態
下では銀がマイグレーションによる回路間の絶縁不良を
引き起す可能性があり信頼性に欠ける欠点を有する。
強度の値について同等報告されていないし、さらに上記
方法ではポリイミド樹脂表面に直接銀被膜が形成されて
いるために、得られた基板を用いて製造されたＴＡＢテ
ープ等を電子部品として使用する場合、高温多湿の状態
下では銀がマイグレーションによる回路間の絶縁不良を
引き起す可能性があり信頼性に欠ける欠点を有する。
米国特許第３５７３９７３号にはポリイミド樹脂表面に
無電解めっきを施すことによって金属層を形成する他の
一方法が示唆されている。この方法はポリイミド樹脂表
面に触媒付与を施した後、めっきレジスト層を形成し、
ニッケルーリン合金を無電解めっきし、めっき層とポリ
イミド樹脂との結合を強化するために１９５℃の温度で
基板を加熱処理しその後これに銅を電解めっきするが、
またははんだ付けすることによって基板を得るものであ
る。
無電解めっきを施すことによって金属層を形成する他の
一方法が示唆されている。この方法はポリイミド樹脂表
面に触媒付与を施した後、めっきレジスト層を形成し、
ニッケルーリン合金を無電解めっきし、めっき層とポリ
イミド樹脂との結合を強化するために１９５℃の温度で
基板を加熱処理しその後これに銅を電解めっきするが、
またははんだ付けすることによって基板を得るものであ
る。
しかし報告された金属層の最大密着強度は非標準的試験
により、５．０ Ｊｂ、／ｉｎ、であり、はんだ等の熱
衝撃に対する密着強度の安定性については触れられてい
ないが、これに関して問題を起こす可能性が十分考えら
れる。
により、５．０ Ｊｂ、／ｉｎ、であり、はんだ等の熱
衝撃に対する密着強度の安定性については触れられてい
ないが、これに関して問題を起こす可能性が十分考えら
れる。
特開昭６３−２５９０８３号公報にはポリイミド樹脂表
面の一部または全部にニッケルおよびコバルトを無電解
めっきした後、その上に銅を電解めっきすることによっ
て、はんだ等の熱衝撃に耐え得る高い密着強度を持った
金属被膜をポリイミド樹脂上に形成する方法について述
べている。
面の一部または全部にニッケルおよびコバルトを無電解
めっきした後、その上に銅を電解めっきすることによっ
て、はんだ等の熱衝撃に耐え得る高い密着強度を持った
金属被膜をポリイミド樹脂上に形成する方法について述
べている。
この方法の特徴はポリイミド樹脂表面を８２Ｎ（ＣＨ２
）ｎＮｈ （ｎは２と６との間の整数）を持つアミンと
アルカリ金属水酸化物と水に溶解する構造を持ったアル
コールとを含有する水溶液でエツチングした後、触媒付
与を行なってニッケルおよびコバルトの無電解めっきを
行ない、最終的に銅の電解めっきを施すことにある。
）ｎＮｈ （ｎは２と６との間の整数）を持つアミンと
アルカリ金属水酸化物と水に溶解する構造を持ったアル
コールとを含有する水溶液でエツチングした後、触媒付
与を行なってニッケルおよびコバルトの無電解めっきを
行ない、最終的に銅の電解めっきを施すことにある。
この方法によって得られた基板の開示例における金属層
の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０ｆ４ｅｔｈｏｄ
２．４．９Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ）ｉｅｔｈｏｄ
Ａにおいて１０．０１ｂ、／ｉｎ、であり、まなＩＰＣ
−丁Ｍ−８５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ
５ｏｌｄｅｒｆｌｏａｔ ）ｌｅｔｈｏｄ Ｃにおい
て５．Ｏｆ！ｂ、／ｉｎ、であって、そこそこに満足し
得る密着強度を得ることができる。しかし上記方法によ
って得られた基板におけるニッケルおよびコバルトは塩
化鉄エツチング液によって最終的には除去できたと報告
されているが、該基板をＴＡＢテープに利用した場合に
リード幅およびリード間隔が狭くなると銅、ニッケルお
よびコバルトの塩化鉄に対する溶解度の違いからニッケ
ルおよびコバルト層を完全に除去できるまでに銅リード
はその形状を保持することができず、これを電子部品と
して組込んだときに信頼性に欠ける。また上記方法によ
って直接ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっきによる
銅層を形成した場合はＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ−ｏ
ａ、ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて銅層が剥離したこと
が示されており、最終的にポリイミド樹脂表面の一部ま
たは全部にはんだ等の熱衝撃に耐え得るような密着強度
を持った銅被膜を直接基板上に形成し得る技術は今日で
は確立されていないのが実情である。
の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０ｆ４ｅｔｈｏｄ
２．４．９Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ ）ｉｅｔｈｏｄ
Ａにおいて１０．０１ｂ、／ｉｎ、であり、まなＩＰＣ
−丁Ｍ−８５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ
５ｏｌｄｅｒｆｌｏａｔ ）ｌｅｔｈｏｄ Ｃにおい
て５．Ｏｆ！ｂ、／ｉｎ、であって、そこそこに満足し
得る密着強度を得ることができる。しかし上記方法によ
って得られた基板におけるニッケルおよびコバルトは塩
化鉄エツチング液によって最終的には除去できたと報告
されているが、該基板をＴＡＢテープに利用した場合に
リード幅およびリード間隔が狭くなると銅、ニッケルお
よびコバルトの塩化鉄に対する溶解度の違いからニッケ
ルおよびコバルト層を完全に除去できるまでに銅リード
はその形状を保持することができず、これを電子部品と
して組込んだときに信頼性に欠ける。また上記方法によ
って直接ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっきによる
銅層を形成した場合はＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ−ｏ
ａ、ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて銅層が剥離したこと
が示されており、最終的にポリイミド樹脂表面の一部ま
たは全部にはんだ等の熱衝撃に耐え得るような密着強度
を持った銅被膜を直接基板上に形成し得る技術は今日で
は確立されていないのが実情である。
またさらに上記の如くポリイミド樹脂に無電解めっきを
施した基板を使用し、これにパターニング処理を行なっ
て所望の幅の銅層を形成させ、しかる後に遊離シアン化
合物を含有する溶液を用いて銅層にめっきを施して配線
板を作成した場合には、銅層がポリイミド樹脂面から剥
離するという問題点も見出されている。
施した基板を使用し、これにパターニング処理を行なっ
て所望の幅の銅層を形成させ、しかる後に遊離シアン化
合物を含有する溶液を用いて銅層にめっきを施して配線
板を作成した場合には、銅層がポリイミド樹脂面から剥
離するという問題点も見出されている。
一方、最近ＩＣ，ＬＳＩ等の集積度が高くなるのに従い
、ＩＣ１ＬＳＩ等を基板に実装した場合に該基板に長時
間に亘ってＩＣ１ＬＳＩから高熱が放射される事態が予
想されるようになり、該基板に対して長時間に亘る高熱
を加えた場合の基板特性の安定性が要求されるようにな
ってきた。
、ＩＣ１ＬＳＩ等を基板に実装した場合に該基板に長時
間に亘ってＩＣ１ＬＳＩから高熱が放射される事態が予
想されるようになり、該基板に対して長時間に亘る高熱
を加えた場合の基板特性の安定性が要求されるようにな
ってきた。
このような高温長時間の耐高温特性に対する基板の信頼
度は、しばしば該基板を１５０℃の大気中に１０００時
間の保持を行なった後に基板の諸性性値の変化を調べる
ことによって判定される。
度は、しばしば該基板を１５０℃の大気中に１０００時
間の保持を行なった後に基板の諸性性値の変化を調べる
ことによって判定される。
上記耐熱試験後の金属層の密着強度としては、例えばＴ
ＡＢの場合においては１．０ Ｊｂ、／ｉｎ、以上であ
ることが要求されているが、従来の基板においては耐熱
試験後の密着強度は０．５ ｌｂ、／ｉｎ、以下に低下
することが判明しており、このことは基板が長時間に亘
って高温に曝された場合には、上記した要求値を満足し
ないばかりか、ＩＣ１ＬＳＩ等が実装され該ＩＣやＬＳ
Ｉから放射された高熱が該基板に長期間に亘り加わった
場合に、該基板における金属層の密着度低下による剥離
を発生することが予想される。
ＡＢの場合においては１．０ Ｊｂ、／ｉｎ、以上であ
ることが要求されているが、従来の基板においては耐熱
試験後の密着強度は０．５ ｌｂ、／ｉｎ、以下に低下
することが判明しており、このことは基板が長時間に亘
って高温に曝された場合には、上記した要求値を満足し
ないばかりか、ＩＣ１ＬＳＩ等が実装され該ＩＣやＬＳ
Ｉから放射された高熱が該基板に長期間に亘り加わった
場合に、該基板における金属層の密着度低下による剥離
を発生することが予想される。
本発明の目的は、樹脂表面の一部または全面にはんだ等
の熱衝撃に十分に耐え得るような高い密着強度を持った
銅被膜を無電解めっき法によって形成し、ＴＡＢ等の電
子部品に使用した場合に電気的、機械的、熱的に十分な
信頼性を有し、さらに基板に長期間に亘り高熱に曝され
た場合においても金属層の密着強度が著しく低下するこ
とのない銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント
配線板を製造する方法を提供することにある。
の熱衝撃に十分に耐え得るような高い密着強度を持った
銅被膜を無電解めっき法によって形成し、ＴＡＢ等の電
子部品に使用した場合に電気的、機械的、熱的に十分な
信頼性を有し、さらに基板に長期間に亘り高熱に曝され
た場合においても金属層の密着強度が著しく低下するこ
とのない銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント
配線板を製造する方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は無電解めっき法によって得られた銅ポリイ
ミド基板においてはんだ等による熱衝撃に耐え得るよう
な高い密着強度を持った銅被膜が得られない原因につい
て種々研究を行なった結果、ポリイミド樹脂表面に従来
性なわれているような方法で無電解めっき前処理を施す
ときには、該表面に往々にして耐熱性の劣る変質層が形
成され、この状態の基板に無電解めっきを施した後はん
だ等による熱衝撃を加えるときは、この変質層部分また
はポリイミド樹脂と変質層との界面からめつき層の剥離
が発生し易くなること、またさらにこのような変質層は
基板を用いてプリント配線板等を製造する場合に使用さ
れる遊離シアンまたはシアン化合物により溶解されるの
で、これによっても基板表面からの金属層の剥離が助長
されること、この変質層を含む基板に適切な温度範囲で
熱処理を加えることによって、該変質層を熱的に強い構
造に改変することができることなどを見出した。
ミド基板においてはんだ等による熱衝撃に耐え得るよう
な高い密着強度を持った銅被膜が得られない原因につい
て種々研究を行なった結果、ポリイミド樹脂表面に従来
性なわれているような方法で無電解めっき前処理を施す
ときには、該表面に往々にして耐熱性の劣る変質層が形
成され、この状態の基板に無電解めっきを施した後はん
だ等による熱衝撃を加えるときは、この変質層部分また
はポリイミド樹脂と変質層との界面からめつき層の剥離
が発生し易くなること、またさらにこのような変質層は
基板を用いてプリント配線板等を製造する場合に使用さ
れる遊離シアンまたはシアン化合物により溶解されるの
で、これによっても基板表面からの金属層の剥離が助長
されること、この変質層を含む基板に適切な温度範囲で
熱処理を加えることによって、該変質層を熱的に強い構
造に改変することができることなどを見出した。
しかしながら、このようにして得られた基板はこのまま
で小容量の電子部品に利用することは充分可能であるが
、大容量電子部品に使用することによって長期間に亘り
高温の熱放射を受けた場合にはめつき界面からポリイミ
ド樹脂内に銅が拡散し、銅が拡散した樹脂内部あるいは
拡散した銅と樹脂の界面において剥離が起りやすいこと
、殊にこの銅の樹脂内への拡散は例えば基板を高温の大
気中で長期間保持するなど、酸化性雰囲気下で高温に曝
した場合に著しく助長されること、このような高温酸化
性雰囲気下でのポリイミド樹脂内部への銅の拡散は基板
のめっきを施す前工程であるエツチング工程において硫
酸などの特定薬品によるエツチング処理を行なって、ポ
リイミド樹脂表面に特殊な性質の親水性変質層を形成さ
せておいて、無電解めっき後に基板に熱処理を施すこと
により該親水性変質層を耐熱性を有し、且つポリイミド
樹脂内への銅の拡散を抑制するような構造に改質するこ
とによって大幅に低下させることができ、従って該基板
を大気中などの酸化性雰囲気中に高温で長期開墾しても
金属層の密着強度の著しい低下を防止することができる
ことなどを見出し、これらの知見に基いて本発明を完成
するに至った。
で小容量の電子部品に利用することは充分可能であるが
、大容量電子部品に使用することによって長期間に亘り
高温の熱放射を受けた場合にはめつき界面からポリイミ
ド樹脂内に銅が拡散し、銅が拡散した樹脂内部あるいは
拡散した銅と樹脂の界面において剥離が起りやすいこと
、殊にこの銅の樹脂内への拡散は例えば基板を高温の大
気中で長期間保持するなど、酸化性雰囲気下で高温に曝
した場合に著しく助長されること、このような高温酸化
性雰囲気下でのポリイミド樹脂内部への銅の拡散は基板
のめっきを施す前工程であるエツチング工程において硫
酸などの特定薬品によるエツチング処理を行なって、ポ
リイミド樹脂表面に特殊な性質の親水性変質層を形成さ
せておいて、無電解めっき後に基板に熱処理を施すこと
により該親水性変質層を耐熱性を有し、且つポリイミド
樹脂内への銅の拡散を抑制するような構造に改質するこ
とによって大幅に低下させることができ、従って該基板
を大気中などの酸化性雰囲気中に高温で長期開墾しても
金属層の密着強度の著しい低下を防止することができる
ことなどを見出し、これらの知見に基いて本発明を完成
するに至った。
即ち、上２の問題を解決するための本発明の方法は、ポ
リイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施し、さらに必
要に応じてこれに引き続き銅の電解めっきを施すことに
よる銅ポリイミド基板の製造工程において、先ずポリイ
ミド樹脂表面にエツチング処理を施して親水性変質層を
形成し、触媒を付与した後、銅の無電解めっきまたは必
要に応じてこれに引き続き銅の電解めっきを施し、次い
で基板を１２０℃以上の温度で熱処理することによって
前記した親水性変質層をさらに耐熱性鋼拡散防止層に改
質させることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法
およびこれを使用したプリント配線板の製造方法であり
、特にエツチングに際して硫酸を使用するか、またはエ
ツチング処理を２段に分けて行ない、第１段のエツチン
グ処理ではジアミンを使用し、第２段のエツチング処理
では水酸化第４アンモニウムを使用することによって、
エツチング処理によってポリイミド樹脂表面に形成され
る親水性変質層を無電解めっき後に施す熱処理によって
、優れた耐熱性と銀拡散防止性を有する層に変質させ、
これによって、大容量電子部品に使用する場合の銅ポリ
イミド基板乃至はこれを使用したプリント配線板の品質
を飛躍的に向上させることに成功したものである。
リイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施し、さらに必
要に応じてこれに引き続き銅の電解めっきを施すことに
よる銅ポリイミド基板の製造工程において、先ずポリイ
ミド樹脂表面にエツチング処理を施して親水性変質層を
形成し、触媒を付与した後、銅の無電解めっきまたは必
要に応じてこれに引き続き銅の電解めっきを施し、次い
で基板を１２０℃以上の温度で熱処理することによって
前記した親水性変質層をさらに耐熱性鋼拡散防止層に改
質させることを特徴とする銅ポリイミド基板の製造方法
およびこれを使用したプリント配線板の製造方法であり
、特にエツチングに際して硫酸を使用するか、またはエ
ツチング処理を２段に分けて行ない、第１段のエツチン
グ処理ではジアミンを使用し、第２段のエツチング処理
では水酸化第４アンモニウムを使用することによって、
エツチング処理によってポリイミド樹脂表面に形成され
る親水性変質層を無電解めっき後に施す熱処理によって
、優れた耐熱性と銀拡散防止性を有する層に変質させ、
これによって、大容量電子部品に使用する場合の銅ポリ
イミド基板乃至はこれを使用したプリント配線板の品質
を飛躍的に向上させることに成功したものである。
（作用）
一般に無電解めっき法によって銅ポリイミド基板を製造
するに際しては、めっきを施すに先立ってポリイミド樹
脂表面にめっき促進のための触媒を付与のためにエツチ
ング処理を施して樹脂表面を親水性にする必要がある。
するに際しては、めっきを施すに先立ってポリイミド樹
脂表面にめっき促進のための触媒を付与のためにエツチ
ング処理を施して樹脂表面を親水性にする必要がある。
ポリイミド樹脂に親水性を付与するために一般的に用い
られるエツチング液としては、ヒドラジン、エチレンジ
アミン等のアミン化合物、アルカリ金属の水酸化物水溶
液等のアルカリ性溶液およびエタノール等のアルコール
類を含有するものなどが挙げられる。
られるエツチング液としては、ヒドラジン、エチレンジ
アミン等のアミン化合物、アルカリ金属の水酸化物水溶
液等のアルカリ性溶液およびエタノール等のアルコール
類を含有するものなどが挙げられる。
これは、ポリイミドが化学的に安定ではあるものの、ポ
リイミドを構成するイミド基がヒドラジン等の強還元剤
によって還元開裂し、またカルボニル基がアルカリによ
って加水分解されて、この部分のポリイミドが親水性の
あるカルボキシル基を含むポリアミド酸に分解されるな
ど、比較的容易にポリイミド表面を親水化し得るためで
ある。
リイミドを構成するイミド基がヒドラジン等の強還元剤
によって還元開裂し、またカルボニル基がアルカリによ
って加水分解されて、この部分のポリイミドが親水性の
あるカルボキシル基を含むポリアミド酸に分解されるな
ど、比較的容易にポリイミド表面を親水化し得るためで
ある。
このようにして形成された親水性を有する変質層はポリ
イミド自体に比べて耐熱性がかなり劣るが、本発明者等
の研究によればめっき後の基板に１２０〜４２０℃の温
度範囲で熱処理を施し、該変質層を脱水縮合して再度ポ
リイミド化すれば再び熱的に安定した構造に復元するこ
とができることが判かった。
イミド自体に比べて耐熱性がかなり劣るが、本発明者等
の研究によればめっき後の基板に１２０〜４２０℃の温
度範囲で熱処理を施し、該変質層を脱水縮合して再度ポ
リイミド化すれば再び熱的に安定した構造に復元するこ
とができることが判かった。
しかしながら、このように無電解めっき後に熱処理を加
えた基板においても、基板を大気中で高温長期間に亘っ
て保持した場合には、基板における金属層の密着強度低
下が起ることが避けられなかった。
えた基板においても、基板を大気中で高温長期間に亘っ
て保持した場合には、基板における金属層の密着強度低
下が起ることが避けられなかった。
本発明者等の観察したところによると、上記のような問
題が発生するのはポリイミド樹脂表面の一部または片面
全面に金属層を形成した場合に限られ、ポリイミド樹脂
の表面の全部に金属層を形成した場合にはこのような問
題は発生しない。
題が発生するのはポリイミド樹脂表面の一部または片面
全面に金属層を形成した場合に限られ、ポリイミド樹脂
の表面の全部に金属層を形成した場合にはこのような問
題は発生しない。
また、ポリイミド樹脂表面の一部または片面のみに金属
層を形成した場合でも、基板を無酸素雰囲気中で加熱す
る場合には、例えば１５０℃の高温長期間の加熱保持を
