JPS58206635A - 高分子物品の放射応力解消法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的には、高分子中に生じる応力を軽減する
ため、あるいは応力き裂に対して高分子を安定化するた
めに、押出しあるいは鋳型成形した高分子からなる物品
の放射処理法に関するものである。特に、本発明はプリ
ント回路板の製造に当って、上記高分子からなる物品中
の応力を迅速に解消し、また応力き裂に対して上記物品
を安定化する方法に関するものである。

種々のプラスチックスは、強力な酸化力を有する酸、た
とえばクロム酸中で化学的にコンディショニングするこ
とによって、たとえば装飾芸術のために電解メッキでき
ることは衆知である。好適にメッキされてきたプラスチ
ック物質の中には、アクリロニトリル−ブタジェン−ス
チレン（ＡＢＳ）共重合体，ポリフェニレンオキシド（
ｐｐｏ）、　　ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，
ポリカーボネートおよびナイロンがある。これらのプラ
スチックスのあるものはハンダ付けの温度、すなわち約
２６０゜Ｃに耐えることかできない。たとえばＡＢＳは
室温１たった１ニユートンＡ肩の結合強度しか有さす、
軟化温度は８０゜ｃ−ｔｏｏ″Ｃである。その結抹、Ａ
ＢＳ製のプリント回路板はハンダ付は温度に耐えること
ができない。

プリント配線板の基質物質としての熱可塑性高分子の使
用は、回路板製造に組込まれる前処理溶液およびメッキ
浴中での築くの低価格物質の化学的適合性が限界すれす
れであるために、適用に限界があった。処理工程で使用
する薬品がプラスチックにとって品質低下の要因となる
とは考えられない場合にも、要素の組立およびハンダ付
けの厳重な要求が、後ハンダ付はフラックスを除去する
だめの溶媒及び／又は洗剤洗浄の繰返しと同様に、多く
の競合する物質を除外してきたつ適切な熱可塑性プラス
チックは回路板の化学に適合するだろうし、現在の装置
で機械加工が可能であり、ハンダ付けおよび洗浄も可能
であれば、また適切な誘電性物質となるだろう。

多くの押出しあるいは鋳型成形した高温熱可塑性高分子
フィルム、シートあるいは物品は、全ての機械的操作を
施した後で応力き裂を解消するため特別な処理を必要と
する。たとえば、ドリル穿孔、工作機械加工、剪断加工
、仕上加工等は高分子物質の火ぶくれあるいは応力き裂
を生じる原因となりうる。

銅箔で被覆したポリエーテルイミドシートのような高温
熱可塑性高分子からなるプリント回路基材物質は提案さ
れていたけれども、しかし極端な加工困難性と樹脂系の
高価格のために広範囲の利用には達していなかった。

本発明の目的は、押出しあるいは鋳型成形した高分子物
品、たとえば芳香族主鎖を有する高温熱可塑性高分子か
らなる物品を応力解消するための改良された方法を提供
することである。

本発明の他の目的は、芳香族ポリエーテル高分子からな
る物品を応力解消するための改良された方法を提供する
ことである。

本発明の他の目的は、高分子の焼鈍、此方解消工程中形
状を維持するために行う支持板の間での固定、あるいは
物理的変形を避けて、」１記高分子からなる物品を効果
的に応力解消するための改良された方法を提供すること
である。

物品の応力解消を行うための方法を提供することである
。

本発明の目的は、金属を接着した物品を作成するに当っ
て、先行技術の製品よりもより経済的かつ迅速な方法を
提供することである。

本発明のその上の目的は、一層、二層、および多層を含
めて、高度の表面耐性９回路表面とそれと接着した無電
解析出金属との間の優れた結合強力、ハンダ付は温度に
おける優れた安定性および再生可能性を有する改良され
た製法および経済的な製法を提供することである。

本発明の他の目的は、素材が７５μ以上の厚さを有する
高温熱可塑性高分子フィルム、シートあるいは基質から
なシ、プリント回路板を調製するのに適切な素材の製法
を提供することである。

「芳香族ポリエーテル高分子」という語によって、高分
子鎖中に芳香族単位とエーテル単位との繰返しがあるこ
とによって特徴づけられる熱可塑性高分子を表わす。実
施例を制限するものではないが、代表的なものにポリエ
ーテルイミド類とポリエーテルエーテルケトン類が含ま
れる。

「高温熱可塑性高分子」という語によって、上記温度で
液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有する高分子を表
わす。

前記の目的を達成するため、またその目的に従って、具
体的かつ広範囲に記述すると、本発明は押出しあるいは
鋳型成形した高分子物品のような高分子物品の応力解消
を行う方法を提供する。物品は高温熱可塑性高分子を含
んでもよい。物品を、応力き裂に対して高分子を応力解
消するのに十分なエネルギーを吸収させるのに十分な時
間、電磁放射源に露出する。露出は、高分子によって吸
収さすることが可能で、かつ高分子の軟化あるいは流動
を誘発する発熱を全くあるいはほとんど生じることなく
、応力解消に上動な−ないしはそれ以」二の周波数帯域
で行う。高分子中の応力き裂は押出し、鋳型成形あるい
は金属メッキ工程から、あるいは後述するように機械的
処理あるいは湿潤およびエツチング１程から生じる。電
磁放射は赤外線、マイクロ波および紫外線放射の範囲か
ら選択する。

」−文に示したように、上記放射に露出することによっ
て行う高分子の応力解消はほとんど熱の発生を生じない
ことを発見した。はとんど熱を発生しない本発明の応力
解消法は、高分子物質に軟化あるいは流動を生じず、ま
たその結果幾何学的形状あるいは寸法に変化を生じない
。

出願人の応力解消法では高分子の軟化あるいは流動がな
いので、上記高分子の加熱焼鈍による応力解消法に一般
的に使用される支持固定具等の必要なしに、高分子を応
力解消できる。

本発明はまた、以下のものを調製する改良した方法にも
関係がある。すなわち素材、金属被覆した絶縁性基材、
プリント回路板、および前述の方法で生産したプリント
回路板。引続き記述するように、前述の高分子からなる
ある種の素材を本発明の改良した方法で、回路板を製造
するために使用する。

高分子物品は少くとも約７５μ（３ミル）以上、望まし
くは少くとも約７７５μ（３１ミル）以上、そして最も
望ましくは約１５００μ（５９ミル）以上の厚さを有し
ている。高分子基質の厚さは約６２５０μ（ｌ／４イン
チ）以下、そして望ましくは約２３００μ（９１ミル）
以Ｆである。

本発明は無電解析出技術によって導電性金属の層あるい
は図形の受は容れに適合した表面を有する、高温熱可塑
性高分子、たとえば芳香族ポリエーテル高分子からなる
絶、、縁性基質を調製する単純かつ経済的な方法を″提
供する。一つの見解では、本発明はプリント回路に使用
するのに適切な絶縁性基質およびその調製法に関係があ
る。ブー１フ１回路の作成に使用するための高分子絶縁
性基質あるいは素材の製法は以下からなっている。

高分子フィルム、シートあるいは基質を、１−記フイル
ム、シートあるいは基質によって吸収されることが可能
で、かつ高分子の軟化あるいは流動を誘発する発熱なし
に、木質的に高分子を応力解消するのに有効な−ないし
はそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間露出し
て、十分なエネルギーを吸収させ、応力き裂に対しテ上
記フィルム、シートあるいは基質を安定化し、またその
中に存在すス応力を解消し、電磁放射はマイクロ波、赤
外線および紫外線放射からなる範囲から選択される。

もし成形工程で予め提供されていなければ、上記フィル
ム、シートあるいは基質を機械加工して、貫通した孔あ
るいは溝を作成する。

機械加工後、放射処理工程を繰返す。

−１−記フイルム、シートあるいは基質の外面を湿潤す
ることが可能な極性溶媒を用いて上記フィルム、シート
あるいは基質を化学的に処理して、エツチング工程後の
表面に対する金属接着力を向上させる。

上記フィルム、シートあるいは基質の表面を高度の酸化
溶液中で、あるいはプラズマを用いて十分な温度と時間
処理して、（親水性表面を作成し、またそれによって）
付着する金属層に対する高分子表面の化学的あるいは化
学結合座席を提供する。

本発明はまた、プリンｈＯ１ｌＯ路板の製造に使用する
のに適切な組成物の製法をも含み、その方法は以下の通
りである。

約７５μ以上のは一均一な厚さを有する高分子フィルム
あるいはシートを提供する。

放射処理した高分子フィルムあるいはシートを、強化熱
硬化性物質のシートに、加熱加圧条件下でラミネートす
る。

トリｌし穿孔によってラミネートに−ないしはそれ以上
の貫通孔を機械加工する。そして、上記ラミネートした
組成物を、上記組成物によって吸収されることが可能で
、かつ高分子の軟化あるいは流動による変形を誘発する
発熱を生じることなく、本質的な応力解消に有効な−な
いしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間露
出して、応力き裂に対して上記高分子−を応力解消ある
いはまた安定化するのに十分なエネルギーを吸収させる
。

