JPS6412215B2 - - Google Patents

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JPS6412215B2
JPS6412215B2 JP57122809A JP12280982A JPS6412215B2 JP S6412215 B2 JPS6412215 B2 JP S6412215B2 JP 57122809 A JP57122809 A JP 57122809A JP 12280982 A JP12280982 A JP 12280982A JP S6412215 B2 JPS6412215 B2 JP S6412215B2
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polymeric
substrate
sheet
stress
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Shii Furitsushu Debitsudo
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Kollmorgen Technologies Corp
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    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C08J7/123—Treatment by wave energy or particle radiation
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は一般的には、高分子中に生じる応力を
軽減するため、あるいは応力き裂に対して高分子
を安定化するために、押出しあるいは鋳型成形し
た高分子からなる物品の放射処理法に関するもの
である。特に、本発明はプリント回路板の製造に
当つて、上記高分子からなる物品中の応力を迅速
に解消し、また応力き裂に対して上記物品を安定
化する方法に関するものである。 種々のプラスチツクスは、強力な酸化力を有す
る酸、たとえばクロム酸中で化学的にコンデイシ
ヨニングすることによつて、たとえば装飾芸術の
ために電解メツキできることは衆知である。好適
にメツキされてきたプラスチツク物質の中には、
アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン
（ABS）共重合体、ポリフエニレンオキシド
（PPO）、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、
ポリカーボネートおよびナイロンがある。これら
のプラスチツクスのあるものはハンダ付けの温
度、すなわち約260℃に耐えることができない。
たとえばABSは室温でたつた１ニユートン／mm
の結合強度しか有さず、軟化温度は80℃〜100℃
である。その結果、ABS製のプリント回路板は
ハンダ付け温度に耐えることができない。 プリント配線板の基質物質としての熱可塑性高
分子の使用は、回路板製造に組込まれる前処理溶
液およびメツキ浴中での多くの低価格物質の化学
的適合性が限界すれすれであるために、適用に限
界があつた。処理工程で使用する薬品がプラスチ
ツクにとつて品質低下の要因となるとは考えられ
ない場合にも、要素の組立およびハンダ付けの厳
重な要求が、後ハンダ付けフラツクスを除去する
ための溶媒及び／又は洗剤洗浄の繰返しと同様
に、多くの競合する物質を除外してきた。適切な
熱可塑性プラスチツクは回路板の化学に適合する
だろうし、現在の装置で機械加工が可能であり、
ハンダ付けおよび洗浄も可能であれば、また適切
な誘電性物質となるだろう。 多くの押出しあるいは鋳型成形した高温熱可塑
性高分子フイルム、シートあるいは物品は、全て
の機械的操作を施した後で応力き裂を解消するた
め特別な処理を必要とする。たとえば、ドリル穿
孔、工作機械加工、剪断加工、仕上加工等は高分
子物質の火ぶくれあるいは応力き裂を生じる原因
となりうる。 銅箔で被覆したポリエーテルイミドシートのよ
うな高温熱可塑性高分子からなるプリント回路基
材物質は提案されていたけれども、しかし極端な
加工困難性と樹脂系の高価格のために広範囲の利
用には達していなかつた。 本発明の目的は、押出しあるいは鋳型成形した
高分子物品、たとえば芳香族主鎖を有する高温熱
可塑性高分子からなる物品を応力解消するための
改良された方法を提供することである。 本発明の他の目的は、芳香族ポリエーテル高分
子からなる物品を応力解消するための改良された
方法を提供することである。 本発明の他の目的は、高分子の焼鈍、応力解消
工程中形状を維持するために行う支持板の間での
固定、あるいは物理的変形を避けて、上記高分子
からなる物品を効果的に応力解消するための改良
された方法を提供することである。 本発明の他の目的は、基質にラミネートあるい
は接着剤で接着した高分子の表面層を有する物品
の応力解消を行うための方法を提供することであ
る。 本発明の目的は、金属を接着した物品を作成す
るに当つて、先行技術の製品よりもより経済的か
つ迅速な方法を提供することである。 本発明のその上の目的は、一層、二層、および
多層を含めて、高度の表面耐性、回路表面とそれ
と接着した無電解析出金属との間の優れた結合強
力、ハンダ付け温度における優れた安定性および
再生可能性を有する改良された製法および経済的
な製法を提供することである。 本発明の他の目的は、素材が75μ以上の厚さを
有する高温熱可塑性高分子フイルム、シートある
いは基質からなり、プリント回路板を調製するの
に適切な素材の製法を提供することである。 「芳香族ポリエーテル高分子」という語によつ
て、高分子鎖中に芳香族単位とエーテル単位との
繰返しがあることによつて特徴づけられる熱可塑
性高分子を表わす。実施例を制限するものではな
いが、代表的なものにポリエーテルイミド類とポ
リエーテルエーテルケトン類が含まれる。 「高温熱可塑性高分子」という語によつて、上
記温度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有
する高分子を表わす。 前記の目的を達成するため、またその目的に従
つて、具体的かつ広範囲に記述すると、本発明は
押出しあるいは鋳型成形した高分子物品のような
高分子物品の応力解消を行う方法を提供する。物
品は高温熱可塑性高分子を含んでもよい。物品
を、応力き裂に対して高分子を応力解消するのに
十分なエネルギーを吸収させるのに十分な時間、
電磁放射源に露出する。露出は、高分子によつて
吸収されることが可能で、かつ高分子の軟化ある
