JPH04171920A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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JPH04171920A
JPH04171920A JP30041090A JP30041090A JPH04171920A JP H04171920 A JPH04171920 A JP H04171920A JP 30041090 A JP30041090 A JP 30041090A JP 30041090 A JP30041090 A JP 30041090A JP H04171920 A JPH04171920 A JP H04171920A
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Masaru Hidano
肥田野 勝
Susumu Morikawa
進 森川
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Tokyo Electron Sagami Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、熱処理装置に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体デバイスの製造工程における成膜工程や
熱拡散工程では、例えば被処理物である半導体ウェハを
多数収容する反応管の周囲に、ヒータを配置して構成し
た熱処理炉を有するバッチ式の熱処理装置が使用されて
いる。
このようなバッチ式熱処理装置においては、熱処理炉の
炉壁に孔部を設け、この孔部に温度検出器例えば熱電対
をヒータの近傍に達するように挿入し、この熱電対から
の検出電圧信号を順次温度測定回路に送ることによって
、熱電対の配置位置の温度を測定し、これら測定温度に
基づいてヒータに印加する電力を制御することが行われ
ており、これにより反応管内の温度を所定の温度に制御
している。
ところで、上記したように熱電対を用いて温度測定を行
う際には、測定点側の温接点に対′して、例えば0℃や
50℃等の温度に保持した冷接点が必要となる。そこで
、従来の熱処理装置においては、接続部を有する熱電対
ホルダを炉壁面に設置し、この熱電対ホルダによって熱
電対を固定すると共に、上記接続部から補償導線によっ
て、冷接点を兼ねた温度測定回路まで配線することが行
われている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した構造を有する従来の熱処理装置
においては、熱処理炉の孔部と熱電対の保護管との隙間
からの放熱によって、熱電対の設置場所の温度が下がり
、熱電対の読み値が実際の炉内の雰囲気温度より低く出
力されるという問題点があった。また、熱電対を取り外
して再度熱処理装置に取り付けるとこ熱処理炉の孔部と
熱電対の保護管との隙間が変形し、温度測定の再現性が
得られないという問題点を有していた。
本発明は、このような従来技術の課題に対処するために
なさ、れたもので、温度検出器の設置位置に対する熱影
響を抑制することで、温度検出器による正確な温度測定
を可能にし、温度制御の精度を向上させた熱処理装置を
提供することを目的としている。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明の熱処理装置は、被処理物を収容する反
応管を有し、この反応管を囲繞する如く設けられた加熱
機構により、該被処理物に対して所定の熱処理を施す熱
処理炉とこの熱処理炉の炉壁外部から挿入され、前記反
応管内の温度制御を行う温度検出器とを具備する熱処理
装置において、前記温度検出器は、前記炉壁から突設さ
れかつ内部に断熱材か充填された温度検出器ホルダに、
該断熱材を貫通して挿入固定されていることを特徴とし
ている。
(作 用) 本発明の熱処理装置においては、温度検出器は炉壁から
突設されかつその内部に断熱材か充填された温度検出器
ホルダにより固定されている。
したがって、炉壁に設けられた孔部と温度検出器の挿入
部との隙間からの放熱は、上記温度検出器ホルダ内に充
填された断熱材によって遮断されるため、上記温度検出
器の温度は低下することかなく、正確に熱処理装置内の
温度を測定することができる。よって、炉内に挿入され
た温度検出器の測定精度の向上を図ることが可能となる
(実施例) 以下、本発明装置をバッチ式の横型熱処理装置に適用し
た実施例について、図面を参照して説明する。
第1図および第2図に示すように、この実施例のバッチ
式の横型熱処理装置1は、例えば円筒形状の石英等から
なる反応管2を有しており、この反応管2内に例えばウ
ェハボート3に収納された多数の半導体ウェハ4が収容
される。
上記反応管2は、炭化ケイ素等からなる均熱管5内に設
置されており、この均熱管5の外側には、ヒータ線をコ
イル状に形成した加熱用ヒータ6が配置されて0る。こ
の加熱用ヒータ6の外側には、その周囲を覆うように、
断熱材7を介して炉98が設けられている。
上記熱処理装置1では、例えば反応管2の長手方向に5
