JPH0222149B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業の利用分野 本発明は、無電解メツキ法による金属導体被膜
を形成する方法に関するものであり、更に詳しく
は無電解メツキ時に必要な被メツキ物のメツキ感
受性の向上、即ち被メツキ物表面の活性化の為に
パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フイ
ルムを使用して乾式法によりパラジウム金属触媒
核を被メツキ物に固着後、無電解メツキを行い金
属導体被膜を形成する方法に関するものである。

(ロ) 従来の技術 従来より無電解メツキ法は、金属導体被膜形成
法としては比較的簡便で且つ量産性に優れている
為、機能用、装飾用等として工業的に広く利用さ
れている。又、必要に応じて無電解メツキ後、電
気メツキを施す事も出来る特徴も有している。

特に、プラスチツクに対する無電解メツキは、
プラスチツクの耐熱性、剛性及び表面硬度向上等
が図れるとともに、プラスチツクの表面に金属光
沢、金属固有の性能を付加出来る為、家庭電化製
品、自動車内外装飾部品、事務機器部品、一般工
業用品等の製造に賞用されている。〔青谷薫編、
金属表面工業全書5.プラスチツクメツキ、金属メ
ツキ技術(4)槙書店昭和47年６月25日発行〕。

一方、最近急速な発展を遂げたプリント配線基
板は、通常紙やガラス繊維強化フエノール樹脂及
びエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂基板或いはポリ
イミド、ポリエステル及びポリサルホン等のフイ
ルム基板上に接着剤を使用して積層された銅箔を
エツチングにより必要な部分のみを残す方法によ
つて製造されており、プリント基板全面或いは必
要部分のみにパラジウム金属触媒核を固著しプリ
ント基板を活性化後、プリント基板上に直接金属
導体被膜を形成する無電解メツキ法は、工程簡略
化、回路性能の向上等が図れる利点により注目さ
れている。

又、近年無電解メツキ法は、各種電子機器より
発生する電磁波によるデイジタル回路の誤動作を
防ぐ為の電子機器筺体の導体化、所謂電磁波シー
ルド手法の一つとして他の導体化方法、例えば金
属溶射法、導電性塗料コーテイング法等に比し生
成する金属導体被膜膜が極めて薄く、軽量且つシ
ールド効果に優れている為、今後一層の発展が期
待されている。

プラスチツクの無電解メツキ法を例にとり従来
の無電解メツキ法の概良を以下に述べる。

プラスチツク成型品は、通常脱脂等の表面処理
工程、メツキ密着強度向上の為の表面粗化工程、
塩化第一錫塩酸水溶液に浸漬する事による感受性
向上工程、水洗工程、塩化パラジウム水溶液に浸
漬する事による活性化工程（パラジウム金属触媒
核固着工程）及び水洗工程等を経て無電解メツキ
工程に供される。又、必要な部分のみに無電解メ
ツキを行う場合は、予め被メツキ物のメツキ不要
部分をメツキレジストでマスキングする工程及び
メツキレジストを除去する工程が更に必要にな
る。

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 従来の無電解メツキ法は、上述のプラスチツク
の無電解メツキ法に於いて述べた如く、無電解メ
ツキ工程前に被メツキ物の前処理工程をはじめと
して、煩雑な多くの工程が必要であり、塩化第一
錫塩酸水溶液及び塩化パラジウム水溶液の各処理
浴の管理も面倒である。更に、必要な部分のみに
無電解メツキを行う場合は、一層煩雑な工程が必
要となる。

又、プラスチツクの無電解メツキ法に於ける被
メツキ物の表面粗化工程は、極めて重要な工程で
あり溶媒粗化及び酸、アルカリ粗化等の化学的粗
化又はバレル粗化及び液体ホーニング等の物理的
粗化等が通常行われているが、適正に表面粗化が
可能なプラスチツクが少ない為、無電解メツキ法
の対象となるプラスチツクの種類が限定されるの
が現状であり、従来法の大きな欠点となつてい
る。