いは流動を誘発する発熱を全くあるいはほとんど
生じることなく、応力解消に有効な一ないしはそ
れ以上の周波数帯域で行う。高分子中の応力き裂
は押出し、鋳型成形あるいは金属メツキ工程か
ら、あるいは後述するように機械的処理あるいは
湿潤およびエツチング工程から生じる。電磁放射
は赤外線、マイクロ波および紫外線放射の範囲か
ら選択する。 上文に示したように、上記放射に露出すること
によつて行う高分子の応力解消はほとんど熱の発
生を生じないことを発見した。ほとんど熱を発生
しない本発明の応力解消法は、高分子物質に軟化
あるいは流動を生じず、またその結果幾何学的形
状あるいは寸法に変化を生じない。出願人の応力
解消法では高分子の軟化あるいは流動がないの
で、上記高分子の加熱焼鈍による応力解消法に一
般的に使用される支持固定具等の必要なしに、高
分子を応力解消できる。 本発明はまた、以下のものを調製する改良した
方法にも関係がある。すなわち素材、金属被覆し
た絶縁性基材、プリント回路板、および前述の方
法で生産したプリント回路板。引続き記述するよ
うに、前述の高分子からなるある種の素材を本発
明の改良した方法で、回路板を製造するために使
用する。 高分子物品は少くとも約75μ（３ミル）以上、
望ましくは少くとも約775μ（31ミル）以上、そし
て最も望ましくは約1500μ（59ミル）以上の厚さ
を有している。高分子基質の厚さは約6250μ（1/4
インチ）以下、そして望ましくは約2300μ（91ミ
ル）以下である。 本発明は無電解析出技術によつて導電性金属の
層あるいは図形の受け容れに適合した表面を有す
る、高温熱可塑性高分子、たとえば芳香族ポリエ
ーテル高分子からなる絶縁性基質を調製する単純
かつ経済的な方法を提供する。一つの見解では、
本発明はプリント回路に使用するのに適切な絶縁
性基質およびその調製法に関係がある。プリント
回路の作成に使用するための高分子絶縁性基質あ
るいは素材の製法は以下からなつている。 高分子フイルム、シートあるいは基質を、上記
フイルム、シートあるいは基質によつて吸収され
ることが可能で、かつ高分子の軟化あるいは流動
を誘発する発熱なしに、本質的に高分子を応力解
消するのに有効な一ないしはそれ以上の周波数帯
域の電磁放射に十分な時間露出して、十分なエネ
ルギーを吸収させ、応力き裂に対して上記フイル
ム、シートあるいは基質を安定化し、またその中
に存在する応力を解消し、電磁放射はマイクロ
波、赤外線および紫外線放射からなる範囲から選
択される。 もし成形工程で予め提供されていなければ、上
記フイルム、シートあるいは基質を機械加工し
て、貫通した孔あるいは溝を作成する。 機械加工後、放射処理工程を繰返す。 上記フイルム、シートあるいは基質の外面を湿
潤することが可能な極性溶媒を用いて上記フイル
ム、シートあるいは基質を化学的に処理して、エ
ツチング工程後の表面に対する金属接着力を向上
させる。 上記フイルム、シートあるいは基質の表面を高
度の酸化溶液中で、あるいはプラズマを用いて十
分な温度と時間処理して、（親水性表面を作成し、
またそれによつて）付着する金属層に対する高分
子表面の化学的あるいは化学結合座席を提供す
る。 本発明はまた、プリント回路板の製造に使用す
るのに適切な組成物の製法をも含み、その方法は
以下の通りである。 約75μ以上のほゞ均一な厚さを有する高分子フ
イルムあるいはシートを提供する。 放射処理した高分子フイルムあるいはシート
を、強化熱硬化性物質のシートに、加熱加圧条件
下でラミネートする。 ドリル穿孔によつてラミネートに一ないしはそ
れ以上の貫通孔を機械加工する。そして、 上記ラミネートした組成物を、上記組成物によ
つて吸収されることが可能で、かつ高分子の軟化
あるいは流動による変形を誘発する発熱を生じる
ことなく、本質的な応力解消に有効な一ないしは
それ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間露
出して、応力き裂に対して上記高分子を応力解消
あるいはまた安定化するのに十分なエネルギーを
吸収させる。 多層プリント回路板の製法もまた本発明に従つ
て提供され、その方法は以下の工程からなつてい
る。 少くとも一表面上に回路図形を有する基質を提
供する。 75μ以上の厚さを有する本文に記述した高分子
を、金属被覆した基質にラミネートする。 ドリル穿孔によつて金属被覆ラミネートに、一
ないしはそれ以上の貫通孔を機械加工する。 上記高分子を、高分子フイルムあるいはシート
によつて吸収されることが可能で、かつ高分子の
軟化あるいは流動による変形を誘発する発熱を生
じることなく、本質的な応力解消に有効な一ない
しはそれ以上の周波数帯域の赤外線あるいは紫外
線放射に十分な時間露出して、応力き裂に対して
高分子フイルムあるいはシートを応力解消あるい
はまた安定化する。 高分子表面を、溶媒および酸化剤で化学的に処
理して、上記表面を微孔性および親水性にする。 赤外線あるいは紫外線放射を用いる放射処理を
十分な時間繰返して、応力き裂に対して高分子を
安定化する。 処理表面上に金属を無電解析出させる。 芳香族ポリエーテル高分子は高温熱可塑性高分
子であつて、芳香族主鎖を有し、また約245℃の
温度に５秒間露出した後も上記温度で液化あるい
は分解しない。 本発明の目的に適した芳香族ポリエーテル高分
子にはポリエーテルイミド（ゼネラル エレクト
リツク社からULTEMの商標で販売されている）
およびポリエーテルエーテルケトン（アイ シー
アイ アメリカ社からPEEKの商標で販売され
ている）が含まれる。 高温高分子シートおよびフイルムは応力き裂を
予防するため、長時間焼鈍焼成を必要とすること
を発見した。たとえば、ポリエーテルイミド物質
は接着のような製造段階の後、200℃で２〜４時
間の焼鈍を必要とすることは既知である。さら
に、芳香族ポリエーテル型の物質は、板に機械加
工を施した後、無電解析出を行う前に、溶媒湿潤
溶液および酸化溶液中での応力き裂を予防するた
めに、焼鈍を必要とすることを発見した。DIP
（ジユーアル・インライン・パツケージ、すなわ
ち2.54mmの中心間隔で１mm直径の孔７〜20個）に
必要なように間隔の密な孔をドリル穿孔すること
によつて高分子シート上に応力が賦課される。 高分子シートを溶媒湿潤溶液に露出したとき、
応力腐食を生じ、溶媒湿潤の間に二ないしはそれ
以上の断片にシートをき裂させたり、あるいは破
壊する。成形した部分では、物質中に残る残留応
力が同様に応力腐食を生じる。溶媒湿潤の間高分
子物品を保持するために使用するラツクおよびク
ランプによつて付加的な応力が賦課される。成形
あるいは機械加工で生じた残留応力が、溶媒湿潤
の前に解消されなかつたならば、ラツクによつて