多層プリント回路板の製法もまた本発明に従って提供さ
れ、その方法は以下の工程からなっている。

少くとも一表面上に回路図形を有する基質を提供する。

７５／を以上の厚さを有する本文に記述した高分子を、
金属被覆した基質にラミネートする。

ドリル穿孔によって金属被覆ラミネートに、−ないしは
それ以上の貫通孔を機械加工する。

」−記高分子を、高分子フィルムあるいはシートによっ
て吸収されることが可能で、かつ高分子の軟化あるいは
流動による変形を誘発する発熱を生じることなく、本質
的な応力解消に有効な−ないしはそれ以上の周波数帯域
の赤外線あるいは紫外線放射に十分な時間露出して、応
力き裂に対して高分子フィルムあるいはシートを応力解
消あるいはまた安定化する。

高分子表面を、溶媒および酸化剤で化学的に処理して、
上記表面を微孔性および親水性にする。

赤外線あるいは紫外線放射を用いる放射処理を十分な時
間繰返して、応力き裂に対して高分子を安定化する。

処理表面上に金属を無電解析出させる。

芳香族ポリエーテル高分子は”高温熱可塑性高分子であ
って、芳香族主鎖を有し、また約２４５°Ｃの温度に５
秒間露出した後も上記温度で液化あるいは分解しない。

本発明の目的に適した芳香族ポリエーテル高分子にはポ
リエーテルイミド′ドｌ（ゼネラル　エレクトリック社
からＵＬＴＥＭの商標で販売されている）およびポリエ
ーテルエーテルケトン（アイ　シー　アイ　アメリカ社
からＰＥＥＫの商標で販売されている）が含まれる。

高温高分子シートおよびフィルムは応力き裂を予防する
ため、長時間焼鈍焼成を必要とすることを発見した。た
とえば、ポリエーテルイミド物質は接着のような製造段
階の後、２００°Ｃで２〜４時間の焼鈍を必要とするこ
とは既知である。さらに、芳香族ポリエーテル型の物質
は、板に機械加工を施した後、無電解析出を行う前に、
溶媒湿潤溶液および酸化溶液中での応力き裂を予防する
゛ために、焼鈍を必要とすることを発見した。ＤＩＰ　
（ジューアル・インライン・パッケージ、すなわち２．
５４＋＋ｙｍの中心間隔でＩＩＩＩ頁径の孔７〜２０個
）に必要なように間隔の密な孔をドリル穿孔することに
よって高分子シート上に応力が賦課される。

高分子シートを溶媒湿潤溶液に露出したとき、応力腐食
を生じ、溶媒湿潤の間に二ないしはそれ以上の断片にシ
ートをき裂させたり、あるいは破壊する。成形した部分
では、物質中に残る残留応力が同様に応力腐食を生じる
。溶媒湿潤の同高分子物品を保持するために使用するラ
ックおよびクランプによって付加的な応力が賦課さ九る
。成形あるいは機械加工で生じた残留応力が、溶媒湿潤
の前に解消されなかったならば、ラックによって賦課さ
れた付加的な応力は応力腐食を加速する。

応力腐食は薄いシート、たとえば０．４朋厚さのポリエ
ーテルイミドでは、厚いシート、たとえば１．６あるい
は３．２ＭＭ厚さのポリエーテルイミドに較べて非常に
猛烈であることを発見した。

薄いシートは殆んど破壊に近く、また応力腐食のために
裂れる。応力き裂の他の形状は細い表面き裂として出現
し、高分子物品上に金属をメッキし終るまで検出されな
い。この様なき裂は金属層にも再現され、電気的接触表
面として使用することができないほど平滑でなくなる。

上文に示したように、物質を機械加工した後、後続の金
属析出を行なうため表面をエツチングする前に、付加的
な長時間の焼鈍の繰返しを必要とする。かたい成形した
芳香族ポリエーテル類を使用する利点は高い周波数の利
用で厳重な電気的要求を有する消費者にとっては非常に
重要である。このような場合には、物質は理想的に適合
するが、しかし上記物質を加工可能にするには労力を要
する焼鈍工程が必要である。しかしながら、本文に記述
したように、本発明の放射処理による応力解消と素材あ
るいはまたラミネートの生産とは一工程で同時に行われ
る。

前述した本発明の高分子フィルム、シート、組成物およ
び回路板は、数分間あるいはそれ以下の程度で、予め選
択した周波数帯域の電磁波に露出することによって、応
力き裂に対して応力解消あるいは安定化できることを発
見した。この発見は前に指摘した先行技術の労力と時間
を必要とする第二次焼鈍工程の必要性をなくする。

本発明は高温熱可塑性高分子物質のような押出しあるい
は鋳型成形した高分子物品／物質を、物質中にどのよう
な歪みあるいは応力も含むことなしに、短時間に応力き
裂に対して応力解消あるいは安定化できるという発見に
基いている。

高分子によって吸収されることが可能で、かつ高分子の
軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じることなく、木
質的な応力解消を行うのに有効な−ないしはそれ以上の
周波数のマイクロ波。

紫外線あるいは赤外線に、高分子物質を比較的短時間露
出することによって達成される。マイクロ波、紫外線あ
るいは赤外線放射で処理した高分子物質は、応力き裂に
対して応力解消あるいはまた安定化されるので、応力き
裂を生じることなく、ドリル穿孔あるいは引続き種々の
酸化および湿潤溶液中に入れることができる。さらに、
応力き裂に対して高分子を迅速に応力解消あるいはまた
安定化するのに加えて、本発明の他の利点は物品を変形
させる危険性をほとんどなくすることである。

本発明の一見解によれば、芳香族ポリエーテ・・高分子
からなる物品を、周、、、、、婆数１９００Ｍ）（＋以
上、望ましくは１０８ないし１０１６Ｈ１のマイクロ波
に、マイクロ波炉室内で露出して、物品を応力解消する
。先行技術の方法とは異り、マイクロ波処理の繰返しは
熱による歪みをなくし、また加熱焼鈍のとき使用した物
質を金属板の間に固定することを必要としない。マイク
ロ波炉内での処理後、応力解消した高分子物品は組立て
ることができ、またプリント回路板を製造する場合には
、加工工程を通じてドリルあるいはパンチによる穿孔を
順次行うことができる。

本発明の方法はまたマイク１１波周波数を使用して、先
行技術の方法で特に推奨される第二次焼鈍焼成と同一の
結果を達成できる。組立てた部品は、物質の厚さによっ
て変化はあるが適当な時間、たとえば３０分間（１，６
ｍｍ厚さ）、マイクロ波周波数に露出することによって
応力解消できる。本発明の方法の木王程は、前に記述し
た先行技術の艮時間に亘る焼成繰返しをなくする一方、
高分子部品を寸法的に安定化し、そして後続の化学的お
よび金属化操作に耐えるよ、パ うにする。

本発明の他の見解では、たとえばプリント回路板の製造
に使用される熱処理マスキングインクに使用されるよう
な赤外線放射系を使用して高分子物質を応力解消できる
。

高分子をコンベアを利用した赤外線炉内で赤外線放射に
露出する。先行技術の焼鈍法とは異り、赤外線処理の繰
返しは熱歪みをなくし、また加熱焼鈍の際に使用した物
質を金属板の間に固定する必要性がなくなることがわか
ったっ赤外線処理工程は、高分子物質を約２．５ないし
５０／Ｉ　、望ましくは約６ないし約２０μの波長を有
する赤外線放射に、少くとも約３５秒間（１，６朋厚さ
の物質に対して）の時間露出することによって効果があ
る。時間は高分子物質の厚さによって変化し、厚い物質
稈長い時間を必要とする。赤外線処理は、高分子物質を
使用するに当って、先行技術の焼成繰返しを必要とする
応力解消あるいは安定化の各々に対して使用できる。

本発明のさらに他の見解では、紫外線源を使用して高分
子を処理できる。

高温熱可塑性高分子物品の放射処理は一般に、本発明に
よる赤外線、マイクロ波あるいは紫外線放射によって互
換性をもって達成されるが、一方何外がある。

プリント回路板の一製法では、一般に１半アデイテイブ
」と呼ばれる技法が使用される。本発明の絶縁性素材は
寸法通りに切断され、そして高分子によって吸収される
ことが可能な周波数のマイクロ波、赤外線あるいは紫外
線放射に露出される。次にドリル、パンチあるいは類似
の方法でその中に孔をあける。代りに、その中に孔をも
つ素材を成形することもできる。上記の成形した素材は
後で機械的な穿孔工程を必要とせず、また上記の機械加
工工程前の応力解消放射工程の必要性がなくなる。穿孔
後、素材を高分子によって吸収されることが可能な周波
数のマイクロ波、赤外線あるいは紫外線放射に十分な時
間露出して、高分子を応力解消するのに十分なエネルギ
ーを吸収さ−せる。本発明による素材は約３ないし６分
間ジメチルホルムアミド溶液中で前処理して、エツチン
グ工程後の素材表面に対する金属の接着力を向上させる
。これは素材の表面を光沢のある状態からくもった状態
に変える一方、金属に対する素材表面の化学結合座席を
提供する。効果的なエツチングは、液体前処理と酸化剤
を本発明の素材表面に接触させる組合せによって生じる
。ジメチルホルムアミド溶液とともに、低クロム酸が使
用できる。