一方、上述のプリント配線基板製造法も工程が
多く煩雑であり、本質的に接着剤により銅箔が基
板に密着されている為、銅配線回路の性能、例え
ば寸法安定性、電気特性、耐熱性等が接着剤の特
性により左右され易い欠点がある。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は、パラジウム系有機金属錯体を含有す
る重合体組成物溶液よりパラジウム系有機金属錯
体を含有する重合体フイルムを製造し、該重合体
フイルムと被メツキ物を対向させ、該重合体フイ
ルムの加熱の際重合体フイルムより遊離するパラ
ジウム金属が、被メツキ物に強固に固着し無電解
メツキの触媒核となる事を見出し本発明を完成す
るに至つたものである。

以下、本発明につき詳細に説明する。

本発明のパラジウム系有機金属錯体は、有機溶
媒に対し溶解性を示し常温で酸素、湿気等に対し
て安定で且つ加熱により金属を遊離するものが選
ばれる。

具体的には、例えばヨード（メチル）ビス（ト
リメチルホスフイン）パラジウム、ヨード（メチ
ル）ビス（トリエチルホスフイン）パラジウム、
ヨード（メチル）ビス（トリフエニルホスフイ
ン）パラジウム、クロロ（ベンジル）ビス（トリ
フエニルホスフイン）パラジウム、ブロモ（ベン
ジル）ビス（トリフエニルホスフイン）パラジウ
ム、ヨード（ベンジル）ビス（トリフエニルホス
フイン）パラジウム、クロル（アセチル）ビス
（トリフエニルホスフイン）パラジウム、ジ−μ
−クロロ−ビス（η−２−メチルアリル）二パラ
ジウム等が推賞される。

又、本発明のパラジウム系有機金属錯体を含有
するフイルム用の重合体は、有機溶媒に対し溶解
性を示すものであれば制限はないが、特に単独重
合体或いは共重合体の熱可塑性樹脂が推賞され
る。

具体的には、ポリサルホン、ポリカーボネー
ト、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、
ポリアセタール等が挙げられる、これらを単独或
いはブレンドして使用しても良い。

更に、本発明に使用される有機溶媒は、有機金
属錯体及び重合体を均一に溶解すると同時に有機
金属錯体を含む重合体組成物溶液の使用に際し、
適当な作業性を与える粘度の調整に使用される。

使用される溶媒は、特に制限はなく単一で使用
しても、又二種以上の混合溶媒でも差支えない。
例えば、クロロホルム、塩化メチレン、トリクレ
ン、テトラクロロエチレン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、アセトン、酢酸エチル、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサン
等が挙げられる。

本発明のパラジウム系有機金属錯体を含有する
重合体組成物溶液は、上述のパラジウム系有機金
属錯体、重合体及び有機溶媒より均一溶液を調製
する事により得られる。

次に、本発明のパラジウム系有機金属錯体を含
有する重合体フイルムの製造方法について述べ
る。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
イルムは、パラジウム系有機金属錯体を含有する
重合体組成物溶液を該溶液に侵されず該重合体フ
イルムとの剥離性の良いキヤステイング基板、例
えばスチール、クロムメツキ処理スチール、ポリ
エステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、シリコーンゴム等の基
板の上に所定の厚さに流延し、パラジウム系有機
金属錯体よりパラジウム金属が遊離する温度以下
で有機溶媒を除去後、キヤステイング基板より剥
離する事により得る事が出来る。

同様に、コート用基板の上にパラジウム系有機
金属錯体を含有する重合体組成物溶液を塗布し、
有機溶媒を除去後、コート用基板上にパラジウム
系有機金属錯体を含有する重合体フイルムを形成
させても良い。

コート用基板はパラジウム系有機金属錯体を含
有する重合体と密着性の良い事が重要であり、こ
の面からコート用基板材質と重合体の組合せが制
限される。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
イルムに占めるパラジウム系有機金属錯体の割合
は、パラジウム金属換算で0.05〜10wt％である。

0.05wt％未満であると、該重合体フイルムの加
熱の際に遊離するパラジウム金属量が少なく、従
つて被メツキ物へのパラジウム金属固着量が少な
くなる為無電解メツキされない個所、即ちスキツ
プを生じ易くなる。又、10wt％を越えると無電
解メツキ触媒核として必要以上のパラジウム金属
が被メツキ物に固着し経済的に不利となる。