賦課された付加的な応力は応力腐食を加速する。 応力腐食は薄いシート、たとえば0.4mm厚さの
ポリエーテルイミドでは、厚いシート、たとえば
1.6あるいは3.2mm厚さのポリエーテルイミドに較
べて非常に猛烈であることを発見した。薄いシー
トは殆んど破壊に近く、また応力腐食のために裂
れる。応力き裂の他の形状は細い表面き裂として
出現し、高分子物品上に金属をメツキし終るまで
検出されない。この様なき裂は金属層にも再現さ
れ、電気的接触表面として使用することができな
いほど平滑でなくなる。 上文に示したように、物質を機械加工した後、
後続の金属析出を行なうため表面をエツチングす
る前に、付加的な長時間の焼鈍の繰返しを必要と
する。かたい成形した芳香族ポリエーテル類を使
用する利点は高い周波数の利用で厳重な電気的要
求を有する消費者にとつては非常に重要である。
このような場合には、物質は理想的に適合する
が、しかし上記物質を加工可能にするには労力を
要する焼鈍工程が必要である。しかしながら、本
文に記述したように、本発明の放射処理による応
力解消と素材あるいはまたラミネートの生産とは
一工程で同時に行われる。前述した本発明の高分
子フイルム、シート、組成物および回路板は、数
分間あるいはそれ以下の程度で、予め選択した周
波数帯域の電磁波に露出することによつて、応力
き裂に対して応力解消あるいは安定化できること
を発見した。この発見は前に指摘した先行技術の
労力と時間を必要とする第二次焼鈍工程の必要性
をなくする。 本発明は高温熱可塑性高分子物質のような押出
しあるいは鋳型成形した高分子物品／物質を、物
質中にどのような歪みあるいは応力も含むことな
しに、短時間に応力き裂に対して応力解消あるい
は安定化できるという発見に基いている。高分子
によつて吸収されることが可能で、かつ高分子の
軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じることな
く、本質的な応力解消を行うのに有効な一ないし
はそれ以上の周波数のマイクロ波、紫外線あるい
は赤外線に、高分子物質を比較的短時間露出する
ことによつて達成される。マイクロ波、紫外線あ
るいは赤外線放射で処理した高分子物質は、応力
き裂に対して応力解消あるいはまた安定化される
ので、応力き裂を生じることなく、ドリル穿孔あ
るいは引続き種々の酸化および湿潤溶液中に入れ
ることができる。さらに、応力き裂に対して高分
子を迅速に応力解消あるいはまた安定化するのに
加えて、本発明の他の利点は物品を変形させる危
険性をほとんどなくすることである。 本発明の一見解によれば、芳香族ポリエーテル
高分子からなる物品を、周波数1900MHz以上、望
ましくは108ないし1016MHzのマイクロ波に、マ
イクロ波炉室内で露出して、物品を応力解消す
る。先行技術の方法とは異り、マイクロ波処理の
繰返しは熱による歪みをなくし、また加熱焼鈍の
とき使用した物質を金属板の間に固定することを
必要としない。マイクロ波炉内での処理後、応力
解消した高分子物品は組立てることができ、また
プリント回路板を製造する場合には、加工工程を
通じてドリルあるいはパンチによる穿孔を順次行
うことができる。 本発明の方法はまたマイクロ波周波数を使用し
て、先行技術の方法で特に推奨される第二次焼鈍
焼成と同一の結果を達成できる。組立てた部品
は、物質の厚さによつて変化はあるが適当な時
間、たとえば30分間（1.6mm厚さ）、マイクロ波周
波数に露出することによつて応力解消できる。本
発明の方法の本工程は、前に記述した先行技術の
長時間に亘る焼成繰返しをなくする一方、高分子
部品を寸法的に安定化し、そして後続の化学的お
よび金属化操作に耐えるようにする。 本発明の他の見解では、たとえばプリント回路
板の製造に使用される熱処理マスキングインクに
使用されるような赤外線放射系を使用して高分子
物質を応力解消できる。 高分子をコンベアを利用した赤外線炉内で赤外
線放射に露出する。先行技術の焼鈍法とは異り、
赤外線処理の繰返しは熱歪みをなくし、また加熱
焼鈍の際に使用した物質を金属板の間に固定する
必要性がなくなることがわかつた。赤外線処理工
程は、高分子物質を約2.5ないみ50μ、望ましくは
約６ないし約20μの波長を有する赤外線放射に、
少くとも約35秒間（1.6mm厚さの物質に対して）
の時間露出することによつて効果がある。時間は
高分子物質の厚さによつて変化し、厚い物質程長
い時間を必要とする。赤外線処理は、高分子物質
を使用するに当つて、先行技術の焼成繰返しを必
要とする応力解消あるいは安定化の各々に対して
使用できる。 本発明のさらに他の見解では、紫外線源を使用
して高分子を処理できる。 高温熱可塑性高分子物品の放射処理は一般に、
本発明による赤外線、マイクロ波あるいは紫外線
放射によつて互換性をもつて達成されるが、一方
例外がある。 プリント回路板の一製法では、一般に「半アデ
イテイブ」と呼ばれる技法が使用される。本発明
の絶縁性素材は寸法通りに切断され、そして高分
子によつて吸収されることが可能な周波数のマイ
クロ波、赤外線あるいは紫外線放射に露出され
る。次にドリル、パンチあるいは類似の方法でそ
の中に孔をあける。代りに、その中に孔をもつ素
材を成形することもできる。上記の成形した素材
は後で機械的な穿孔工程を必要とせず、また上記
の機械加工工程前の応力解消放射工程の必要性が
なくなる。穿孔後、素材を高分子によつて吸収さ
れることが可能な周波数のマイクロ波、赤外線あ
るいは紫外線放射に十分な時間露出して、高分子
を応力解消するのに十分なエネルギーを吸収させ
る。本発明による素材は約３ないし６分間ジメチ
ルホルムアミド溶液中で前処理して、エツチング
工程後の素材表面に対する金属の接着力を向上さ
せる。これは素材の表面を光沢のある状態からく
もつた状態に変える一方、金属に対する素材表面
の化学結合座席を提供する。効果的なエツチング
は、液体前処理と酸化剤を本発明の素材表面に接
触させる組合せによつて生じる。ジメチルホルム
アミド溶液とともに、低クロム酸が使用できる。
代りに、低クロム酸溶液あるいはクロム酸を含ま
ない溶液での処理をエツチング前に使用すれば、
高クロム酸溶液が有効に使用できる。エツチング
および前処理した素材は触媒性溶液塩化錫（）
−パラジウム溶液中に常温で１〜３分間浸漬する
ことによつて活性化される。上記浸漬の間、後続
の無電解金属析出に触媒作用を行うために、パラ
ジウム触媒座席が素材の孔壁を含めて素材全体に
亘つて析出する。 金属の薄層は次に素材の表面上および孔壁上
に、十分な金属析出を行なうために代表的には常
温ないしは約52℃（ニツケルに対しては約30℃）
で約30分間無電解析出させて、素材表面を導電性
にする。本工程に続いて、金属をコーテイングし
た板はフオトレジスト技術によつて所要の回路を