分割された領域A、B、C,D、E毎に加熱用ヒータ6
に印加する電力を制御し、これらの領域A−E毎に反応
管2内の温度を制御する、5ゾ一ン温度制御方式を採用
している。
そして、上記5ゾ一ン温度制御方式を実施するために、
反応管2外部の加熱用ヒ〜り6の近傍には、各領域A、
BSC,D、E毎に外部用温度検出器例えば熱電対9か
それぞれ設置されている。
また、反応管2の内部にも、各領域A、B、C1D、E
毎にそれぞれ内部用温度検出器例えば熱電対10が設置
されている。
上記外部用熱電対9と内部用熱電対10とによる反応管
2内の温度制御は、例えば内部用熱電対10からの出力
温度値と外部用熱電対9からの出力温度値との平均値を
所定の比率によって演算し、この平均値に応じて加熱用
ヒータ6に印加する電力を制御することにより行う。
ここで、上記外部用熱電対9は、それぞれ主熱電対9a
と予備熱電対9bとを有しており、これら主熱電対9a
および予備熱電対9bは、炉壁8の外側に設置された熱
電対ホルダ11によって固定されている。なお、上記主
熱電対9aおよび予備熱電対9bは、同様な位置の温度
測定を同時に行うものであり、通常時の温度制御を司る
主熱電対9aに故障が生じた際には、予備熱電対9bに
よる温度制御へ切り替えられる。これによって、比較的
故障が生じゃすい熱電対に起因する半導体ウェハ4の不
良発生を抑制することが可能となる。
上記熱電対ホルダ11は、第3図および第4図に示すよ
うに、炉壁8の外面から凸状となるように、炉壁8にビ
ス12によって設置された半円筒形状のホルダガイド1
3とこのホルダガイド13の円周面上にビス14によっ
て移動可能に取り付けられたホルダ部15とから主とし
て構成されている。
また、上記ホルダガイド13内には、断熱材16が充填
されており、この断熱材16としては、例えばアルミナ
ウールやシリカウール等が用いられ、また予めホルダガ
イド13の内形状に合せて形成したアルミナブランケッ
ト等を用いることも可能である。そして、各熱電対9 
a s 9 bは、上記断熱材16を貫通し、その先端
の測定部が加熱用ヒータ6の近傍に到達するように挿入
固定されている。
このように、各熱電対98% 9bはホルダガイド13
内に充填された断熱材16を貫通して挿入されているた
め、各熱電対9a、9bの接続部9Cに対する炉からの
熱の影響は、上記断熱材16によって大幅に抑制される
上記ホルダ部15は、両端にU字形状の取り付は部17
aを有する枠体17とこの枠体17にビス18によって
固定され、熱電対98% 9bを保持するホルダブロッ
ク19とを有している。上記枠体17は、U字形状の取
り付は部17aによってホルダガイド13を挾み込み、
ビス14で締め付けることによってホルダガイド13に
固定される。したがって、ホルダガイド13の円周面上
の取り付は位置を変更することによって、熱電対98%
 9bの挿入角度を適宜に設定することができる。これ
により、被処理物である半導体ウェハ4の口径差や炉口
体の寸法差による熱電対9 a s9bの挿入位置の違
いに対処することができる。
また、上記ホルダブロック19では、取付は孔20a、
20bに挿入された熱電対9 a s 9 bをセラト
スクリニラ21a、21bによって固定する構造となっ
ている。このため、熱電対9a19bを上記取付は孔2
0a、20bに挿入した際、各熱電対9a、9bによる
測定位置が所定の位置となるように、ホルダブロック1
9の厚さを設定しておくことによって、熱電対9a、9
bを交換したような場合においても、絶えず一定の位置
に挿入設置することが可能となる。
上記した各熱電対9 a 19 b s 10は、補償
導線22を介して冷接点補償器23と接続されている。
この際、外部用熱電対9のうち、主熱電対9aはそれぞ
れ第1の冷接点補償器23aと、予備熱電対9bはそれ
ぞれ第2の冷接点補償器23bと接続されており、内部
用熱電対10はそれぞれ第3の冷接点補償器23cと接
続されている。各冷接点補償器23 a s 23 b
 s 23 cには、これら冷接点自体の温度測定を行
うための補償用温度“センサ24がそれぞれ設置されて
いる。
各熱電対9 a 19 b s 10からの検出信号は
、第5図に示すように、上記補償用温度センサ24から
の出力信号と共に、信号切替え手段例えばマルチプレク
サ25 a s 25 b s 25 cに通常の導線
例えばフラットケーブル26によって送られる。
また、上記各マルチプレクサ25a、25b、25Cに
は、上記各熱電対9a、9b、10からの検出信号等と
共に、2つの基準信号例えば測定対象に応じた最大温度
に相当する電圧C61と、零電圧C82とがそれぞれ入
力されている。これら基準信号Cot、CO2は、後述
する温度測定回路を校正するためのものである。
そして、各マルチプレクサ25a、25b、25Cは、
温度測定回路30と接続されており、これらマルチプレ
クサ25に入力された熱電対9 a s9b、10から
の検出信号CI ”” C10等は、各マルチプレクサ
25a、25b、25cで切り替えられて、順次温度測
定回路30側に送られる。
上記温度測定回路30は、3台のマルチプレクサ25a