行なっても基板における金属層の密着性低下は起らない
。
層を形成した場合でも、基板を無酸素雰囲気中で加熱す
る場合には、例えば１５０℃の高温長期間の加熱保持を
行なっても基板における金属層の密着性低下は起らない
。
本発明者等はこのような問題を解明するために大気中で
１５０℃に１０００時間保持した基板についてＡＥＳに
よりめっき界面の元素分布の観察をしたところ、めっき
界面から数百オングストロームの深さまで銅および酸素
が樹脂内に拡散していることが認められ、該基板につい
て金属層の剥離試験を行なったところ、剥離は銅が拡散
した樹脂の内部または銅の拡散した部分と非拡散部との
境界面から発生することが判かった。
１５０℃に１０００時間保持した基板についてＡＥＳに
よりめっき界面の元素分布の観察をしたところ、めっき
界面から数百オングストロームの深さまで銅および酸素
が樹脂内に拡散していることが認められ、該基板につい
て金属層の剥離試験を行なったところ、剥離は銅が拡散
した樹脂の内部または銅の拡散した部分と非拡散部との
境界面から発生することが判かった。
以上のことから、無電解めっきにより得られた基板を熱
処理後高温の大気中に長期間保持すると、ポリイミド樹
脂表面の全体に亘って金属層を形成しない限り、ポリイ
ミドが酸素を透過しやすい構造を有しているところから
、酸素が基板の金属層によって覆われていない部分から
樹脂内に侵入してめっき界面に到り、銅とポリイミドと
の反応および銅の拡散を引き起こし、その結果基板にお
ける金属層の密着性を低下させるものと考えられる。
処理後高温の大気中に長期間保持すると、ポリイミド樹
脂表面の全体に亘って金属層を形成しない限り、ポリイ
ミドが酸素を透過しやすい構造を有しているところから
、酸素が基板の金属層によって覆われていない部分から
樹脂内に侵入してめっき界面に到り、銅とポリイミドと
の反応および銅の拡散を引き起こし、その結果基板にお
ける金属層の密着性を低下させるものと考えられる。
本発明は成る種のエツチング剤を用いてポリイミド樹脂
表面をエツチングによる親水性処理を施して得られた親
水性変質層は、無電解めっき後の熱処理を施すことによ
って熱的に安定な構造に改質されると同時に基板を大気
中に高温長期間保持しても銅の拡散を起し難いような構
造に改変することができるという新しい知見に基いてな
されたものである。
表面をエツチングによる親水性処理を施して得られた親
水性変質層は、無電解めっき後の熱処理を施すことによ
って熱的に安定な構造に改質されると同時に基板を大気
中に高温長期間保持しても銅の拡散を起し難いような構
造に改変することができるという新しい知見に基いてな
されたものである。
本発明の方法において、ポリイミド樹脂に親水性を付与
するために使用される好ましいエツチング剤の一つは硫
酸である。
するために使用される好ましいエツチング剤の一つは硫
酸である。
本発明者等の研究によれば、ポリイミド樹脂を硫酸によ
ってエツチング処理して得られる変質層は、従来この種
の親水化処理に際して用いられる抱水ヒドラジンの還元
作用によって形成される変質層や、アルカリの加水分解
作用によって形成される変質層とは本質的に異なるもの
であり、硫酸エツチング処理による変質層が形成された
基板を１２０℃以上の温度で熱処理を施した場合には、
基板に優れた熱安定性を付与することができるとともに
、高温の大気中に長期間に亘って保持した場合において
も銅がポリイミド樹脂内部に拡散し難い構造を有するも
のに変化させることかできるのである。
ってエツチング処理して得られる変質層は、従来この種
の親水化処理に際して用いられる抱水ヒドラジンの還元
作用によって形成される変質層や、アルカリの加水分解
作用によって形成される変質層とは本質的に異なるもの
であり、硫酸エツチング処理による変質層が形成された
基板を１２０℃以上の温度で熱処理を施した場合には、
基板に優れた熱安定性を付与することができるとともに
、高温の大気中に長期間に亘って保持した場合において
も銅がポリイミド樹脂内部に拡散し難い構造を有するも
のに変化させることかできるのである。
従って、このような硫酸による親水化のためのエツチン
グ処理を施し、無電解めっき後に所定の温度で熱処理を
施した基板においては、これにはんだ等による熱衝撃を
加えた場合においても金属層に剥離を生ずることがなく
、また金属層の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅ
ｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄＭｅｔ
ｈｏｄ Ａにおいて平均９．５ ｉｂ、／ｉｎ、であり
、またＩＰＣ−Ｔ’Ｓ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．
９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ）１ｅｔｈ
ｏｄ ＣにおＧｔル平均値（ｉ８．４ ｉ）ｈ、／ｉｎ
、 トキｂメて高い値を示し、また該基板を１５０℃の
大気中に１ｏｏｏ時間の保持を行なった後における金属
層の密着強度においてもなお３、ＯＪｂ、／ｉｎ、以上
の高い値が維持されるので、これを使用して製造された
ＴＡＢ等の電子部品は要求される値を充分に満足するこ
とができるのである。
グ処理を施し、無電解めっき後に所定の温度で熱処理を
施した基板においては、これにはんだ等による熱衝撃を
加えた場合においても金属層に剥離を生ずることがなく
、また金属層の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅ
ｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄＭｅｔ
ｈｏｄ Ａにおいて平均９．５ ｉｂ、／ｉｎ、であり
、またＩＰＣ−Ｔ’Ｓ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．
９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ）１ｅｔｈ
ｏｄ ＣにおＧｔル平均値（ｉ８．４ ｉ）ｈ、／ｉｎ
、 トキｂメて高い値を示し、また該基板を１５０℃の
大気中に１ｏｏｏ時間の保持を行なった後における金属
層の密着強度においてもなお３、ＯＪｂ、／ｉｎ、以上
の高い値が維持されるので、これを使用して製造された
ＴＡＢ等の電子部品は要求される値を充分に満足するこ
とができるのである。
上記した硫酸エツチング処理に使用される硫酸濃度は３
０％以上、好ましくは８０重量％以上であることが望ま
しい。硫酸濃度が３０重量％未満であるときは、処理に
際して加温してもポリイミド樹脂に親水性を付与するこ
とが難しい。硫酸濃度が３゜〜８０重量％の間であれば
処理温度を５０℃程度に上げるか、室温においてごく長
時間の処理を行なうことによって、ポリイミド樹脂に親
水性を付与することが可能となり、さらに硫酸濃度が８
０重量％以上となると室温においても短時間の処理でポ
リイミド樹脂表面に十分親水性を付与することができる
ようになる。
０％以上、好ましくは８０重量％以上であることが望ま
しい。硫酸濃度が３０重量％未満であるときは、処理に
際して加温してもポリイミド樹脂に親水性を付与するこ
とが難しい。硫酸濃度が３゜〜８０重量％の間であれば
処理温度を５０℃程度に上げるか、室温においてごく長
時間の処理を行なうことによって、ポリイミド樹脂に親
水性を付与することが可能となり、さらに硫酸濃度が８
０重量％以上となると室温においても短時間の処理でポ
リイミド樹脂表面に十分親水性を付与することができる
ようになる。
また本発明におけるポリイミド樹脂の親水化処理の他の
好ましい実施態様においては、エツチング処理を２段に
分けて行ない、第１段のエツチング処理においては一般
式Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨｔ （ｎは２から６まで゛の
整数）で表わされるジアミンまたはその水和物で行ない
、さらに第２段のエツチング処理を一般式、 （式中、Ｒ１およびＲ２は各々１〜４個の炭素原子を持
つアルキル基、Ｒ３は１〜１８個の炭素原子を持つアル
キル基または１〜１８個の炭素原子を持つアルケニル基
、Ｒ４は１〜１８個の炭素原子を持つアルキル基、１〜
１８個の炭素原子を持つアルケニル基、ベンジル基およ
びアルキル部分が１〜１８個の炭素原子を持つアルキル
ベンジル基からなる群から選ばれたものである）で表わ
される水酸化第４アンモニウムを含む溶液を使用して行
なうものである。
好ましい実施態様においては、エツチング処理を２段に
分けて行ない、第１段のエツチング処理においては一般
式Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨｔ （ｎは２から６まで゛の
整数）で表わされるジアミンまたはその水和物で行ない
、さらに第２段のエツチング処理を一般式、 （式中、Ｒ１およびＲ２は各々１〜４個の炭素原子を持
つアルキル基、Ｒ３は１〜１８個の炭素原子を持つアル
キル基または１〜１８個の炭素原子を持つアルケニル基
、Ｒ４は１〜１８個の炭素原子を持つアルキル基、１〜
１８個の炭素原子を持つアルケニル基、ベンジル基およ
びアルキル部分が１〜１８個の炭素原子を持つアルキル
ベンジル基からなる群から選ばれたものである）で表わ
される水酸化第４アンモニウムを含む溶液を使用して行
なうものである。
勿論この場合においても基板に無電解めっきを施した後
に熱処理を施すことによってさきに述べた硫酸による親
水化処理を施した場合と同様優れた耐熱性と銅の拡散防
止効果発揮するものであることは言うまでもない。
に熱処理を施すことによってさきに述べた硫酸による親
水化処理を施した場合と同様優れた耐熱性と銅の拡散防
止効果発揮するものであることは言うまでもない。
なお、このようにエツチングを２段に分けて行なう理由
は、第１段のエツチング処理によってポリイミド樹脂と
化学的に親和性の高い低分子のジアミンがポリイミド樹
脂の内部に浸透してポリイミドのポリマーとしての化学
的結合を不安定なものとするが、第２段のエツチング処
理によって、その化学的に不安定となった部分を水酸化
第４アンモニウムの如き弱アルカリによって加水分解し
て、最終的に容易にポリイミド樹脂表面を微細な凹凸面
を有する親水化状態とすることができるからである。
は、第１段のエツチング処理によってポリイミド樹脂と
化学的に親和性の高い低分子のジアミンがポリイミド樹
脂の内部に浸透してポリイミドのポリマーとしての化学
的結合を不安定なものとするが、第２段のエツチング処
理によって、その化学的に不安定となった部分を水酸化
第４アンモニウムの如き弱アルカリによって加水分解し
て、最終的に容易にポリイミド樹脂表面を微細な凹凸面
を有する親水化状態とすることができるからである。
この場合第１段のエツチング液と第２段のエツチング液
とを混合してポリイミド樹脂のエツチング処理を行なっ
ても、両液の作用が相殺されてしまうので本発明の効果
は得られない。
とを混合してポリイミド樹脂のエツチング処理を行なっ
ても、両液の作用が相殺されてしまうので本発明の効果
は得られない。
またヒドラジンなどの強還元剤を用いてエツチング処理
を行なった場合には前述したように基板を高温酸化性雰
囲気下に曝すと金属層の密着強度の著しい低下を招く。
を行なった場合には前述したように基板を高温酸化性雰
囲気下に曝すと金属層の密着強度の著しい低下を招く。
上記した２段エツチング処理を施した後、無電解めっき
を施し、さらに本発明による所定の温度での熱処理を施
して得られた基板は、硫酸によるエツチング処理を施し
たものと同様、基板にはんだ等による熱衝撃を加えても
金属層の剥離を生ずることがない。
を施し、さらに本発明による所定の温度での熱処理を施
して得られた基板は、硫酸によるエツチング処理を施し
たものと同様、基板にはんだ等による熱衝撃を加えても
金属層の剥離を生ずることがない。
また、熱処理後における金属層の密着強度はＩＰＣ−Ｔ
Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅ
ｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ＾において平均８．Ｏｆ！ｂ、
／ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおける平均値は７．４ ｌｂ、
／ｉｎ、ときわめで高い値を示し、また該基板を１５０
℃の大気中に１０００時間の保持を行なった後における
金属層の密着強度においてもなお４．Ｏｉｂ、／ｉｎ、
以上の高い値が維持されていて、これはＴＡＢ等の電子
部品に要求される値を十分満足するものであり、また信
頼性も十分高い。
Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅ
ｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ＾において平均８．Ｏｆ！ｂ、
／ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおける平均値は７．４ ｌｂ、
／ｉｎ、ときわめで高い値を示し、また該基板を１５０
℃の大気中に１０００時間の保持を行なった後における
金属層の密着強度においてもなお４．Ｏｉｂ、／ｉｎ、
以上の高い値が維持されていて、これはＴＡＢ等の電子
部品に要求される値を十分満足するものであり、また信
頼性も十分高い。
この２段エツチング処理の第１段において使用される一
般式ＨＪ（ＣＨ２）ｎＮＨｚで表わされるジアミンのｎ
値は２から６までの整数値をとるものがよいが、その理
由は、ジアミンは低分子量に近づくほどポリイミドとの
親和性が高くなり、エツチングが容易になるためで、ｎ
が７を超えるものはポリイミドとの親和性に乏しく十分
なエツチング効果が得られないからである。
般式ＨＪ（ＣＨ２）ｎＮＨｚで表わされるジアミンのｎ
値は２から６までの整数値をとるものがよいが、その理
由は、ジアミンは低分子量に近づくほどポリイミドとの
親和性が高くなり、エツチングが容易になるためで、ｎ
が７を超えるものはポリイミドとの親和性に乏しく十分
なエツチング効果が得られないからである。
また、第２段のエツチング処理において使用される前記
した一般式で表わされる代表的な水酸化第４アンモニウ
ムとしては、次に示すような化合物、即ち水酸化テトラ
メチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム
、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化
ドデシルトリメチルアンモニウム、水酸化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、水酸化ドデシルトリエチルア
ンモニウム、水酸化オクタデシルトリエチルアンモニウ
ム、水酸化ドデシルトリプロピルアンモニウム、水酸化
ベンジルジメチルオクタデシルアンモニウム、水酸化ｐ
−ドデシルベンジルトリメチルアンモニウムなどが挙げ
られ、エツチング液はこれらの水溶液あるいはアルコー
ル溶液の形態で用いることが好ましい。
した一般式で表わされる代表的な水酸化第４アンモニウ
ムとしては、次に示すような化合物、即ち水酸化テトラ
メチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム
、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化
ドデシルトリメチルアンモニウム、水酸化オクタデシル
トリメチルアンモニウム、水酸化ドデシルトリエチルア
ンモニウム、水酸化オクタデシルトリエチルアンモニウ
ム、水酸化ドデシルトリプロピルアンモニウム、水酸化
ベンジルジメチルオクタデシルアンモニウム、水酸化ｐ
−ドデシルベンジルトリメチルアンモニウムなどが挙げ
られ、エツチング液はこれらの水溶液あるいはアルコー
ル溶液の形態で用いることが好ましい。
このようにしてエツチング処理を施したポリイミド樹脂
はその表面にめっき促進のための触媒を付加し、無電解
めっきした後に熱処理を施すものであるが、この熱処理
は前記したようにエツチング処理によって生じた親水性
変質層の化学構造を再改貫する目的でおこなわれるもの
であって、無電解めっきにおいて一般的に行なわれてい
る水分の除去を目的とする７０〜１５０℃における加熱
とは本質的に異なるものである。
はその表面にめっき促進のための触媒を付加し、無電解
めっきした後に熱処理を施すものであるが、この熱処理
は前記したようにエツチング処理によって生じた親水性
変質層の化学構造を再改貫する目的でおこなわれるもの
であって、無電解めっきにおいて一般的に行なわれてい
る水分の除去を目的とする７０〜１５０℃における加熱
とは本質的に異なるものである。
即ち、本発明の熱処理は変質層を熱的に安定でさらに高
温酸化性雰囲気下に長期間保持しても銅の拡散が起り難
い構造に改変するために行なうものであって、このため
に必要な適正温度は熱処理方法によって異なり、例えば
真空加熱炉を用いて加熱処理する場合には１２０℃以上
の温度、好ましくは１５０℃以上の温度が必要であり、
また通常の加熱炉を用い、大気中の不活性ガス雰囲気中
で加熱処理する場合には２５０℃以上の温度が必要であ
る。
温酸化性雰囲気下に長期間保持しても銅の拡散が起り難
い構造に改変するために行なうものであって、このため
に必要な適正温度は熱処理方法によって異なり、例えば
真空加熱炉を用いて加熱処理する場合には１２０℃以上
の温度、好ましくは１５０℃以上の温度が必要であり、
また通常の加熱炉を用い、大気中の不活性ガス雰囲気中
で加熱処理する場合には２５０℃以上の温度が必要であ
る。
熱処理温度がこれらの温度より低い場合には前記変質層
の改変が起り難いが、一方高温での長時間の熱処理はポ
リイミド樹脂の化学構造の分解を引き起こしポリイミド
樹脂自体の持つ優れた緒特性が劣化する。例えば、該基
板を４６０℃に保持した窒素雰囲気の加熱炉で熱処理す
る場合においては、１５分以内の熱処理ではポリイミド
樹脂に化学的変化が起らず、緒特性の変化は見られない
が、１５分以上の熱処理を行なうときはポリイミド樹脂
の化学構造が分解を開始し、該基板の機械的、電気的特
性が劣化するためにこれを電子部品として用いた場合の
信頼性が低下してしまう。
の改変が起り難いが、一方高温での長時間の熱処理はポ
リイミド樹脂の化学構造の分解を引き起こしポリイミド
樹脂自体の持つ優れた緒特性が劣化する。例えば、該基
板を４６０℃に保持した窒素雰囲気の加熱炉で熱処理す
る場合においては、１５分以内の熱処理ではポリイミド
樹脂に化学的変化が起らず、緒特性の変化は見られない
が、１５分以上の熱処理を行なうときはポリイミド樹脂
の化学構造が分解を開始し、該基板の機械的、電気的特
性が劣化するためにこれを電子部品として用いた場合の
信頼性が低下してしまう。
このように熱処理の条件は、熱処理法の種類、加熱温度
、および加熱時間、等において相互に密接に交絡した関
係を有するために一部に定めることができず、実施に際
して予備実験等により熱処理条件を求めておくことが望
ましい。
、および加熱時間、等において相互に密接に交絡した関
係を有するために一部に定めることができず、実施に際
して予備実験等により熱処理条件を求めておくことが望
ましい。
本発明において適用されるポリイミド樹脂は、ポリアミ
ド酸のアミド基とカルボキシル基を熱的あるいは化学的
に脱水縮合することによりイミドＶヒしたものであれば
よく、例えば次の化学式を持つＫａｐｔｏｎ （デュポ
ン（社）の商標）型のものや、次の化学式を持つＵｐｉ
ｌｅｘ Ｓ （宇部興産（社）の商標）型のものなどで
ある。
ド酸のアミド基とカルボキシル基を熱的あるいは化学的
に脱水縮合することによりイミドＶヒしたものであれば
よく、例えば次の化学式を持つＫａｐｔｏｎ （デュポ
ン（社）の商標）型のものや、次の化学式を持つＵｐｉ
ｌｅｘ Ｓ （宇部興産（社）の商標）型のものなどで
ある。
本発明において熱処理を行なう工程はポリイミド樹脂に
対し所望されるめっきの部位によって異なる。即ちポリ
イミド樹脂表面の一部にめっきを施す場合には、本発明
による熱処理は無電解めっき後、あるいはそれに引き続
き行なわれる電解めっき後のどちらでも構わない。これ