キヤステイング法によるパラジウム系有機金属
錯体を含有する重合体フイルム及びコート法でコ
ート用基板上に形成されたパラジウム系有機金属
錯体を含有する重合体フイルムの膜厚は、該重合
体フイルム中に含有されるパラジウム系有機金属
錯体の量にもよるが通常２〜50μｍ程度のものが
推賞される。

次に、斯くして得られたパラジウム系有機金属
錯体を含有する重合体フイルムを使用し、被メツ
キ物へパラジウム金属触媒核を固着する方法につ
き説明する。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
イルムと被メツキ物を対向させ、該重合体フイル
ム中のパラジウム系有機金属錯体よりパラジウム
金属が遊離する温度に該重合体フイルムを加熱す
ると、パラジウム系有機金属錯体が分解し遊離し
たパラジウム金属が該重合体フイルムより放出さ
れ、パラジウム金属が被メツキ物に転写固着され
る。

ここで対向とは、パラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フイルムと被メツキ物が密着接触
又は数ミリ程度の間隔をおいて対置する事を意味
している。

本発明の被メツキ物としては、熱可塑性及び熱
硬化性プラスチツクやセラミツクス等が挙げられ
る。

被メツキ物であるプラスチツクとしては特に制
限はないが、パラジウム系有機金属錯体よりパラ
ジウム金属が遊離する温度以上の溶融温度を有す
るものが望ましい。何故なら、パラジウム系有機
金属錯体を含有する重合体フイルムの加熱の際に
プラスチツクの溶融軟化が起こると、形状、厚み
等に変化が生じる為である。この点、熱硬化性プ
ラスチツクは一般に高いガラス転移温度を有する
為、殆どのプラスチツクにパラジウム金属を固着
し無電解メツキを行う事ができる。

本発明が適用可能なプラスチツクの具体例とし
ては、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリ
サルホン、ポリフエニレンオキシド、ポリプロピ
レン、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレー
ト、ABS樹脂等の単独重合体或いはその共重合
体である熱可塑性プラスチツク並びにフエノール
樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化
性樹脂等が挙げられる。

又、本発明の被メツキ物であるセラミツクスと
しては、通常の各種酸化物、窒化物、炭化物、硼
化物等の焼結体にパラジウム金属を固着する事が
出来無電解メツキの対象となるが、非晶質のガラ
スは対象外である。

本発明が適用可能なセラミツクスの具体例とし
ては、アルミナ、窒化珪素、窒化硼素、炭化珪
素、陶磁器等が挙げられる。

被メツキ物の内、プラスチツクは離形剤及び油
脂分の除去を目的とした脱脂処理後、表面粗化せ
ず或いは無電解メツキ時の水濡れ性向上を目的と
してサンドペーパー等で表面を簡単に物理的に粗
化して次の工程に供される。

パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体フ
イルムと被メツキ物を対向させて該重合体フイル
ムを加熱する温度は、通常80〜250℃程度が良い。
一般に100〜180℃でパラジウム金属を遊離するパ
ラジウム系有機金属錯体を選択する事が好まし
い。即ち、パラジウム系有機金属錯体よりパラジ
ウム金属を遊離させる温度は、該有機金属錯体の
熱分解温度以上を採用する必要がある。

加熱時間はパラジウム系有機金属錯体の種類に
もよるが、通常10秒〜５分程度であり加熱温度が
高い程加熱時間は短縮される。

本発明に於いて、パラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フイルムは被メツキ物と対向させ
加熱されるが被メツキ並が平板状の場合は、単な
るオーブン等に於ける加熱の他、平面加熱プレス
機の如きもので接触圧程度の微圧力（例えば平面
有効圧力５Kg／cm²以下）でプレスし、被メツキ物
にパラジウム金属触媒核を固着する事も出来る。

又、加熱ロール等で連続的に処理する事も出来
る。

被メツキ物が種々の形状を有する異形の場合
は、無電解メツキを必要とする面と同一の形状を
有する当て金型を使用し、パラジウム系有機金属
錯体を含有する重合体フイルムと被メツキ物を対
向させ、該重合体フイルムを加熱すれば良い。

更に、必要な部分のみにパラジウム金属触媒核
を固着するには、パラジウム系有機金属錯体を含
有する重合体フイルムと被メツキ物との間に被メ
ツキ物に選択的にパラジウム金属触媒核を固着す
るように必要部分を切抜いた遮蔽板（スペーサ
ー）を介して、同様に処理すれば良い。