代りに、低クロム酸浴ｇ！あるいはクロム酸を含捷ない
溶液での処理をエツチング前に使用すれば、高クロム酸
溶液が有効に使用できる。エツチングおよび前処理した
素材は触媒性溶液塩化錫（１）−パラジウム溶液中に常
温で１〜３分間浸漬することによって活性化される。上
記浸漬の間、後続の無電解金属析出に触媒作用を行うた
めに、パラジウム触媒座席が素材の孔壁を含めて素材全
体に亘って析出する。

金属の薄層は次に素材の表面上および孔壁」−に、十分
な金属析出を行なうために代表的には常温ないしは約５
２°Ｃにッケルに対しては約３０°Ｃ）で約３０分間無
電解析出させて、素材表面を導電性にする。本工程に続
いて、金属をコーティングした板はフォトレジスト技術
にＬつて所要の回路を印加できる。フォトレジスト技術
によって、感光性コーチインクを素材表面に適用する、
次に回路の陽画あるいは陰画をそれぞれ使用して、を景
レジストを作り、順次素祠十に回路図形の輪郭を画く。

別の方法では、メツキレシストを形成する一時的な保護
組成物を使用して、所要の回路図形の陰画をシルクスク
リーンプリントする。一時的なレジストを加熱焼成する
。銅あるいは他の導電性金属を図形上に所要の厚さ、た
とえば２５〜１２５μ（１〜５ミル）まで約１〜１／２
時間かけて電解メッキする。必要であれば次に図形をハ
ンダメッキしてもよい。一時的なフォトレジストが存在
すれば、それを除去し、そして被覆していた無電解金属
の薄層をエツチング除去する。エツジコネクターのよう
な接触部分は金、銀等のような貴金属で電解メッキする
こともできる。

アクリロニトリフレーブタジェン−スチレン基質をエツ
チングするのに使用する代表的な酸調整剤は本文に明示
した高分子基質に対しても申し分がない。上記酸の代表
的な組成は重量基準で６０％１１２ＳＯ４，１０％Ｈ３
ＰＯ４，１％Ｃｒ０ｎ、および３０％■１２０である。

エツチングの間、前処理した高分子表面と接触してクロ
ムはＣｒ＋６からＣｒ＋８に還元される。クロムの大部
分が還元され念とき、酸はもはや金属コーティングの接
着力を改良するのに有効ではなくなる。この理由で、酸
調整剤中のクロムは可能な限り多いことが望ましい。し
かしながら、前調整浴としてジメチルホルムアミドと一
緒に用いるクロｌ、酸含量が約３％以上になると大きな
ひび割れおよび乏しい接着力を招く。それ故、高分子表
面にとって望ましい酸調整剤は（重量基準で）９６％Ｉ
ｈ８０ａ　５５．９％、８５〜８７％ＨｇＰＯ４１０，
４％。

Ｃｒ０３３％およびｌＩ２０８０．７％である。

プリント回路板を製作する他の方法では、一般に「全ア
ディティブ」と呼ばれる技術が使用される。本発明によ
る適切な絶縁性素材が調製され、芳香族ポリエーテル物
質からなっている。

代表的には約２５朋あるいはそれ以下の中心間距離をも
つ孔を素材中の予め選定した位置にあける。孔を作成す
る前に、素材を、高分子によって吸収されることが可能
で、かつ軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じること
なく、木質的な応力解消に有効な−ないしはそれ以上の
周波数帯域のマイクロ波、赤外線あるいは紫外線放射に
十分な時間露出して、十分なエネルギーを吸収させ、応
力き裂に対して応力解消あるいは安定化を有効に行う。

素材および孔壁は慣用のクロム酸酸化溶液ヲ用いてエツ
チングすることによりＡｉｌ処理し＊ｐｙ＋ｉ声２て、
素材の表面および孔壁を化学的に、また物理的に調製２
する。

次に、米国特許第８．７７２．０７８号る第３，９０７
，６２１号ｉ第３．９２５．５７８号＝第３，９８０，
９６２号るおよび第８．９９４．７２７号に記述された
ような写真印画技術を使用する。紫外線で還元可能な水
性銅鉛化物を用いて素材および孔を完全にコーティング
し、そして乾燥する。投影または接触プリントによって
紫外線写真像を増感した基賃上に形成する。未感光の還
元可能なコーティングを洗浄除去し、そして無電解銅浴
に短時間露出して像を固定し、露出した所要の回路図形
を除いて永久的なを景レジストを提供する。図形は線間
隔約０．２ｍｍ程度である。

銅のような金属を露出した図形上および孔の中に、回路
が所要の厚さ、たとえば約２５〜１２５１ｔＣ１〜５ミ
ル）に盛り上げられるまで無電解析出させる。他の方法
では、本発明の素材は金属層、たとえば無電解析出に続
いてより厚い金属層を電解メッキすることによる銅層を
提供され、所要の厚さのプリント回路図形を形成する５
、樹脂ラッカーあるいは素材をコーティングするハンダ
を用いてコーティングすることにより回路を腐食から保
護する。

プリント回路板を作成するための別の方法、「全アディ
ティブ」技術では（本発明による適切な素材が、代表的
には約２．５朋以下の孔中心間距離を有して調製される
。孔を作成した後、素材を電磁放射に露出して、本文の
前に記述したように応力き裂に対して品分子を応力解消
あるいは安定化する、たとえば、素材を２３０ないし２
７　Ｑ　ｎｍの波長の紫外線放射に１５〜２０分間の時
間露出する。素材および孔壁全塩化錫（１）−塩化パラ
ジウム活性剤のよノな既知のシーディングおよび増感剤
を用いて活性化し、永久的な保護コーティングあるいは
レジストをスクリーンフ゛リンｌ−して、露出した所要
の回路図形を残して永久的なを景レジストを作成し、図
形は導電線の間に１ｆＪ０．８５１Ｍ１１１程度の・間
隔を有している。レジストを硬化させ、そして露出した
図形」−および孔の中に銅を無電解析出させる。

素材の熱可塑性ソイｌレム表面を押出し成形する聞にそ
の表面全体に触媒物質を分散させて、本発明による素材
を触媒性にすることができる。

前文に指摘したプリント回路板の製造技術では、別個の
シーディングおよび増歳工程の必要性をなくする。熱可
塑性フィルムの表面中の触媒物質に関しては、米国特許
第８．５４６．　ＯＯｅ号逼第８．５６０，２５７号；
第８．６００．３８０号および米国特許第８，７７９．
７５８号の実施例１（塩化パラジウムンの中に公表され
た技術が関連づけられる。

本発明の素材あるいはまたラミネートを構成するための
使用に適した物質は本文に記載した高分子である。

本発明の実施例では、本発明のラミネートの絶縁性基材
からなる物質は無機および有機基質、たとえばガラス、
陶器、磁器、樹脂９紙１布および類似物がある。プリン
ト回路に対して、ラミネートするための絶縁性基質とし
て使用される物質は、絶縁性熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂および前記混合物が、前記の物質を含浸させた繊維、
たとえばガラス繊維を含めて包括される。。

熱可塑性樹脂に含まれるものとして、三酢酸セルロース
のようなセルロース系樹脂およびポリカーボネート類、
ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリエステル類およ
びポリイミド類がある。

熱硬化性樹脂の中には、フタール酸アリル。

フラン、メラミン−ホルムアルデヒド、フェノールホル
ムアルデヒドとフェノールフルフラルとの共重今体、単
独ないしはブタジェン−アクリロニトリル共重合体ある
いはアクリロニトリル−ブタジェン−スチレン共重合体
との組合せ。

ポリアクリル酸エステル類、シリコンｉ、　尿ｉホルム
アルデヒド類、エポキシ系樹脂、アリル糸樹脂、フタル
酸グリセリル類、ポリエステル類、および類似物がある
。

紙、木材、ガラス繊維布、また天然および合成繊維のよ
うな繊維、たとえば綿繊維、ポリエステル繊維および類
似物からなる多孔性物質。

捷た同様に上記物質それ白身もまた、本文の教ｉすに従
って金属化することができる。本発明は高温高分子から
なる表面を仔する素材、そしてまた任意ではあるが記述
した種類め樹脂含浸繊維構造体およびワニスをコーティ
ングした樹脂含浸繊維構造体からなる基本的な絶縁性基
質を有する素材の金属化に特に適用可能である。

ラミネーｌ−は形状あるいは厚さに関係なく高分子フィ
ルム状態でコーティングした全ての絶練性物質からなり
、また薄いフィルムおよび細片また同様に厚い基質を含
む。ラミネートは高分子の絶縁性層でコーティングした
アｌレミニウムあるいは鋼のような金属も含めることが
でき。

る。導電図形が上面および下面にのみ存在する場合、ラ
ミネートの基質は任意ではあるが押出し成形した高分子
フィルムでコーティングすることができる。導電図形が
メッキした貫通孔を含んでいるならば、まず孔をあけた
金属素材を提供し、そして流動化ベッドのような融解技
術によってラミネート上に絶縁性表面をコーティングす
ることが望ましい。