印加できる。フオトレジスト技術によつて、感光
性コーテイングを素材表面に適用する。次に回路
の陽画あるいは陰画をそれぞれ使用して、背景レ
ジストを作り、順次素材上に回路図形の輪郭を画
く。別の方法では、メツキレジストを形成する一
時的な保護組成物を使用して、所要の回路図形の
陰画をシルクスクリーンプリントする。一時的な
レジストを加熱焼成する。銅あるいは他の導電性
金属を図形上に所要の厚さ、たとえば25〜125μ
（１〜５ミル）まで約１〜1/2時間かけて電解メツ
キする。必要であれば次に図形をハンダメツキし
てもよい。一時的はフオトレジストが存在すれ
ば、それを除去し、そして被覆していた無電解金
属の薄層をエツチング除去する。エツヂコネクタ
ーのような接触部分は金、銀等のような貴金属で
電解メツキすることもできる。 アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン基質
をエツチングするのに使用する代表的な酸調整剤
は本文に明示した高分子基質に対しても申し分が
ない。上記酸の代表的な組成は重量基準で60％
H2SO4、10％H3PO4、１％CrO3、および30％
H2Oである。エツチングの間、前処理した高分
子表面と接触してクロムはCr+6からCr+3に還元さ
れる。クロムの大部分が還元されたとき、酸はも
はや金属コーテインングの接着力を改良するのに
有効ではなくなる。この理由で、酸調整剤中のク
ロムは可能な限り多いことが望ましい。しかしな
がら、前調整浴としてジメチルホルムアミドと一
緒に用いるクロム酸含量が約３％以上になると大
きなひび割れおよび乏しい接着力を招く。それ
故、高分子表面にとつて望ましい酸調整剤は（重
量基準で）96％H2SO455.9％、85〜87％
H3PO410.4％、CrO33％およびH2O30.7％である。 プリント回路板を製作する他の方法では、一般
に「全アデイテイブ」と呼ばれる技術が使用され
る。本発明による適切な絶縁性素材が調製され、
芳香族ポリエーテル物質からなつている。代表的
には約2.5mmあるいはそれ以下の中心間距離をも
つ孔を素材中の予め選定した位置にあける。孔を
作成する前に、素材を、高分子によつて吸収され
ることが可能で、かつ軟化あるいは流動を誘発す
る発熱を生じることなく、本質的な応力解消に有
効な一ないしはそれ以上の周波数帯域のマイクロ
波、赤外線あるいは紫外線放射に十分な時間露出
して、十分なエネルギーを吸収させ、応力き裂に
対して応力解消あるいは安定化を有効に行う。素
材および孔壁は慣用のクロム酸酸化溶液を用いて
エツチングすることにより前処理して、素材の表
面および孔壁を化学的に、また物理的に調整す
る。次に、米国特許第3772078号；第3907621号；
第3925578号；第3930962号；および第3994727号
に記述されたような写真印画技術を使用する。紫
外線で還元可能な水性銅錯化物を用いて素材およ
び孔を完全にコーテイングし、そして乾燥する。
投影または接触プリントによつて紫外線写真像を
増感した基質上に形成する。未感光の還元可能な
コーテイングを洗浄除去し、そして無電解銅浴に
短時間露出して像を固定し、露出した所要の回路
図形を除いて永久的な背景レジストを提供する。
図形は線間隔約0.2mm程度である。 銅のような金属を露出した図形上および孔の中
に、回路が所要の厚さ、たとえば約25〜125μ（１
〜５ミル）に盛り上げられるまで無電解析出させ
る。他の方法では、本発明の素材は金属層、たと
えば無電解析出に続いてより厚い金属層を電解メ
ツキすることによる銅層を提供され、所要の厚さ
のプリント回路図形を形成する。樹脂ラツカーあ
るいは素材をコーテイングするハンダを用いてコ
ーテイングすることにより回路を腐食から保護す
る。 プリント回路板を作成するための別の方法、
「全アデイテイブ」技術では、本発明による適切
な素材が、代表的には約2.5mm以下の孔中心間距
離を有して調製される。孔を作成した後、素材を
電磁放射に露出して、本文の前に記述したように
応力き裂に対して高分子を応力解消あるいは安定
化する。たとえば、素材を230ないし270mmの波長
の紫外線放射に15〜20分間の時間露出する。素材
および孔壁を塩化錫（）−塩化パラジウム活性
剤のような既知のシーデイングおよび増感剤を用
いて活性化し、永久的な保護コーテイングあるい
はレジストをスクリーンプリントして、露出した
所要の回路図形を残して永久的な背景レジストを
作成し、図形は導電線の間に約0.35mm程度の間隔
を有している。レジストを硬化させ、そして露出
した図形上および孔の中に銅を無電解析出させ
る。 素材の熱可塑性フイルム表面を押出し成形する
間にその表面全体に触媒物質を分散させて、本発
明による素材を触媒性にすることができる。前文
に指摘したプリント回路板の製造技術では、別個
のシーデイングおよび増感工程の必要性をなくす
る。熱可塑性フイルムの表面中の触媒物質に関し
ては、米国特許第3546009号；第3560257号；第
3600330号および米国特許第3779758号の実施例１
（塩化パラジウム）の中に公表された技術が関連
づけられる。 本発明の素材あるいはまたラミネートを構成す
るための使用に適した物質は本文に記載した高分
子である。 本発明の実施例では、本発明のラミネートの絶
縁性基材からなる物質は無機および有機基質、た
とえばガラス、陶器、磁器、樹脂、紙、布および
類似物がある。プリント回路に対して、ラミネー
トするための絶縁性基質として使用される物質
は、絶縁性熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂および前
記混合物が、前記の物質を含浸させた繊維、たと
えばガラス繊維を含めて包括される。 熱可塑性樹旨に含まれるものとして、三酢酸セ
ルロースのようなセルロース系樹脂およびポリカ
ーボネート類、ポリクロロトリフルオロエチレ
ン、ポリエステル類およびポリイミド類がある。 熱硬化性樹脂の中には、フタール酸アリル、フ
ラン、メラミン−ホルムアルデヒド、フエノール
ホルムアルデヒドとフエノールフルフラルとの共
重合体、単独ないしはブタジエン−アクリロニト
リル共重合体あるいはアクリロニトリル−ブタジ
エン−スチレン共重合体との組合せ、ポリアクリ
ル酸エステル類、シリコン類、尿素ホルムアルデ
ヒド類、エポキシ系樹脂、アリル系樹脂、フタル
酸グリセリル類、ポリエステル類、および類似物
がある。 紙、木材、ガラス繊維布、また天然および合成
繊維のような繊維、たとえば綿繊維、ポリエステ
ル繊維および類似物からなる多孔性物質、また同
様に上記物質それ自身もまた、本文の教示に従つ
て金属化することができる。本発明は高温高分子
からなる表面を有する素材、そしてまた任意では