は熱処理によって発生する水蒸気がめっきを施していな
いポリイミド樹脂表面から透過逸出するため、めっき界
面の膨れやめつき層の剥離が起らないからである。
対し所望されるめっきの部位によって異なる。即ちポリ
イミド樹脂表面の一部にめっきを施す場合には、本発明
による熱処理は無電解めっき後、あるいはそれに引き続
き行なわれる電解めっき後のどちらでも構わない。これ
は熱処理によって発生する水蒸気がめっきを施していな
いポリイミド樹脂表面から透過逸出するため、めっき界
面の膨れやめつき層の剥離が起らないからである。
一方ポリイミド樹脂の全面にめっきを施す場合には無電
解めっき後乃至は５μｍ以下の薄い電解めっき層が形成
された段階で熱処理を施す必要がある。これはポリイミ
ド樹脂表面の全面に銅めっき層を５μｍを超えて形成し
た後に熱処理を施した場合には、熱処理によって発生し
た水蒸気が銅被膜を透過しきれないためにめっき層の界
面で膨れを生じたり、めっき層の薄利を起こしたりする
危険性があるからである。
解めっき後乃至は５μｍ以下の薄い電解めっき層が形成
された段階で熱処理を施す必要がある。これはポリイミ
ド樹脂表面の全面に銅めっき層を５μｍを超えて形成し
た後に熱処理を施した場合には、熱処理によって発生し
た水蒸気が銅被膜を透過しきれないためにめっき層の界
面で膨れを生じたり、めっき層の薄利を起こしたりする
危険性があるからである。
また、本発明において行なわれる熱処理は無電解めっき
基板の製造工程において実施せずに、この基板を利用し
て製造される各種のプリント配線板の製造工程において
実施することもできる。即ち通常このようなプリント配
線板は無電解めっき法によって得られた銅ポリイミド基
板をバターニング処理によって所望の幅の金属層が形成
されるようにパターン化を行なった後、遊離シアンまた
はシアン化合物含有液を用いて該金属層をめっきするこ
とによって得られるのであるが、このようにして得られ
た配線板において往々にして基板面から金属層が剥離す
る現象が見られ、製品の信頼性を損なっていた。本発明
者等はこの現象についても究明を行なった結果、この現
象はパターニング処理によって無電解めっき前処理によ
って形成されたポリイミド樹脂の変質層が基板面に露出
し、これがシアンまたはシアン化合物含有液によって溶
解されるため基板表面金属層の被着状態が不安定となっ
て剥離を生ずるものであることが確認された。
基板の製造工程において実施せずに、この基板を利用し
て製造される各種のプリント配線板の製造工程において
実施することもできる。即ち通常このようなプリント配
線板は無電解めっき法によって得られた銅ポリイミド基
板をバターニング処理によって所望の幅の金属層が形成
されるようにパターン化を行なった後、遊離シアンまた
はシアン化合物含有液を用いて該金属層をめっきするこ
とによって得られるのであるが、このようにして得られ
た配線板において往々にして基板面から金属層が剥離す
る現象が見られ、製品の信頼性を損なっていた。本発明
者等はこの現象についても究明を行なった結果、この現
象はパターニング処理によって無電解めっき前処理によ
って形成されたポリイミド樹脂の変質層が基板面に露出
し、これがシアンまたはシアン化合物含有液によって溶
解されるため基板表面金属層の被着状態が不安定となっ
て剥離を生ずるものであることが確認された。
従ってシアン液を用いて基板にめっきを施す前に基板に
１２０〜４２０℃の温度範囲で熱処理を施すことによっ
て、前記変質層をイミド化し遊離シアンまたはシアン化
合物に溶解し難いものに変質させれば、基板金属層の剥
離現象を防止することができる。
１２０〜４２０℃の温度範囲で熱処理を施すことによっ
て、前記変質層をイミド化し遊離シアンまたはシアン化
合物に溶解し難いものに変質させれば、基板金属層の剥
離現象を防止することができる。
また、本発明においては熱処理雰囲気も特に限定される
ものではない。即ち大気中、不活性ガス中または真空中
の何れの雰囲気下においても同等の成果を得ることがで
きる。しかし、大気中における長時間の熱処理は基板に
おける銅のポリイミド樹脂中への拡散が徐々に進行し、
その結果基板に対する金属層の密着強度の低下を招くこ
と、また銅層の酸化が起り易くなることなどから、無酸
素雰囲気下での熱処理が最も推奨される。
ものではない。即ち大気中、不活性ガス中または真空中
の何れの雰囲気下においても同等の成果を得ることがで
きる。しかし、大気中における長時間の熱処理は基板に
おける銅のポリイミド樹脂中への拡散が徐々に進行し、
その結果基板に対する金属層の密着強度の低下を招くこ
と、また銅層の酸化が起り易くなることなどから、無酸
素雰囲気下での熱処理が最も推奨される。
（実施例）
次に本発明の実施例について述べる。
なお、本実施例においては、
Ａ、実施例１〜実施例１９において、ポリイミド樹脂氾
工・・チングに硫酸を使用した場合の基板の特性および
この基板を使用してＴＡＢテープを作成した場合の該テ
ープの特性について、比較例１〜４と対比して示し、ま
た、 Ｂ、実施例２０〜実施例４０において、ポリイミド樹脂
のエツチングを２段に分けて行ない、第１段のエツチン
グをジアミンにて第２段のエツチングを水酸化第４アン
モニウムにて行なう場合の基板の特性およびこの基板を
使用してＴＡＢテープを作成した場合の該テープの特性
について、比較例５〜９と対比して示した。
工・・チングに硫酸を使用した場合の基板の特性および
この基板を使用してＴＡＢテープを作成した場合の該テ
ープの特性について、比較例１〜４と対比して示し、ま
た、 Ｂ、実施例２０〜実施例４０において、ポリイミド樹脂
のエツチングを２段に分けて行ない、第１段のエツチン
グをジアミンにて第２段のエツチングを水酸化第４アン
モニウムにて行なう場合の基板の特性およびこの基板を
使用してＴＡＢテープを作成した場合の該テープの特性
について、比較例５〜９と対比して示した。
Ａ、ポリイミド のエツチング にて ｔｊ場令
。
。
実施例１
東し・デュポン（社）製にａｐｔｏｎ ２０ＯＨ型のポ
リイミド樹脂フィルム３０ｃｍ Ｘ ３０ａｎ試料の片
面をシールして、９０重量％の硫酸を含有する２５℃の
水溶液に１分間浸漬してエツチング処理を施し、水洗後
奥野製薬（社）製０ＰＣ−８０キャタリストＭを使用し
て２５℃で５分間の触媒付与処理を施し、充分に水洗を
した後奥野製薬（社）製０ＰＣ−５５５アクセレーター
を使用して２５℃で７分間の促進処理を行なった。さら
に水洗後２０℃で２分間フィルム表面の乾燥を行なった
。以上の前処理を行なった後、以下に示す条件で銅の無
電解めっきを行なった。
リイミド樹脂フィルム３０ｃｍ Ｘ ３０ａｎ試料の片
面をシールして、９０重量％の硫酸を含有する２５℃の
水溶液に１分間浸漬してエツチング処理を施し、水洗後
奥野製薬（社）製０ＰＣ−８０キャタリストＭを使用し
て２５℃で５分間の触媒付与処理を施し、充分に水洗を
した後奥野製薬（社）製０ＰＣ−５５５アクセレーター
を使用して２５℃で７分間の促進処理を行なった。さら
に水洗後２０℃で２分間フィルム表面の乾燥を行なった
。以上の前処理を行なった後、以下に示す条件で銅の無
電解めっきを行なった。
（浴組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０： １０ｇ／ｌ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ ：３０ｇ／Ｊ）３７％ＨＣＨ
Ｏ： ５＋Ｊ！／Ｊ２ ジピリジル ：１０■／β ＰＥＧ ＃１０００ ： ０．５ ｇ／ｌＱ（め
っき条件） 温 度 ：６５℃ 攪 拌 ：空 気 時 間 ：５分間 得られた無電解銅めっき被膜厚さは０．２μｍであった
。
Ｏ： ５＋Ｊ！／Ｊ２ ジピリジル ：１０■／β ＰＥＧ ＃１０００ ： ０．５ ｇ／ｌＱ（め
っき条件） 温 度 ：６５℃ 攪 拌 ：空 気 時 間 ：５分間 得られた無電解銅めっき被膜厚さは０．２μｍであった
。
その後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度ｉｏ−’
ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／分で昇温し、４００
’Ｃに１時間の熱処理を施した後、室温まで冷却ｄた。
ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０℃／分で昇温し、４００
’Ｃに１時間の熱処理を施した後、室温まで冷却ｄた。
さらに該基板を以下に示す条件にて銅の電解めっきを施
した。
した。
（浴組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０： ８０ｇ／Ｎ
Ｈ２ＳＯ４： １５０ ｇ／Ω
（電解条件）
温 度 ：２５℃
陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２
撹 拌 ：空気およびカソードロッカー
時 間 ：１時間
得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ ＡＳ ｒｅ−ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａに
おける平均値は９．８ ｌｂ、／ｉｎ。
密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４
．９ ＡＳ ｒｅ−ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａに
おける平均値は９．８ ｌｂ、／ｉｎ。
て゛あり、また、ＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおける平均値は８．２ｆ！ｂ、／
ｉｎ、であった。
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおける平均値は８．２ｆ！ｂ、／
ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されることが確認された
。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されることが確認された
。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性を有するものであることを示すも
のである。
た場合に十分な信頼性を有するものであることを示すも
のである。
実施例２
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のＫａｐｔｏ
ｎ １００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例１−と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
ｎ １００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例１−と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）！−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）Ｉｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．０ ｆｂ、／
ｉｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈ−
ｏｄ ２．４．．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ
ｏａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｆｂ、
／ｉｎ、であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）Ｉｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．０ ｆｂ、／
ｉｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈ−
ｏｄ ２．４．．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ
ｏａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｆｂ、
／ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．２ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．２ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
まな該基板の場所による密着強度の違いは侃かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のにａｐｔＯ
ｎ ５００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ｎ ５００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．９ｊ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．５ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．９ｊ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．５ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中にｉ ｏｏｏ時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．６ ｊ！ｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．６ ｊ！ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かでありて
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例４
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のにａｔ）ｔ
ｏｎ ２０ＯＶ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外
は実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
ｏｎ ２０ＯＶ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外
は実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾Ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．８４！ｂ、／ｉｎ
、であり、また、ＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．２１ｔｂ、／ｉ
ｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾Ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．８４！ｂ、／ｉｎ
、であり、また、ＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．２１ｔｂ、／ｉ
ｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中にｉ ｏｏｏ時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．４ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．４ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例５
ポリイミド樹脂を宇部興産（社）製のＵｐｉｌｅｘ５０
ｓｓ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は実施例１
と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ｓｓ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は実施例１
と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．２ｊ！ｂ、／ｉｎ
、であり、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．４．
９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ Ｃにおいて平均８．６ ｌｂ、／ｉｎ、であった
。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．２ｊ！ｂ、／ｉｎ
、であり、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．４．
９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅｔｈ
ｏｄ Ｃにおいて平均８．６ ｌｂ、／ｉｎ、であった
。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．６１Ｆｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．６１Ｆｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは僅か
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例６
ポリイミド樹脂を鐘淵化学工業（社）製のＮＰＩ３０型
ポリイミド樹脂フイルムとした以外は実施例１と同様な
手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ポリイミド樹脂フイルムとした以外は実施例１と同様な
手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおイテ平均９．８１）ｂ、／ｉｎ
、て′あり、また、ＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．９ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおイテ平均９．８１）ｂ、／ｉｎ
、て′あり、また、ＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．９ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．６ ｉＰｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．６ ｉＰｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは僅か
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例７
実施例１と同様のポリイミド樹脂フィルムを使用して、
その片面をシールせずにポリイミドフィルム全面に実施
例１と同様の手順で銅被膜の形成と熱処理とを行なって
銅ポリイミド基板を作成し、た。
その片面をシールせずにポリイミドフィルム全面に実施
例１と同様の手順で銅被膜の形成と熱処理とを行なって
銅ポリイミド基板を作成し、た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｆｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．８ ｆｂ、／ｉ
ｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．７ ｆｌｂ、／
ｉｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｆｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．８ ｆｂ、／ｉ
ｎ、であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔｈ−ｏ
ｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．７ ｆｌｂ、／
ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．８ｆｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．８ｆｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは僅か
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例８
ポリイミド樹脂フィルム表面のエツチングを３０重量％
の硫酸を含む水溶液を用いて５０℃で５分間行なった以
外は実施例１と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使
用し、実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成
した。
の硫酸を含む水溶液を用いて５０℃で５分間行なった以
外は実施例１と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使
用し、実施例１と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成
した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）！−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．６ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０）１ｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ｉｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．６ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０）１ｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ｉｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例９
ポリイミド樹脂フィルム表面のエツチングを９８重量％
の硫酸を含む水溶液（濃硫酸）を用いて室温で１０秒間
行なった以外は実施例１と同様の型のポリイミド樹脂フ
ィルムを使用し、実施例１と同様の手順で銅ポリイミド
基板を作成した。
の硫酸を含む水溶液（濃硫酸）を用いて室温で１０秒間
行なった以外は実施例１と同様の型のポリイミド樹脂フ
ィルムを使用し、実施例１と同様の手順で銅ポリイミド
基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１１．２Ｉｌｂ、 ／
ｉ ｎ、て′あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔ
ｈｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏ
ａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均９．７ ｌｂ、／
ｉｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１１．２Ｉｌｂ、 ／
ｉ ｎ、て′あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔ
ｈｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏ
ａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均９．７ ｌｂ、／
ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．Ｏｉｂ、／＋ｎ、であツタ。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．Ｏｉｂ、／＋ｎ、であツタ。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１０
ポリイミド樹脂フィルムの全面に無電解めっきを施した
後に該表面に厚さ５μｍの銅の電解めっきを施し、その
後これに熱処理を加えた以外は材料、手順ともに実施例
７と同様にして銅ポリイミド基板を作成した。
後に該表面に厚さ５μｍの銅の電解めっきを施し、その
後これに熱処理を加えた以外は材料、手順ともに実施例
７と同様にして銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．Ｌ９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均６．９ ｌｂ、／ｉｎ、
であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０ｔ４ｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．４ ｆｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．Ｌ９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均６．９ ｌｂ、／ｉｎ、
であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０ｔ４ｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．４ ｆｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．０ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．０ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１１
無電解めっき後の熱処理を行なわず、厚さ３５μｍ１７
）銅の電解めっき被膜を形成させた後に熱処理を行なっ
た以外は材料、手順ともに実施例１と同様にして銅ポリ
イミド基板を作成した。
）銅の電解めっき被膜を形成させた後に熱処理を行なっ
た以外は材料、手順ともに実施例１と同様にして銅ポリ
イミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＩ（−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．４１１ｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．８ ｆｌｂ、／ｉｎ
、であツタ。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．４１１ｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．８ ｆｌｂ、／ｉｎ
、であツタ。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１２
熱処理を施すに際して真空加熱炉の昇温速度を３０℃／
分とし、４２０’Ｃにて１時間の加熱を行なった以外は
実施例１と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板を
作成した。
分とし、４２０’Ｃにて１時間の加熱を行なった以外は
実施例１と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板を
作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾Ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．４Ｊｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｎｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．２１１ｂ、／ｉｎ、
であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾Ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．４Ｊｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｎｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８．２１１ｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１ｏｏｏ時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．８ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．８ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＭ８等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１３
熱処理を施すに際して真空加熱炉の昇温速度を２０℃／
分とし、１５０℃にて２４時間の加熱を行なった以外は
実施例１と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板を
作成した。
分とし、１５０℃にて２４時間の加熱を行なった以外は
実施例１と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板を
作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７゜４ ｌｂ、／ｉｎ、
テあツタ。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７゜４ ｌｂ、／ｉｎ、
テあツタ。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は偏かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
るのが確認された。
は偏かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
るのが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１４
熱処理を２５０℃にて１２時間行なった以外は実施例１
と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．５１ｂ、／ｉｎ、
であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２、
４．９＾ｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅｔ
ｈｏｄ Ｃにおいて平均７．２４！ｂ、／ｉｎ、であっ
た。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．５１ｂ、／ｉｎ、
であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２、
４．９＾ｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅｔ
ｈｏｄ Ｃにおいて平均７．２４！ｂ、／ｉｎ、であっ
た。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．２ Ｒｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．２ Ｒｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は僅かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１５゛
熱処理を４００℃の窒素雰囲気に保持した加熱炉中で行
なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポリイミ
ド基板を作成した。
なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポリイミ
ド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０１４ｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉＶｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ＾において平均１０．６ｉｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｔｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．４ ｉｂ、／ｉｎ
、であった。
０１４ｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉＶｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ＾において平均１０．６ｉｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｈｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｔｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．４ ｉｂ、／ｉｎ
、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであり、はぼ均一なめっき被膜が形成されている
ことが確認された。
は僅かであり、はぼ均一なめっき被膜が形成されている
ことが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１６
熱処理を４００℃の大気雰囲気中に保持された通常の加
熱炉中で行なった以外は実施例６と同様の材料、手順で
片面に銅被膜を形成した銅ポリイミド基板を作成した。
熱炉中で行なった以外は実施例６と同様の材料、手順で
片面に銅被膜を形成した銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８゜７ ｌｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｎｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．２ ｌｂ、／ｉｎ、
であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９＾ｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８゜７ ｌｂ、／ｉｎ、
であり、また、ＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｎｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．２ ｌｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１ｏｏｏ時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定しなところ、その値は
３．１ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定しなところ、その値は
３．１ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１７
熱処理を４８０℃の窒素雰囲気に保持した加熱炉中で５
分間行なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポ
リイミド基板を作成した。
分間行なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポ
リイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−丁）１−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．１１！ｂ、
／ ｉ ｎ、て°あり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｈ
ｅｔ−ｈｏｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ
ｆｌｏａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．ｔ６
ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均１０．１１！ｂ、
／ ｉ ｎ、て°あり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｈ
ｅｔ−ｈｏｄ ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ
ｆｌｏａｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．ｔ６
ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５（＞℃の大気中で１０００時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定しなところ、その値
は３．９ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定しなところ、その値
は３．９ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は価かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は価かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例１８
実施例１と同様の材料、手順で作成した銅ポリイミド基
板を用い、以下の工程によってＴＡＢテープを製造した
。即ち、先ず得られた基板の銅被膜上にネガ型フォトレ
ジストを厚さ４０μｍに均一に塗布し、７０℃で２０分
間乾燥しな。その後インナーリード部においてリード幅
７０Ａｔｍ 、リード間隔６０μｍのリードが形成され
るように基板上にマスキングを施し、フォトレジスト層
に１０００ ｍＪ １ｃｎ２の紫外線を照射した後レジ
スト層の現像を行なった。
板を用い、以下の工程によってＴＡＢテープを製造した
。即ち、先ず得られた基板の銅被膜上にネガ型フォトレ
ジストを厚さ４０μｍに均一に塗布し、７０℃で２０分
間乾燥しな。その後インナーリード部においてリード幅
７０Ａｔｍ 、リード間隔６０μｍのリードが形成され
るように基板上にマスキングを施し、フォトレジスト層
に１０００ ｍＪ １ｃｎ２の紫外線を照射した後レジ
スト層の現像を行なった。
その後露出しな銅の無電解めっき被膜上に以下に示す条
件で銅の電解めっきを行なった。
件で銅の電解めっきを行なった。
（浴組成）