代表的には、活性化した素材の高分子表面（単数または
複数）上に無電解金属を析出させるのに使用する自己触
媒性あるいは無電解金属析出溶液は、析出させようとす
る単数ないしは複数の金属の水溶性塩、金属陽イオンに
対する還元剤、および金属陽イオンに対する錯化ないし
は金属イオン封鎖剤の水溶液からなっている。

錯化ないしは金属イオン封鎖剤の機能は゛溶解した金属
陽イオンと水溶性錯化物を形成し、その結果溶液中に金
属を維持することである。還元剤の機能は適切な時期に
金属陽イオンを金属に還元することである。

上記溶液の代表的なものは無電解銅、ニッケル、コバル
ト、銀、全溶液である。上記溶液は本技術において衆知
であって、また電気を使用することなく所要の金属を自
己触媒作用によって析出することができる。

使用できる無電解銅溶液の代表的なものは、米国特許第
８，０９５，８０９号に記述されたものである。慣用的
には、上記溶液は銅（１）イオン源、たとえば硫酸銅、
銅（１）イオンに対する還元剤、タトエばエチレンジア
ミン−四酢酸四ナトリウム、およびｐＨ調節剤、たとえ
ば水酸化ナトリウムからなっている。

使用できる代表的な無電解ニッケル浴はプレンナー著「
メタル・フイニツシングＪ１９５４年１１月号、６８〜
７６頁に記述されている。これは塩化ニッケルのような
ニッケル塩９次亜燐酸イオンのようなニッケル塩に対す
る活性な化学的還元剤およびカルボン酸とその塩類のよ
うな錯化剤の水溶液からなっている。

使用できる無電解金メッキ浴は米国特許第３゜５８９．
９１６号に公表されており、これは金の水溶性塩、ポロ
ハイドライドあるいはアミンボラン還元剤、金に対する
錯化剤、およりｔｇないし５００〜の量の少量で有効に
安定化する量のシアン化化合物のアルカリ性水溶液を含
有する。

浴のｐＨは約１０ないし１４である。

代表的な無電解コバルトおよび無電解銀糸は衆知である
。

使用に適した無電解銅析出浴の特別な実施例を以下に記
述する。

ミン） ＣｕＳ０４５Ｈ２０１０ｆ／ｅ ホルムアルデヒド（３７％ｔｆＪ）　　　　　　　　４
肩υ′ｅシアン化ナトリウム（Ｎａ　ＣＮ　）　　　　
　　　　２５　Ｑ／（Ｊ２−メルカプトベンツ゛チアゾ
ール　　　　　　１０μｆ／／ｅ木浴は約５２°Ｃの温
度で操作するのが望ましく、また約１８時間に約３５／
を厚さの延性のある無電解銅のコーティングを析出する
だろう。

記述した種類の無電解金属浴を使用すると、非常に薄い
導電性金属フィルムあるいは層が高分子素材の表面上に
置かれる。普通には、無電解金属析出によって高分子素
材の表面上に積層した金属フィルムは２．５ないし１０
０μの範囲の厚さであるが、２．５μ以下の厚さを有す
る金属フィルムにも明白な可能性がある。

その実施例の中で、無電解金属、たとえば銅。

ニッケル、金あるいは類似物は、無電解金属表面に電極
を付設することによってさらに盛り上げ、またその上に
同種あるいは異種金属、たとえば銅、ニッケル、銀、金
、ロジウム、錫、ソれらの合金および類似物を電気分解
、すなわち流電的にさらに析出させるような金属化素材
を本発明は企画する。電気メツキ製法は慣用かつ本技術
の習熟者には衆知である。

たとえば、ピロ燐酸銅浴は商業的に入手可能で、Ｓ、ｔ
ないし８，５のｐＦＩ、５０°Ｃの温度そして５８８　
ａｍｐＡｔｆ　（５０ａｍｐ／ｆｔ２）の電流密度で操
作する。さらに、適切な酸性硫酸銅浴は０．６ないし１
・２のｐＨ，１５°〜５０°Ｃの温度、そして２６９な
いし７４８　ａｍｐ、Ａｔｆ　（２５ないし７０ａｍＰ
、／′ｆｔ２　）の電流密度で操作され、そして以下が
らなっている。

硫酸銅、Ｃｕ５０４−５Ｈ２０６０〜１２０１／ｅ硫酸
、　Ｉ（２５ｏ４１６０〜１８０　ｆ／ｅ塩酸、ＨＣｌ
　　　　　　　　　　　５０〜１００Ｍ￥／ｌ光沢剤お
よび湿潤剤　　　　　　　　　　　任　意プリント回路
に利用して、基本的な導電体物質として使用する銅析出
物は通常２５μないし７０μ厚さであるう 金は酸性くえん酸全桁からｐＨ５〜７，４５°〜６０°
Ｃの温度、そして５８．８−１６１　ａｍｐ、ＡＩ　（
５〜１５αｍｐ、／ｆｔ２）の電流密度で流電的に析出
、ぎれる。−例として流電全桁は以下がらなっている。

ニッケｎｚハｐＨ４，５ナイＬ５．５．４５°Ｃ（２）
温度。

そり、１２１５　ｆｚイＬ６９９　ａｍｐ、Ａｄ　（２
０ナイＬ６５ａｍｐ、　７’ｆｔ　２　）の電流密度で
流電的に析出することができ、その浴は以下からなって
いる。

硫酸＝ツ’ｙル、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２４０９／１塩
化＝ツ’ｙｚｌｚ、ＮＩＣ１２・６Ｈ２０４５！／１硼
酸、Ｈ８ＢＯ３８０ダ／ｌ 錫およびロジウム合金はマグロウ−ヒル社１９６８　年
発行シュラバッハその他著「プリンテッド・アンド・イ
ンチグレイテッド・サーキュトリイＪ　１４６〜１４８
頁に記述された製法により流電的に析出できる。

第１Ａ図を参照しながら、本発明による絶縁性触媒性素
材００）を示す。素材はポリエーテｌレイミドあるいは
ポリエーテルエーテルケトンのような芳香族ポリエーテ
ル高分子からなっている、高分子素材００）は無電解析
出に対して触媒性である。ドリル穿孔に先立って、素材
α０）を周波数１９６０　Ｍｌ（ｚ　（１，９６ＧＨｚ
　）以上のマイクロ波放射に約３０分間露出して、応力
に対して素材００）を安定化する。第１Ｂ図では、素材
００）を貫通して孔０６）およびＱ８）をドリル穿孔す
る。孔をあけた後、素材を周波数１９６０　Ｍｌｌｚ　
（１，９６０１１ｚ　）以上のマイクロ波放射に約３０
分間未満露出する１、素材（１０）を前エツチング溶媒
に、浸漬し、次ぎにＣｒｙ３２０　ｆｊ／ｅ　、　Ｈ２
ＳＯ４’５００　ｍｌ／ｅ、　ＮａＦ　２５Ｆ／／ｅの
ような酸性エツチング剤を用いて、４５°ないし６５°
Ｃの温度で化学処理して、第１Ｃ図に示すように素材θ
０）の表面に触媒および活性があられれる。永久的なフ
オトレジス）　（２４）を素材の表面」−に適用して（
第１Ｄ図に示す）、後で銅をメッキしない部分をマスキ
ングする。次に銅を、本技術では既知の方法で、貫通孔
０６）とＱ８）に、また素材００）の露出した表面」−
に無電解析出させ、第１Ｅ図に示すように、素材の露出
表面上および孔０６）と（１８１の壁」二に厚さ３５μ
の銅導電性図形（２つを形成する。次に登録したハンダ
マスク（■を露出した孔０６）と０８）を残して、回路
全体に適用してもよい。

第２図はプリント回路板を生産する全アディティブ法を
示す。第２Ａ図を参照しながら、ポリエーテルイミド高
分子シートからなる絶縁性粘材（１０）を示す。

第２Ｂ図では、孔（１６）を素材にドリル穿孔する。

ドリル穿孔の前後に、素材を周波数約１９６０Ｍ１ｌ□
以］−のマイクロ波放射に、素材の質量と放射の周波数
に応じて約１ないし２５分間露出して、品分子の菱形あ
るいは流動を生じる発熱なしに、本質的に高分子素材を
応力解消する。素材および孔（１６）の壁は溶媒により
、また（重量基準で）９６％Ｈ２ＳＯ４５５，９％、８
５〜８７％ＨｇＰＯ４１０４％、　Ｃｒ０３３％および
１Ｉ２０８０．７％ノヨうな慣用の低クロム酸エツチン
グ剤を用いるエツチングにより前処理した表面であって
、素材（１０）の表面および孔（１６）の壁を化学的に
また物理的に調製する。次に、素材（１０）および孔（
１Ｇ）を紫外線で還元できる銅鉛化物（２０）で完全に
コーティングし、そして乾燥する（第２Ｃ図）。増感し
た表面（１０）上にスクリーンを用いて短時間投影ある
いは接触プリントすることによって紫外線写真像を形成
する。光に露出しなかった還元可能なコーティング（２
０）を洗浄除去し、そして第２Ｄ図に示すように、無電
解銅浴に短時間露出することによって像（２２）を定着
させて、露出した所要の回路図形を残す。第２Ｅ図に示
すように、回路（２８）が所要の厚さ、代表的には約２
５．４〜１２７μ（１〜５ミル）まで約１８〜２０時間
、図形上および孔（１６）に銅を無電解析出させる。

