JPS61179875A - 金属導体被膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、無電解メッキ法による金属導体被膜を形成す
る方法に関するものであり、更に詳しくは無電解メッキ
時に必要な被メッキ物のメッキ感受性の向上、即ち被メ
ツキ物表面の活性化の為にパラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フィルムを使用して乾式法によりパラジ
ウム金属触媒核を被メッキ物に固着後、無電解メッキを
行い金属導体被膜を形成する方法に関するものである。

（ロ）従来の技術 従来より無電解メッキ法は、金属導体被膜形成法として
は比較的簡便で且つ量産性に優れている為、機能用、装
飾用等として工業的に広く利用されている。又、必要に
応じて無電解メッキ後、電気メッキを施す事も出来る特
徴も有している。

特に、プラスチックに対する無電解メッキは、プラスチ
ックの耐熱性、剛性及び表面硬変向上等が図れるととも
に、プラスチックの表面に金属光沢、金属固有の性能を
付加出来る為、家庭電化製品、自動車内外装飾部品、事
務機器部品、一般工業用品等の製造に賞月されている。

〔青谷！編、金属表面工業全書５．プラスチックメッキ
、金属メッキ技術（４）槙書店昭和４７年６月２５日発
行〕。

一方、最近急速な発展を遂げたプリント配線基板は、通
常紙やガラス繊維強化フェノール樹脂及びエポキシ樹脂
等の熱硬化性樹脂基板或いはポリイミド、ポリエステル
及びポリサルホン等のフィルム基板上に接着剤を使用し
て積層された銅箔をエツチングにより必要な部分のみを
残す方法によって製造されており、プリント基板全面或
いは必要部分のみにパラジウム金属触媒核を固着しプリ
ント基板を活性化後、プリント基板上に直接金属導体被
膜を形成する無電解メッキ法は、工程簡略化、回路性能
の向上環が図れる利点により注目されている。

又、近年無電解メッキ法は、各種電子機器より発生する
電磁波によるディジタル回路の誤動作を防ぐ為の電子機
器筐体の導体化、所謂電磁波シールド手法の一つとして
他の導体化方法、例えば金属溶射法、導電性塗料コーテ
ィング法等に比し生成する金属導体被膜膜が極めて薄く
、軽量且つシールド効果に優れている為、今後一層の発
展が期待されている。

プラスチックの無電解メッキ法を例にとり従来の無電解
メッキ法の概要を以下に述べる。

プラスチック成型品は、通常脱脂等の表面処理工程、メ
ッキ密着強度向上の為の表面粗化工程、塩化第一錫塩酸
水溶液に浸漬する事による感受性向上工程、水洗工程、
塩化パラジウム水溶液に浸漬する事による活性化工程（
パラジウム金属触媒核固着工程）及び水洗工程等を経て
無電解メッキ工程に供される。又、必要な部分のみに無
電解メッキを行う場合は、予め被メッキ物のメツキネ要
部分をメンキレジストでマスキングする工程及びメツキ
レシストを除去する工程が更に必要になる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 従来の無電解メッキ法は、上述のプラスチックの無電解
メッキ法に於いて述べた如く、無電解メッキ工程前に被
メッキ物の前処理工程をはじめとして、煩雑な多くの工
程が必要であり、塩化第−錫塩酸水溶液及び塩化パラジ
ウム水溶液の各処理浴の管理も面倒である。更に、必要
な部分のみに無電解メッキを行う場合は、一層煩雑な工
程が必要となる。

又、プラスチックの無電解メッキ法に於ける被メッキ物
の表面粗化工程は、極めて重要な工程であり溶媒粗化及
び酸、アルカリ粗化等の化学的粗化又はバレル粗化及び
液体ホーニング等の物理的粗化等が通常行われているが
、適正に表面粗化が可能なプラスチックが少ない為、無
電解メッキ法の対象となるプラスチックの種類が限定さ
れるのが現状であり、従来法の大きな欠点となっている
。