ＣｔＪＳＯ４・５Ｈ２０： ８０ｇ／１１１２３０４
＋ １８０ ｇ／ＩＪ（電解条件） 温 度 ：２５℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 攪 拌 ：空気およびカソードロッカー 時 間 ：１時間 その後レジスト層の剥離除去を行ない、露出した無電解
めっき銅被膜を電解めっき銅被膜をマスクとして２０重
量％塩化第２銅水溶液を用い２５℃で１分間の剥離処理
を行なった。
＋ １８０ ｇ／ＩＪ（電解条件） 温 度 ：２５℃ 陰極電流密度 ： ３Ａ／ｄｍ２ 攪 拌 ：空気およびカソードロッカー 時 間 ：１時間 その後レジスト層の剥離除去を行ない、露出した無電解
めっき銅被膜を電解めっき銅被膜をマスクとして２０重
量％塩化第２銅水溶液を用い２５℃で１分間の剥離処理
を行なった。
その後肢基板の全面にゴム系フォトレジストを厚さ５μ
ｍに均一に塗布した後、デバイスホール開孔用のマスク
を銅リードがデバイスホール内に位置するようにしてポ
リイミド樹脂とゴム系フォトレジストとによって構成さ
れた面に位置合せしてフォトレジスト層の露光および現
像を行ない、しかる後肢基板を４０℃の抱水ヒドラジン
溶液に１５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解を行なっ
た後、ゴム系フォトレジストの剥離を行なった。
ｍに均一に塗布した後、デバイスホール開孔用のマスク
を銅リードがデバイスホール内に位置するようにしてポ
リイミド樹脂とゴム系フォトレジストとによって構成さ
れた面に位置合せしてフォトレジスト層の露光および現
像を行ない、しかる後肢基板を４０℃の抱水ヒドラジン
溶液に１５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解を行なっ
た後、ゴム系フォトレジストの剥離を行なった。
以上の工程を経ることによってリード厚さ３５μｍ、リ
ード幅７０μｍ、リード間隔７０μｍの銅リード部を持
つＴＡＢテープを得ることができた。
ード幅７０μｍ、リード間隔７０μｍの銅リード部を持
つＴＡＢテープを得ることができた。
このＴＡＢテープを電子部品として使用した場合電気的
、機械的、耐熱性に優れているばかりでなく、長期間に
亘る熱的安定性においても充分ｔこ信頼し得るものであ
り、その製造に際しては銅層の剥離等の問題もなく安定
した製造を行なうことができた。
、機械的、耐熱性に優れているばかりでなく、長期間に
亘る熱的安定性においても充分ｔこ信頼し得るものであ
り、その製造に際しては銅層の剥離等の問題もなく安定
した製造を行なうことができた。
実施例１９
実施例１８において熱処理を銅ポリイミド基板製造工程
中にて行なわずに、次工程の銅リード部の回路形成を行
なった基板に対して４００’Ｃに保持した窒素ガス雰囲
気加熱炉中で１時間の加熱保持をすることによって行な
い、その後肢基板の銅層上にシアン化金カリウムを１７
ｇ／、ｆ！の濃度で含有するエヌ・イー・ケムキャット
（社）製金メツキ液Ｎ−４４を用いて以下の条件で金め
つきを行なった。
中にて行なわずに、次工程の銅リード部の回路形成を行
なった基板に対して４００’Ｃに保持した窒素ガス雰囲
気加熱炉中で１時間の加熱保持をすることによって行な
い、その後肢基板の銅層上にシアン化金カリウムを１７
ｇ／、ｆ！の濃度で含有するエヌ・イー・ケムキャット
（社）製金メツキ液Ｎ−４４を用いて以下の条件で金め
つきを行なった。
（めっき条件）
温 度 ニア０℃
陰極電流密度 ：ＩＡ／ｃ１ｍ”
攪 拌 ：カンードロッカー時 間
：９分間 得られたＴＡＢテープの基板上におけるめっき層の剥離
は生ぜず、このＴＡＢテープは電気的、機械的には勿論
のこと、短期、長期の熱的特性にも優れているので電子
材料として十分に信頼性のあるものである。
：９分間 得られたＴＡＢテープの基板上におけるめっき層の剥離
は生ぜず、このＴＡＢテープは電気的、機械的には勿論
のこと、短期、長期の熱的特性にも優れているので電子
材料として十分に信頼性のあるものである。
なお実施例１８および本実施例においてはＴＡＢテープ
の製造法について述べたが、これとほぼ同様な製造工程
を有する他の回路配線板、例えば、プリント配線板、フ
レキシブルプリント回路等の種々の電子部品の製造への
実施についても同様に優れた効果を発揮し得ることが確
認されている。
の製造法について述べたが、これとほぼ同様な製造工程
を有する他の回路配線板、例えば、プリント配線板、フ
レキシブルプリント回路等の種々の電子部品の製造への
実施についても同様に優れた効果を発揮し得ることが確
認されている。
比較例１
ポリイミド樹脂表面のエツチングを５０重量％の抱水し
ドラジン水溶液を用い、室温で２分間処理した以外は実
施例１と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
ドラジン水溶液を用い、室温で２分間処理した以外は実
施例１と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．２ ｌｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいては平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．２ ｌｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいては平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
しかし、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
０．８ Ｊｂ、／ｉｎ、に低下した。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
０．８ Ｊｂ、／ｉｎ、に低下した。
従ってこの基板を用いてＴＡＢ等の電子部品を作成した
場合、長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判かった。
場合、長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判かった。
比較例２
無電解めっき後の熱処理は行なわず、その他は実施例１
と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成した。
と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
、４．９＾ｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいては平均０．９ ｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
、４．９＾ｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいては平均０．９ ｌｂ、／ｉｎ、で
あった。
従ってこの基板を用いてＴＡＢ等の電子部品を作成した
場合、リードとＩｃとのボンディングを行なうに際して
該基板からリードが剥離する可蛯性があるため、使用に
際しての信頼性に欠けるという問題があることが判かっ
た。
場合、リードとＩｃとのボンディングを行なうに際して
該基板からリードが剥離する可蛯性があるため、使用に
際しての信頼性に欠けるという問題があることが判かっ
た。
比較例３
無電解めっき後の熱処理を大気中において２０℃で２４
時間行なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポ
リイミド基板を作成した。
時間行なった以外は実施例１と同様の材料、手順で銅ポ
リイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板より銅被膜の剥離を
生じた。
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板より銅被膜の剥離を
生じた。
従ってこの基板はＴＡＢ等の電子部品として使用するこ
とができないことが判かった。
とができないことが判かった。
比較例４′
無電解めっき後の熱処理を大気中で４３０℃にて３０分
間行なう以外は実施例１と同様の材料、手順にて銅ポリ
イミド基板を作成した。
間行なう以外は実施例１と同様の材料、手順にて銅ポリ
イミド基板を作成した。
得られた基板はポリイミド樹脂の一部が炭化していた。
よってこのような高温での熱処理を施した基板はＴＡＢ
等の電子部品への使用はできないことが判かった。
等の電子部品への使用はできないことが判かった。
実施例２０
東し・デュポン（社）製にａｐｔｏｎ ２０ＯＨ型のポ
リイミド樹脂フィルム３０ａｕ Ｘ ３０ｃｎ試料の片
面をシールし、２５℃のエチレンジアミンに５分間浸漬
して第１段のエツチング処理を施し、水洗後２０重量％
の水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液に５分間浸漬
して第２段のエツチング処理を施しな後充分に水洗し、
奥野製薬（社）製０ＰＣ−８０キャタリストＭを使用し
て２５℃で５分間の触媒付与処理を施し、再び水洗をし
た後奥野製薬（社）製０ＰＣ５５５アクセレーターを使
用して２５℃で７分間の促進処理を行ない、これを充分
に水洗をした。以上の前処理を行なった後片面に施した
シールを除去し、以下に示す条件で銅の無電解めっきを
行なった。
リイミド樹脂フィルム３０ａｕ Ｘ ３０ｃｎ試料の片
面をシールし、２５℃のエチレンジアミンに５分間浸漬
して第１段のエツチング処理を施し、水洗後２０重量％
の水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液に５分間浸漬
して第２段のエツチング処理を施しな後充分に水洗し、
奥野製薬（社）製０ＰＣ−８０キャタリストＭを使用し
て２５℃で５分間の触媒付与処理を施し、再び水洗をし
た後奥野製薬（社）製０ＰＣ５５５アクセレーターを使
用して２５℃で７分間の促進処理を行ない、これを充分
に水洗をした。以上の前処理を行なった後片面に施した
シールを除去し、以下に示す条件で銅の無電解めっきを
行なった。
（浴組成〉
ＣｕＳＯ４・５Ｍ２０ ： １０ｇ、／Ｊ）ＥＤＴＡ
・２Ｎａ ： ３０ｇ／、１）３７％ＨＣＨＯ
： ５Ｊ／、１！ ジピリジル ；１０■／ρ ＰＥＧ ＃１０００ ： ０．５ ｇ／、１）（
めっき条件） 温 度 ：６５℃ 攪 拌 ：空 気 時 間 ：５分間 得られた無電解銅めっき被膜厚さは０．２μｍであった
。
・２Ｎａ ： ３０ｇ／、１）３７％ＨＣＨＯ
： ５Ｊ／、１！ ジピリジル ；１０■／ρ ＰＥＧ ＃１０００ ： ０．５ ｇ／、１）（
めっき条件） 温 度 ：６５℃ 攪 拌 ：空 気 時 間 ：５分間 得られた無電解銅めっき被膜厚さは０．２μｍであった
。
その後、該基板を真空加熱炉に静置して真空度ｉｏ ’
ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０’Ｃ／分で加熱し、４０
０℃に一時間の熱処理を施した後、室温まで冷却した。
ｔｏｒｒにおいて昇温速度１０’Ｃ／分で加熱し、４０
０℃に一時間の熱処理を施した後、室温まで冷却した。
さらに該基板を以下に示す条件にて銅の電解めっきを施
した。
した。
（浴組成）
ＣｕＳＯ４−５Ｈ２０： ８０ｇ／１
Ｈ２ｓＯ４： １５０ ｇ／ｆＪ
（電解条件）
温 度 ：２５℃
陰極電流密度 ：３Ａ／ｄｍ２
攪 拌 ；空気およびカソードロッカー
時 間 ：１時間
得られた基板の銅被膜の厚さは３５μｍであって、その
密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０）１ｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓ ｒｅ−ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ
Ａにおいて平均は８．０ ｌｂ、／＋ｎ、であり、また
、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａ
ｆｔｅｒ ｓ。
密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０）１ｅｔｈｏｄ ２
．４．９ Ａｓ ｒｅ−ｃｅｉｖｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ
Ａにおいて平均は８．０ ｌｂ、／＋ｎ、であり、また
、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａ
ｆｔｅｒ ｓ。
−ｄｅｒ ｆｌｏａｔ ）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平
均７．４ｆ！ｂ、 ／ ｉ ｎ。
均７．４ｆ！ｂ、 ／ ｉ ｎ。
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．３ ｊｏｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．３ ｊｏｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜か形成されることが確認された
。
、はぼ均一なめつき被膜か形成されることが確認された
。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性を有するものであることを示すも
のである。
た場合に十分な信頼性を有するものであることを示すも
のである。
実施例２１
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のＫａｌ）ｔ
ｏｎ １００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外
は実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
ｏｎ １００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外
は実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．８ Ｊｂ、／ｉｎ
、であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｈｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにお０て平均７．１ ｌｂ、／Ｉｎ
、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．８ Ｊｂ、／ｉｎ
、であり、また、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｈｅｔ−ｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにお０て平均７．１ ｌｂ、／Ｉｎ
、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｊｏｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｊｏｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されて１）ることか確認
された。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されて１）ることか確認
された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２２
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のＫａｐｔｏ
ｎ ５００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
ｎ ５００Ｈ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ ｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｔｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ
、であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ ＡＳ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ ）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ ｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｔｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ
、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
１５ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
１５ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２３
ポリイミド樹脂を東し・デュポン（社）製のＫａｐｔｏ
ｎ ２０ＯＶ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
ｎ ２０ＯＶ型のポリイミド樹脂フィルムとした以外は
実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）！−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．２ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｌｂ、／ｉｎ、
であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．２ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｌｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．４ Ｊｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．４ Ｊｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２４
ポリイミド樹脂を宇部興産（社）製のＵｐｉｌｅＸ５０
ＳＳ型ポリイミド樹脂フィルムとした以外は実施例２０
と同様な手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ＳＳ型ポリイミド樹脂フィルムとした以外は実施例２０
と同様な手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
！４ｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．６１１ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−１Ｍ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．７ ｉｂ、／ｉｎ、
であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
！４ｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．６１１ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−１Ｍ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．７ ｉｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．８ ｊ）ｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．８ ｊ）ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは僅か