第３図はプリント回路板を生産する「電解メッキ４法を
示す。第３Ａ図には、ポリエーテルエーテルケトンから
なる絶縁性基材◇０）を示す。

孔をドリル穿孔する前後１度、素材を約２．５ないし４
０μの波艮の赤外線放射に、素材の質量に応じて１分間
あるいはそれ以下の程度の時開露出して、高分子の変形
あるいは流動を生じる発熱なしに、木質的に素材を応力
解消する。第３１１図に示したように、素材（１０）を
約３〜６会同ジメチルホルムアミド溶液中で前処理して
、エツチング−Ｌ程後の素材００）に対する金属の接着
力を向」、させる。第３Ｃ図では、素材００）を約３分
間、約３５°Ｃないし約７０°Ｃの酸化能力の高い溶液
中でエツチングする。素材表面は光沢のある状態から光
沢のない状態へ変化する一方、素材００）の表面に金属
に対する化学結合座席を提供する。エツチングおよび前
処理を行った素材００）を常温で１〜３分間１易（１）
およびパラジウム溶液中に浸漬して活性化するが、各々
を第３Ｃ図に示す、上記の浸漬の間、パラジウム座席（
２０）は素材中の孔壁（示してない）を含めて素材（１
０）の全域に亘って析出され、その結果後続の無電解金
属析出に触媒性となる。

無電解金属ｍ（２つは、代表的には常温で約３０分間、
素材００）の活性化表面および孔（示してない）に析出
され、その結果素材表面は電気的に導電性となる（第３
Ｄ図に示すように）。第３Ｅ図では、フォトレジスト技
術によって所要の回路を金属コーティング素材（１０）
上に印加する。

感光性コーティング（２０を素材の表面上に適用する。

紫外線に露出して感光性コーティングＣ２４）を重合あ
るいは解重合できる。次にマスクＣ（；）を使用して、
を景レジストを作り、素材α０）の表面上に順次回路図
形の輪郭を画く（第３Ｅ図に示すように〕。第３Ｆ図で
は、銅（２８）を図形上に所要のＰ７さ、たとえば２５
〜７０μまで電解メッキすが る。第３Ｇ図では、を景レジストを、【シ、そして銅の
導電性を景フィルムをエツチングによって除去する。

以下の実施例は、理解を助けるために、本発明の絶縁性
基材、プリント回路板および方法の最良の様式を一種以
上示す。

実施例１ １朋厚さのポリエーテルエーテルケトン（アフイ・シー
・アイ社のＰＥＥＫ）の押出し成形シートを以下のよう
に加工した。（１）加工の間シートを保持する手段を提
供するため２個の取り付は孔をドリル穿孔した。（２）
押出し成形シートを周波数２４５０　ｈｌｌｌｚのマイ
クロ波に１公開マイクロ波炉内で露出した。（３）押出
し成形シートをジメチルホルムアミド−水溶液（比重０
．９５５〜０９６５）の中に３〜６分間浸漬した。（４
）押出し成形シートを０１％の陰イオン表面活性剤、ノ
ニルフェニルポリエトキシホスヘート（ガフ社のＣｒａ
ｆａｃ　ＲＥ−６１０）の熱水溶液中に、３５〜４５°
０で４５〜６０秒問浸漬した。（５）押出し成形シート
を燐酸１００ｍｔ／ｅ、　　硫酸６００　ｍｅ／ｅおよ
び０゜Ｑ５％の陰イオンパーフルオロアルキルスルホネ
ートの水溶液中に、５５°Ｃで５分間浸漬した。

（６）押出し成形シートを７０°Ｃで５分間、Ｃｒ０ａ
４００　（１／ｅ　、　　Ｉ−Ｔ２ＳＯ４２５０ｍ１１
０　、　Ｈ３ＰＯ４５０ｍ１’（１および０．５９７ｅ
の陰イオンパーフルオロア゛ルキルスルホネートの高ク
ロム溶液中で接着力の向」二を行った。（７）押出し成
形シートを静水中で洗浄した。（８）シート表面のクロ
ム（Ｍ）を、３５ｏ／１０の過酸化水素４０ｍ？および
９６％硫酸１０ｍ／の溶液中に押出し成形シートを浸漬
することによって中和した。（９）押出し成形シートを
水洗した。

（１０）押出し成形シートをアルカリ性洗剤（バスフー
ワイアンドット社のＡｌｔｒｅｘ　）に浸漬した。

ａυ押出し成形シートを再び水洗した。（１２〜１４）
押出し成形シートラ塩化錫（＋）−塩化ナトリウム予備
浸漬溶液、塩化錫（１）−塩化パラジウム活性剤溶液（
ケムライン・インダストリーのＡｄｉｏｎ６６０）、水
洗および促進剤５％フルオロ硼酸中に順次浸漬した。０
句無電解銅浴（本文に明記したもの）中で押出し成形シ
ート上に２．５μの厚さまで銅を無電解析出させた。（
１６〜１７）銅被覆シートを水洗し、そして１２５°Ｃ
で１０分間乾燥して、銅被覆押出し成形シートを提供し
た（第３Ｄ図に示すように）。

銅被覆押出し成形シートを硫酸銅メッキ浴中で３５μの
厚さまで電解メッキした。測定した剥離強度は２．６Ｎ
Ａｍであった。２８８°Ｃ９２０秒間のハンダ浮遊試験
の後、火ぶくれあるいはラミネート分離は観察されなか
った。

実施例２ １問厚さのポリエーテルエーテルケトンのシートの代り
に１．６ｍｍ厚さのポリエーテルイミド（ゼネラル・エ
レクトリック社のＵＬＴＥＭ）の押出し成形シートに置
き換えて、実施例１の製法を繰返した。ポリエーテルイ
ミドからの銅の剥離強度はｌ　Ｎ／ｍｒｐｒであった。

試料は２６０°Ｃ，１０秒間のハンダ浮遊試験によく耐
えた。

実施例３ 鋳型成形素材をポリエーテルイミド樹脂で調製した。鋳
型成形樹脂は０．１２％の酸化チタン顔料を含有し、素
材を不透明にした。素材のあるものは１０％のガラス繊
維充填材と、またあるものは１０％の鉱物充填材を加え
たガラス繊維充填材と鋳型成形して補強した。接着力向
上工程（６）を３分間にした点を除いて、実施例１の製
法の工程（２）ないしく１υによって鋳型成形素材を加
工した。米国特許第８．９９４．７２７号（実施例１１
）の製法で卑金属プリント回路像を素材上に作成し、そ
して無電解銅メッキ溶液中で３５／ｌの銅厚さまでメッ
キした。無電解メッキ後、１時間１６０℃で素材を乾燥
した。剥離試験は次の通りであった。

実施例４ 半アディティブ技術によって、ポリエーテルイミドの押
出し成形シート上にプリント回路を調製した。素材を押
出し成形シートから裁断し、そしてマイクロ波放射を用
いて応力解消を行い、そして貫通孔図形に合せてドリル
穿孔する。次に、実施例１の製法の工程（２）から（１
６）まで通りに素材を加工した。次に、素材に像を印加
して銅を電解メッキし、そして衆知の技術によって像お
よび希望しない銅を引続き除去して、メッキした貫通孔
を有する銅プリント回路を残した。

絨材に対する銅導電体の接着剥離強度はｌ　Ｎ７＊ｙで
あった。

実施例５ エボキシガラスラミネー１−　（ＬＪＯＰ社のＧＩＯ性
）の」−面および下面を３５μ厚さの銅箔で被覆した。

Ｒ１５ｌｏｎ　１２０６　（イー、アイ、デュポンの１
５．２μ（０，６ミル）厚さの乾燥フィルム感光高分子
）をラミネートし、陰画を通して紫外線ＶＣＭ出１．、
未露出Ｒ１５ｔｏｎ　ｌ　２０６を１．１．１−）リク
ロロエタンを用いて現像し、アンモニアを含む塩化銅（
蓋）を用いて銅をエツチングして、残留するＲ１５ｔｏ
ｎ　１２０６を塩化メチレンで除去することによって、
銅回路を箔にエツチングした。

ポリエーテルイミド樹脂のペレット（ゼネラル・エレク
トリック社のＵＬＴＥＭ　）　＝ｉ塩化メチレン中に溶
解してポリエーテルイミド接着剤ｔ調製する。７５／を
厚さのポリエーテルイミド箔を接着剤でコーティングし
、そして　ｌ　７５　”Ｃに加熱したシリコンゴムロー
ラーを用いてパネル巾に１５ニユートン／　＃ＩＷの圧
力を働かせながら回転ラミネートプレス中でラミネート
し、パネルは回転ラミネートプレスを２０腹例で通過す
る。