一方、上述のプリント配線基板製造法も工程が多く煩雑
であり、本質的に接着剤により銅箔が基板に密着されて
いる為、銅配線回路の性能、例えば寸法安定性、電気特
性、耐熱性等が接着剤の特性により左右され易い欠点が
ある。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体
組成物溶液よりパラジウム系有機金属錯体を含有する重
合体フィルムを製造し、該重合体フィルムと被メッキ物
を対向させ、該重合体フィルムの加熱の際重合体フィル
ムより遊離するパラジウム金属が、被メッキ物に強固に
固着し無電解メッキの触媒核となる事を見出し本発明を
完成するに至ったものである。

以下、本発明につき詳細に説明する。

本発明のパラジウム系有機金属錯体は、有機溶媒に対し
溶解性を示し常温で酸素、湿気等に対して安定で且つ加
熱により金属を遊離するものが選ばれる。

具体的には、例えばヨード（メチル）ビス（トリメチル
ホスフィン）パラジウム、ヨード（メチル）ビス（トリ
エチルホスフィン）パラジウム、ヨード（メチル）ビス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム、クロロ（ベン
ジル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ブ
ロモ（ベンジル）ビス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム、ヨード（ベンジル）ビス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム、クロル（アセチル）ビス（トリフェ
ニルホスフィン）パラジウム、ジ−μｍクロロ−ビス（
η−２−メチルアリル）ニパラジウム等が推賞される。

又、本発明のパラジウム系有機金属錯体を含有するフィ
ルム用の重合体は、有機溶媒に対し溶解性を示すもので
あれば制限はないが、特に単独重合体或いは共重合体の
熱可塑性樹脂が推賞される。

具体的には、ポリサルホン、ポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレート、ポリスチレン、ポリアセタール等
が挙げられ、これらを単独或いはブレンドして使用して
も良い。

更に、本発明に使用される有機溶媒は、有機金属錯体及
び重合体を均一に溶解すると同時に有機金属錯体を含む
重合体組成物溶液の使用に際し、適当な作業性を与える
粘度の調整に使用される。

使用される溶媒は、特に制限はなく単一で使用しても、
又二種以上の混合溶媒でも差支えない。

例えば、クロロホルム、塩化メチレン、トリクレン、テ
トラクロロエチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
アセトン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサン等が挙げられる。

本発明のパラジウム系有機金属錯体を含有する重合体組
成物溶液は、上述のパラジウム系有機金属錯体、重合体
及び有機溶媒より均一溶液を調製する事により得られる
。

次に、本発明のパラジウム系有機金属錯体を含有する重
合体フィルムの製造方法について述べる。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィルムは
、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体組成物溶
液を該溶液に侵されず該重合体フィルムとの剥離性の良
いキャスティング基板、例えばスチール、クロムメッキ
処理スチール、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチ
レン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーンゴム
等の基板の上に所定の厚さに流延し、パラジウム系有機
金属錯体よりパラジウム金属が遊離する温度以下で有機
溶媒を除去後、キャスティング基板より剥離する事によ
り得る事が出来る。

同様に、コート用基板の上にパラジウム系有機金属錯体
を含有する重合体組成物溶液を塗布し、有機溶媒を除去
後、コート用基板上にパラジウム系有機金属錯体を含有
する重合体フィルムを形成させても良い。

コート用基板はパラジウム系有機金属錯体を含有する重
合体と密着性の良い事が重要であり、この面からコート
用基板材質と重合体の組合せが制限される。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィルムに
占めるパラジウム系有機金属錯体の割合は、パラジウム
金属換算で０．０５〜ｌＱｗｔ％である。

ｏ、９５ｗｔ％未満であると、該重合体フィルムの加熱
の際に遊離するパラジウム金属量が少な（、従って被メ
ッキ物へのパラジウム金属固着量が少なくなる為無電解
メッキされない個所、即ちスキップを生じ易くなる。又
、ｌ　０ｗｔ％を越えると無電解メッキ触媒核として必
要以上のパラジウム金属が被メッキ物に固着し経済的に
不利となる。

キャスティング法によるパラジウム系有機金属錯体を含
有する重合体フィルム及びコート法でコート用基板上に
形成されたパラジウム系有機金属錯体を含有する重合体
フィルムの膜厚は、該重合体フィルム中に含有されるパ
ラジウム系有機金属錯体の量にもよるが通常２〜５０μ
ｍ程度のものが推賞される。