であって、はぼ均一なめっき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめっき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２５
ポリイミド樹脂を鐘淵化学工業（社）製のＮＰＩ３０型
ポリイミド樹脂フイルムとした以外は実施例２０と同様
な手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ポリイミド樹脂フイルムとした以外は実施例２０と同様
な手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．３１）ｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０１ｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ ）ｉ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ、で
あッｆ、Ｈ０さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０
００時間保持した後、銅被膜の密着強度を測定したとこ
ろ、その値は４．４ ｉｂ、／ｉｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．３１）ｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０１ｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ ）ｉ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．６ ｌｂ、／ｉｎ、で
あッｆ、Ｈ０さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０
００時間保持した後、銅被膜の密着強度を測定したとこ
ろ、その値は４．４ ｉｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは保か
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめつき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２６
実施例２０と同様のポリイミド樹脂フィルムを使用して
、その片面をシールせずにポリイミドフィルム全面に実
施例２０と同様の手順で銅被膜の形成と熱処理とを行な
って銅ポリイミド基板を作成した。
、その片面をシールせずにポリイミドフィルム全面に実
施例２０と同様の手順で銅被膜の形成と熱処理とを行な
って銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｌｂ、／＋ｎ
、であり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．５ ｆｂ、／ｉｎ、であ
った。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｌｂ、／＋ｎ
、であり、またＩＰＣ−丁Ｍ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２．
４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍｅ
ｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．５ ｆｂ、／ｉｎ、であ
った。
さらに、該基板を１５０℃の大気中に１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．９ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．９ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による銅被膜の密着強度の違いは僅か
であって、はぼ均一なめっき被膜が形成されていること
が確認された。
であって、はぼ均一なめっき被膜が形成されていること
が確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２７
ポリイミド樹脂フィルム表面を２５℃のエチレンジアミ
ン−水和物に１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度２０重量％の水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液に２５℃で５分間浸漬して第
２段のエツチング処理を施した以外は実施例２０と同様
の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し、実施例２０と
同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ン−水和物に１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度２０重量％の水酸化テトラ
メチルアンモニウム水溶液に２５℃で５分間浸漬して第
２段のエツチング処理を施した以外は実施例２０と同様
の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し、実施例２０と
同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．９ ｊ２ｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２、Ｌ９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．（Ｈ！ｂ、／印、て
゛あった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｌｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．９ ｊ２ｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２、Ｌ９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．（Ｈ！ｂ、／印、て
゛あった。
さらに、該基板を１５０’Ｃの大気中で１０００時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は４．０ Ｊｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は４．０ Ｊｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２８
ポリイミド樹脂フィルム表面を２５℃のエチレンジアミ
ンに５分間浸漬して第１−段のエツチング処理を施した
後水洗し、濃度１０重量％の水酸化テトラブチルアンモ
ニウム水溶液に５０℃で５分間浸漬して第２段のエツチ
ング処理を施した以外は実施例２０と同様の型のポリイ
ミド樹脂フィルムを使用し、実施例２０と同様の手順で
銅ポリイミド基板を作成した。
ンに５分間浸漬して第１−段のエツチング処理を施した
後水洗し、濃度１０重量％の水酸化テトラブチルアンモ
ニウム水溶液に５０℃で５分間浸漬して第２段のエツチ
ング処理を施した以外は実施例２０と同様の型のポリイ
ミド樹脂フィルムを使用し、実施例２０と同様の手順で
銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．２ Ｊｂ、／ｉｎ
、て′あり、またＩＰＣ−王！４−６５０ Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ａｂ、／ｉｎ
、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．２ Ｊｂ、／ｉｎ
、て′あり、またＩＰＣ−王！４−６５０ Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ａｂ、／ｉｎ
、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例２９
ポリイミド樹脂フィルム表面を２５℃のエチレンジアミ
ン−水和物に１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度４０重量％の水酸化ベンジ
ルトリメチルアンモニウム水溶液に５０℃で１０分間浸
漬して第２段のエツチング処理を施した以外は実施例２
０と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し、実施
例２０と同様の手順て銅ポリイミド基板を作成しな。
ン−水和物に１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度４０重量％の水酸化ベンジ
ルトリメチルアンモニウム水溶液に５０℃で１０分間浸
漬して第２段のエツチング処理を施した以外は実施例２
０と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し、実施
例２０と同様の手順て銅ポリイミド基板を作成しな。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｆｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．６ ｆｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）Ｉｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．０ ｆｂ、／ｉｎ
、”であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
）ｆｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．６ ｆｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）Ｉｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．０ ｆｂ、／ｉｎ
、”であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．１ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．１ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３０
ポリイミド樹脂フィルム表面を２５℃のエチレンジアミ
ンに５分間浸漬して第１段のエツチング処理を施した後
水洗し、次に濃度１０重量％の水酸化オクタデシルトリ
メチルアンモニウムのメタノール溶液に４０℃で１０分
間浸漬して第２段のエツチング処理を施した以外は実施
例２０と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し５
、実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
ンに５分間浸漬して第１段のエツチング処理を施した後
水洗し、次に濃度１０重量％の水酸化オクタデシルトリ
メチルアンモニウムのメタノール溶液に４０℃で１０分
間浸漬して第２段のエツチング処理を施した以外は実施
例２０と同様の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し５
、実施例２０と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成し
た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖ
ｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．０ ｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ｊｂ、／ｉｎ、
であった。
５０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖ
ｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．０ ｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８ Ｊｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．８ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．８ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３１
ポリイミド樹脂フィルム表面を５０℃の１，６−ジアミ
ツヘキサンに１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度２０重量％の水酸化テトラ
エチルアンモニウム水溶液に２５℃で５分間浸漬して第
２段のエツチング処理を施した以外は実施例？Ｏと同様
の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し１．実施例２０
と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
ツヘキサンに１０分間浸漬して第１段のエツチング処理
を施した後水洗し、次に濃度２０重量％の水酸化テトラ
エチルアンモニウム水溶液に２５℃で５分間浸漬して第
２段のエツチング処理を施した以外は実施例？Ｏと同様
の型のポリイミド樹脂フィルムを使用し１．実施例２０
と同様の手順で銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｉｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）ｆｅｔｈｏｄ２
、／１．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、
であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｉｂ、／ｉｎ
、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）ｆｅｔｈｏｄ２
、／１．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．０ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは但がであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３２
ポリイミド樹脂フィルムの全面に無電解めっきを施した
後に該表面に厚さ５μｍの銅の電解めっきを施し、その
後これに熱処理を加えた以外は材料、手順ともに実施例
２６と同様にして銅ポリイミド基板を作成〔た。
後に該表面に厚さ５μｍの銅の電解めっきを施し、その
後これに熱処理を加えた以外は材料、手順ともに実施例
２６と同様にして銅ポリイミド基板を作成〔た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｃｌ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均６．７ ｆｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．３ ｆｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｃｌ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均６．７ ｆｌｂ、／
ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．３ ｆｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１ｏｏｏ時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
５．５ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめつき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３３
無電解めっき後の熱処理は行なわず、厚さ３５μｍの銅
の電解めっき被膜を形成させた後に熱処理を行なった以
外は材料、手順ともに実施例２０と同様にして銅ポリイ
ミド基板を作成した。
の電解めっき被膜を形成させた後に熱処理を行なった以
外は材料、手順ともに実施例２０と同様にして銅ポリイ
ミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−１Ｍ−６５
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．７ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．１ ｌｂ、／ｉｎ、
テあツタ。
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．７ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．１ ｌｂ、／ｉｎ、
テあツタ。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．１ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．１ ｆｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは但がであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３４
熱処理を施すに際して真空加熱炉の昇温速度を３０’Ｃ
／分とし、４２０℃にて１時間の加熱を行なった以外は
実施例２０と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板
を作成した。
／分とし、４２０℃にて１時間の加熱を行なった以外は
実施例２０と同様の材料、手順により銅ポリイミド基板
を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−丁）１−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．８ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８、Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、
であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．８ Ｊｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均８、Ｏｆｌｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
１１．７ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
１１．７ ｌｂ、 ／ｉｎ、であった。
また該基板の場所による密着強度の違いは僅かであって
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
、はぼ均一なめっき被膜が形成されていることが確認さ