パネルに貫通孔をドリル穿孔し、そして切削ぐずをブラ
シをかけて除去した。孔を作成するＯｉＪ後に、素材を
２５ないし４０μの波長帯の赤外線放射に３５秒間の時
間赤外線焼成炉（リサーチ・インコーホレイテッドのモ
デル４３８４）内で露出して応力解消した。接着力を向
上させる時間を２分間だけにすることを除いて、実施例
１の製法に従って、パネルを多層プリント回路板に加工
した。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ〜ＩＧ図、第２Ａ〜２Ｅ図及び第３Ａ〜３Ｇ図は
、それぞれ本発明に従って処理された絶縁性素材からプ
リント四路板を製造する異なる方法を７１ζす説明図で
ある。 （１０）・・・・・・・・・・・素材 ＋１６１　（＋８１・・・・・・・・・孔（２２１・・
・・・・・・・・・導電性図形ｅｌ＋・・・・・０・・
・・Ｏフォトレジスト（３Ｌ１１・・・・・・・・・・
Ｏハンタマヌクｔ’ｑ　　　ＩＩＪ　　　人　　　　新
　　実　　　　健　　部外１名 手続補正書 昭和５７年１１月１２日 特許庁長官　　　　　殿 ２、発明の３称　高分子物品の枚創応カ解消法３　補正
をする者 ・ＩＮ・１との関係　　特訂出羅Ｊ人 ６、　ｈｌｉ正により増加する発明の数７、補正の対象
　明細護、特許１７［１求の範囲の欄８補正の内容 （１）明絹乃特許、、Ｉ！］求の範囲の項を別紙の通り
ｈ１ｉｌ卜する。 ２、特許請求の範囲 ｉｌｌ　　高分子物品に吸収されることが可能で、刀・
つ上記高分子の軟化あるいは流ａを誘発する発熱を生じ
ることなく、本質的に応力を解消するの磁放射に、十分
な時間、上記物品を露出して、その中にき裂を生じる応
力に対して、」−記商分子の応力解消あるいはまた安定
化にセ分なエネルギーを吸収させること全特徴とする薗
分子−物品の応力解消法。 主鎖を有する高温熱可塑性高分子を含有する押出しある
いは鋳型成形した物品であること？！−特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載した方法。 （３１上記高分子物品が芳香族ポリエーテル高分子から
なる押出しあるいは鋳型成形した物品であること全特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載した方法。 （４）　　上記高分子がポリエーテルイミド類あるいは
ポリエーテルエーテルケトン類から選択されることを竹
敵とする上記特許請求の範囲第３項にｄ己帷した方ｌ去
。 １５１」−記放射が約２．５ないし約４０　／１（１）
波長の赤外線で、１分間以内の時間であることを特徴と
する」−記特許請求の範囲第１項〜第４項いずれかに記
載した方法。 ＋６１　−Ｊ−記放射が周波数約１９６０　Ｍｉ（Ｚ　
　のマイクロ波であること全特徴とする」二記特許請求
の範囲第１項〜＠４項いずれかに記載した方法。 ＋７１　　高分子フイＩレム、シートあるいは基’ＩＩ
　ｋ、上記フィルム、シートあるいは基′Ｋによって吸
収されることが可能であり、かつ高分子の軟化あるいは
流動を誘発する発β）音生じることなく、本質的に応力
を解消するのに自効な−ないしはそれ以北の周仮数帯域
の電磁放射に、十分な時間露出して、応力き裂に対して
品分子を応力解消あるいはまた安定化するのに十分なエ
ネルギー’に吸収させ、放射がマイ′クロ波、赤外線め
るいは紫外線放射から選択され； 上記フィルム、シートあるいは基質を機械的湿潤するこ
とが可能な極性溶媒で、」二記フィルム、シートあるい
は基質を化学的に処理して、エッチングエ桿仮その表面
に対する金属接層゛力を同上させ；そして 高度の酸化γ谷液を用いるか、あるいはプラスマを用い
て、上記フィルム、シートあるいは基質の表向を十分な
温度と時間処理して、付ｆｉｔする金属層に対する化学
的あるいはまた機械的結合座席を表面に提供する ことを特徴とするプリント回銘板の製造に使用するのに
適した物品の調製法。 （８）　　上記高分子フィルム、シートあるいは基質が
、ｉｌＪ　２４５°Ｃの温度に５秒間露出した後も、上
記温度で液化あるいは分解１友い芳香族主鎖盆付する高
温熱可塑性高分子からなることを特徴とする特許請求の
ｄｉｔＬ囲第７項第７項した方法。 芳香族ポリエーテル高分子からなること全特徴とする特
許請求の範囲第７項に記載した方法。 １０）１−記１甑分子がポ用エーテルレイミド川あるい
はホリエーテルエーテ！レケトン頬カラ選択すレルこと
を特徴とする特許 記載した方法，、 （ＩＤＬ記放耐放射２，５ないし約４０／ｌの波長の赤
外線で、１分間以内の時間であることを特徴とする上記
特許請求の範囲第７項〜第ｌＯ項いずれかに記載した方
法。 ＋１２１　　上記放射が周波数約１９６０　ＭＨＺのマ
イクロ波であることを特徴とする上記特許請求範囲第７
項〜第１０項いずれかに記載した方法。 ＋１３１　　ｒ：Ｅ　７　５μ以上のほぼ均一な厚さを
有する高分子フィルムあるいはシートを提供シ； 放射処理した・面分子フイルムあるいはシートを強化熱
硬化性物質に加熱加圧条件下でラミネートし； トリル穿孔によってーないしはそれ以上の貫通孔ｔラミ
ネートに機械的加工を施し；上記ラミネルト組成物を、
上記組成物によって吸収されることが可能で、かつ高分
子の軟化あるいは流動による変形を誘発する発熱を生じ
ることなく、本質的な応力解消に有効で６，Ｌ−ないし
はそれ以上の周波数帯域の電磁放射にｔ゛分な時間露出
して、応力き裂に対して」一記晶／ＪＪ了勿応力解消あ
るいは安定化するのに十分なエネルギーｒ吸収させる ことを特徴とするフ゜リント回絡板の製造に使用するの
に適した物品の調製法。 １１４１　　１一記高分子フイルムわるいはシートがｆ
Ｊ　２　４　５”Ｃの温度に５秒間露出した後も、上記
温度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を仔する高温
熱可塑性高分子からなること全特徴とする特許請求の範
囲第１３項に記載した方法。 ｕ５）ト記高分子フイルムあるいはシートが芳香族ポリ
エーテルレからなることτ特徴とする特．ｆ！ｒＪｆコ
求の範囲第１３項に記載した方法。 （ｌ６）上記高分子がポリエーテノレイミド知あるいは
ポリエーテルエーテルケトン耕から選択されることτ待
機とする上記特ｒｆ請求の範囲第１５Ｊ貞に記載した方
法。 ｕ７１　　１〕記放躬が約２．５ないし約４０μの波長
の赤外線で、ｌ分間以内の時間であるとと全特徴とする
一１二記特Ｉ［請求の範囲第１３項〜第１６項いずれか
に記載した方法。 ｄ８ｌ」二層放射が周波数Ｆ’Ｅ　ｌ　９　６　０％Ｉ
Ｈ　”　のマイク０７１タであること全特徴とする」二
記竹訂請求の範囲第１３項〜第１６項いずれかに記載し
た方法。 ＋ｌ！１１　　Ｊユ記商分子がーないしはそれ以」ユの
ば通孔ｔ４Ｊする射出成形しタ品分子基質ヲ提供し、面
分子基質を、面分子基質によって１汲収されることが可
能で、かつ面分子の型くずれあるいは流動ケ誘発する発
熱を生じることなく、本質的な応力解消にイ〕効である
ーないしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時
間露出して、応力ぎ装に対して上記高分子を応力解消あ
るい（１また安冗ｒヒするのに十分なエネルギーを吸収
させ；ぞして 放射処理した高分子基質の表面を酸化媒体あるいはプラ
ズマで処理して、後続の金属化を受は容れる親水性表面
を作成する ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用するのに
適した物品の調製法。 ＋１／（１１−Ｌｚ記記号分子基質高温熱可塑注高分子
刀）らなることを特徴とする特許請求の範囲第１９イ１
に記載した方法。 （２１１上記高分子基質が芳香族ポリエーテルからなる
こと全特徴とする特許請求の範囲第１９項に記載した方
法。 Ｕ２＋　　上記高分子がポリエーテルイミド知あるいは
ポリエーテルエーテルケトン類から選択されることを特
徴とする」二層特許請求の範囲第２１項に記載した方法
。 ＋２３１　　Ｊ二記放射が約２．５ないし４ｑ　４０μ
の波長の赤外線で、１分間以内の時間であることを特徴
とする特許 ずれかに記載した方法。 （２・υ　上記放射が周波数約１９６０ＭＨ”　　のマ
イク１１波であること盆特徴とする上記特許請求の範囲
外１　９　１．ｉ４〜第２２櫃いずれかに記載した方法
。 （２５）　　少くとも一表面上に同略図形を有する基質
を提供し。 ７５μ以」一の厚さを有する高温熱用塑性高分子を、金
属被覆した基質にラミネートし：ドリル穿孔によって金
属ｆ＆覆）Ｊ；Ｈ　頁にーないしはそれＤ）１二の目通
孔を設ける機械的な加工ヶ施し。 」二層高分子を，高分子フイルムあるいはシートによっ
て吸収されることがｉＴ能で、かつ面分ｒの軟化あるい
は流動による変形を誘発する発熱ケ生じることなく、不
買的な応力解消に有効であるーないしはそれ以」一の周
波数帯域の赤外線あるいは紫外線放射に１−分な時間露
出して、応力き裂に対して高分子フイルムあるいはシー
トを応力解消あるいは安だ化し。 ｈｈ分子表面を酸化剤と溶媒で化学処理して、」ユ記表
ＩＴＪＩを壷孔性かつ親水性にして；そして処理した表
面上に金属を．無電解析出させること？ｌＦ−特敞とす
る多層プリント回路板の調製法。 （２１ｉ１　　７７Ｈ屯解析出前に、再度十分な時間赤
外線あるいは紫外線放射処理工桿會反覆して、応力き裂
に７ノして高分子を安定化することを特徴とする′　　