、25b、25cからの信号を切り替えるスイッチ31
.32と、検出信号等を増幅するためのアンプ33と、
A/Dコンバータ34と、検出信号や基準信号等を温度
に変換する演算式や基準信号C81、CO2に基づいて
温度補正を行う演算式等が記憶されているROM35と
、これら演算過程での出力値を一時記憶するRAM36
と、上記ROMB5に記憶されている演算式に基づいて
検出信号を補正しつつ温度に変換して測定温度として出
力し、上記外部用熱電対9のうち主熱電対9aもしくは
予備熱電対9aによる測定温度のいずれに基づいて温度
制御を行うかを決定し、かつ測定温度に基づいて加熱用
ヒータ6に印加する電力値の指令信号等を出力するCP
U37と、上記指令信号に応じて加熱用ヒータ6への印
加電力を制御するSCR3g等とから構成されている。
上記温度補正は、例えば基準信号C81、CO2による
実際の出力温度値および検出信号による実際の出力温度
値間の比率と、基準信号C81%  CO2による設定
温度値との比例計算によって行うことができる。このよ
うにして、温度測定回路30を校正することにより、検
出信号がマルチプレクサ25に入力されてからA/Dコ
ンバータ34によってデジタル変換されるまでに生した
誤差を補正することかでき、よって正確な温度測定と反
応管2内のより高精度な温度コントロールを行うことか
可能となる。
上記構成の熱処理装置1においては、外部用熱電対9を
熱電対ホルダ11のホルダガイド13内に充填された断
熱材16を貫通して挿入固定しているため、各熱電対9
の接続部9C等に対する炉からの熱の影響を大幅に抑制
することができる。
したがって、熱電対9による温度測定をより性格に行う
ことが可能となる。
また、各熱電対9.10の冷接点補償器23は、炉体と
は別途設置しているため、熱電対の冷接点となる接続部
の温度を安定化することができ、測温誤差の発生を防止
することが可能となる。
なお、上記実施例においては、本発明装置を横型熱処理
装置に適用した例について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、縦型熱処理装置等の各種の熱
処理装置に適用することが可能である。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の熱処理装置によれば、熱
電対等の温度検出器の設置位置に対する熱の影響を大幅
に低減することができるため、温度検出器による正確な
温度測定が可能となる。よって、熱処理装置の温度制御
の精度向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるバッチ式の横型熱処理
装置の構成を示す断面図、第2図は第1図に示す横型熱
処理装置の熱電対系統を含めた構成を模式的に示す図、
第3図はその熱電対の固定状態を示す断面図、第4図は
その斜視図、第5図はその温度測定回路を示す図である
。 1・・・・・・熱処理装置、2・・・・・・反応管、3
・・・・・・ウェハボート、4・・・・・・半導体ウェ
ハ4.5・・・・・・均熱管、6・・・・・・加熱用ヒ
ータ、8・・・・・・炉壁、9.1o・・・・・・熱電
対、11・・・・・・熱電対ホルダ、13・・・・・・
ボルダガイド、15・・・・・・ホルダ部、16・・・
・・・断熱材、17・・・・・・枠体、19・・・・・
・ホルダブロック、22・・・・・・補償導線、23・
・・・・・冷接点補償器、25・・・・・・マルチプレ
クサ、30・・・・・・温度測定回路。 出願人   東京エレクトロン相模株式会社代理人 弁
理士  須 山 佐 − (ほか1名) 第3心 褐4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  被処理物を収容する反応管を有し、この反応管を囲繞
    する如く設けられた加熱機構により、該被処理物に対し
    て所定の熱処理を施す熱処理炉とこの熱処理炉の炉壁外
    部から挿入され、前記反応管内の温度制御を行う温度検
    出器とを具備する熱処理装置において、 前記温度検出器は、前記炉壁から突設されかつ内部に断
    熱材が充填された温度検出器ホルダに、該断熱材を貫通
    して挿入固定されていることを特徴とする熱処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245202A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Denso Corp 熱処理装置
JP4702559B2 (ja) * 2004-04-09 2011-06-15 日産化学工業株式会社 縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜
JP2012109520A (ja) * 2010-10-18 2012-06-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理装置の温度制御方法、及び基板処理装置の加熱方法

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