遮蔽板の材質としては、特に制限はないが一般
的に金属又はプラスチツクの厚さ５〜100μｍ程
度のフイルムが切抜き加工、扱い易さの点から好
適である。

上述の遮蔽板は、繰返し使用可能でありプラス
チツクを遮蔽板として使用する場合は、加熱時に
溶融するものは避ける必要がある。

遮蔽板の具体例としては、ステンレス、アルミ
ニウム、錫、ポリエチレンテレフタレート等が挙
げられる。

例えば、化学エツチング法等で回路を切抜いた
ステンレス板を遮蔽板として使用し、上述の方法
でパラジウム金属を回路状に熱硬化性樹脂基板或
いはフイルム基板上に固着後、無電解メツキを行
う事により基板に直接、任意に金属導体回路を形
成させたプリント配線基板を製造する事が出来
る。

この場合、パラジウム系有機金属錯体を含有す
る重合体フイルムを別々に回路を切抜いた遮蔽板
を介し基板の上、下方向から加熱後無電解メツキ
を施し、基板の上及び下に別々の金属導体回路を
形成させたプリント配線基板を製造する事が出来
る。

更に、貫通孔のある基板とパラジウム系有機金
属錯体を含有する重合体フイルムとの間に貫通孔
の大きさに切抜いた遮弁板を介し該重合体フイル
ムを加熱すると、該重合体フイルムより遊離した
パラジウム金属は貫通孔の基板内部に数ミリ程度
移行固着する為、無電解メツキを施すと所謂スル
ホールメツキも同時に行う事が出来る利点があ
る。

本発明方法は、被メツキ物へのパラジウム金属
触媒核の固着機構に不明な部分があるが、被メツ
キ物としてプラスチツクを使用する場合、パラジ
ウム系有機金属錯体を含有する重合体フイルムの
加熱の際、プラスチツクもある程度の加熱下に置
かれ該重合体フイルムより遊離した極めて微細な
パラジウム金属が単なるプラスチツク表面への付
着でなく強固に固着する為、このパラジウム金属
触媒核を基にした無電解メツキ後の金属導体被膜
は強固な密着強度を有するものとなる。

又、被メツキ物がセラミツクスの場合、本来セ
ラミツクス焼結体が有する表面の凹凸にパラジウ
ム系有機金属錯体を含有する重合体フイルムより
遊離するパラジウム金属が転写固着される為、無
電解メツキ後のメツキ層に対しアンカー効果を発
揮し強固な金属導体被膜を形成する。

以上の事は、パラジウム金属触媒核が固着され
た被メツキ物をオージエ分光分析法で解析したと
ころ、被メツキ物の表面のみならず被メツキ物内
部までパラジウム金属が観測される事から支持さ
れる。

被メツキ物にパラジウム金属触媒核固着後、本
発明方法の無電解メツキ工程に於いて採用される
無電解メツキ法は、従来知られている通常の方法
が使用される。又、必要に応じて行われる電気メ
ツキ法も通常の方法が採用される。

以下に本発明を実施例によつて詳述するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

(ヘ) 実施例 実施例 １ ジ−μ−クロロビス（η−２−メチルアリル）
二パラジウム（）錯体0.093ｇとポリカーボネ
ート（三菱ガス化学ユーピロンＳ−2000）10ｇを
クロロホルム90ｇに溶解した後、厚さ400μｍに
規制するドクターナイフを使用したガラス板上に
流延した。

次に、30分風乾、60℃で２時間乾燥しクロロホ
ルムを除去後、厚さ約40μｍのパラジウム有機金
属錯体含有ポリカーボネートフイルムを得た。

このフイルムはポリカーボネートに対しパラジ
ウム金属が0.5wt％含まれていた。

該パラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネー
トフイルムをサンドペーパー（＃100）によるサ
ンデイングで表面を粗面化した厚さ１mmの紙積層
フエノール基板と重ね合わせ、電気オーブン中
180℃で10分間加熱処理しパラジウム金属触媒核
を紙積層フエノール板に固着した。