特Ｉ「請求の範囲第２５項に記載した方法。 ＋１７１　　、Ｊ二層尚分子が芳香族ポリエーテルであ
ることｔ特徴とする特許請；Ｒの範囲第２５項に記載し
た方法。 （２８）　　上記面分：ｒがホリエーテルイミド頬ある
いはポリエーテルエーテルケトン類から選択されること
を特徴とする上記持．＊誼求の範囲第２７項にに己４戊
した方／去。 ＋２！Ｊｌ　　上記放射が約礼５ないし約４０，＃の波
長の赤外線で、１分間以内の時間であること｛ｆ″特徴
する」二層特許請求の範Ｕｔ＋第２５項〜第２８項いず
れかに記載した方法。 ｔ３０１　　Ｊ二７−１ｊ放射が周波数ＦＪ　１　９　
６　０Ｍ’Ｈ　２ノマイクｃｙ彼であることを特徴とす
る」二層特許請求の範囲第２５項〜第２８項いずれかに
記載した方法。 １：）＋）　　尚分子部品盆、」二層物品によって吸収
されることかり能で、かつ高分子の軟ｆヒあるいは流動
による変形を誘記する允がＳを生じることなく、本面的
な応力解消に有効な−ないしはそれ以」二の周波数帯域
の酸磁放射に１一分な時間露出して、応力き裂に一ｉｊ
Ｌ，て物品を応力解消あるいはまた安定化するのに十分
なエネルギーケ吸収させ、−Ｉ二層放射がマイクロ波、
赤外線および紫外線からなるｔｒ＋：　、り・ら選択さ
れ； Ｊｌ　＋ｆｃ！局分ｒ゛物品を、上記物品の外面を湿潤
することがｎｆ能な極性俗媒で化学処理して、後のエツ
チング工程でエツチングする表面の金属接着力全回上さ
せ； 」二層物品の表面を、金属に７Ｊする表面の化学結合座
席を提供するのに十分な湿度と時間、高度の酸化溶液中
でエツチンクヲイテい；そして上記物品の少くとも一表
面上に金属フィルム層を，＋！（浜電解析出させる ことケ特改とする間分子物品のメッキ法。 ’：（：？　　ｌ−、ｎｆ２　ｈｂ　分ｒ−　４品が約
２４５゜Ｃ　のｉｊｊＡ　度Ｋ　５　秒Ｎｊ露出した仮
も上記ＩＭＬ度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を
有する高温熱可塑性高分子からなることを特徴とする特
許請求の範囲第３１項に記載した方法。 （３３）　　上記高分子物品が芳香族ポリエーテルから
なることを特徴とする請求 記載した方法。 ＋３・’ｌＪ　　上記重分子がポリエーテルイミド類あ
るいはポリエーテノレエーテ！レケトン須刀）ラ選択さ
れることを特徴とする」１記特許請求の範囲第３３唄に
記載した方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）高分子物品に吸収されることが可能で、かつ上記
   高分子の軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じること
   なく、本質的に応力を解消するのに有効な−ないしはそ
   れ以上の周波数帯域のマイクロ波、赤外線および紫外線
   からなる群から選択された電磁放射に、十分な時間、上
   記物品を露出して、その中に−き裂を生じる応力に対し
   て、上記高分子の応力解消あるいはまた安定化に十分な
   エネルギーを吸収させることを特徴とする高分子物品の
   応力解消法。 （２）物品によって吸収されることが可能であって、か
   つ上記高分子の軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じ
   ることなく本質的に応力を解消するのに有効な、−ない
   しそれ以上の周波数帯域のマイクロ波、赤外線あるいは
   紫外線からなる群から選択された電磁放射に、十分な時
   間、上記物品を露出して、その中の応力き裂に対して上
   記高分子の応力解消あるいはまた安定化に十分なエネル
   ギーを吸収させることを特徴とする、約２４５°Ｃの温
   度に５秒間露出した後も上記温度で液化あるいは分解し
   ない芳香族主鎖を有する高温熱ｉ丁塑性高分子を含有す
   る押出しあるいは鋳型成形した物品の応力解消法。 （３）物品によって吸収されることが可能であって、か
   つ上記高分子の軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じ
   ることなく、本質的に応力を解消するのに有効な−ない
   しはそれ以上の周波数帯域のマイクロ波、赤外線あるい
   は紫外線からなる群から選択された電磁放射に、十分な
   時間、上記製品を露出して、その中の応力き裂に対して
   上記高分子の応力解消あるいはまた安定化に十分なエネ
   ルギーを吸収させることを特徴とする芳香族ポリエーテ
   ル高分子からなる押出しあるいは鋳型成形した物品の応
   力解消法。 （４）上記高分子がポリエーテルイミド類あるいはポリ
   エーテルエーテルケトン類から選択されることを特徴と
   する特許 載した方法。 （５）　　上記高分子がポリエーテルイミドてあること
   を特徴とする上記特許請求範囲第４項に記載した方法。 （６）上記高分子がポリエーｙフ７｝ンであることを特
   徴とする上記特許請求範囲第４項に記載した方法。 （７）約２４５゜Ｃの温度に５秒間露出した後も上記温
   度で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有する高温／
   熱可塑性高分子からなる高分子フィルム、シートあるい
   は基質を、上記フィルム、シートあるいは基質によって
   吸収されることが可能であり、かつ高分子の軟化あるい
   は流動を誘発する発熱を生じることなく、本質的に応力
   を解消するのに有効なーないしはそれ以上の周波数帯域
   の電磁放射に、十分な時間露出して、応力き裂に対して
   高分子を応力解消あるいはまた安定化するのに十分なエ
   ネルギーを吸収させ、放射がマイクロ波、赤外線あるい
   は紫外線放射から選択され； 上記フィルム、シートあるいは基質を機械的に加工して
   、貫通孔を作り； 放射処理工程を反覆して； 上記フィルム、シートあるいは基質の外面を１Ｍ潤する
   ことが可能な極性溶媒で、上記フイノレム、シートある
   いは基質を化学的に処理して、エツチング工程後その表
   面に対する金属接着力を向上させ；そしで 高度の酸化溶液を用いるか、あるいはプラズマを用いて
   、上記フィルム、シートあるいは基質の表面を十分な温
   度と時間処理して、付着する金属層に対する化学的ある
   いはまた機械的結合座席を表面に提供する ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用する素材
   の調製法。 （８）　　芳香族ポリエーテル高分子フィルム、シート
   あるいは基質を、上記フィルム、シートあるいは基質に
   よって吸収されることが可能であり、かつ上記高分子の
   軟化あるいは流動を誘発する発熱を生じることなく、本
   質的に応力を解消するのに有効なーないしはそれ以上の
   周波数帯域の電磁放射に十分な時間露出させて、応力き
   裂に対して高分子を応力解消あるいはまた安定化させる
   のに十分なエネルギーを吸収させ、放ｑ１かマイクロ波
   、赤外線あるいは紫外線放射からなる群から選択され； 上記フィルム、シートあるいは基質を機械的に加工して
   、貫通孔を作り； 上記フィルム、シートあるいは基質の外面を湿潤するこ
   とが可能な極性溶媒で、上記フィルム、シートあるいは
   基質を化学的に処理して、エツチング工程後その表面に
   対する金属接着力を向上させ；そして 高度の酸化溶液を用いるか、あるいはプラズマを用いて
   、上記フィルム、シートあるいは基質の表面を十分な温
   度と時間処理して、付着する金属層に対する化学的ある
   いは機械的結合座席を表面に提供する ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用する素材
   の調製法。 （９）　−］二記高分子がポリエーテルイミド類あるい
   はポリエーテルエーテルケトン類から選択されることを
   特徴とする上記特許請求範囲第８項に記、ｌ＆　Ｌた方
   法。 （１０）上記高分子がポリエーテルイミドであることを
   特徴とする上記特許請求範囲第９項に記載した方法。 （＋ｉ）、上記高分子がポリエーテルエーテルケトンで
   あることを特徴とする上把持７’ｌ’　ｎｌ’ｊ求範囲
   第９項に記載した方法。 （１２）　　約７５μ以上のほぼ均一な厚さを有し、ま
   た約２４５”Ｃの湿度に５秒間露出した後も、上記温度
   で液化あるいは分解しない芳香族主鎖を有する高温熱可
   塑性高分子からなる高分子フィルムあるいはシートを提
   供し； 放射処理した高分子フィルムあるいはシートを強化熱硬
   化性物質に加熱加圧条件下でラミネートシ； ドリル穿孔によって−ないしはそれ以上の貫通孔をラミ
   ネートに機械的加工を施し；上記ラミネート組成物を、
   上記組成物によって吸収されることが可能で、かつ高分
   子の軟化あるいは流動による変形を誘発する発熱を生じ
   ることなく、本質的な応力解消に有効である−・ないし
   はそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間露出し
   て、応力き裂に対して上記高分子を応力解消あるいは安