次に、斯くして得られたパラジウム系有機金属錯体を含
有する重合体フィルムを使用し、被メッキ物へパラジウ
ム金属触媒核を固着する方法につき説明する。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィルムと
被メッキ物を対向させ、該重合体フィルム中のパラジウ
ム系有機金属錯体よりパラジウム金属が遊離する温度に
該重合体フィルムを加熱すると、パラジウム系有機金属
錯体が分解し遊離したパラジウム金属が該重合体フィル
ムより放出され、パラジウム金属が被メッキ物に転写固
着される。

ここで対向とは、パラジウム系有機金属錯体を含有する
重合体フィルムと被メッキ物が密着接触又は数ミリ程度
の間隔をおいて対置する事を意味している。

本発明の被メッキ物としては、熱可塑性及び熱硬化性プ
ラスチックやセラミックス等が挙げられる。

被メッキ物であるプラスチックとしては特に制限はない
が、パラジウム系有機金属錯体よりパラジウム金属が遊
離する温度以上の熔融温度を有するものが望ましい。何
故なら、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
ィルムの加熱の際にプラスチックの溶融軟化が起こると
、形状、厚み等に変化が生じる為である。この点、熱硬
化性プラスチックは一般に高いガラス転移温度を有する
為、殆どのプラスチックにパラジウム金属を固着し無電
解メッキを行う事ができる。

本発明が適用可能なプラスチックの具体例としては、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ポリサルホン、ポフ
ェニレンオキシド、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリ
エチレンテレフタレート、ＡＢＳ樹脂等の単独重合体或
いはその共重合体である熱可塑性プラスチック並びにフ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬
化性樹脂等が挙げられる。

又、本発明の被メッキ物であるセラミックスとしては、
通常の各種酸化物、窒化物、炭化物、硼化物等の焼結体
にパラジウム金属を固着する事が出来無電解メッキの対
象となるが、非晶質のガラスは対象外である。

本発明が適用可能なセラミックスの具体例としては、ア
ルミナ、窒化珪素、窒化硼素、炭化珪素、陶磁器等が挙
げられる。

被メッキ物の内、プラスチックは離形剤及び油脂骨の除
去を目的とした脱脂処理後、表面粗化せず或いは無電解
メッキ時の水濡れ性向上を目的としてサンドペーパー等
で表面を簡単に物理的に粗化して次の工程に供される。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィルムと
被メッキ物を対向させて該重合体フィルムを加熱する温
度は、通常８０〜２５０℃程度が良い。一般に１００〜
１８０℃でパラジウム金属を遊離するパラジウム系有機
金属錯体を選択する事が好ましい。即ち、パラジウム系
有機金属錯体よりパラジウム金属を遊離させる温度は、
該有機金属錯体の熱分解温度以上を採用する必要がある
。

加熱時間はパラジウム系有機金属錯体の種類にもよるが
、通常ｌＯ秒〜５分程度であり加熱温度が高い程加熱時
間は短縮される。

本発明に於いて、パラジウム系有機金属錯体を含有する
重合体フィルムは被メッキ物と対向させ加熱されるが被
メッキ物が平板状の場合は、単なるオーブン等に於ける
加熱の他、平面加熱プレス機の如きもので接触圧程度の
微圧力（例えば平面有効圧力５　ｋｇ　／　ｃｉ以下）
でプレスし、被メッキ物にパラジウム金属触媒核を固着
する事も出来る。

又、加熱ロール等で連続的に処理する事も出来る。

被メッキ物が種々の形状を有する異形の場合は、無電解
メッキを必要する面と同一の形状を有する当て金型を使
用し、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィ
ルムと被メッキ物を対向させ、該重合体フィルムを加熱
すれば良い。

更に、必要な部分のみにパラジウム金属触媒核を固着す
るには、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
ィルムと被メッキ物との間に被メッキ物に選択的にパラ
ジウム金属触媒核を固着するように必要部分を切抜いた
遮蔽板（り、ペーサ−）を介して、同様に処理すれば良
い。