次に、パラジウム有機金属錯体を含有していた
ポリカーボネートフイルムを紙積層フエノール板
より剥がした後、紙積層フエノール板を無電解銅
メツキ液〔TMP化学銅＃200、奥野製薬工業(株)社
製〕中に25℃で10分間浸漬したところパラジウム
有機金属錯体含有ポリカーボネートフイルムに対
向していた面のみ銅メツキが施された。

このようにして化学銅メツキが施された紙積層
フエノール板を硫酸銅５水和物90ｇ／、濃硫酸
200ｇ／、硫塩酸0.125ｇ／、光沢剤〔ルチナ
81MU、奥野製薬工業(株)社製〕５ml／からなる
電解銅メツキ液中で、室温2A／ｄm²の電流密度
でメツキの厚さが40μｍなるように銅メツキを行
つた。

このもののピール強度を測定したところ1.2
Kg／cm²であつた。

実施例 ２ 実施例１のパラジウム有機金属錯体含有ポリカ
ーボネートフイルムと表面を粗化していない紙積
層フエノール基板を重ね合わせ、実施例１と同様
に加熱処理し、無電解銅メツキを行つた。

得られた銅メツキ層は、均一でスキツプの発生
も認められる粘着テープによる剥離試験で破壊さ
れなかつた。

実施例 ３、４、５ 実施例１と同様にしてポリカーボネートに対し
パラジウム金属含有量が各々0.1、１、5wt％のジ
−μ−クロロビス（η−２−メチルアリル）二パ
ラジウム（）錯体含有ポリカーボネートフイル
ムを作製し、表面をサンドペーパー（＃100）で
サンデイングした厚さ１mmの紙積層フエノール基
板と重ね合わせ実施例１と同様に加熱処理し無電
解銅メツキを行つたところ、全て金属光沢を示す
銅メツキが施された。

実施例 ６、７、８ 表面をサンドペーパー（＃100）でサンデイン
グした厚さ１mmのガラスクロス積層エポキシ基
板、ポリサルホン成形基板及びアルミナ基板に、
実施例１で得られたパラジウム有機金属錯体含有
ポリカーボネートフイルムを重ね合わせ、実施例
１と同様に加熱処理し無電解銅メツキを行つたと
ころ、金属光沢を示す銅メツキが施された。この
銅メツキ層は、粘着テープによる剥離試験で破壊
されなかつた。

実施例 ９ パラジウム有機金属錯体としてジ−μ−クロロ
ビス（η−アリル）二パラジウム（）を使用
し、実施例１と同様にしてポリカーボネートに対
しパラジウム金属含有量が0.5wt％のパラジウム
有機金属錯体含有ポリカーボネートフイルムを作
製し、表面をサンドペーパー（＃100）でサンデ
イングした厚さ１mmの紙積層フエノール基板と重
ね合わせ、電気オーブン中150℃で10分間加熱処
理し、実施例１と同様に無電解銅メツキを行つた
ところ、金属光沢を示す銅メツキが施された。

実施例 10 パラジウム有機金属錯体としてベンジルクロロ
ビス（トリフエニルホスフイン）パラジウム
（）を使用し、実施例１と同様にしてポリカー
ボネートに対しパラジウム金属含有量が0.5wt％
のパラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネート
フイルムを作製し、表面をサンドペーパー
（＃100）でサンデイングした厚さ１mmの紙積層フ
エノール基板と重ね合わせ、実施例１と同様に加
熱処理し無電解銅メツキを行つたところ、金属光
沢を示す銅メツキが施された。

実施例 11 ジ−μ−クロロビス（η−２−メチルアリル）
二パラジウム（）錯体0.093ｇと硬質ポリウレ
タン10ｇをクロロホルム90ｇに溶解しコート用樹
脂液を調製した。この溶液は硬質ポリウレタンに
対しパラジウム金属が0.5wt％含有している事に
なる。

このコート用樹脂液を厚さ100μｍに規制する
ドクターナイフを使用し厚さ75μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフイルムに塗布し、風乾後60℃
で２時間乾燥した。