   定化するのに十分なエネルギーを吸収させる ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用するのに
   適切な組成物の調製法。 （１３）　　約７５μ以上のほぼ均一な厚さを有する芳
   香族ポリエーテル高分子フィルムあるいはシートを提供
   し； 放射処理した高分子フィルムあるいはシートを強化熱硬
   化性物質に加熱加圧条件下でラミネー　ト　し　； ドリル穿孔によって−ないしはそれ以上の貫通孔をラミ
   ネートに機械的加圧を施し；上記ラミネート組成物を、
   上記組成物によって吸収されることが可能で、かつ上記
   高分子の軟化あるいは流動による変形を誘発する発熱を
   生じることなく、本質的な応力解消に有効である−ない
   しはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間露出
   して、応力き裂に対して上記高分子を応力解消あるいは
   安定化するのに十分なエネルギーを吸収させる ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用するのに
   適切な組成物の調製法。 （１４）上記高分子がポリエーテルイミド類あるいはポ
   リエーテルエーテルケトン類から選択されることを特徴
   とする特許 記載した方法。 （１５）上ｔｄ高分子がポリエーテルイミドであること
   を特徴とする上記特許請求範囲第１４項に記載した方法
   。 （１６）　　上記高分子がポリエーテルエーテルケトン
   であることを特徴とする上記特許請求範囲第１４項に記
   載した方法。 （１７）射出成形した高温熱可塑性高分子を提供し、上
   記高分子がーないしはそれ以上の貫通孔を有し； 高分子基質を、高分子基質によって吸収されることが可
   能で、かつ高分子の型くずれあるいは流動を誘発する発
   熱を生じることなく、本質的な応力解消に有効であるー
   ・ないしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時
   間露出して、応力き裂に対して上記高分子を応力解消あ
   るいはまた安定化するのに十分なエネルギーを吸収させ
   ；そして 放射処理した高分子基質の表面を酸化媒体あるいはプラ
   ズマで処理して、後続の金属化を受は容れる親水性表面
   を作成する ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用するのに
   適切な素材を含有する製品の調製法。 （１８）一ないしはそれ以上の貫通孔を有する射出成形
   した芳香族ポリエーテル高分子基質を提供し。 高分子基質を、高分子基質によって吸収されることが可
   能で、かつ高分子の型くずれあるいは流動を誘発する発
   熱を生しることなく、本質的な応力解消に有効であるー
   ないしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分な時間
   露出して、応力き裂に対して高分子基質を解消するのに
   十分なエネルギーを吸収させ；そして 放射処理した高分子基質の表面を酸化媒体あるいはプラ
   ズマで処理して、後続の金属化を受は容オ１る親水性表
   面を作成する ことを特徴とするプリント回路板の製造に使用するのに
   適切な素材を含有する製品の調製法。 （ＩＩ））上記高分子がポリエーテルイミド類あるいは
   ポリエーテルエーテルケトン類から選択されることを特
   徴とする上記特許請求範囲第１８項に記載した方法。 ｅＯ）上記高分子かポリエーテルイミドであることを特
   徴とする上記特許請求範囲第１９項に記載した方法。 ψｌ）上記高分子がポリエーテルエーテルケトンである
   ことを特徴とする上記特許ｎｌＪｆ求範囲第１９頂に記
   載した方法。 ｈａ　　少くとも一表面上に回路図形を有する基質を提
   供し； ７５μ以上の厚さを有する高温熱可塑性高分子を、金属
   被覆した基質にラミネートシ；上記高分子を、高分子フ
   ィルムあるいはシートによって吸収されることが可能で
   　＋−−１かつ高分子の軟化あるいは流動 による変形を誘発する発熱を生じることなく、本質的な
   応力解消に有効であるーないしはそれ以上の周波数帯域
   の赤外線あるいは紫外線放射に十分な時間露出して、応
   力き裂に対して高分子フィルムあるいはシートを応力解
   消あるいは安定化し； 高分子表面を酸化剤の溶媒で化学処理して、上記表面を
   微孔性かつ親水性にして； 十分な時間の赤外線あるいは紫外線放射による放射処理
   工程を反覆して、応力き裂に対して高分子を安定化し；
   そして 処理した表面上に金属を無電解析出させることを特徴と
   する多層プリント回路板の調製法。 （ハ）少くとも一表面上に回路図形を有する基質を提供
   し１ ７５μ以上の厚さを有する芳香族ポリエーテル高分子を
   金属被覆した基質にラミネートし六ドリル穿孔によって
   金属被覆ラミネートに−ないしはそれ以上の貫通孔を機
   械加工し；上記高分子を、高分子フィルムあるいはシー
   トによって吸収されることが可能で、かつ高分子の軟化
   あるいは流動による変形を誘発する発熱を生じることな
   く、−ないしはそれ以上６周波数帯域の赤外線放射に十
   分な時間露出して１、応力き裂に対して高分子フィルム
   あるいはシートを応力解消あるいはまた安定化し； 高分子表面を酸化剤と溶媒で化学処理して、上記表面を
   微孔性がっ親水性にして；そして処理表面上に金属を無
   電解析出させる ことを特徴とする多層プリント回路板の調製法。 ０◆　上記高分子がポリエーテルイミド類あるいはポリ
   エーテルエーテルケトン類から選択されることを特徴と
   する特許 記載した方法。 （ｇ５）　　上記高分子がポリエーテルイミドであるこ
   とを特徴とする上記特許請求範囲第２４項に記載した方
   法。 （２傍１二記高分子がポリエーテルエーテルケトンであ
   ることを特徴とする上記特許請求範囲第２４線で、１分
   間以内の時間であることを特徴とする上記特許請求範囲
   第８．　８．　１８あるいは２３項に記載した方法。 （ハ）上記放射が周波数約１９６０ＭＨｚのマイクロ波
   であることを特徴とする上記特許請求範囲第３、　８．
   　１３あるいは２３項に記載した方法。 （ニ）高分子物品を、上記物品によって吸収されること
   が可能で、かつ高分子の軟化あるいは流動による変形を
   誘発する発熱を生じることなく、本質的な応力解消に有
   効なーないしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十分
   な時間露出して、応力き裂に対して物品を応力解消ある
   いはまた安定化するのに十分な工不ルキーを吸収させ、
   」―記放射がマイクロ波、赤外線および紫外線からなる
   ＩＩｆから選択され； 土泥高分子物品を、上記物品の外面を湿潤することが［
   ｒＪ能な極性溶媒で化学処理して、後のエツチング工程
   でエツチングする表面の金属接着力を向上させ； 上記物品の表面を、金属に対する表面の化学結合座席を
   提供するのに十分な湿度と時間、高度の酸化溶液中でエ
   ツチングを行い；そして上記物品の少くとも一表面上に
   金属フィルム層を無電解析出させる ことを特徴とする約２４５゜Ｃの温度に５秒間露出した
   後も上記温度で液化あるいは分解しない芳香族〕：鎖を
   有する高温熱ｌ：ｉＴ塑性高分子からなる高分子物品の
   メッキ法。 （ニ）　高分子物品を、上記物品によって吸収されるこ
   とが可能で、かつ高分子の軟化あるいは流動による変形
   を誘発する発熱を生じることなく、本質的な応力解消に
   有効な−ないしはそれ以上の周波数帯域の電磁放射に十
   分な時間露出して、応力き裂に対して物品を応力解消あ
   るいはまた安定化するのに十分なエネルギーを吸収させ
   、上記放射がマイクロ波、赤外線および紫外線からなる
   群から選択され； 芳香族ポリエーテル物品を、上記物品の外面を湿潤する
   ことが可能な極性溶媒で化学処理して、後のエツチング
   工程でエツチングする表面の金属接着力を向上させ； 上記物品の表面を、金属に対する表面の化学結合座席を
   提供するのに十分な温度と時間、高度の酸化溶液中でエ
   ツチングを行い；そして上記物品の少くとも一表面上に
   金属フィルム層を無電解析出させる　　　”）・ ことを特徴とする芳香族ポリニーテール高分子物品のメ
   ッキ法。 ０Ｉ）上記高分子がポリエーテルイミド類あるいはポリ
   エーテルエーテルケトン類から選択されることを特徴と
   する特許 記載した方法。 ０′４　　上記高分子がポリエーテルイミドであること
   を特徴とする上記特許請求範囲第３１項に記載した方法
   。 ０４上記高分子がポリエーテルエーテルケトンであるこ
   とを特徴とする土泥特１１′１請求範囲第３１項に記載
   した方法。 ＯＱ　　上記特許請求範囲第８項の方法によって調製し
   た素材。 （ト）上記特許請求範囲第１３項の方法によって調製し
   た組成物。 ０●　上記特許請求範囲第１８項の方法によって調製し
   た製品。 ０′７）上記特許請求範囲第２３項の方法によって調製
   した多層プリント回路板。