遮蔽板の材質としては、特に制限はないが一般的に金属
又はプラスチックの厚さ５〜１００μｍ程度のフィルム
が切抜き加工、扱い易さの点から好適である。

上述の遮蔽板は、繰返し使用可能でありプラスチックを
遮蔽板として使用する場合は、加熱時に溶融するものは
避ける必要がある。

遮蔽板の具体例としては、ステンレス、アルミニウム、
錫、ポリエチレンテレフタレート等が挙げられる。

例えば、化学エツチング法等で回路を切抜いたステンレ
ス板を遮蔽板として使用し、上述の方法でパラジウム金
属を回路状に熱硬化性樹脂基板或いはフィルム基板上に
固着後、無電解メッキを行う事により基板に直接、任意
に金属導体回路を形成させたプリント配線基板を製造す
る事が出来る。

この場合、パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体
フィルムを別々に回路を切抜いた遮蔽板を介し基板の上
、下方向から加熱後無電解メッキを施し、基板の上及び
下に別々の金属導体回路を形成させたプリント配線基板
を製造する事が出来る。

更に、貫通孔のある基板とパラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フィルムとの間に貫通孔の大きさに切抜
いた遮蔽板を介し該重合体フィルムを加熱すると、該重
合体フィルムより遊離したパラジウム金属は貫通孔の基
板内部に数ミリ程度移行固着する為、無電解メッキを施
すと所謂スルホールメッキも同時に行う事が出来る利点
がある。

本発明方法は、被メッキ物へのパラジウム金属触媒核の
固着機構に不明な部分があるが、被メッキ物としてプラ
スチックを使用する場合、パラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フィルムの加熱の際、プラスチックもあ
る程度の加熱下に置かれ該重合体フィルムより遊離した
極めて微細なパラジウム金属が単なるプラスチック表面
への付着でなく強固に固着する為、このパラジウム金属
触媒核を基にした無電解メッキ後の金属導体被膜は強固
な密着強度を有するものとなる。

又、被メッキ物がセラミックスの場合、本来セラミック
ス焼結体が有する表面の凹凸にパラジウム系有機金属錯
体を含有する重合体フィルムより遊離するパラジウム金
属が転写固着される為、無電解メッキ後のメッキ層に対
しアンカー効果を発揮し強固な金属導体被膜を形成する
。

以上の事は、パラジウム金属触媒核が固着された被メッ
キ物をオージェ分光分析法で解析したところ、被メッキ
物の表面のみならず被メツキ物内部までパラジウム金属
が観測される事から支持される。

被メッキ物にパラジウム金属触媒核固着後、本発明方法
の無電解メッキ工程に於いて採用される無電解メッキ法
は、従来知られている通常の方法が使用される。又、必
要に応じて行われる電気メツキ法も通常の方法が採用さ
れる。

以下に本発明を実施例によって詳述するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。

（へ）実施例 実施例１ ジ−μｍクロロビス（η−２−メチルアリル）ニパラジ
ウム（ｎ）錯体０．０９３ｇとポリカーボネート（三菱
ガス化学ニーピロンＳ５−２０００）Ｌｏをクロロホル
ム９０ｇに溶解した後、厚さ４００μｍに規制するドク
ターナイフを使用しガラス板上に流延した。

次に、３０分風乾、６０℃で２時間乾燥しクロロホルム
を除去後、厚さ約４０μｍのパラジウム有機金属錯体含
有ポリカーボネートフィルムを得た。

このフィルムはポリカーボネートに対しパラジウム金属
が０．５ｗｔ％含まれていた。

該パラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネートフィル
ムをサンドペーパー（＃１００）によるサンディングで
表面を粗面化した厚さｌ＋＋ｎａＯ祇積層フェノール基
板と重ね合わせ、電気オーブン中１８０℃で１０分間加
熱処理しパラジウム金属触媒核を紙積層フェノール板に
固着した。

次に、パラジウム有機金属錯体を含有していたポリカー
ボネートフィルムを紙積層フェノール板より剥がした後
、紙積層フェノール板を無電解銅メッキ液（ＴＭＰ化学
銅＃２００、奥野製薬工業（株）社製〕中に２５℃で１
０分間浸漬したところパラジウム有機金属錯体含有ポリ
カーボネートフィルムに対向していた面のみ銅メッキが
施された。