あるが記述した種類の樹脂含浸繊維構造体および
ワニスをコーテイングした樹脂含浸繊維構造体か
らなる基本的な絶縁性基質を有する素材の金属化
に特に適用可能である。 ラミネートは形状あるいは厚さに関係なく高分
子フイルム状態でコーテイングした全ての絶縁性
物質からなり、また薄いフイルムおよび細片また
同様に厚い基質を含む。ラミネートは高分子の絶
縁性層でコーテイングしたアルミニウムあるいは
鋼のような金属も含めることができる。導電図形
が上面および下面にのみ存在する場合、ラミネー
トの基質は任意ではあるが押出し成形した高分子
フイルムでコーテイングすることができる。導電
図形がメツキした貫通孔を含んでいるならば、ま
ず孔をあけた金属素材を提供し、そして流動化ベ
ツドのような融解技術によつてラミネート上に絶
縁性表面をコーテイングすることが望ましい。 代表的には、活性化した素材の高分子表面（単
数または複数）上に無電解金属を析出させるのに
使用する自己触媒性あるいは無電解金属析出溶液
は、析出させようとする単数ないしは複数の金属
の水溶性塩、金属陽イオンに対する還元剤、およ
び金属陽イオンに対する錯化ないしは金属イオン
封鎖剤の水溶液からなつている。錯化ないしは金
属イオン封鎖剤の機能は溶解した金属陽イオンと
水溶性錯化物を形成し、その結果溶液中に金属を
維持することである。還元剤の機能は適切な時期
に金属陽イオンを金属に還元することである。 上記溶液の代表的なものは無電解銅、ニツケ
ル、コバルト、銀、金溶液である。上記溶液は本
技術において衆知であつて、また電気を使用する
ことなく所要の金属を自己触媒作用によつて析出
することができる。 使用できる無電解銅溶液の代表的なものは、米
国特許第3095309号に記述されたものである。慣
用的には、上記溶液は銅（）イオン源、たとえ
ば硫酸銅、銅（）イオンに対する還元剤、たと
えばエチレンジアミン−四酢酸四ナトリウム、お
よびPH調節剤、たとえば水酸化ナトリウムからな
つている。 使用できる代表的な無電解ニツケル浴はブレン
ナー著「メタル・フイニツシング」1954年11月
号、68〜76頁に記述されている。これは塩化ニツ
ケルのようなニツケル塩、次亜燐酸イオンのよう
なニツケル塩に対する活性な化学的還元剤および
カルボン酸とその塩類のような錯化剤の水溶液か
らなつている。 使用できる無電解金メツキ浴は米国特許第
3589916号に公表されており、これは金の水溶性
塩、ボロハイドライドあるいはアミンボラン還元
剤、金に対する錯化剤、および5μｇないし500mg
の量の少量で有効に安定化する量のシアン化化合
物のアルカリ性水溶液を含有する。浴のPHは約10
ないし14である。 代表的な無電解コバルトおよび無電解銀系は衆
知である。 使用に適した無電解銅析出浴の特別な実施例を
以下に記述する。 Ｎ，Ｎ，N′−N′テトラキス（２−ヒドロキシ−
プロピルエチレンジアミン） 18ｇ／ CuSO4−5H2O 10ｇ／ ホルムアルデヒド（37％溶液） ４ml／ 湿潤剤（ガフ社のGAFAC−RE610）（アルキル
−フエニルポリエチレンオキシドの燐酸エステル
であると思われる） 0.01ｇ／ 水酸化ナトリウム 所要のPHまで（12〜13） シアン化ナトリウム（NaCN） 25mg／ ２−メルカプトベンゾチアゾール 10μｇ／ 本浴は約52℃の温度で操作するのが望ましく、
また約18時間に約35μ厚さの延性のある無電解銅
のコーテイングを析出するだろう。 記述した種類の無電解金属浴を使用すると、非
常に薄い導電性金属フイルムあるいは層が高分子
素材の表面上に置かれる。普通には、無電解金属
析出によつて高分子素材の表面上に積層した金属
フイルムは2.5ないし100μの範囲の厚さであるが、
2.5μ以下の厚さを有する金属フイルムにも明白な
可能性がある。 その実施例の中で、無電解金属、たとえば銅、
ニツケル、金あるいは類似物は、無電解金属表面
に電極を付設することによつてさらに盛り上げ、
またその上に同種あるいは異種金属、たとえば
銅、ニツケル、銀、金、ロジウム、錫、それらの
合金および類似物を電気分解、すなわち流電的に
さらに析出させるような金属化素材を本発明は企
画する。電気メツキ製法は慣用かつ本技術の習熟
者には衆知である。 たとえば、ピロ燐酸銅浴は商業的に入手可能
で、8.1ないし8.5のPH、50℃の温度そして
538amp／m2（50amp／ft2）の電流密度で操作す
る。さらに、適切な酸性硫酸銅浴は0.6ないし1.2
PH、15゜〜50℃の温度、そして269ないし
743amp.／m2（25ないし70amp.／ft2）の電流密
度で操作され、そして以下からなつている。 硫酸銅、CuSO4−5H2O 60〜120ｇ／ 硫酸、H2SO4 160〜180ｇ／ 塩酸、HCl 50〜100mg／ 光沢剤および湿潤剤 任意 プリント回路に利用して、基本的な導電体物質
として使用する銅析出物は通常25μないし70μ厚
さである。 金は酸性くえん酸金浴からPH５〜７、45゜〜60
℃の温度、そして53.8〜161amp.／m2（５〜
15amp.／ft2）の電流密度で流電的に析出される。
一例として流電金浴は以下からなつている。 シアン化金ナトリウム、NaAu（CN）2
20〜30ｇ／ 二塩化基性くえん酸ナトリウム（NH4）2C6H5O7
100ｇ／ ニツケルはPH4.5ないし5.5、45℃の温度、そし
て215ないし699amp.／m2（20ないし65amp.／
ft2）の電流密度で流電的に析出することができ、
その浴は以下からなつている。 硫酸ニツケル、NiSO4・6H2O 240ｇ／ 塩化ニツケル、NiCl2・6H2O 45ｇ／ 硼酸、H3BO3 30ｇ／ 錫およびロジウム合金はマグロウーヒル社1963
年発行シユラバツハその他著「プリンテツド・ア
ンド・インテグレイテツド・サーキユトリイ」
146〜148頁に記述された製法により流電的に析出
できる。 第１Ａ図を参照しながら、本発明による絶縁性
触媒性素材１０を示す。素材はポリエーテルイミ
ドあるいはポリエーテルエーテルケトンのような
芳香族ポリエーテル高分子からなつている。高分
子素材１０は無電解析出に対して触媒性である。
ドリル穿孔に先立つて、素材１０を周波数1960M
Hz（1.96GHz）以上のマイクロ波放射に約30分間
露出して、応力に対して素材１０を安定化する。
第１Ｂ図では、素材１０を貫通して孔１６および
１８をドリル穿孔する。孔をあけた後、素材を周
波数1960MHz（1.96GHz）以上のマイクロ波放射
に約30分間未満露出する。素材１０を前エツチン
グ溶媒に、浸漬し、次ぎにCrO320ｇ／、
H2SO4500ml／、NaF25ｇ／のような酸性エ
ツチング剤を用いて、45゜ないし65℃の温度で化
学処理して、第１Ｃ図に示すように素材１０の表