このようにして得られたパラジウム有機金属錯
体含有硬質ポリウレタン塗布ポリエチレンテレフ
タレートフイルムをサンドペーパー（＃100）に
よるサンデイングで表面を粗面化した厚さ１mmの
紙積層フエノート基板と重ね合わせ、実施例１と
同様に加熱処理し無電解銅メツキを行つたとこ
ろ、表面に均一な銅メツキが施された。

実施例 12 図１に示すように、実施例１のパラジウム有機
金属錯体含有ポリカーボネートフイルムをパラジ
ウム金属を固着するに必要な部分を切抜いた厚さ
50μｍのステンレス製遮蔽板（スペーサー）を介
してサンドペーパー（＃100）によるサンデイン
グで表面を粗面化した厚さ１mmの紙積層フエノー
ル基板と接触しないように重ね合わせ、プレス機
を使用し上、下両方より接触圧で180℃、10分間
加熱処理を行つた。

次に、実施例１と同様に無電解銅メツキを行つ
たところ、遮蔽板を介してパラジウム有機金属錯
体含有ポリカーボネートフイルムと対向していた
紙積層フエノール基板の部分のみに銅メツキが施
された。

実施例 13 図２に示すように、実施例１のパラジウム有機
金属錯体含有ポリカーボネートフイルムを幅１mm
のジグザグパターンを切抜いた厚さ50μｍのステ
ンレス製遮蔽板を介してサンドペーパー（＃100）
によるサンデイングで表面を粗面化した厚さ１mm
の紙積層フエノール基板と接触しないように重ね
合わせ、実施例１と同様に加熱処理し無電解銅メ
ツキを行つたところ、遮蔽板を介してパラジウム
有機金属錯体含有ポリカーボネートフイルムと対
向していた紙積層フエノール基板に幅１mmのジグ
ザグパターンの銅メツキが施された。

実施例 14 図３に示すように、実施例１のパラジウム有機
金属錯体含有ポリカーボネートフイルム２枚を幅
1.5mmの互いに異なつたジグザグパターンを切抜
いて厚さ50μｍのステンレス製遮蔽板２枚を介し
てサンドペーパー（＃100）によるサンデイング
で表面を粗面化した径１mmφの貫通孔２個を有す
る厚さ1.6mmの紙積層フエノール基板と接触しな
いように重ね合わせ、実施例１と同様に加熱処理
し無電解銅メツキを行つたところ、遮蔽板を介し
てパラジウム有機金属錯体含有ポリカーボネート
フイルムと対向していた紙積層フエノール基板の
上、下に幅１mmのジグザグパターンの銅メツキが
施された。このものは、紙積層フエノール基板の
上下間で導通があつた。

(ト) 発明の効果 本発明は、多種類の被メツキ物について表面粗
化が不要か極く簡単な表面粗化を行い、従来の煩
雑な湿式法によるパラジウム金属触媒核固着工程
を経る事なく極めて簡便な方法でメツキ密着強度
に優れ且つ必要に応じ任意の部分に無電解メツキ
が可能な金属導体被膜形成法に関するものであ
る。

又、プリント配線基板を製造する場合は、基板
の上及び下に別々の金属導体回路を形成する事が
出来ると共に、所謂スルホールメツキも同時に行
う事が出来る利点がある。

又、被メツキ物にパラジウム系有機金属錯体を
含有する重合体フイルムより遊離した極めて微細
なパラジウム金属が、単なる付着でなく強固に固
着する為、パラジウム金属触媒核を基にした無電
解メツキ後の金属導体被膜は強固な密着強度を有
するものとなる。

【図面の簡単な説明】

図１、図２、図３は、各々実施例12、実施例
13、実施例14に於ける被メツキ物へのパラジウム
金属触媒核固着方法を示すものである。 １……パラジウム有機金属錯体含有ポリカーボ
ネート、２……ステンレス製遮蔽板、３……紙積
層フエノール基板、４……幅１mmのジグザグパタ
ーンを切抜いたステンレス製遮蔽板、５……４と
は異なる幅１mmのジグザグパターンを切抜いたス
テンレス製遮蔽板、６……貫通孔を有する紙積層
フエノール基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ パラジウム系有機金属錯体を含有する重合体
   フイルムと被メツキ物を対向させ、該重合体フイ
   ルムを加熱しパラジウム金属を被メツキ物に固着
   後、無電解メツキ法により金属導体被膜を形成す
   る方法。