このようにして化学銅メッキが施された紙積層フェノー
ル板を硫酸銅５水和物９０ｇ／ｌ、濃硫酸２００ｇ／ｌ
、濃塩酸０．１２５ｇ／Ｉ、光沢剤〔ルチナ８１ＭＵ、
奥野製薬工業（株）社製〕５　ｍ　ｌ　／　ｌからなる
電解銅メッキ液中で、室温２Ａ／ｄｍ２の電流密度でメ
ッキの厚さが４０μｍなるように銅メッキを行った。

このもののビール強度を測定したところ１．　２ｋｇ　
／　ｃ＋ｎ　”であった。

実施例２ 実施例１のパラジウム有機金属錯体含有ポリカ−ボネー
トフィルムと表面を粗化していない紙積層フェノール基
板を重ね合わせ、実施例１と同様に加熱処理し無電解銅
メッキを行った。

得られた銅メッキ層は、均一でスキップの発生も認めら
れず粘着テープによる剥離試験で破壊されなかった。

実施例３．４．５ 実施例１と同様にしてポリカーボネートに対しパラジウ
ム金属含有量が各々Ｏ，ｌ　１．５ｗｔ％のジ−μｍク
ロロビス（η−２−メチルアリル）ニパラジウム（ｎ）
錯体含有ポリカーボネートフィルムを作製し、表面をサ
ンドペーパー（＃１００）でサンディングした厚さ１龍
の紙積層フェノール基板と重ね合わせ実施例１と同様に
加熱処理し無電解銅メッキを行ったところ、全て金属光
沢を示す銅メッキが施された。

実施例６．７．８ 表面をサンドペーパー（＃１００）でサンディングした
厚さｌ　Ｉｌｌのガラスクロス積層エポキシ基板、ポリ
サルホン成形基板及びアルミナ基板に、実施例１で得ら
れたパラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネートフィ
ルムを重ね合わせ、実施例１と同様に加熱処理し無電解
銅メッキを行ったところ、金属光沢を示す銅メッキが施
された。この銅メッキ層は、粘着テープによる剥離試験
で破壊されなかった。

実施例９ パラジウム有機金属錯体としてジ−μｍクロロビス（η
−アリル）ニパラジウム（ｎ）を使用し、実施例１と同
様にしてポリカーボネートに対しパラジウム金属含有量
がＱ、５ｗｔ％のパラジウム有機金属錯体含有ポリカー
ボネートフィルムを作製し、表面をサンドペーパー（＃
１００）でサンディングした厚さ１ｍＯ祇積層フェノー
ル基板と重ね合わせ、電気オープン中１５０℃で１０分
間加熱処理し、実施例１と同様に無電解銅メッキを行っ
たところ、金属光沢を示す銅メッキが施された。

実施例１Ｏ パラジウム有機金属錯体としてベンジルクロロビス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム（ｎ）を使用し、実
施例１と同様にしてポリカーボネートに対しパラジウム
金属含有量がＱ、５ｗｔ％のパラジウム有機金属錯体含
有ポリカーボネートフィルムを作製し、表面をサンドペ
ーパー（＃１００）でサンディングした厚さｌ　ｗｍの
紙積層フェノール基板と重ね合わせ、実施例１と同様に
加熱処理し無電解銅メッキを行ったところ、金属光沢を
示す銅メッキが施された。

実施例１１ ジ−μｍクロロビス（η−２−メチルアリル）ニパラジ
ウム（ｎ）錯体０．０９３ｇと硬質ポリウレタン１０ｇ
をクロロホルム９０ｇに溶解しコート用樹脂液を調製し
た。この溶液は硬質ポリウレタンに対しパラジウム金属
がＱ、５ｗｔ％含有している事になる。

このコート用樹脂液を厚さ１００μｍに規制するドクタ
ーナイフを使用し厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタ
レートフィルムに塗布し、風乾後６０℃で２時間乾燥し
た。

このようにして得られたパラジウム有機金属錯体含有硬
質ポリウレタン塗布ポリエチレンテレフタレートフィル
ムをサンドペーパー（＃１００）によるサンディングで
表面を粗面化した厚さ１鶴の紙積層フェノール基板と重
ね合わせ、実施例１と同様に加熱処理し無電解銅メッキ
を行ったところ、表面に均一な銅メッキが施された。