面に触媒および活性があらわれる。永久的なフオ
トレジスト２４を素材の表面上に適用して（第１
Ｄ図に示す）、後で銅をメツキしない部分をマス
キングする。次に銅を、本技術では既知の方法
で、貫通孔１６と１８に、また素材１０の露出し
た表面上に無電解析出させ、第１Ｅ図に示すよう
に、素材の露出表面上および孔１６と１８の壁上
に厚さ35μの銅導電性図形２２を形成する。次に
登録したハンダマスク３０を露出した孔１６と１
８を残して、回路全体に適用してもよい。 第２図はプリント回路板を生産する全アデイテ
イブ法を示す。第２Ａ図を参照しながら、ポリエ
ーテルイミド高分子シートからなる絶縁性基材１
０を示す。 第２Ｂ図では、孔１６を素材にドリル穿孔す
る。ドリル穿孔の前後に、素材を周波数約1960M
Hz以上のマイクロ波放射に、素材の質量と放射の
周波数に応じて約１ないし25分間露出して、高分
子の変形あるいは流動を生じる発熱なしに、本質
的に高分子素材を応力解消する。素材および孔１
６の壁は溶媒により、また（重量基準で）96％
H2SO455.9％、85〜87％H3PO410.4％、CrO33％
およびH2O30.7％のような慣用の低クロム酸エツ
チング剤を用いるエツチングにより前処理した表
面であつて、素材１０の表面および孔１６の壁を
化学的にまた物理的に調整する。次に、素材１０
および孔１６を紫外線で還元できる銅錯化物２０
で完全にコーテイングし、そして乾燥する（第２
Ｃ図）。増感した表面１０上にスクリーンを用い
て短時間投影あるいは接触プリントすることによ
つて紫外線写真像を形成する。光に露出しなかつ
た還元可能なコーテイング２０を洗浄除去し、そ
して第２Ｄ図に示すように、無電解銅浴に短時間
露出することによつて像２２を定着させて、露出
した所要の回路図形を残す。第２Ｅ図に示すよう
に、回路２８が所要の厚さ、代表的には約25.4〜
127μ（１〜５ミル）まで約18〜20時間、図形上お
よび孔１６に銅を無電解析出させる。 第３図はプリント回路板を生産する「電解メツ
キ」法を示す。第３Ａ図には、ポリエーテルエー
テルケトンからなる絶縁性基材１０を示す。孔を
ドリル穿孔する前後二度、素材を約2.5ないし40μ
の波長の赤外線放射に、素材の質量に応じて１分
間あるいはそれ以下の程度の時間露出して高分子
の変形あるいは流動を生じる発熱なしに、本質的
に素材を応力解消する。第３Ｂ図に示したよう
に、素材１０を約３〜６分間ジメチルホルムアミ
ド溶液中で前処理して、エツチング工程後の素材
１０に対する金属の接着力を向上させる。第３Ｃ
図では、素材１０を約３分間、約35℃ないし約70
℃の酸化能力の高い溶液中でエツチングする。素
材表面は光沢のある状態から光沢のない状態へ変
化する一方、素材１０の表面に金属に対する化学
結合座席を提供する。エツチングおよび前処理を
行つた素材１０を常温で１〜３分間錫（）およ
びパラジウム溶液中に浸漬して活性化するが、
各々を第３Ｃ図に示す。上記の浸漬の間、パラジ
ウム座席２０は素材中の孔壁（示してない）を含
めて素材１０の全域に亘つて析出され、その結果
後続の無電解金属析出に触媒性となる。 無電解金属層２２は、代表的にには常温で約30
分間、素材１０の活性化表面および孔（示してな
い）に析出され、その結果素材表面は電気的に導
電性となる（第３Ｄ図に示すように）。第３Ｅ図
では、フオトレジスト技術によつて所要の回路を
金属コーテイング素材１０上に印加する。感光性
コーテイング２４を素材の表面上に適用する。紫
外線に露出して感光性コーテイング２４を重合あ
るいは解重合できる。次にマスク２６を使用し
て、背景レジストを作り、素材１０の表面上に順
次回路図形の輪郭を画く（第３Ｅ図に示すよう
に）。第３Ｆ図では、銅２８を図形上に所要の厚
さ、たとえば25〜70μまで電解メツキする。第３
Ｇ図では、背景レジストが剥がし、そして銅の導
電性背景フイルムをエツチングによつて除去す
る。 以下の実施例は、理解を助けるために、本発明
の絶縁性基材、プリント回路板および方法の最良
の様式を一種以上示す。 実施例 １ １mm厚さのポリエーテルエーテルケトン（ア
イ・シー・アイ社のPEEK）の押出し成形シート
を以下のように加工した。(1)加工の間のシートを
保持する手段を提供するため２個の取り付け孔を
ドリル穿孔した。(2)押出し成形シートを周波数
2450MHzのマイクロ波に１分間マイクロ波炉内で
露出した。(3)押出し成形シートをジメチルホルム
アミド−水溶液（比重0.955〜0.965）の中に３〜
６分間浸漬した。(4)押出し成形シートを0.1％の
陰イオン表面活性剤、ノニルフエニルポリエトキ
シホスヘート（ガフ社のGafac RE−610）の熱
水溶液中に、35〜45℃で45〜60秒間浸漬した。(5)
押出し成形シートを燐酸100ml／、硫酸600ml／
および0.05％の陰イオンパーフルオロアルキル
スルホネートの水溶液中に、55℃で５分間浸漬し
た。(6)押出し成形シートを70℃で５分間、
CrO3400ｇ／、H2SO4250ml／、H3PO450
ml／および0.5ｇ／の陰イオンパーフルオロ
アルキルスルホネートの高クロム溶液中で接着力
の向上を行つた。(7)押出し成形シートを静水中で
洗浄した。(8)シート表面のクロム（）を、35％
の過酸化水素40mlおよび96％硫酸10mlの溶液中に
押出し成形シートを浸漬することによつて中和し
た。(9)押出し成形シートを水洗した。(10)押出し成
形シートをアルカリ性洗剤（バスフーワイアンド
ツト社のAltrex）に浸漬した。(11)押出し成形シ
ートを再び水洗した。（12〜14）押出し成形シー
トを塩化錫（）−塩化ナトリウム予備浸漬溶液、
塩化錫（）−塩化パラジウム活性剤溶液（ケム
ライン・インダストリーのAdion660）、水洗およ
び促進剤５％フルオロ硼酸中に順次浸漬した。
（15）無電解銅浴（本文に明記したもの）中で押
出し成形シート上に2.5μの厚さまで銅を無電解析
出させた。（16〜17）銅被覆シートを水洗し、そ
して125℃で10分間乾燥して、銅被覆押出し成形
シートを提供した（第３Ｄ図に示すように）。 銅被覆押出し成形シートを硫酸銅メツキ浴中で
35μの厚さまで電解メツキした。測定した剥離強
度は2.6N／mmであつた。288℃、20秒間のハンダ
浮遊試験の後、火ぶくれあるいはラミネート分離
は観察されなかつた。 実施例 ２ １mm厚さのポリエーテルエーテルケトンのシー
トの代りに1.6mm厚さのポリエーテルイミド（ゼ
ネラル・エレクトリツク社のULTEM）の押出し
成形シートに置き換えて、実施例１の製法を繰返
した。ポリエーテルイミドからの銅の剥離強度は
1N／mmであつた。試料は260℃、10秒間のハンダ
浮遊試験によく耐えた。 実施例 ３ 鋳型成形素材をポリエーテルイミド樹脂で調製