れた。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３５
熱処理を施すに際して真空加熱炉の昇温速度を２℃／分
とし、１５０℃にて２４時間の加熱を行なった以外は実
施例２０と同様の材料、手順により錦ポリイミド基板を
作成した。
とし、１５０℃にて２４時間の加熱を行なった以外は実
施例２０と同様の材料、手順により錦ポリイミド基板を
作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｌｂ、／ｉ１
１．であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．Ｏｆ！ｂ、／ｉｎ
、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．５ ｌｂ、／ｉ１
１．であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．Ｏｆ！ｂ、／ｉｎ
、であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．９ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
３．９ ｆ！ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一なめっき被膜が形成されてい
るのが確認された。
は僅かであって、はぼ均一なめっき被膜が形成されてい
るのが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３６
熱処理を２５０℃にて１２時間行なった以外は実施例２
０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＪＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．４ ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０）１ｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８１ｂ、／ｉｎ、
であった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．４ ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０）１ｅｔｈｏ
ｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．８１ｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０’Ｃの大気中で１ｏｏｏ時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．８１７ｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は３．８１７ｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は僅かであって、はぼ均一なめつき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性かあることを示すものである。
た場合に十分な信頼性かあることを示すものである。
実施例３７
熱処理を４００℃の窒素雰囲気に保持した加熱炉中で行
なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で銅ポリイ
ミド基板を作成した。
なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で銅ポリイ
ミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６
５０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖ
ｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．０ ｌｂ、
／ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）！−６５０ ）１ｅ
ｔｈｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ
ｏａｔ ）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｆｂ
、／ｉｎ、であった。
５０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖ
ｅｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．０ ｌｂ、
／ｉｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）！−６５０ ）１ｅ
ｔｈｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌ
ｏａｔ ）ｆｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．５ ｆｂ
、／ｉｎ、であった。
さらに、該基板を１５０’Ｃの大気中で１０００時間保
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は４．４ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値
は４．４ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は儂かであり、はぼ均一なめつき被膜が形成されている
ことが確認された。
は儂かであり、はぼ均一なめつき被膜が形成されている
ことが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性かあることを示すものである。
た場合に十分な信頼性かあることを示すものである。
実施例３８
熱処理を４００’Ｃの大気雰囲気中に保持された通常の
加熱炉中で行なった以外は実施例２０と同様の材料、手
順で片面に銅被膜を形成した銅ポリイミド基板を作成し
た。
加熱炉中で行なった以外は実施例２０と同様の材料、手
順で片面に銅被膜を形成した銅ポリイミド基板を作成し
た。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．４ ｆ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．７ ｌｂ、／’＋ｎ、
であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均７．４ ｆ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ２
．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ Ｍ
ｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均６．７ ｌｂ、／’＋ｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．２ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．２ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例３９
熱処理を４８０℃の窒素雰囲気に保持した加熱炉中で５
分間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で銅
ポリイミド基板を作成した。
分間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で銅
ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＨ−６５
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．８ Ｊｂ、／ｉｎ、
であった。
０）１ｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均８．４ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｌ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均７．８ Ｊｂ、／ｉｎ、
であった。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１ｏｏｏ時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．７ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
４．７ ｌｂ、／ｉｎ、であった。
また該基板における銅被膜の場所による密着強度の違い
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
は僅かであって、はぼ均一にめっき被膜が形成されてい
ることが確認された。
これらの事実はこの基板をＴＡＢ等の電子部品に使用し
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
た場合に十分な信頼性があることを示すものである。
実施例４０
実施例２０と同様の材料、手順で作成した銅ポリイミド
基板を用い、以下の工程によってＴＡＢテープを製造し
な。即ち、先ず得られた基板の銅被膜上にネガ型フォト
レジストを厚さ４０Ａｔｍに均一に塗布し、７０℃で２
０分間乾燥した。その後インナーリード部においてリー
ド幅７０μｍ、リード間隔６０μｍのリードが形成され
るように基板上にマスキングを施し、フォトレジスト層
に１０００ ｍＪ ／ｃｘａ２の紫外線を照射した後レ
ジスト層の現像を行なった。
基板を用い、以下の工程によってＴＡＢテープを製造し
な。即ち、先ず得られた基板の銅被膜上にネガ型フォト
レジストを厚さ４０Ａｔｍに均一に塗布し、７０℃で２
０分間乾燥した。その後インナーリード部においてリー
ド幅７０μｍ、リード間隔６０μｍのリードが形成され
るように基板上にマスキングを施し、フォトレジスト層
に１０００ ｍＪ ／ｃｘａ２の紫外線を照射した後レ
ジスト層の現像を行なった。
その後露出しな銅の無電解めっき被膜上に以下に示す条
件で銅の電解めっきを行なった。
件で銅の電解めっきを行なった。
（浴組成〉
ＣｕＳＯ４−５１−１２０： ８０ｇ／ｌＨ２ＳＯ４：
１８０ ｇ／、１） （電解条件） 温 度 ：２５℃ 陰極電流密度 ：３Ａ／ｄｍ２ 攪 拌 ：空気およびカソードロッカー 時 間 ：１時間 その後レジスト層の剥離除去を行ない、露出した無電解
めっき銅被膜を電解めっき銅被膜をマスクとして２０重
量％塩化第２銅水溶液を用い２５℃で１分間の剥離処理
を行なった。
１８０ ｇ／、１） （電解条件） 温 度 ：２５℃ 陰極電流密度 ：３Ａ／ｄｍ２ 攪 拌 ：空気およびカソードロッカー 時 間 ：１時間 その後レジスト層の剥離除去を行ない、露出した無電解
めっき銅被膜を電解めっき銅被膜をマスクとして２０重
量％塩化第２銅水溶液を用い２５℃で１分間の剥離処理
を行なった。
その後詰基板の全面にゴム系フォトレジストを厚さ５μ
ｍに均一に塗布した後、デバイスホール開孔用のマスク
を銅リードがデバイスホール内に位置するようにしてポ
リイミド樹脂とゴム系フォトレジストとによって構成さ
れた面に位置合せしてフォトレジスト層の露光および現
像を行ない、しかる後詰基板を４０℃の抱水ヒドラジン
溶液に１５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解を行なっ
た後、ゴム系フォトレジストの剥離を行なった。
ｍに均一に塗布した後、デバイスホール開孔用のマスク
を銅リードがデバイスホール内に位置するようにしてポ
リイミド樹脂とゴム系フォトレジストとによって構成さ
れた面に位置合せしてフォトレジスト層の露光および現
像を行ない、しかる後詰基板を４０℃の抱水ヒドラジン
溶液に１５分間浸漬してポリイミド樹脂の溶解を行なっ
た後、ゴム系フォトレジストの剥離を行なった。
以上の工程を経ることによってリード厚さ３５μｍ、リ
ード幅７０μｍ、リード間隔６０μｍの銅リード部を持
つＴＡＢテープを得ることができた。
ード幅７０μｍ、リード間隔６０μｍの銅リード部を持
つＴＡＢテープを得ることができた。
このＴＡＢテープを電子部品として使用した場合電気的
、機械的、耐熱性に優れているばかりでなく、長期間に
亘る熱的安定性においても充分に信頼し得るものであり
、その製造に際しては銅層の剥離等の問題もなく安定し
た製造を行なうことができた。
、機械的、耐熱性に優れているばかりでなく、長期間に
亘る熱的安定性においても充分に信頼し得るものであり
、その製造に際しては銅層の剥離等の問題もなく安定し
た製造を行なうことができた。
実施例４１
実施例４０において熱処理を銅ポリイミド基板製造工程
中にて行なわずに、次工程の銅リード部の回路形成を行
なった基板に対して４００℃に保持した窒素ガス雰囲気
加熱炉中で１時間の加熱保持をすることによって行ない
、その後詰基板の銅層上にシアン化金カリウムを１７ｇ
／、１１の濃度で含有するエヌ・イー・ケムキャット（
社）製金メツキ液Ｎ−４４を用いて以下の条件で金めつ
きを行なった。
中にて行なわずに、次工程の銅リード部の回路形成を行
なった基板に対して４００℃に保持した窒素ガス雰囲気
加熱炉中で１時間の加熱保持をすることによって行ない
、その後詰基板の銅層上にシアン化金カリウムを１７ｇ
／、１１の濃度で含有するエヌ・イー・ケムキャット（
社）製金メツキ液Ｎ−４４を用いて以下の条件で金めつ
きを行なった。
（めっき条件）
温 度 ニア０℃
陰極電流密度 ： ＩＡ／ｄｍ２
攪 拌 ：カソードロッカー時 間
＝９分間 得られたＴＡＢテープの基板上におけるめっき層の剥離
は生ぜず、この丁ＡＲテープは電気的、機械的には勿論
のこと、短期、長期の熱的特性にも優れているので電子
材料として十分に信頼性のあるものである。
＝９分間 得られたＴＡＢテープの基板上におけるめっき層の剥離
は生ぜず、この丁ＡＲテープは電気的、機械的には勿論
のこと、短期、長期の熱的特性にも優れているので電子
材料として十分に信頼性のあるものである。
なお実施例４０および本実施例においてはＴＡＢテープ
の製造法について述べたが、これとほぼ同様な製造工程
を有する他の回路配線板、例えば、プリント配線板、フ
レキシブルプリント回路等の種々の電子部品の製造への
実施についても同様に優れた効果を発揮し得ることが確
認されている。
の製造法について述べたが、これとほぼ同様な製造工程
を有する他の回路配線板、例えば、プリント配線板、フ
レキシブルプリント回路等の種々の電子部品の製造への
実施についても同様に優れた効果を発揮し得ることが確
認されている。
比較例６
ポリイミド樹脂表面のエツチングを５０重量％の抱水ヒ
ドラジン水溶液を用い、室温で２分間処理した以外は実
施例２０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成
した。
ドラジン水溶液を用い、室温で２分間処理した以外は実
施例２０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成
した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−ＴＭ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ −ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．２ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）Ｉｅｔｂｏｄ Ｃにおいては平均７．６ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ −ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均９．２ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
）Ｉｅｔｂｏｄ Ｃにおいては平均７．６ ｌｂ、／ｉ
ｎ、であった。
しかしながら、該基板を１５０’Ｃの大気中で１０００
時間保持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、
その値は０．５ ｌｂ、／ｉｎ、に過ぎなかった。
時間保持した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、
その値は０．５ ｌｂ、／ｉｎ、に過ぎなかった。
従ってこの基板を用いてＴＡＢ等の電子部品を作成した
場合、長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判がった。
場合、長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判がった。
比較例７
ポリイミド樹脂表面のエツチングを総重量に対して２０
重量％のエチレンジアミンと１６重量％の水酸化テトラ
エチルアンモニラを含む水溶液で行なった以外は実施例
２０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
重量％のエチレンジアミンと１６重量％の水酸化テトラ
エチルアンモニラを含む水溶液で行なった以外は実施例
２０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成した
。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−丁）１−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均４．８ ｆ！ｂ、／
ｉｎ、てあり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４゜９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均２．０１）ｂ、／ｉｎ、
であッｆ、）。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均４．８ ｆ！ｂ、／
ｉｎ、てあり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０Ｍｅｔｈｏｄ
２．４゜９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいて平均２．０１）ｂ、／ｉｎ、
であッｆ、）。
さらに、該基板を１５０℃の大気中で１０００時間保持
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
０．５ Ｊｂ、／ｉｎ、に過ぎなかった。
した後、銅被膜の密着強度を測定したところ、その値は
０．５ Ｊｂ、／ｉｎ、に過ぎなかった。
従ってこの基板を用いてＴＡＢ等の電子部品を作成した
場合に長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判かった。
場合に長期に亘る熱履歴に対する信頼性に欠けるという
問題を有することが判かった。
比較例８
無電解めっき後の熱処理は行なわず、その他は実施例２
０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
０と同様の材料、手順で銅ポリイミド基板を作成しな。
得られた基板の銅被膜の密着強度はＩＰＣ−Ｔ）ｆ−６
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．５ ｆｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁）１−６５０ Ｍｅｔｈ
ｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板における金属層
は剥離を起した 従って、この基板はＴＡＢ等の電子部品として使用する
ことができないことが判かった。
５０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｄ Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．５ ｆｂ、／ｉ
ｎ、て゛あり、またＩＰＣ−丁）１−６５０ Ｍｅｔｈ
ｏｄ２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｌｏａ
ｔ Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板における金属層
は剥離を起した 従って、この基板はＴＡＢ等の電子部品として使用する
ことができないことが判かった。
比較例９
無電解めっき後の熱処理を大気中において２００℃で２
４時間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で
銅ポリイミド基板を作成した。
４時間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順で
銅ポリイミド基板を作成した。
得られた基板の銅被膜の密着強度はｒＰｃ−ＴＨ−６５
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ ｆ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｔｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板より銅被膜の剥離を
生じた。
０Ｍｅｔｈｏｄ ２．４．９ Ａｓ ｒｅｃｅｉｖｅｄ
Ｍｅｔｈｏｄ Ａにおいて平均５．８ ｆ！ｂ、／ｉ
ｎ、であり、またＩＰＣ−ＴＨ−６５０）１ｅｔｈｏｄ
２．４．９ Ａｆｔｅｒ ５ｏｌｄｅｒ ｆｔｏａｔ
Ｍｅｔｈｏｄ Ｃにおいては該基板より銅被膜の剥離を
生じた。
従って、この基板はＴＡＢ等の電子部品として使用する
ことができないことが判がっな。
ことができないことが判がっな。
比較例１０
無電解めっき後の熱処理を大気中で４３０℃にて３０分
間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順にて銅
ポリイミド基板を作成した。
間行なった以外は実施例２０と同様の材料、手順にて銅
ポリイミド基板を作成した。
得られた基板はポリイミド樹脂の一部が炭化していた。
よってこのような高温での熱処理を施した基板はＴＡＢ
等の電子部品への使用はてきないことが判かった。
等の電子部品への使用はてきないことが判かった。
（発明の効果）
以上述べた通り本発明によると、ポリイミド樹脂表面の
一部または全部に対し無電解めっき、またはこれに引き
続いて電解めっきを施すことによって、非接着型鋼ポリ
イミド基板を製造するに際して、無電解めっきを施す前
処理工程として行なわれる、エツチング処理工程におい
て、硫酸によるエツチングを行なうが、またはエツチン
グ処理を２段にて行ない、第１段のエツチングをジアミ
ンにて、また第２段のエツチングを水酸化第４アンモニ
ウムによって行なった後触媒付与を行ない、さらに無電
解めっき後の該基板に適切な温度範囲の熱処理を加える
ことによって、ポリイミド樹脂表面にエツチング処理に
よって形成された熱的に不安定な性質を有する変質層を
熱的に安定で、しかも基板を高温の酸化性雰囲気に長期
開墾しても、ポリイミド樹脂内部への銅の拡散が起り難
い構造に改変することができるので、基板に形成された
金属めっき層にはんだ付は等による熱衝撃に充分耐え得
る密着強度を与えることが可能となるのみならす、該基
板を高温の酸化性雰囲気中に長期間に亘り保持した場合
においても、該基板における金属層の密着強度の著しい
低下を抑制することができる。
一部または全部に対し無電解めっき、またはこれに引き
続いて電解めっきを施すことによって、非接着型鋼ポリ
イミド基板を製造するに際して、無電解めっきを施す前
処理工程として行なわれる、エツチング処理工程におい
て、硫酸によるエツチングを行なうが、またはエツチン
グ処理を２段にて行ない、第１段のエツチングをジアミ
ンにて、また第２段のエツチングを水酸化第４アンモニ
ウムによって行なった後触媒付与を行ない、さらに無電
解めっき後の該基板に適切な温度範囲の熱処理を加える
ことによって、ポリイミド樹脂表面にエツチング処理に
よって形成された熱的に不安定な性質を有する変質層を
熱的に安定で、しかも基板を高温の酸化性雰囲気に長期
開墾しても、ポリイミド樹脂内部への銅の拡散が起り難
い構造に改変することができるので、基板に形成された
金属めっき層にはんだ付は等による熱衝撃に充分耐え得
る密着強度を与えることが可能となるのみならす、該基
板を高温の酸化性雰囲気中に長期間に亘り保持した場合
においても、該基板における金属層の密着強度の著しい
低下を抑制することができる。
また、このようにして得られた銅ポリイミド基板を使用
してＴＡＢテープ等の電子部品を製造した場合に電気的
、機械的、熱的に充分に高い信頼性を有する部品を得る
ことができるし、またその製造に際して金属層の剥離を
生ずることがないので、生産性および製品品質の向上に
卓越した効果を発揮することができる。
してＴＡＢテープ等の電子部品を製造した場合に電気的
、機械的、熱的に充分に高い信頼性を有する部品を得る
ことができるし、またその製造に際して金属層の剥離を
生ずることがないので、生産性および製品品質の向上に
卓越した効果を発揮することができる。
Claims (22)
- （１）ポリイミド樹脂表面に銅の無電解めっきを施すこ
とによる銅ポリイミド基板の製造方法において、先ずポ
リイミド樹脂表面にエッチング処理を施すことによって
該ポリイミド樹脂表面に親水性を有する変質層を形成し
、さらに触媒を付与した後、銅のめっきを施し、次いで
基板を１２０℃以上の温度で熱処理することによって該
親水性変質層を耐熱性銅拡散防止層に変質することを特
徴とする銅ポリイミド基板の製造方法。 - （２）銅の無電解めっきを施した後、引続き銅の電解め
っきを更に施す請求項１記載の銅ポリイミド基板の製造
方法。 - （３）親水性変質層を形成するためのポリイミド樹脂表
面のエッチング処理は硫酸によって施される請求項１記
載の銅ポリイミド基板の製造方法。 - （４）前記エッチング処理は濃度３０重量％以上の硫酸
によって施される請求項３記載の銅ポリイミド基板の製
造方法。 - （５）親水性変質層を形成するためのポリイミド樹脂表
面のエッチング処理は２段に分けて行ない、ジアミンに
よって第１段のエッチング処理を施し、さらに水酸化第
４アンモニウムによって第２段のエッチング処理を施す
請求項１記載の銅ポリイミド基板の製造方法。 - （６）ポリイミド樹脂表面の第１段のエッチング処理に
用いるジアミンは一般式Ｈ＿２Ｎ（ＣＨ＿２）ｎＮＨ＿
２（ｎは２から６までの整数）で表わされる化合物ある
いはその水和物である請求項５記載の銅ポリイミド基板
の製造方法。 - （７）ポリイミド樹脂表面の第２段のエッチング処理に
用いる水酸化第４アンモニウムが一般式、▲数式、化学
式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は各々１〜４個の炭素原子
を持つアルキル基、Ｒ＾３は１〜１８個の炭素原子を持
つアルキル基または１〜１８個の炭素原子を持つアルケ
ニル基、Ｒ＾４は１〜１８個の炭素原子を持つアルキル
基、１〜１８個の炭素原子を持つアルケニル基、ベンジ
ル基およびアルキル部分が１〜１８個の炭素原子を持つ
アルキルベンジル基からなる群から選ばれたものである
）で表わされる化合物である請求項５記載の銅ポリイミ
ド基板の製造方法。 - （８）基板の熱処理は真空中で１２０℃以上の温度で行
なう請求項１乃至７のいずれか１項記載の銅ポリイミド
基板の製造方法。 - （９）基板の熱処理は大気中または不活性ガス雰囲気中
で２５０℃以上の温度で行なう請求項１乃至７のいずれ
か１項記載の銅ポリイミド基板の製造方法。 - （１０）基板の熱処理はポリイミド樹脂の化学構造が分
解を開始する時間以内で行なう請求項１、８又は９記載
の銅ポリイミド基板の製造方法。 - （１１）ポリイミド樹脂表面にエッチング処理を施す第
１工程と、さらに触媒を付与した後、無電解めっきを施
すことにより銅ポリイミド基板を得る第２工程と、得ら
れた銅ポリイミド基板を用いて回路形成処理を行なう第
３工程とよりなるプリント配線板の製造工程において、
第１工程におけるエッチング処理によりポリイミド樹脂
表面に親水性を有する変質層を形成し、第２工程におけ
る銅のめっき後、あるいは第３工程における回路形成処
理に際して行なわれる遊離シアンまたはシアン化合物を
用いた導体金属のめっき前に基板を１２０℃以上の温度
で熱処理することによつて該親水性変質層を耐熱性銅拡
散防止層に変質することを特徴とする銅ポリイミド基板
を用いたプリント配線板の製造方法。 - （１２）第２工程において無電解めっきを施した後、さ
らに引き続き電解めっきを施して銅ポリイミド基板を得
る請求項１１記載の銅ポリイミド基板を用いたプリント
配線板の製造方法。 - （１３）親水性変質層を形成するためのポリイミド樹脂
表面のエッチング処理は硫酸によって行なう請求項１１
記載の銅ポリイミド基板を用いたプリント配線板の製造
方法。 - （１４）前記エッチング処理は濃度３０重量％以上の硫
酸によって行なう請求項１３記載の銅ポリイミド基板を
用いたプリント配線板の製造方法。 - （１５）親水性変質層を形成するためのポリイミド樹脂
表面のエッチング処理はジアミンによる第１段のエッチ
ング処理と、水酸化第４アンモニウムによる第２段のエ
ッチング処理と、からなる請求項１１記載の銅ポリイミ
ド基板を用いたプリント配線板の製造方法。 - （１６）ポリイミド樹脂表面の第１段のエッチング処理
に用いるジアミンは一般式Ｈ＿２Ｎ（ＣＨ＿２）ｎＮＨ
＿２（ｎは２から６までの整数）で表わされる化合物あ
るいはその水和物である請求項１５記載の銅ポリイミド
基板を用いた配線板の製造方法。 - （１７）ポリイミド樹脂表面の第２段のエッチング処理
に用いる水酸化第４アンモニウムは一般式、▲数式、化
学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は各々１〜４個の炭素原子
を持つアルキル基、Ｒ＾３は１〜１８個の炭素原子を持
つアルキル基または１〜１８個の炭素原子を持つアルケ
ニル基、Ｒ＾４は１〜１８個の炭素原子を持つアルキル
基、１〜１８個の炭素原子を持つアルケニル基、ベンジ
ル基およびアルキル部分が１〜１８個の炭素原子を持つ
アルキルベンジル基からなる群から選ばれたものである
）で表わされる化合物である請求項１５記載の銅ポリイ
ミド基板を用いたプリント配線板の製造方法。 - （１８）基板の熱処理は真空中で１２０℃以上の温度で
行なう請求項１１乃至１７のいずれか１項記載の銅ポリ
イミド基板を用いたプリント配線板の製造方法。 - （１９）基板の熱処理は大気中または不活性ガス雰囲気
中で２５０℃以上の温度で行なう請求項１１乃至１７の
いずれか１項記載の銅ポリイミド基板を用いたプリント
配線板の製造方法。 - （２０）基板の熱処理はポリイミド樹脂の化学構造が分
解を開始する時間以内の時間範囲内で行なう請求項１１
、１８又は１９記載の銅ポリイミド基板を用いたプリン
ト配線板の製造方法。 - （２１）プリント配線板がテープ自動ボンディング（Ｔ
ＡＢ）テープである請求項１１乃至２０のいずれか１項
記載の銅ポリイミド基板を用いたプリント配線板の製造
方法。 - （２２）プリント配線板がフレキシブルプリント回路（
ＦＰＣ）である請求項１１乃至２０のいずれか１項記載
の銅ポリイミド基板を用いた配線板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182999A JP2622016B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
| US07/863,512 US5156732A (en) | 1990-07-11 | 1992-03-31 | Polyimide substrate and method of manufacturing a printed wiring board using the substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2182999A JP2622016B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472070A true JPH0472070A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2622016B2 JP2622016B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=16127986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2182999A Expired - Lifetime JP2622016B2 (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 銅ポリイミド基板およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622016B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537411B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-03-25 | The National University Of Singapore | Method for low temperature lamination of metals to polyimides |
| JP2005225228A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Ube Ind Ltd | ポリイミド金属積層体及びポリイミド回路基板 |
| JP2006233231A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂シートの製造方法、絶縁基板用樹脂シート、絶縁基板、及び多層基板 |
| JP2008091490A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 配線板の製造方法 |
| WO2008056603A1 (fr) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Procédé simple de placage non électrolytique de cuivre |
| JP2008279382A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Sony Corp | 流路基板の製造方法 |
| CN115027079A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-09 | 江苏君华特种工程塑料制品有限公司 | 一种特种工程塑料型材去应力减少氧化层厚度的方法 |
| CN117328113A (zh) * | 2023-10-16 | 2024-01-02 | 广东省广新离子束科技有限公司 | 一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4058943B2 (ja) | 1999-11-26 | 2008-03-12 | 株式会社日立製作所 | 金属層を有する部材およびその製造方法、並びにその用途 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104780A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Kizai Kk | ポリエーテルイミド樹脂成形品の表面処理方法 |
| JPH01132772A (ja) * | 1987-09-28 | 1989-05-25 | General Electric Co <Ge> | 表面上に付着する金属の接着性を改良するためのポリイミド表面の処理方法及びこれにより製造された物品 |
| JPH01195280A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-08-07 | Schering Ag | 付着強固に化学的金属化するためのプラスチックの前処理方法、およびそれにより製造されたプリント配線板 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2182999A patent/JP2622016B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01132772A (ja) * | 1987-09-28 | 1989-05-25 | General Electric Co <Ge> | 表面上に付着する金属の接着性を改良するためのポリイミド表面の処理方法及びこれにより製造された物品 |
| JPH01104780A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Kizai Kk | ポリエーテルイミド樹脂成形品の表面処理方法 |
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| JP2005225228A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Ube Ind Ltd | ポリイミド金属積層体及びポリイミド回路基板 |
| JP4529695B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-08-25 | 宇部興産株式会社 | ポリイミド金属積層体及びポリイミド回路基板 |
| JP2006233231A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-09-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 樹脂シートの製造方法、絶縁基板用樹脂シート、絶縁基板、及び多層基板 |
| JP2008091490A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 配線板の製造方法 |
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| JP5149805B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2013-02-20 | アルプス電気株式会社 | 無電解銅めっき方法 |
| JP2008279382A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Sony Corp | 流路基板の製造方法 |
| CN115027079A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-09 | 江苏君华特种工程塑料制品有限公司 | 一种特种工程塑料型材去应力减少氧化层厚度的方法 |
| CN115027079B (zh) * | 2022-06-27 | 2023-09-05 | 江苏君华特种工程塑料制品有限公司 | 一种特种工程塑料型材去应力减少氧化层厚度的方法 |
| CN117328113A (zh) * | 2023-10-16 | 2024-01-02 | 广东省广新离子束科技有限公司 | 一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用 |
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