実施例１２ 図１に示すように、実施例１のパラジウム有機金属錯体
含有ポリカーボネートフィルムをパラジウム金属を固着
するに必要な部分を切抜いた厚さ５０μｍのステンレス
製遮蔽板（スペーサー）を介してサンドペーパー（＃１
００）によるサンディングで表面を粗面化した厚さ１１
ｍの紙積層フェノール基板と接触しないように重ね合わ
せ、プレス機を使用し上、下両方向より接触圧で１８０
℃、１０分間加熱処理を行った。

次に、実施例１と同様に無電解銅メッキを行ったところ
、遮蔽板を介してパラジウム有機金属錯体含有ポリカー
ボネートフィルムと対向していた紙積層フェノール基板
の部分のみに銅メッキが施された。

実施例１３ 図２に示すように、実施例１のパラジウム有機−金属錯
体含有ポリカーボネートフィルムを幅ｌ鶴のジグザグパ
ターンを切抜いた厚さ５０μｍのステンレス製遮蔽板を
介してサンドペーパー（＃１００）によるサンディング
で表面を粗面化した厚さ１１璽の紙積層フェノール基板
と接触しないように重ね合わせ、実施例１と同様に加熱
処理し無電解銅メッキを行ったところ、遮蔽板を介して
パラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネートフィルム
と対向していた紙積層フェノール基板に幅ｌｌｌのジグ
ザグパターンの銅メッキが施された。

実施例１４ 図３に示すように、実施例１のパラジウム有機金属錯体
含有ポリカーボネートフィルム２枚を幅１．５ｍｍの互
いに異なったジグザグパターンを切抜いた厚さ５０μｍ
のステンレス製遮蔽板２枚を介してサンドペーパー（＃
１００）によるサンディングで表面を粗面化した径１１
重φの貫通孔２個を有する厚さ１．６鶴の紙積層フェノ
ール基板と接触しないように重ね合わせ、実施例１と同
様に加熱処理し無電解銅メッキを行ったところ、遮蔽板
を介してパラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネート
フィルムと対向していた紙積層フェノール基板の上、下
に幅１ｍ■のジグザグパターンの銅メッキが施された。

このものは、紙積層フェノール基板の上下間で導通があ
った。

（ト）発明の効果 本発明は、多種類の被メッキ物について表面粗化が不要
か掻く簡単な表面粗化を行い、従来の煩雑な湿式法によ
るパラジウム金属触媒核固着工程を経る事なく極めて簡
便な方法でメッキ密着強度に優れ且つ必要に応じ任意の
部分に無電解メッキが可能な金属導体被膜形成法に関す
るものである。

又、プリント配線基板を製造する場合は、基板の上及び
下に別々の金属導体回路を形成する事が出来ると共に、
所謂スルホールメッキも同時に行う事が出来る利点があ
る。

又、被メッキ物にパラジウム系有機金属錯体を含有する
重合体フィルムより遊離した極めて微細なパラジウム金
属が、単なる付着でなく強固に固着する為、このパラジ
ウム金属触媒核を基にした無電解メッキ後の金属導体被
膜は強固な密着強度を有するものとなる。

【図面の簡単な説明】

図１、図２、図３は、各々実施例１２、実施例１３、実
施例１４に於ける被メッキ物へのパラジウム金属触媒核
固着方法を示すものである。 １、パラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネート、２
．ステンレス製遮蔽板、３．紙積層フェノール基板、４
０幅１１１のジグザグパターンを切抜いたステンレス製
遮蔽板、５．４とは異なる幅１ｍｍのジグザグパターン
を切抜いたステンレス製遮蔽板、６０貫通孔を有する紙
積層フェノール基板 特許出願人　　日産化学工業株式会社 ）刀　Ｉ Ｉｑ　　λ ）コ　３ 手続補正書（方式） ： 昭和６１年令月や鴫日 昭和５９年特許願第２２５３２６号 ２、発明の名称 金属導体被膜形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所０１０１東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１４
、補正命令の日付（発送日） 昭和６１年２月２５日 ５、補正の対象 明細書の発明の名称の欄 １、発明の名称を「金属導体被膜形成方法」と訂正する
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フィルムと
   被メッキ物を対向させ、該重合体フィルムを加熱しパラ
   ジウム金属を被メッキ物に固着後、無電解メッキ法によ
   り金属導体被膜を形成する方法