した。鋳型成形樹脂は0.12％の酸化チタン顔料を
含有し、素材を不透明にした。素材のあるものは
10％のガラス繊維充填材と、またあるものは10％
の鉱物充填材を加えたガラス繊維充填材と鋳型成
形して補強した。接着力向上工程(6)を３分間にし
て点を除いて、実施例１の製法の工程(2)ないし(11)
によつて鋳型成形素材を加工した。米国特許第
3994727号（実施例11）の製法で卑金属プリント
回路像を素材上に作成し、そして無電解銅メツキ
溶液中で35μの銅厚さまでメツキした。無電解メ
ツキ後、１時間160℃で素材を乾燥した。剥離試
験は次の通りであつた。
【表】 実施例 ４ 半アデイテイブ技術によつて、ポリエーテルイ
ミドの押出し成形シート上にプリント回路を調製
した。素材を押出し成形シートから裁断し、そし
てマイクロ波放射を用いて応力解消を行い、そし
て貫通孔図形に合せてドリル穿孔する。次に、実
施例１の製法の工程(2)から（16）まで通りに素材
を加工した。次に、素材に像を印加して銅を電解
メツキし、そして衆知の技術によつて像および希
望しない銅を引続き除去して、メツキした貫通孔
を有する銅プリント回路を残した。素材に対する
銅導電体の接着剥離強度は1N／mmであつた。 実施例 ５ エポキシガラスラミネート（UOP社の
GIOFR）の上面およ下面を35μ厚さの銅箔で被覆
した。Riston 1206（イー・アイ・デユポンの
15.2μ（0.6ミル）厚さの乾燥フイルム感光高分子）
をラミネートし、陰画を通して紫外線に露出し、
未露出Riston 1206を１，１，１−トリクロロエ
タンを用いて現像し、アンモニアを含む塩化銅
（）を用いて銅をエツチングして、残留する
Riston 1206を塩化メチレンで除去することによ
つて、銅回路を箔にエツチングした。 ポリエーテルイミド樹脂のペレツト（ゼネラ
ル・エレクトリツク社のULTEM）を塩化メチレ
ン中に溶解してポリエーテルイミド接着剤を調製
する。75μ厚さのポリエーテルイミド箔を接着剤
でコーテイングし、そして175℃に加熱したシリ
コンゴムローラーを用いてパネル巾に15ニユート
ン／mmの圧力を働かせながら回転ラミネートプレ
ス中でラミネートし、パネルは回転ラミネートプ
レスを20mm／分で通過する。 パネルに貫通孔をドリル穿孔し、そして切削く
ずをブラシをかけて除去した。孔を作成する前後
に、素材を2.5ないし40μの波長帯の赤外線放射に
35秒間の時間赤外線焼成炉（リサーチ・インコー
ポレイテツドのモデル4384）内で露出して応力解
消した。接着力を向上させる時間を２分間だけに
することを除いて、実施例１の製法に従つて、パ
ネルを多層プリント回路板に加工した。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ〜１Ｇ図、第２Ａ〜２Ｅ図及び第３Ａ〜
３Ｇ図は、それぞれ本発明に従つて処理された絶
縁性素材からプリント回路板を製造する異なる方
法を示す説明図である。 １０……素材、１６，１８……孔、２２……導
電性図形、２４……フオトレジスト、３０……ハ
ンダマスク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ポリエーテルイミド類及びポリエーテルエー
    テルケトン類からなる群から選ばれた高分子物品
    に吸収されることが可能で、かつ上記高分子の軟
    化あるいは流動を誘発する発熱を生じることな
    く、本質的に応力を解消するのに有効な一以上の
    周波数帯域で、マイクロ波及び紫外線からなる群
    から選ばれる電磁放射に、十分な時間、上記物品
    を露出して、その中に亀裂を生じる応力に対し
    て、上記高分子の応力解消あるいは安定化に十分
    なエネルギーを吸収させることを特徴とするポリ
    エーテルイミド類及びポリエーテルエーテルケト
    ン類からなる群から選ばれた高分子物品の応力解
    消法。 ２ 上記高分子物品が、245℃の温度に５秒間露
    出した後も上記温度で液化あるいは分解しない芳
    香族主鎖を有する高温熱可塑性高分子を含有する
    押出あるいは鋳型成形した物品であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載した方法。 ３ 上記高分子物品が芳香族ポリエーテル高分子
    からなる押出あるいは鋳型成形した物品であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
    方法。 ４ 上記放射が周波数1960MHzのマイクロ波であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３
    項いずれか１項に記載した方法。 ５ ポリエーテルイミド類あるいはポリエーテル
    エーテルケトン類からなる群から選ばれた高分子
    フイルム、シートあるいは基質を、上記フイル
    ム、シートあるいは基質によつて吸収されること
    が可能であり、かつ高分子の軟化あるいは流動を
    誘発する発熱を生じることなく、本質的に応力を
    解消するのに有効な一以上の周波数帯域で、マイ
    クロ波及び紫外線からなる群から選ばれる電磁放
    射に、十分な時間露出して、応力亀裂に対して高
    分子を応力解消あるいは安定化するのに十分なエ
    ネルギーを吸収させ、 上記フイルム、シートあるいは基質を機械的に
    加工して、貫通孔を作り、 上記放射処理工程を反復し、 上記フイルム、シートあるいは基質の外面を湿
    潤することが可能な極性溶媒で、上記フイルム、
    シートあるいは基質を化学的に処理して、その表
    面に対するエツチング工程後の金属接着力を向上
    させ、そして、 高度の酸化溶液を用いるか、あるいはプラズマ
    を用いて、上記フイルム、シートあるいは基質の
    表面を十分な温度と時間処理して、付着する金属
    層に対する化学的あるいは機械的結合座席を表面
    に提供する ことを特徴とするプリント回路板製造用基材の調
    製法。 ６ 上記高分子フイルム、シートあるいは基質
    が、245℃の温度に５秒間露出した後も、上記温
    度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有する
    高温熱可塑性高分子からなることを特徴とする特
    許請求の範囲第５項に記載した方法。 ７ 上記高分子フイルム、シートあるいは基質
    が、芳香族ポリエーテル高分子からなることを特
    徴とする特許請求の範囲第５項に記載した方法。 ８ 上記放射が周波数1960MHzのマイクロ波であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第５項〜第７
    項いずれか１項に記載した方法。 ９ 75μ以上のほぼ均一な厚さを有する、ポリエ
    ーテルイミド類あるいはポリエーテルエーテルケ
    トン類からなる群から選ばれた高分子フイルムあ
    るいはシートを準備し、 上記高分子フイルムあるいはシートを、上記高
    分子によつて吸収されうる周波数の一以上の周波
    数帯域で、マイクロ波及び紫外線からなる群から
    選ばれる電磁放射に露出した後、強化熱硬化性物
    質に加熱加圧条件下でラミネートし、 ドリル穿孔によつて一以上の貫通孔を上記ラミ
    ネートに機械的に加工し、 上記ラミネート組成物を、上記組成物によつて
    吸収されることが可能で、かつ高分子の軟化ある
    いは流動による変形を誘発する発熱を生じること
    なく、本質的な応力解消に有効である一以上の周
    波数帯域の上記電磁放射に十分な時間露出して応
    力亀裂に対して上記高分子を応力解消あるいは安
    定化するのに十分なエネルギーを吸収させる ことを特徴とするプリント回路板製造用基材の調
    製法。 １０ 上記高分子フイルム、シートあるいは基質
    が、245℃の温度に５秒間露出した後も、上記温
    度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有する
    高温熱可塑性高分子からなることを特徴とする特
    許請求の範囲第９項に記載した方法。 １１ 上記高分子フイルム、シートあるいは基質
    が、芳香族ポリエーテル高分子からなることを特
    徴とする特許請求の範囲第９項に記載した方法。 １２ 上記放射が周波数1960MHzのマイクロ波で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第９項〜第
    １１項いずれか１項に記載した方法。 １３ 一以上の貫通孔を有する射出成形した、ポ
    リエーテルイミド類あるいはポリエーテルエーテ
    ルケトン類からなる群から選ばれる高分子基質を
    準備し、 この高分子基質を、高分子基質によつて吸収可
    能で、かつ高分子の型くずれあるいは流動を誘発
    する発熱を生じることなく、本質的な応力解消に
    有効である一以上の周波数帯域で、マイクロ波及
    び紫外線からなる群から選ばれる電磁放射に十分
    な時間露出して、応力亀裂に対して上記高分子を
    応力解消あるいは安定化するに十分なエネルギー
    を吸収させ、そして 放射処理した高分子基質の表面を酸化媒体ある
    はプラズマで処理して、後続の金属化を受け入れ
    る親水性表面を作成する ことを特徴とするプリント回路板製造用基材の調
    製法。 １４ 上記高分子基質が、高温熱可塑性高分子か
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第１３項
    に記載した方法。 １５ 上記高分子基質が、芳香族ポリエーテルか
    らなることを特徴とする特許請求の範囲第１３項
    に記載した方法。 １６ 上記放射が周波数1960MHzのマイクロ波で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１３項〜
    第１５項いずれか１項に記載した方法。 １７ 少なくとも一表面上に回路図形を有する基
    質を準備し、 75μ以上の厚さを有する、ポリエーテルイミド
    類あるいはポリエーテルエーテルケトン類から選
    ばれた高温熱可塑性高分子を、金属被覆した基質
    にラミネートし、 ドリル穿孔によつて金属被覆基質に一以上の貫
    通孔を設ける機械的な加工を施し、 上記高分子を、高分子フイルムあるいはシート
    によつて吸収されることが可能で、かつ高分子の
    軟化あるいは流動による変形を誘発する発熱を生
    じることなく、本質的な応力解消に有効である一
    以上の周波数帯域で、紫外線放射に十分な時間露
    出して、応力亀裂に対して高分子フイルムあるい
    はシートを応力解消あるいは安定化し、 上記高分子表面を酸化剤と溶媒で化学処理し
    て、上記表面を微孔性かつ親水性にし、 処理した表面上に金属を無電解析出させること
    を特徴とする多層プリント回路板の調製法。 １８ 無電解析出前に、再度十分な時間紫外線放
    射処理工程を反復して、応力亀裂に対して高分子
    を安定化することを特徴とする特許請求の範囲第
    １７項に記載した方法。 １９ 上記高分子が、芳香族ポリエーテル高分子
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第１７
    項に記載した方法。 ２０ ポリエーテルイミド類あるいはポリエーテ
    ルエーテルケトン類から選ばれる高分子物品を、
    上記物品によつて吸収されることが可能で、かつ
    上記高分子の軟化あるいは流動による変形を誘発
    する発熱を生ずることなく、本質的な応力解消に
    有効な一以上の周波数帯域でマイクロ波及び紫外
    線からなる群から選ばれる電磁放射に十分な時間
    露出して、応力亀裂に対して物品を応力解消ある
    いは安定化するのに十分なエネルギーを吸収さ
    せ、 上記高分子物品を上記物品の外面を湿潤するこ
    とが可能な極性溶媒で化学処理して、後のエツチ
    ング工程でエツチングする表面の金属接着力を向
    上させ、 上記物品の表面を金属に対する表面の化学結合
    座席を提供するに十分な温度と時間、高度の酸化
    溶液中でエツチングを行い、そして 上記物品の少なくとも一表面上に金属フイルム
    層を無電解析出させる ことを特徴とする高分子物品のメツキ法。 ２１ 上記高分子物品が、245℃の温度に５秒間
    露出した後も上記温度で液化あるいは分解しない
    芳香族主鎖を有する高温熱可塑性高分子からなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第２０項に記載
    した方法。 ２２ 上記高分子物品が芳香族ポリエーテルから
    なることを特徴とする特許請求の範囲第２０項に
    記載した方法。
JP57122809A 1982-05-21 1982-07-12 高分子物品の放射応力解消法 Granted JPS58206635A (ja)

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